JPS63107045A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63107045A JPS63107045A JP25301086A JP25301086A JPS63107045A JP S63107045 A JPS63107045 A JP S63107045A JP 25301086 A JP25301086 A JP 25301086A JP 25301086 A JP25301086 A JP 25301086A JP S63107045 A JPS63107045 A JP S63107045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- wirings
- wiring
- interlayer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止全行う多層配
線構造を有する半導体装置に関する。
線構造を有する半導体装置に関する。
半導体集積回路は、今後ますます高集積化、多層配線構
造化が図られておシ、配線の微細化によシ配線段差部で
の断線を防ぐことが課題の一つである。
造化が図られておシ、配線の微細化によシ配線段差部で
の断線を防ぐことが課題の一つである。
第２図は従来の半導体装置の多層配線構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
第２図に示すように、半導体基板１の上に第１の絶縁膜
２を形成する。次に、第１の絶縁［２の上にアルミニウ
ムの第１の配線３を形成する０次に、第１の絶縁膜２と
第１の配線３を覆うように第２の絶縁膜４を形成する９
次に、第２の絶縁膜第３の絶縁膜７を形成するようにな
っていた。
２を形成する。次に、第１の絶縁［２の上にアルミニウ
ムの第１の配線３を形成する０次に、第１の絶縁膜２と
第１の配線３を覆うように第２の絶縁膜４を形成する９
次に、第２の絶縁膜第３の絶縁膜７を形成するようにな
っていた。
上述した従来の２層配線構造では、第２の絶縁膜４と、
この上に形成されたアルミニウムの第２配線６との段差
が大きくなシ、この上にパシベーションとしての第３の
絶縁膜７も凸凹が太きく形成される。次に、第３の絶縁
膜７の上を樹脂封止すると第３の絶縁膜７の凹部に樹脂
が充填されるために周囲の温度変化に伴う樹脂の膨張収
縮によシ生ずる内部応力が第２の配線６に加わり、断線
を起すという問題があった。
この上に形成されたアルミニウムの第２配線６との段差
が大きくなシ、この上にパシベーションとしての第３の
絶縁膜７も凸凹が太きく形成される。次に、第３の絶縁
膜７の上を樹脂封止すると第３の絶縁膜７の凹部に樹脂
が充填されるために周囲の温度変化に伴う樹脂の膨張収
縮によシ生ずる内部応力が第２の配線６に加わり、断線
を起すという問題があった。
本発明の目的は、半導体素子を封止する樹脂の膨張収縮
によシ配線に加わる応力を軽減する半導体装置を提供す
ることにある。
によシ配線に加わる応力を軽減する半導体装置を提供す
ることにある。
本発明の半導体装置は、第１の絶縁膜を有する半導体基
板と、該第１の絶縁膜の上に形成する第１の配線と、該
第１の配線と前記第１の絶縁膜の上に形成する第２の絶
縁膜と、該第２の絶縁膜の上に形成する第２の配線と、
該第２の絶縁膜の上でかつ該第２の配線の間に形成する
眉間物と、該層間物と該第２の配線の上に形成する第３
の絶縁膜の上に形成する金属膜とを含んで講成される。
板と、該第１の絶縁膜の上に形成する第１の配線と、該
第１の配線と前記第１の絶縁膜の上に形成する第２の絶
縁膜と、該第２の絶縁膜の上に形成する第２の配線と、
該第２の絶縁膜の上でかつ該第２の配線の間に形成する
眉間物と、該層間物と該第２の配線の上に形成する第３
の絶縁膜の上に形成する金属膜とを含んで講成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａｌ〜ｔｄ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
まず第１図（ａｌに示すように、半導体基板１の−主面
上にフィールド酸化膜である第１の絶縁膜２を形成する
一次に、第１の絶縁膜２の上にアルミニウムの第１の配
線３を形成する。
上にフィールド酸化膜である第１の絶縁膜２を形成する
一次に、第１の絶縁膜２の上にアルミニウムの第１の配
線３を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜２と第
１の配線３との上を、気相成長法によるば化膜の第２の
絶縁膜４で形成する。
１の配線３との上を、気相成長法によるば化膜の第２の
絶縁膜４で形成する。
次に、第１図ｔｃ）に示すように、第２の絶縁膜４の上
にアルミニウムの第２の配線６を、既存のホトレジスト
技術及びエツチング技術によって形成すると共に、電位
的にどこにも接続されていないアルミニウムの層間物５
を形成する。
にアルミニウムの第２の配線６を、既存のホトレジスト
技術及びエツチング技術によって形成すると共に、電位
的にどこにも接続されていないアルミニウムの層間物５
を形成する。
次に、第１図ｔｄ）に示すように、層間物５と第２の配
線６どの上をパシベーシヨンとしての第３の絶縁膜７を
形成する。絶縁膜７は層間物５を設けたことによシ凹凸
が小さく形成される。次に、第３の絶縁膜７の上に金属
膜８をアルミニウムを用いて形成する。次に、ボンデン
グ線９を接続するための領域として、既存のホトレジス
ト技術及びエツチング技術によって金属膜８及び第３の
絶縁膜７とを選択除去して形成する。
線６どの上をパシベーシヨンとしての第３の絶縁膜７を
形成する。絶縁膜７は層間物５を設けたことによシ凹凸
が小さく形成される。次に、第３の絶縁膜７の上に金属
膜８をアルミニウムを用いて形成する。次に、ボンデン
グ線９を接続するための領域として、既存のホトレジス
ト技術及びエツチング技術によって金属膜８及び第３の
絶縁膜７とを選択除去して形成する。
このように凹凸の小さい絶縁膜７と、この上に形成した
金属膜８が半導体素子を封止する樹脂の周囲温度変化に
伴う膨張収縮に起因する内部応力が軽減されて第２の配
線６に加わる。
金属膜８が半導体素子を封止する樹脂の周囲温度変化に
伴う膨張収縮に起因する内部応力が軽減されて第２の配
線６に加わる。
上記実施例では、第２の絶縁膜４を気相成長法で形成し
た酸化膜としたが窒化膜でもよい。また、層間物５をア
ルミニウムとしたが、配線間の静電容量を小さくすると
きはポリミイド樹脂を用いてもよい。また、金属膜８を
半導体素子の全面に形成したが、樹脂による応力の受は
易い部分のみに形成することもできる。
た酸化膜としたが窒化膜でもよい。また、層間物５をア
ルミニウムとしたが、配線間の静電容量を小さくすると
きはポリミイド樹脂を用いてもよい。また、金属膜８を
半導体素子の全面に形成したが、樹脂による応力の受は
易い部分のみに形成することもできる。
以上説明したように本発明は、半導体基板の第２の絶縁
膜の上に形成するアルミニウムの第２の配線と、この配
線間に形成する眉間物と、第２の配耐と層間物の上を第
３の絶縁膜と金属膜で覆った凹凸の小さい構造にしたた
め、半導体素子を封止した樹脂の周囲温度変化に伴う膨
張収縮による内部応力が軽減されて第２の配線に加わり
、配線の断線を防止する効果がある。
膜の上に形成するアルミニウムの第２の配線と、この配
線間に形成する眉間物と、第２の配耐と層間物の上を第
３の絶縁膜と金属膜で覆った凹凸の小さい構造にしたた
め、半導体素子を封止した樹脂の周囲温度変化に伴う膨
張収縮による内部応力が軽減されて第２の配線に加わり
、配線の断線を防止する効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の製造方法を
説明するだめの工程順に示した半導体チップの断面図、
第２図は従来の半導体装置の多層配線構造の一例を示す
断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１の絶縁
膜、３・・・・・・第１の配線、４・・・・・・第２の
絶縁膜、５・・・・・・層間物、６・・・・・・第２の
配線、７・・・・・・第３の絶縁膜、８・・・・・・金
属膜、９・・・・・・ボンディング線。 （、・・・、′
説明するだめの工程順に示した半導体チップの断面図、
第２図は従来の半導体装置の多層配線構造の一例を示す
断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１の絶縁
膜、３・・・・・・第１の配線、４・・・・・・第２の
絶縁膜、５・・・・・・層間物、６・・・・・・第２の
配線、７・・・・・・第３の絶縁膜、８・・・・・・金
属膜、９・・・・・・ボンディング線。 （、・・・、′
Claims (1)
- 第１の絶縁膜を有する半導体基板と、該第１の絶縁膜の
上に形成する第１の配線と、該第１の配線と前記第１の
絶縁膜の上に形成する第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜
の上に形成する第２の配線と、該第２の絶縁膜の上でか
つ該第２の配線の間に形成する層間物と、該層間物と該
第２の配線の上に形成する第３の絶縁膜と、該第３の絶
縁膜の上に形成する金属膜とを含むことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25301086A JPS63107045A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25301086A JPS63107045A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107045A true JPS63107045A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17245231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25301086A Pending JPS63107045A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107045A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04287326A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5659201A (en) * | 1995-06-05 | 1997-08-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | High conductivity interconnection line |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP25301086A patent/JPS63107045A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04287326A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5659201A (en) * | 1995-06-05 | 1997-08-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | High conductivity interconnection line |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04174541A (ja) | 半導体集積回路及びその製造方法 | |
| JPS6248892B2 (ja) | ||
| JPH031538A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63107045A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6325951A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0621061A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04348047A (ja) | 半導体集積回路電極 | |
| JPS63308924A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6022324A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0618239B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0577185B2 (ja) | ||
| JPS61112349A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5974651A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02183536A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2538245Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59161840A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH03159125A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6293958A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62237748A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0122989B2 (ja) | ||
| JPH02238630A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62271453A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH03203328A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路 | |
| JPS63261854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6080253A (ja) | 半導体装置 |