JPS6220399A - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS6220399A JPS6220399A JP15811185A JP15811185A JPS6220399A JP S6220399 A JPS6220399 A JP S6220399A JP 15811185 A JP15811185 A JP 15811185A JP 15811185 A JP15811185 A JP 15811185A JP S6220399 A JPS6220399 A JP S6220399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resistant resin
- wiring
- wiring layer
- photosensitive heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は感光性耐熱樹脂の二層積層構造の層間絶縁膜を
用いる多層配線の形成方法に関する。 多層配線の形成方法は半導体装置や薄膜装置の集積度や
性能の向上を左右する重要な技術である。 〔発明の背景〕 −1:d己多層配線を形成する場合に、従来の方法にお
いては図に示すように、基板1」二にアルミニウム等の
第一配線層2が形成され、その上にポリイミドからなる
層間絶縁層3が形成され。 次にこの絶縁層にフ第1・エツチングによってスルホー
ル4が形成され、スルホールを介して第二配線層が形成
されているつじかしながら、−上記従来方法においては
図に示すように、絶縁層3にスルホールをエツチング形
成−4−る際に、スルホールの位置ずれ、寸法のバラツ
ギ等によって基板下地露出部6が生じ絶縁層下地境界7
の耐圧が劣化し、信頼度の低下という問題がある。 そのため従来は上記基板下地露出部6を防止する方法と
して第一配線層のスルホール部に図の示すようにスルホ
ール径よりも大きなバンドを形成していたが、この方法
は多層配線の集積度を低下させる問題があった。 それに対し、特開昭59−36943号に記載の図に示
したような方法がある。この方法は絶縁層を耐熱樹脂層
3と感光性耐熱樹脂層8とから形成し図で示した基板下
地露出部6を防止している。しかしながら、この方法に
おいては絶縁層に異なる樹脂を用いるために樹脂層間の
接着信頼性低下の点、さらにスルボール径4を大きくし
ているために隣接第一配線層9と第二配線層5の寸法に
余裕がなくなり多層配線の集積度を低下させる点、絶縁
層を二層構造にすることによる作業工数増加の点につい
ては配慮されていなかった。なお関連する技術に特開昭
59−3fi943号がある。 〔発明の目的〕 本発明の目的は高集積化が可能で工程数の少ない多層配
線の形成方法の提供にある。 〔発明の概要〕 本発明は上記目的を達成するために、多層配線のいずれ
の配線層においても高集積化が図れるように配線幅とス
ルホール径とを同一寸法に設定し加エバラツキ婢でスル
ホール径の方カ大きくなった場合でも絶縁層を感光性耐
熱樹脂の同一材料の二層構造にすることにより、従来例
と同等の機能に絶縁層間の接着強度と工程数が少ない長
所を合わせ持った多層配線の形成方法である。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第1図〜第4図に示す工程要
部断面図により説明する。 第1図において半導体基板1+に通常のスパッタ法又は
蒸着法にて厚さ約1βmのアルミニウム等の金属薄膜を
形成し、通常のフォトエツチングで第一配線層2を形成
し、感光性ml耐熱脂層10と
用いる多層配線の形成方法に関する。 多層配線の形成方法は半導体装置や薄膜装置の集積度や
性能の向上を左右する重要な技術である。 〔発明の背景〕 −1:d己多層配線を形成する場合に、従来の方法にお
いては図に示すように、基板1」二にアルミニウム等の
第一配線層2が形成され、その上にポリイミドからなる
層間絶縁層3が形成され。 次にこの絶縁層にフ第1・エツチングによってスルホー
ル4が形成され、スルホールを介して第二配線層が形成
されているつじかしながら、−上記従来方法においては
図に示すように、絶縁層3にスルホールをエツチング形
成−4−る際に、スルホールの位置ずれ、寸法のバラツ
ギ等によって基板下地露出部6が生じ絶縁層下地境界7
の耐圧が劣化し、信頼度の低下という問題がある。 そのため従来は上記基板下地露出部6を防止する方法と
して第一配線層のスルホール部に図の示すようにスルホ
ール径よりも大きなバンドを形成していたが、この方法
は多層配線の集積度を低下させる問題があった。 それに対し、特開昭59−36943号に記載の図に示
したような方法がある。この方法は絶縁層を耐熱樹脂層
3と感光性耐熱樹脂層8とから形成し図で示した基板下
地露出部6を防止している。しかしながら、この方法に
おいては絶縁層に異なる樹脂を用いるために樹脂層間の
接着信頼性低下の点、さらにスルボール径4を大きくし
ているために隣接第一配線層9と第二配線層5の寸法に
余裕がなくなり多層配線の集積度を低下させる点、絶縁
層を二層構造にすることによる作業工数増加の点につい
ては配慮されていなかった。なお関連する技術に特開昭
59−3fi943号がある。 〔発明の目的〕 本発明の目的は高集積化が可能で工程数の少ない多層配
線の形成方法の提供にある。 〔発明の概要〕 本発明は上記目的を達成するために、多層配線のいずれ
の配線層においても高集積化が図れるように配線幅とス
ルホール径とを同一寸法に設定し加エバラツキ婢でスル
ホール径の方カ大きくなった場合でも絶縁層を感光性耐
熱樹脂の同一材料の二層構造にすることにより、従来例
と同等の機能に絶縁層間の接着強度と工程数が少ない長
所を合わせ持った多層配線の形成方法である。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第1図〜第4図に示す工程要
部断面図により説明する。 第1図において半導体基板1+に通常のスパッタ法又は
蒸着法にて厚さ約1βmのアルミニウム等の金属薄膜を
形成し、通常のフォトエツチングで第一配線層2を形成
し、感光性ml耐熱脂層10と
【ッて例えばPhoto
−P A L (日立化成社製)を使用し、塗布後プリ
ベーク(85℃、15分)を行う。 次に第2図に示すように現像により第一配線層の表面が
出るまで膜厚を減少さぜた後に180℃、30分の仮ギ
コアな行う。この工程においてパターニングが必要な場
合はフォトマスクな介して100 m 、y /cd(
at 365 +am )の露光を行った後に現1#!
を行う。なお、Photo −P A L Ii露光部
でも表面側の現像膜減りが大きいという特徴があるため
、第一配線層の表出と所要バターニングが同時にできる
という長所がある。 次に第3図に示すように感光性耐熱樹脂層用として同じ
(Photo −P A Lを用いて塗布、85℃、1
5分のプリベークを行い、フォトマスクを介して100
m J/ctl (at 365關)の露光を行い現
像してスルホール4を形成する。なおこの際、前記感光
性耐熱樹脂層10は仮キエアをしであるので現偉液に不
溶でありスルホールの位置ずれ等により感光性耐熱樹脂
層10が露出しても膜減りは生じない1次にステップギ
ュアーを行い、最終処理温度400℃、N2中、60分
熱処理し、感光性耐熱樹脂層10.11を硬化させる。 次に第4図に示すように第二配線層5をアルミニウム等
の金属薄膜でスルーホール4を介して形成する。 本実施例によれば、感光性耐熱樹脂層】0によって第一
配線層2を平坦化し、感光性耐熱樹脂層11を用いるこ
とによって寸法バラツキによってスルホール4と第一配
線層2にずわを生じても下地の露出を生じることがなく
、またスルホール寸法、第一配線層寸法のいずれも大き
くする必要がないため多層配線の高集積化が可能となり
、工程数も少なくすることができる。 〔発明の効果〕 本発明によイ1ば、第一配線層にスルボール径よりも大
きな配線接続パターンを設ける必要が41:<、またス
ルホールも第一配線層よりも大きくする必要がないため
、多層配線の高集積化が可能どなり、かつスルホール加
工精度の緩和、二層絶縁層間の接着信頼性の向上、加工
工数の低減等の大きな効果を得ることができる。 なお1本発明は三層以上の多層配線にも適用される。
−P A L (日立化成社製)を使用し、塗布後プリ
ベーク(85℃、15分)を行う。 次に第2図に示すように現像により第一配線層の表面が
出るまで膜厚を減少さぜた後に180℃、30分の仮ギ
コアな行う。この工程においてパターニングが必要な場
合はフォトマスクな介して100 m 、y /cd(
at 365 +am )の露光を行った後に現1#!
を行う。なお、Photo −P A L Ii露光部
でも表面側の現像膜減りが大きいという特徴があるため
、第一配線層の表出と所要バターニングが同時にできる
という長所がある。 次に第3図に示すように感光性耐熱樹脂層用として同じ
(Photo −P A Lを用いて塗布、85℃、1
5分のプリベークを行い、フォトマスクを介して100
m J/ctl (at 365關)の露光を行い現
像してスルホール4を形成する。なおこの際、前記感光
性耐熱樹脂層10は仮キエアをしであるので現偉液に不
溶でありスルホールの位置ずれ等により感光性耐熱樹脂
層10が露出しても膜減りは生じない1次にステップギ
ュアーを行い、最終処理温度400℃、N2中、60分
熱処理し、感光性耐熱樹脂層10.11を硬化させる。 次に第4図に示すように第二配線層5をアルミニウム等
の金属薄膜でスルーホール4を介して形成する。 本実施例によれば、感光性耐熱樹脂層】0によって第一
配線層2を平坦化し、感光性耐熱樹脂層11を用いるこ
とによって寸法バラツキによってスルホール4と第一配
線層2にずわを生じても下地の露出を生じることがなく
、またスルホール寸法、第一配線層寸法のいずれも大き
くする必要がないため多層配線の高集積化が可能となり
、工程数も少なくすることができる。 〔発明の効果〕 本発明によイ1ば、第一配線層にスルボール径よりも大
きな配線接続パターンを設ける必要が41:<、またス
ルホールも第一配線層よりも大きくする必要がないため
、多層配線の高集積化が可能どなり、かつスルホール加
工精度の緩和、二層絶縁層間の接着信頼性の向上、加工
工数の低減等の大きな効果を得ることができる。 なお1本発明は三層以上の多層配線にも適用される。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図は本発明の一実施例の工程要部断面図、
第5図〜第7図は従来方法による要部所面図でよ)る。 1・・・基板 2・・・第一配線層3・・・
証1熱樹脂I@4・・・スルホール5・・・第二配線層
6・・・基板下地絽出部7・・・絶縁層F地境界
8・・・感光性耐熱樹脂9・・・bj・l熱樹Jli
¥ 10・・・感光性耐熱樹脂11・・・感光性
耐熱樹脂
第5図〜第7図は従来方法による要部所面図でよ)る。 1・・・基板 2・・・第一配線層3・・・
証1熱樹脂I@4・・・スルホール5・・・第二配線層
6・・・基板下地絽出部7・・・絶縁層F地境界
8・・・感光性耐熱樹脂9・・・bj・l熱樹Jli
¥ 10・・・感光性耐熱樹脂11・・・感光性
耐熱樹脂
Claims (1)
- 1、第一配線層を設けた基板上に感光性耐熱樹脂を塗布
仮硬化させ、次に紫外線を露光した後に感光性耐熱樹脂
層の表面側を現像により上記第一配線層の表面が現われ
るまで除去してから感光性耐熱樹脂層を硬化させる工程
と上記基板上にさらに感光性耐熱樹脂を塗布仮硬化させ
、感光性耐熱樹脂層の上記第一配線層のある部分にスル
ホールを設けた後硬化させ、その上に第二配線層を設け
てスルホールを介して接続部を形成する工程が含まれて
いることを特徴とする多層配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15811185A JPS6220399A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 多層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15811185A JPS6220399A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 多層配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220399A true JPS6220399A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15664542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15811185A Pending JPS6220399A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 多層配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298995A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Ibiden Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP15811185A patent/JPS6220399A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298995A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Ibiden Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59123255A (ja) | 複層フレキシブル・フイルム・モジユ−ル及びその製法 | |
| JPS59197139A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| US4963512A (en) | Method for forming conductor layers and method for fabricating multilayer substrates | |
| JPH0682926B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPS6220399A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH06132663A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2586745B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPH07212045A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| US6274291B1 (en) | Method of reducing defects in I/C card and resulting card | |
| JPH061795B2 (ja) | 多層配線構造体 | |
| JPS6180836A (ja) | 多層配線を有する半導体装置 | |
| JPS5936944A (ja) | 多層配線形成方法 | |
| JPS63299253A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5936943A (ja) | 多層配線形成方法 | |
| JPH04332118A (ja) | パターンの形成方法 | |
| JPH01248597A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH06244553A (ja) | 薄膜多層配線基板の製造方法 | |
| JPS6310592A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPS61256742A (ja) | 多層配線構造体及びその製造方法 | |
| JPH0528500B2 (ja) | ||
| JPH0340449A (ja) | 集積回路を有する半導体装置 | |
| JPH0661616A (ja) | フォトレジスト膜の形成方法 | |
| JPH02151052A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6386544A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0642517B2 (ja) | 接続窓を有する絶縁膜の形成方法 |