JPS6310740A - 新規イノソース誘導体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
配漿九Δ机且分肛
本発明はα−グルコンダーゼ阻害作用をaし、人や動物
の過血糖症状およびそれに起因ずろ種々の疾病、例えば
、糖尿病、肥満症、脂肪忌多庁などの予防剤や治療剤と
して有用な擬似アミノ糖およびその誘導体の新規製造法
並びにその擬似アミノ糖およびその誘導体の原料となり
うる新規イノソース誘導体に関する。
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、糖尿病、肥満症、脂肪忌多庁などの予防剤や治療剤と
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並びにその擬似アミノ糖およびその誘導体の原料となり
うる新規イノソース誘導体に関する。
従来の技術
本発明者らは先に擬似アミノ糖の一種であるパリオール
アミンおよびそのN−置換誘導体が強いα−グルコシダ
ーゼ阻害活性を示すことを見出すとともに、その製造法
として、パリオールアミンのアミノ基とアルデヒド類ま
たはケトン類とを反応させ、ついで還元反応に付す方法
や、パリオールアミンのアミノ基とオキシラン誘導体あ
るいはハロゲン誘導体とを反応させる方法(特開昭57
−200335.58−59946.58−16259
7.58−216149.59−73549゜59−9
5297)を見出した。
アミンおよびそのN−置換誘導体が強いα−グルコシダ
ーゼ阻害活性を示すことを見出すとともに、その製造法
として、パリオールアミンのアミノ基とアルデヒド類ま
たはケトン類とを反応させ、ついで還元反応に付す方法
や、パリオールアミンのアミノ基とオキシラン誘導体あ
るいはハロゲン誘導体とを反応させる方法(特開昭57
−200335.58−59946.58−16259
7.58−216149.59−73549゜59−9
5297)を見出した。
3明が解決しようとする問題点
擬似アミノ糖の一種であるパリオールアミンのN−置換
誘導体のこれまでの製造方法はいずれも原料としてパリ
オールアミンを用いる方法であった。このパリオールア
ミンはストレプトミセス・ハイグロスコピクス・サブス
ピーシス・リモネウス(Streptomyces h
ygroscoptcus 5ubsp。
誘導体のこれまでの製造方法はいずれも原料としてパリ
オールアミンを用いる方法であった。このパリオールア
ミンはストレプトミセス・ハイグロスコピクス・サブス
ピーシス・リモネウス(Streptomyces h
ygroscoptcus 5ubsp。
1imonec+s)の培養液から単離する方法(特開
昭57−169446)、あるいはバリダマイシンを分
解反応に付すことにより得られるバリエナミンあるいは
バリダミンを原料としてパリオールアミンを合成する方
法(特開昭57−179174.58−46044)等
が知られている。前者の直接発酵法による製造法は最も
簡潔な方法ではあるが、現時点ではまだ収量の面で工業
的方法としては問題がある。後者の方法のうち、特にパ
リエナミンを経由する方法は、工業的製造法としても優
れた方法であるが、後者の方法の中間原料として用いる
バリエナミン(あるいはバリダミン)の分子量がその出
発原料であるバリダマイシンの分子量の約1/2.7で
あるため得られるバリエナミンが割高となる欠点がある
。従って、N−置換パリオールアミン誘導体のより有利
な合成原料が望まれていた。
昭57−169446)、あるいはバリダマイシンを分
解反応に付すことにより得られるバリエナミンあるいは
バリダミンを原料としてパリオールアミンを合成する方
法(特開昭57−179174.58−46044)等
が知られている。前者の直接発酵法による製造法は最も
簡潔な方法ではあるが、現時点ではまだ収量の面で工業
的方法としては問題がある。後者の方法のうち、特にパ
リエナミンを経由する方法は、工業的製造法としても優
れた方法であるが、後者の方法の中間原料として用いる
バリエナミン(あるいはバリダミン)の分子量がその出
発原料であるバリダマイシンの分子量の約1/2.7で
あるため得られるバリエナミンが割高となる欠点がある
。従って、N−置換パリオールアミン誘導体のより有利
な合成原料が望まれていた。
また、これまでパリオールアミンのN−置換誘導体を合
成するために、そのパリオールアミン部分を構築する原
料としてパリオールアミンそのものを用いる場合には、
そのN−置換基部分を構築する原料として、対応する構
造のアルデヒド類。
成するために、そのパリオールアミン部分を構築する原
料としてパリオールアミンそのものを用いる場合には、
そのN−置換基部分を構築する原料として、対応する構
造のアルデヒド類。
ケトン類、オキシラン誘導体およびハロゲン誘導体が用
いられてきた。しかし、本発明者らは、もしパリオール
アミン部分を構築する原料としてイノソース誘導体を用
いることができれば、N−置換基部分を構築する原料と
して対応する第一アミンを用いることが可能であり、こ
の第一アミンが対応するアルデヒド類、ケトン類、オキ
シラン誘導体およびハロゲン誘導体よりも有利に人手し
得ろ場合には、パリオールアミンを原料とする場合より
も有利に目的物を製造しうるのではないかと考えた。
いられてきた。しかし、本発明者らは、もしパリオール
アミン部分を構築する原料としてイノソース誘導体を用
いることができれば、N−置換基部分を構築する原料と
して対応する第一アミンを用いることが可能であり、こ
の第一アミンが対応するアルデヒド類、ケトン類、オキ
シラン誘導体およびハロゲン誘導体よりも有利に人手し
得ろ場合には、パリオールアミンを原料とする場合より
も有利に目的物を製造しうるのではないかと考えた。
問題点を解決するための手段
そこで本発明者らは、前述の問題点を解決するため鋭意
研究を重ねた結果、セドヘプチュロース(D−アルドロ
ー2−へプチュロース)の2.7=アンヒドロ糖である
セドヘプチュローサン(2,7−アンヒドロ−β−D−
アルドロー2−へプチュロビラノース)を原料として一
般式 (式中、R1は水酸基の保護基を示す。)で表わされる
新規イノソース誘導体を製造することに成功し、ついで
この一般式(1)の化合物と一般式R”−No、(II
)(式中、R1はアミン残基または水酸基を示す。)
で表わされる第一アミンまたはヒドロキシルアミンとを
反応させ、ついで還元反応に付し、所望により脱保護基
反応に付すことにより一般式 (式中、R3は水素原子または水酸基の保護基を示し、
Aはアミン残基または水素原子を示し、結合手■いはR
配位またはS配位の結合手を示す。)で表わされる擬似
アミノ糖またはその誘導体を製造することに成功した。
研究を重ねた結果、セドヘプチュロース(D−アルドロ
ー2−へプチュロース)の2.7=アンヒドロ糖である
セドヘプチュローサン(2,7−アンヒドロ−β−D−
アルドロー2−へプチュロビラノース)を原料として一
般式 (式中、R1は水酸基の保護基を示す。)で表わされる
新規イノソース誘導体を製造することに成功し、ついで
この一般式(1)の化合物と一般式R”−No、(II
)(式中、R1はアミン残基または水酸基を示す。)
で表わされる第一アミンまたはヒドロキシルアミンとを
反応させ、ついで還元反応に付し、所望により脱保護基
反応に付すことにより一般式 (式中、R3は水素原子または水酸基の保護基を示し、
Aはアミン残基または水素原子を示し、結合手■いはR
配位またはS配位の結合手を示す。)で表わされる擬似
アミノ糖またはその誘導体を製造することに成功した。
上記一般式(n)中、R″はアミン残基または水酸基で
あるが、アミン残基の代表的なしのとしては保護されて
いてもよい水酸基および/または置換されていてもよい
フェニル基を有していてもよい炭素数1〜7の鎖状また
は環状炭化水素基が挙げられる。
あるが、アミン残基の代表的なしのとしては保護されて
いてもよい水酸基および/または置換されていてもよい
フェニル基を有していてもよい炭素数1〜7の鎖状また
は環状炭化水素基が挙げられる。
この一般式R”−NHtで表わされる第一アミンの具体
例としては例えば、エタノールアミン、3−アミノ−1
−プロパツール、2−アミノ−1−プロパツール、2−
アミノ−1,3−プロパンジオール、l−アミノ−2−
プロパツール、2−アミノ−3−ヒドロキシ−1−ブタ
ノール、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン、2
−アミノ−2−メチル−1,3−プロパンジオール、2
−アミノ−2−メチル−1−プロパツール、2−アミノ
−3−メチル−1−ブタノール、3−アミノ−1,2−
プロパンジオール、4−アミノ−1,2−ブタンジオー
ル、2−アミノ−1−ブタノール。
例としては例えば、エタノールアミン、3−アミノ−1
−プロパツール、2−アミノ−1−プロパツール、2−
アミノ−1,3−プロパンジオール、l−アミノ−2−
プロパツール、2−アミノ−3−ヒドロキシ−1−ブタ
ノール、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン、2
−アミノ−2−メチル−1,3−プロパンジオール、2
−アミノ−2−メチル−1−プロパツール、2−アミノ
−3−メチル−1−ブタノール、3−アミノ−1,2−
プロパンジオール、4−アミノ−1,2−ブタンジオー
ル、2−アミノ−1−ブタノール。
2−アミノ−1,4−ブタンジオール、2−アミノ−1
,5−ベンタンジオール、5−アミノ−1−ペンタノー
ル、6−アミノ−!−ヘキサノール。
,5−ベンタンジオール、5−アミノ−1−ペンタノー
ル、6−アミノ−!−ヘキサノール。
メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン。
ブチルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ア
ミノジフェニルメタン、2−アミノ−1−フェニルエタ
ノール、2−アミノ−2−フェニルエタノール、2−ア
ミノ−3−フェニル−1−プロパツール、2−アミノ−
3−ヒドロキシ−3−フェニル−1−プロパツール、2
−アミノ−3−(4−ヒドロキシフェニル)=1−プロ
パツール。
ミノジフェニルメタン、2−アミノ−1−フェニルエタ
ノール、2−アミノ−2−フェニルエタノール、2−ア
ミノ−3−フェニル−1−プロパツール、2−アミノ−
3−ヒドロキシ−3−フェニル−1−プロパツール、2
−アミノ−3−(4−ヒドロキシフェニル)=1−プロ
パツール。
β−アミノ−α−メチルフェネチルアルコール等の水酸
基および/または置換されていてもよいフェニル基を有
していてもよい直鎖状アルキルアミン類、例えば、【−
アミノ−1−デオキシ−D−グルチトール、2−アミノ
ー2−デオキシ−D−グルヂトール、l−アミノー1−
デオキシ−D−マンニトール、2−アミノ−2−デオキ
シ−D−ガラクチトール、l−アミノ−1−デオキシ−
D−リビトール、4−アミノ−4−デオキシ−D−エリ
スリトール等のアミノーデオキシーアルジトール類、例
えば、トランス−2−アミノシクロヘキサン−1−オー
ル、トランス−3−アミノシクロヘキサン−1−オール
、シス−3−アミノシクロヘキサン−1−才一ル、トラ
ンス−2−アミノ−1−フェニルシクロヘキサン−1−
オール、シス−2−アミノ−1−フェニルシクロヘキサ
ン−1−オール、シクロヘキシルアミン、シクロペンチ
ルアミン、!−アミノー1−シクロペンタンメタノール
、2−アミノシクロペンタノール等の水酸基および/ま
たはフェニル基で置換されていてもよい環状アルキルア
ミン類、例えば、ミオ−イノサミン−1,ミオ−イノサ
ミン−2,ミオ−イノサミン−4,ネオ−イノサミン−
2,エピ−イノサミン−2,ムコ−イノサミン−3,ジ
ローイノサミン等のイノサミン類、例えば、2−アミノ
メチル−ミオイノシトール等のC−(アミノメチル)イ
ノシトール類、例えば、ストレブタミン、デ才キシスト
レブタミン、ホータミン、スボラミン。
基および/または置換されていてもよいフェニル基を有
していてもよい直鎖状アルキルアミン類、例えば、【−
アミノ−1−デオキシ−D−グルチトール、2−アミノ
ー2−デオキシ−D−グルヂトール、l−アミノー1−
デオキシ−D−マンニトール、2−アミノ−2−デオキ
シ−D−ガラクチトール、l−アミノ−1−デオキシ−
D−リビトール、4−アミノ−4−デオキシ−D−エリ
スリトール等のアミノーデオキシーアルジトール類、例
えば、トランス−2−アミノシクロヘキサン−1−オー
ル、トランス−3−アミノシクロヘキサン−1−オール
、シス−3−アミノシクロヘキサン−1−才一ル、トラ
ンス−2−アミノ−1−フェニルシクロヘキサン−1−
オール、シス−2−アミノ−1−フェニルシクロヘキサ
ン−1−オール、シクロヘキシルアミン、シクロペンチ
ルアミン、!−アミノー1−シクロペンタンメタノール
、2−アミノシクロペンタノール等の水酸基および/ま
たはフェニル基で置換されていてもよい環状アルキルア
ミン類、例えば、ミオ−イノサミン−1,ミオ−イノサ
ミン−2,ミオ−イノサミン−4,ネオ−イノサミン−
2,エピ−イノサミン−2,ムコ−イノサミン−3,ジ
ローイノサミン等のイノサミン類、例えば、2−アミノ
メチル−ミオイノシトール等のC−(アミノメチル)イ
ノシトール類、例えば、ストレブタミン、デ才キシスト
レブタミン、ホータミン、スボラミン。
イスタミン等のジアミノシクリトール類、例えば、バリ
エナミン、バリダミン、ヒドロキシバリダミン、パリオ
ールアミン、2−ヒドロキシ−4−(ヒドロキシメチル
)シクロペンチルアミン等の擬似アミノ糖類等が挙げら
れる。又、上記の化合物の水酸基は保護されていてもよ
い。
エナミン、バリダミン、ヒドロキシバリダミン、パリオ
ールアミン、2−ヒドロキシ−4−(ヒドロキシメチル
)シクロペンチルアミン等の擬似アミノ糖類等が挙げら
れる。又、上記の化合物の水酸基は保護されていてもよ
い。
上記(II)および([1)式中、Aで表わされるアミ
ン残基の具体例な例としては、上述のR’−N H、で
表わされる第一アミンの例として列記したアミン類のア
ミン残基(すなわちR2)がすべて挙げられる。
ン残基の具体例な例としては、上述のR’−N H、で
表わされる第一アミンの例として列記したアミン類のア
ミン残基(すなわちR2)がすべて挙げられる。
上記CI)および(1)式中のR1およびR3で示され
る水酸基の保護基としては、糖の化学で水酸基の保護基
として用いられる保護基、例えばアシル型保護基、エー
テル型保護基、アセタール型保護基、ケタール型保護基
、オルトエステル型保護基等が用いられる。
る水酸基の保護基としては、糖の化学で水酸基の保護基
として用いられる保護基、例えばアシル型保護基、エー
テル型保護基、アセタール型保護基、ケタール型保護基
、オルトエステル型保護基等が用いられる。
アシル型保護基としては例えば、ハロゲン、炭素数i〜
5の低級アルコキシル基、ハロゲンを有していてもよい
フェノキン基で置換されていてもよい炭素数1〜5のア
ルカノイル基、ニトロ基。
5の低級アルコキシル基、ハロゲンを有していてもよい
フェノキン基で置換されていてもよい炭素数1〜5のア
ルカノイル基、ニトロ基。
フェニル基、ハロゲンで置換されていてもよい炭素数1
〜5の低級アルキル基、炭素数2〜6の低級アルキルオ
キシカルボニル基で置換されていてもよいベンゾイル基
、ハロゲンで置換されていてらよい炭素数2〜6のアル
コキシカルボニル基、。
〜5の低級アルキル基、炭素数2〜6の低級アルキルオ
キシカルボニル基で置換されていてもよいベンゾイル基
、ハロゲンで置換されていてらよい炭素数2〜6のアル
コキシカルボニル基、。
炭素数3〜5のアルケニルオキシカルボニル基、炭素数
I〜5の低級アルコキシル基またはニトロ基で置換され
ていてもよいベンジルオキシカルボニル基またはニトロ
置換フェノキシカルボニル基等が用いられる。
I〜5の低級アルコキシル基またはニトロ基で置換され
ていてもよいベンジルオキシカルボニル基またはニトロ
置換フェノキシカルボニル基等が用いられる。
上記のハロゲンとしてはふっ素、塩素、臭素。
よう素が、炭素数1〜5のアルキル基としては、例えば
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル。
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル。
ブヂル、イソブチル、 s’ec−ブチル、 tert
−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル基等
が、炭素数1〜5のアルカノイル基としては、例えばホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチ
リル、イソバレリル、ピバロイル基等が、−炭素数1〜
5のアルコキシル基としては例えばハロゲンで置換され
ていてもよいメトキシル。
−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル基等
が、炭素数1〜5のアルカノイル基としては、例えばホ
ルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチ
リル、イソバレリル、ピバロイル基等が、−炭素数1〜
5のアルコキシル基としては例えばハロゲンで置換され
ていてもよいメトキシル。
エトキシル、プロポキシル、ブトキンル、ペンチルオキ
シ、ビニルオキシ、アリルオキシ基等が用いられる。
シ、ビニルオキシ、アリルオキシ基等が用いられる。
上記の炭素数3〜5のアルケニルオキシカルボニル基に
おける炭素数2〜4のアルケニル基としてはビニル、ア
リル、イソプロペニル、1−プロペニル、!−ブテニル
、2−ブテニル、3−ブテニル等が用いられる。
おける炭素数2〜4のアルケニル基としてはビニル、ア
リル、イソプロペニル、1−プロペニル、!−ブテニル
、2−ブテニル、3−ブテニル等が用いられる。
アシル型保護基の例を更に具体的に示仕ば、ホルミル、
アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリフルオロアセデル、メトキシアセチ
ル、トリフェニルメトキンアセチル、フェノキンアセチ
ル、p−クロロフェノキシアセチル、プロピオニル、イ
ソプロピオニル、3−フェニルプロピオニル、イソブチ
リル。
アセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリフルオロアセデル、メトキシアセチ
ル、トリフェニルメトキンアセチル、フェノキンアセチ
ル、p−クロロフェノキシアセチル、プロピオニル、イ
ソプロピオニル、3−フェニルプロピオニル、イソブチ
リル。
ピバロイル;ベンゾイル、p−二トロベンゾイル。
p−フェニルベンゾイル、0−(ノブロモメチル)ベン
ゾイル、0−(メトキシカルボニル)ベンゾイル、2,
4.6−ドリメチルベンゾイル;メトキンカルボニル、
エトキシカルボニル、2,2.2−トリクロロエトキン
カルボニル、イソブチルオキノカルボニル:ビニルオキ
シカルボニル、アリルオキシカルボニル;ベンジルオキ
シカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル
、3゜4−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロペンジルオキシカルボニル;p−ニトロフェノキ
シカルボニル等である。
ゾイル、0−(メトキシカルボニル)ベンゾイル、2,
4.6−ドリメチルベンゾイル;メトキンカルボニル、
エトキシカルボニル、2,2.2−トリクロロエトキン
カルボニル、イソブチルオキノカルボニル:ビニルオキ
シカルボニル、アリルオキシカルボニル;ベンジルオキ
シカルボニル、p−メトキシベンジルオキシカルボニル
、3゜4−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、p−
ニトロペンジルオキシカルボニル;p−ニトロフェノキ
シカルボニル等である。
エーテル型保護基としては例えば、ハロゲン。
炭素数1〜5の低級アルコキシル基、ペンジルオキン基
、フェニル基で置換されていてもよい炭素数1〜5の低
級アルキル基;炭素数2〜4のアルケニル基;炭素数!
〜5の低級アルキル基。
、フェニル基で置換されていてもよい炭素数1〜5の低
級アルキル基;炭素数2〜4のアルケニル基;炭素数!
〜5の低級アルキル基。
フェニル基、ベンジル基等が置換基であるトリ置換シリ
ル基、炭素数1〜5の低級アルコキシル基、ニトロ基で
置換されていてもよいベンジル基、炭素数1〜5の低級
アルコキシル基、ハロゲンで置換されていてもよいテト
ラヒドロピラニル基またはテトラヒドロフラニル基等が
用いられる。
ル基、炭素数1〜5の低級アルコキシル基、ニトロ基で
置換されていてもよいベンジル基、炭素数1〜5の低級
アルコキシル基、ハロゲンで置換されていてもよいテト
ラヒドロピラニル基またはテトラヒドロフラニル基等が
用いられる。
上記のハロゲン、炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素
数1〜5の低級アルコキシル基および炭素数2〜4のア
ルケニル基はアシル型保護基の場合と同様のものが用い
られる。
数1〜5の低級アルコキシル基および炭素数2〜4のア
ルケニル基はアシル型保護基の場合と同様のものが用い
られる。
エーテル型保護基を更に具体的に示せば、メヂル、メト
キシメチル、ベンジルオキシメチル。
キシメチル、ベンジルオキシメチル。
tert−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチ
ル、2,2.2−トリクロロメトキンメチル、エチル、
l−エトキシエチル、■−メチルー1−メトキシエチル
、2,2.2−トリクロロエチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル。
ル、2,2.2−トリクロロメトキンメチル、エチル、
l−エトキシエチル、■−メチルー1−メトキシエチル
、2,2.2−トリクロロエチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、イソブチル。
5ec−ブチル、 tert−ブチル、エトキシエチル
。
。
トリフェニルメチル、p−メトキシフェニルノフェニル
メチル;アリル; トリメチルシリル、tert=プチ
ルジメヂルシリル、 tert−プチルジフェニルンリ
ル;ベンジル、p−メトキシベンジル、p−ニトロベン
ジル、p−クロロベンジル;テトラヒドロピラニル13
−プロモテトラヒド口ビラニル、4−メトキンテトラヒ
ドロピラニル、テトラヒドロフラニル等である。
メチル;アリル; トリメチルシリル、tert=プチ
ルジメヂルシリル、 tert−プチルジフェニルンリ
ル;ベンジル、p−メトキシベンジル、p−ニトロベン
ジル、p−クロロベンジル;テトラヒドロピラニル13
−プロモテトラヒド口ビラニル、4−メトキンテトラヒ
ドロピラニル、テトラヒドロフラニル等である。
アセタール型、ケタール型およびオルトエステル型保護
基は好ましくは1−10の炭素数からなる。その具体例
を示せば、メトキンエチリデン。
基は好ましくは1−10の炭素数からなる。その具体例
を示せば、メトキンエチリデン。
1−tert−ブチルエチリデン、I−フェニルエヂリ
デン、2,2.2−トリクロロエチリデン;イソプロピ
リデン、ブチリデン、シクロペンチリデン、シクロへキ
シリデン、シクロへブチリデン、ベンジリデン、p−メ
トキノベンジリデン、2゜4−ジブロモメトキシベンジ
リデン、p−ジメチルアミノベンジリデン、0−ニトロ
ベンジリデン:メトキシメチレン、エトキシメチレン、
ジメトキシメチレン、1−メトキンエチリデン、1.2
−ジメトキシエチリデン等である。
デン、2,2.2−トリクロロエチリデン;イソプロピ
リデン、ブチリデン、シクロペンチリデン、シクロへキ
シリデン、シクロへブチリデン、ベンジリデン、p−メ
トキノベンジリデン、2゜4−ジブロモメトキシベンジ
リデン、p−ジメチルアミノベンジリデン、0−ニトロ
ベンジリデン:メトキシメチレン、エトキシメチレン、
ジメトキシメチレン、1−メトキンエチリデン、1.2
−ジメトキシエチリデン等である。
またジブチルスタニル、トリブチルスタニル等のスタン
オキサン型保護基、環状カルボナート型保護基、環状ボ
ロナート型保護基等も同様に用いられる。
オキサン型保護基、環状カルボナート型保護基、環状ボ
ロナート型保護基等も同様に用いられる。
化合物中のR1およびR3で示される水酸基の保護基の
種類はすべて同じであってらよいし、2種以上の異なっ
た保護基を含んでいてもよい。また、例えば、環状アセ
タール型、環状ケタール型、環状オルトエステル型、環
状カルボナート型、環状ボロナート型、スタンオキサン
型保護基の場合のように2つの水酸基を一つの保護基で
保護してもよい。
種類はすべて同じであってらよいし、2種以上の異なっ
た保護基を含んでいてもよい。また、例えば、環状アセ
タール型、環状ケタール型、環状オルトエステル型、環
状カルボナート型、環状ボロナート型、スタンオキサン
型保護基の場合のように2つの水酸基を一つの保護基で
保護してもよい。
化合物(1)の原料であるセドーヘブヂュロースはある
種の細菌や放線菌等の微生物の培養液中に蓄積されるこ
とが知られており〔例えば、ザ・ジャーナル・オブ・バ
イオケミストリー[J、Bi。
種の細菌や放線菌等の微生物の培養液中に蓄積されるこ
とが知られており〔例えば、ザ・ジャーナル・オブ・バ
イオケミストリー[J、Bi。
chem、 (Tokyo)、第54巻、 I O7〜
l 08N(1963年);特公昭57−5240参照
]、これらの微生物の培養液中からセドーヘブヂュロー
スを精製単離することができる。更にセドーヘプチュロ
ースを希鉱酸例えば希硫酸中で加熱することによって2
.7−アンヒドロ糖であるセドーl\ブヂコローサンを
結晶として単離することができる。セドーヘプチュロー
サンよりD−イドーヘプチュローサン(2,7−アンヒ
ドロ−β−D−イドー2−ヘプチュロビラノース)の製
造は、例えば以下に示す反応工程、すなわち、i)セド
ーヘプチュローサンの4,5位の水酸基を保護基、例え
ばイソプロピリデン基で保護する工程、1i)1.3位
の水酸基を保護基、例えばベンゾイル基(Bz)で保護
する工程、1ii)4.5位の水酸基の保護基を脱離さ
せる工程、1v)4位の水酸基を保護基、例えばベンゾ
イル基で保護する工程、■)5位の水酸基を有機スルホ
ニル化、例えばイミダゾリルスルホニル化する工程、v
l)アシルオキンアニオン、例えばベンゾイルオキシア
ニオンを反応させ、5位の水酸基の立体配置を反転させ
る工程、vi)必要ならば水酸基の保護基を脱離させる
工程、を経て製造することができる。
l 08N(1963年);特公昭57−5240参照
]、これらの微生物の培養液中からセドーヘブヂュロー
スを精製単離することができる。更にセドーヘプチュロ
ースを希鉱酸例えば希硫酸中で加熱することによって2
.7−アンヒドロ糖であるセドーl\ブヂコローサンを
結晶として単離することができる。セドーヘプチュロー
サンよりD−イドーヘプチュローサン(2,7−アンヒ
ドロ−β−D−イドー2−ヘプチュロビラノース)の製
造は、例えば以下に示す反応工程、すなわち、i)セド
ーヘプチュローサンの4,5位の水酸基を保護基、例え
ばイソプロピリデン基で保護する工程、1i)1.3位
の水酸基を保護基、例えばベンゾイル基(Bz)で保護
する工程、1ii)4.5位の水酸基の保護基を脱離さ
せる工程、1v)4位の水酸基を保護基、例えばベンゾ
イル基で保護する工程、■)5位の水酸基を有機スルホ
ニル化、例えばイミダゾリルスルホニル化する工程、v
l)アシルオキンアニオン、例えばベンゾイルオキシア
ニオンを反応させ、5位の水酸基の立体配置を反転させ
る工程、vi)必要ならば水酸基の保護基を脱離させる
工程、を経て製造することができる。
(以下余白)
H
またセドヘブチュローサンより2.7−アンヒドロ−β
−D−アラビノー2,5−ヘプトジウロピラノースを経
由するD−イドーヘプチュローザン(2,7−アンヒド
ロ−β−イド−2−t\ブチュロピラノース)およびそ
の1,3,4.5−テトラ−0−アセチル誘導体を製造
する方法かヘインズ(K。
−D−アラビノー2,5−ヘプトジウロピラノースを経
由するD−イドーヘプチュローザン(2,7−アンヒド
ロ−β−イド−2−t\ブチュロピラノース)およびそ
の1,3,4.5−テトラ−0−アセチル誘導体を製造
する方法かヘインズ(K。
1(eyns)らによって報告されており〔ヒエーミッ
シェ”ベリヒテ(CheIIl、 Ber、)、第10
8巻。
シェ”ベリヒテ(CheIIl、 Ber、)、第10
8巻。
3611〜3618頁(1975年)〕、また〕D−グ
ルコーD−イドーヘプチトーの微生物酸化反応を経由し
てD−イドーヘプチュロースおよび2゜7−アンヒドロ
−β−D−イドーヘプチュロピラノースを製造する方法
がプラット(J 、W、PraLt)らによって報告さ
れている〔ジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサエティ(J、Am。
ルコーD−イドーヘプチトーの微生物酸化反応を経由し
てD−イドーヘプチュロースおよび2゜7−アンヒドロ
−β−D−イドーヘプチュロピラノースを製造する方法
がプラット(J 、W、PraLt)らによって報告さ
れている〔ジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサエティ(J、Am。
Chem、 Soc、 )、第74巻、2210−22
14頁(1952年)〕ので、これらの公知の方法を用
いることによってもD−イドーヘプチュローサン(下記
の式■においてR’=Hの化合物)およびその水酸基が
水酸基の保護基で保護された化合物を製造することがで
きる。
14頁(1952年)〕ので、これらの公知の方法を用
いることによってもD−イドーヘプチュローサン(下記
の式■においてR’=Hの化合物)およびその水酸基が
水酸基の保護基で保護された化合物を製造することがで
きる。
以下に、水酸基が保護基で保護されているD−イドーヘ
プチュローサン〔■〕から化合物(1)を製造する方法
を詳細に説明する。なお下記の製造工程図のCI)〜〔
■〕式において、RI 、 n 2゜R3およびAは前
記と同義でありR4は水素原子またはアノメリック水酸
基の保護基;Xはよう素、臭素、塩素、ふっ素等のハロ
ゲン原子を意味する。
プチュローサン〔■〕から化合物(1)を製造する方法
を詳細に説明する。なお下記の製造工程図のCI)〜〔
■〕式において、RI 、 n 2゜R3およびAは前
記と同義でありR4は水素原子またはアノメリック水酸
基の保護基;Xはよう素、臭素、塩素、ふっ素等のハロ
ゲン原子を意味する。
〔■〕 〔■〕
(V) (IV)[1]
(III)製造工程l 化合物(Vl)は化合物〔■〕の2.7−アンヒドロ結
合の開裂反応に付すことによって製造することができる
。化合物(Vl)のRIで示される水酸基の保護基の好
ましい例としてはベンゾイル基が挙げられる。このアン
ヒドロ結合の開裂反応においては糖のアンヒドロ結合の
開裂反応として慣用の方法〔例えば、アトパンスズ・イ
ン・カーボハイドレート・ケミストリー・アンド・バイ
オケミストリー(A dv、 Carbohydr、
Chem、 B iochem、) 。
(III)製造工程l 化合物(Vl)は化合物〔■〕の2.7−アンヒドロ結
合の開裂反応に付すことによって製造することができる
。化合物(Vl)のRIで示される水酸基の保護基の好
ましい例としてはベンゾイル基が挙げられる。このアン
ヒドロ結合の開裂反応においては糖のアンヒドロ結合の
開裂反応として慣用の方法〔例えば、アトパンスズ・イ
ン・カーボハイドレート・ケミストリー・アンド・バイ
オケミストリー(A dv、 Carbohydr、
Chem、 B iochem、) 。
第34巻、63−69頁(1977年)に記載されてい
るツエルニイーおよびスタネク(Cernyand 5
tanek)の“アルドヘキソーズの1.6−アンヒド
ロ誘導体”と題する総説参照〕が用いられる。
るツエルニイーおよびスタネク(Cernyand 5
tanek)の“アルドヘキソーズの1.6−アンヒド
ロ誘導体”と題する総説参照〕が用いられる。
アンヒドロ結合の開裂は、例えば酸の存在下で行なわれ
る。適当な酸としては硫酸、塩酸(塩化水素酸)、臭素
水素酸(臭化水素)、硝酸、過塩素酸等の無機酸;p−
トルエンスルホン酸、酢酸、無水酢酸、トリフルオロ酢
酸、無水トリフルオロ酢酸等の有機酸;三ふり化はう素
、三塩化はう素。
る。適当な酸としては硫酸、塩酸(塩化水素酸)、臭素
水素酸(臭化水素)、硝酸、過塩素酸等の無機酸;p−
トルエンスルホン酸、酢酸、無水酢酸、トリフルオロ酢
酸、無水トリフルオロ酢酸等の有機酸;三ふり化はう素
、三塩化はう素。
三臭化はう素、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、四塩化チ
タン、塩化第二すず、五塩化りん、五臭化りん、五酸化
りん等のルイス酸等があげられる。
タン、塩化第二すず、五塩化りん、五臭化りん、五酸化
りん等のルイス酸等があげられる。
これらの酸は単独で用いてもよいし、二種以上混合して
用いてもよい。 本開裂反応は、通常、溶媒中で行なわ
れる。この場合溶媒としての機能と同時に反応試薬とし
ての機能を兼ねて用いることができる。溶媒としては水
、メタノール、エタノール、プロパツール、トリメトキ
シメタン、エチルエーテル5クロロホルム、ジクロロメ
タン、アセトン、酢酸、トリフルオロ酢酸、無水酢酸、
無水トリフルオロ酢酸、その他この反応に悪影響を及ぼ
さない溶媒が単独または混合溶媒として使用され得る。
用いてもよい。 本開裂反応は、通常、溶媒中で行なわ
れる。この場合溶媒としての機能と同時に反応試薬とし
ての機能を兼ねて用いることができる。溶媒としては水
、メタノール、エタノール、プロパツール、トリメトキ
シメタン、エチルエーテル5クロロホルム、ジクロロメ
タン、アセトン、酢酸、トリフルオロ酢酸、無水酢酸、
無水トリフルオロ酢酸、その他この反応に悪影響を及ぼ
さない溶媒が単独または混合溶媒として使用され得る。
好ましくはメタノール溶媒中、トリメトキシメタンおよ
び塩化亜鉛と反応させる方法、トリメトキンメタン溶液
中、トリフルオロ酢酸及び無水トリフルオロ酢酸と反応
させる方法等が挙げられ、この場合にはR4がメチル基
である化合物が得られる。通常、反応温度は特に限定さ
れず、冷却下、室温あるいは加温下に反応が行なわれる
。
び塩化亜鉛と反応させる方法、トリメトキンメタン溶液
中、トリフルオロ酢酸及び無水トリフルオロ酢酸と反応
させる方法等が挙げられ、この場合にはR4がメチル基
である化合物が得られる。通常、反応温度は特に限定さ
れず、冷却下、室温あるいは加温下に反応が行なわれる
。
反応後必要ならばアノメリック水酸基を含む水酸基の保
護基の脱離および再導入を行なってもよい。
護基の脱離および再導入を行なってもよい。
製造工程2
化合物(V)は化合物(”/I)をハロゲン化反応に付
すことによって製造することができる。(化合物(V)
のC−3,C−4お上びC−5の二級水酸基は必ずしも
保護されていなくてもよいが、C−1の一級水酸基およ
びC−2のアノメリック水酸基は保護されていることが
望ましい。)該ハロゲン化反応は糖の水酸基のハロゲン
化のために慣用の方法〔例えば、アメリカ化学会刊:化
学の進歩シリーズ74 (advances in c
he+++1stryseries 74) :デオキ
シ糖(Deoxy Sugars)。
すことによって製造することができる。(化合物(V)
のC−3,C−4お上びC−5の二級水酸基は必ずしも
保護されていなくてもよいが、C−1の一級水酸基およ
びC−2のアノメリック水酸基は保護されていることが
望ましい。)該ハロゲン化反応は糖の水酸基のハロゲン
化のために慣用の方法〔例えば、アメリカ化学会刊:化
学の進歩シリーズ74 (advances in c
he+++1stryseries 74) :デオキ
シ糖(Deoxy Sugars)。
159−201頁(1968年)に記載されているハネ
シアン(S 、 Hanessian)の“ハロデオキ
シ糖の合成へのアプローチ”と題する総説、およびアト
パンスズ・イン・カーボハイドレート・ケミストリー・
アンド・バイオケミストリー(Adv。
シアン(S 、 Hanessian)の“ハロデオキ
シ糖の合成へのアプローチ”と題する総説、およびアト
パンスズ・イン・カーボハイドレート・ケミストリー・
アンド・バイオケミストリー(Adv。
Carbohydr、 Chem、 13iochem
、 )、第28巻、225−306頁(1973年)に
記載されているスザレク(W、 A、 5zarek)
の “デオキシハロゲノ糖”と題する総説等参照〕を用
いて行なうことができる。
、 )、第28巻、225−306頁(1973年)に
記載されているスザレク(W、 A、 5zarek)
の “デオキシハロゲノ糖”と題する総説等参照〕を用
いて行なうことができる。
このハロゲン化反応に適したハロゲン化の方法としては
、例えばトリフェニルホスフィンのようなりんを含む試
薬とN−ヨードこはく酸イミド。
、例えばトリフェニルホスフィンのようなりんを含む試
薬とN−ヨードこはく酸イミド。
N−ブロモこはく酸イミド、N−クロロこはく酸イミド
等のN−ハロこはく酸イミド類、好ましくはN−ヨード
こはく酸イミドを反応させる方法や、水酸基をp−)ジ
ルスルホニル。メチルスルホニル、トリフルオロメタン
スルホニル、イミダゾリルスルボニル基等の有機スルホ
ニル基でスルボニル化して活性化した後、ハロゲン化金
属M X (Mはリチウム、ナトリウム、カリウム等の
アルカリ金属、Xはふっ素、塩素、臭素、よう素等のハ
ロゲン原子を示す)、好ましくは、よう化ナトリウムを
反応させる方法等が挙げられる。
等のN−ハロこはく酸イミド類、好ましくはN−ヨード
こはく酸イミドを反応させる方法や、水酸基をp−)ジ
ルスルホニル。メチルスルホニル、トリフルオロメタン
スルホニル、イミダゾリルスルボニル基等の有機スルホ
ニル基でスルボニル化して活性化した後、ハロゲン化金
属M X (Mはリチウム、ナトリウム、カリウム等の
アルカリ金属、Xはふっ素、塩素、臭素、よう素等のハ
ロゲン原子を示す)、好ましくは、よう化ナトリウムを
反応させる方法等が挙げられる。
該ハロゲン化反応は通常、溶媒中で行なわれる。
溶媒としてはN、N−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、ピリジン、アセトン、2゜4−ベンタン
ジオン、2−ブタノン、エチレングリコール、メタノー
ル、エタノール、グリセロール、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、クロロホルム、テトラクロロエタン、四塩
化炭素、ベンゼン等が挙げられる。その他この反応に悪
影響を及ぼさない溶媒が単独または混合溶媒として使用
され得る。通常、反応温度は特に限定されず、冷却下、
室温あるいは加温下に反応が行なわれる。
スルホキシド、ピリジン、アセトン、2゜4−ベンタン
ジオン、2−ブタノン、エチレングリコール、メタノー
ル、エタノール、グリセロール、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、クロロホルム、テトラクロロエタン、四塩
化炭素、ベンゼン等が挙げられる。その他この反応に悪
影響を及ぼさない溶媒が単独または混合溶媒として使用
され得る。通常、反応温度は特に限定されず、冷却下、
室温あるいは加温下に反応が行なわれる。
製造工程3
6.7−不飽和化合物(IV)は7−ハロゲノ化合物(
V)を脱ハロゲン化水素反応に付すことにより製造する
ことができる。このハロゲン化水素の脱離反応は不飽和
糖の製造法として慣用の方法〔例えば、アメリカ化学会
刊:化学の進歩シリーズ74 (advances
in cheIIlistry 5eries
74 ):デオキシ糖(Deoxy sugars)、
120−140頁(1968年)に記載されているホ
ーク(L 、 Hough)らの“不飽和糖の合成と反
応°に関する総説等参照〕を用いて行なうことができる
。この反応は好ましくは化合物(V)をピリジン溶媒中
で無水のふっ化銀と反応させることによって行なわれる
。
V)を脱ハロゲン化水素反応に付すことにより製造する
ことができる。このハロゲン化水素の脱離反応は不飽和
糖の製造法として慣用の方法〔例えば、アメリカ化学会
刊:化学の進歩シリーズ74 (advances
in cheIIlistry 5eries
74 ):デオキシ糖(Deoxy sugars)、
120−140頁(1968年)に記載されているホ
ーク(L 、 Hough)らの“不飽和糖の合成と反
応°に関する総説等参照〕を用いて行なうことができる
。この反応は好ましくは化合物(V)をピリジン溶媒中
で無水のふっ化銀と反応させることによって行なわれる
。
製造工程4
化合物〔!〕は化合物〔■〕をシクロヘキサノン環形成
反応〔フェリア(R8J、Ferrier)。
反応〔フェリア(R8J、Ferrier)。
ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサエティ・パーキ
ン((J、 Che!I1. Soc、 Perkin
I )。
ン((J、 Che!I1. Soc、 Perkin
I )。
1455−1458頁(1979)参照〕に付すことに
よって得られる。例えば、化合物(IV)を含水アセト
ン等の含水有機溶媒中で、塩化第二水銀。
よって得られる。例えば、化合物(IV)を含水アセト
ン等の含水有機溶媒中で、塩化第二水銀。
酢酸第二水銀、トリフルオロ酢酸第二水銀、硫酸第二水
銀等の第二水銀塩と処理することによって化合物〔1〕
を得ろことができる。反応温度は通常、10℃ないし反
応溶媒の還流温度の範囲であり、反応時間は反応温度に
よっても異なるが、通常2ないし10時間の範囲である
。
銀等の第二水銀塩と処理することによって化合物〔1〕
を得ろことができる。反応温度は通常、10℃ないし反
応溶媒の還流温度の範囲であり、反応時間は反応温度に
よっても異なるが、通常2ないし10時間の範囲である
。
製造工程5
一般式〔■〕(但し、式中、Aはアミン残基を示す、R
′および結合手酪萌は前記と同C義。)で表わされる擬
似アミノ等誘導体は化合物(1)と一般式〔■〕(但し
、式中、R2はアミン残基を示す。)で表わされる第一
アミンとを反応させて得られるシップ塩基を還元反応に
付し、所望により脱保護基反応に付すことによって製造
することができる。 本反応において、化合物(1)と
上記の第一アミン〔II)との縮合反応によるシッフ塩
基形成反応および形成されたシッフ塩基の還元反応は、
同一の反応容器中で連続的に行うこともできる。
′および結合手酪萌は前記と同C義。)で表わされる擬
似アミノ等誘導体は化合物(1)と一般式〔■〕(但し
、式中、R2はアミン残基を示す。)で表わされる第一
アミンとを反応させて得られるシップ塩基を還元反応に
付し、所望により脱保護基反応に付すことによって製造
することができる。 本反応において、化合物(1)と
上記の第一アミン〔II)との縮合反応によるシッフ塩
基形成反応および形成されたシッフ塩基の還元反応は、
同一の反応容器中で連続的に行うこともできる。
化合物CI)と上記の第一アミン(If)との縮合反応
および得られるシッフ塩基の還元反応は一般に溶媒中で
行なわれる。適当な溶媒としては、水;メタノール、ブ
タノール等のアルコール類;アセトニトリル;ジメチル
スルホキシド;N。
および得られるシッフ塩基の還元反応は一般に溶媒中で
行なわれる。適当な溶媒としては、水;メタノール、ブ
タノール等のアルコール類;アセトニトリル;ジメチル
スルホキシド;N。
N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド等
のアミド類;メチルセロソルブ、ジメチルセロソルブ、
ジエチレングリコールジメチルエーテル等のグライム類
;ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル
等のエーテル類、また゛よ、これらの混合溶媒が用いら
れる。また、還元するシップ塩基の種類によっては、こ
れらの溶媒とベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類
または酢酸エチル等のエステル類との混合溶媒を用いる
ことができろ。
のアミド類;メチルセロソルブ、ジメチルセロソルブ、
ジエチレングリコールジメチルエーテル等のグライム類
;ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル
等のエーテル類、また゛よ、これらの混合溶媒が用いら
れる。また、還元するシップ塩基の種類によっては、こ
れらの溶媒とベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類
または酢酸エチル等のエステル類との混合溶媒を用いる
ことができろ。
該シッフ塩基の形成反応における反応温度は特に限定さ
れないが、通常、室温ないし100℃程度にまで加熱し
て行なわれる。反応時間は反応温度により差異があるが
、通常、数分ないし2・1時間程度反応させることによ
って目的を達することかできる。
れないが、通常、室温ないし100℃程度にまで加熱し
て行なわれる。反応時間は反応温度により差異があるが
、通常、数分ないし2・1時間程度反応させることによ
って目的を達することかできる。
形成されたシッフ塩基の還元反応のためには各種の水素
化金属錯体還元剤、例えば水素化はう素ナトリウム、水
素化はう素カリウム、水素化はう素リチウム、水素化ト
リメトキシはう素ナトリウム等の水素化はう素アルカリ
金属、例えば、シアノ水素化はう素ナトリウム等のシア
ノ水素化はう素アルカリ金属、例えば水素化アルミニウ
ムリチウム等の水素化アルミニウムアルカリ金属、例え
ばジメチルアミンボラン等のジアルキルアミンボラン等
が有利に用いられる。なお、シアノ水素化はう素アルカ
リ金属、例えばシアノ水素化はう素ナトリウムを用いる
場合には、酸性の条件、例えば塩酸、酢酸等の存在下に
反応を行なうことが好ましい。
化金属錯体還元剤、例えば水素化はう素ナトリウム、水
素化はう素カリウム、水素化はう素リチウム、水素化ト
リメトキシはう素ナトリウム等の水素化はう素アルカリ
金属、例えば、シアノ水素化はう素ナトリウム等のシア
ノ水素化はう素アルカリ金属、例えば水素化アルミニウ
ムリチウム等の水素化アルミニウムアルカリ金属、例え
ばジメチルアミンボラン等のジアルキルアミンボラン等
が有利に用いられる。なお、シアノ水素化はう素アルカ
リ金属、例えばシアノ水素化はう素ナトリウムを用いる
場合には、酸性の条件、例えば塩酸、酢酸等の存在下に
反応を行なうことが好ましい。
この還元反応の反応温度は特に限定されないが、通常、
室温、場合によっては、特に反応の初期においては水冷
下に、また場合によっては!006C程度にまで加熱し
て行なわれ、還元するシッフ塩基および還元剤の種類に
よって差異がある。反応時間も反応温度により、また還
元するシッフ塩基や還元剤の種類によって差異があるが
、通常、数分ないし244時間程反応さけることによっ
て目的を達することができる。
室温、場合によっては、特に反応の初期においては水冷
下に、また場合によっては!006C程度にまで加熱し
て行なわれ、還元するシッフ塩基および還元剤の種類に
よって差異がある。反応時間も反応温度により、また還
元するシッフ塩基や還元剤の種類によって差異があるが
、通常、数分ないし244時間程反応さけることによっ
て目的を達することができる。
形成されたシッフ塩基の還元反応として接触還元の手段
を用いることもできる。すなわち、シッフ塩基を適当な
溶媒中で接触還元用触媒の存在下に水素気流中で振盪ま
たは攪拌することにより行なわれる。接触還元用触媒と
しては、例えば白金黒、二酸化白金、パラジウム黒、パ
ラジウムカーホン、ラネーニッケル等が用いられ、通常
用いられる溶媒としては、例えば、水;メタノール。
を用いることもできる。すなわち、シッフ塩基を適当な
溶媒中で接触還元用触媒の存在下に水素気流中で振盪ま
たは攪拌することにより行なわれる。接触還元用触媒と
しては、例えば白金黒、二酸化白金、パラジウム黒、パ
ラジウムカーホン、ラネーニッケル等が用いられ、通常
用いられる溶媒としては、例えば、水;メタノール。
エタノール等のアルコール類;ジオキサン、テトラヒド
ロフラン等のエーテル類、N 、 N−ジメチルホルム
アミドまたは、これらの混合溶媒等が用いられろ。反応
は通常、室温常圧で行なわれるが、加圧下に行ってもよ
く、また加温してもよい。
ロフラン等のエーテル類、N 、 N−ジメチルホルム
アミドまたは、これらの混合溶媒等が用いられろ。反応
は通常、室温常圧で行なわれるが、加圧下に行ってもよ
く、また加温してもよい。
一般式(III)においてAが水素原子である化合物は
、例えば化合物(1,)と一般式([1)においてR2
が水酸基である化合物、すなわちヒドロキシルアミンを
反応させ、得られたオキシムを還元反応に付すことよっ
て製造することができる。またヒドロキシルアミンの代
わりにO−メチルヒドロキシルアミンや0−ベンジルヒ
ドロキシルアミン等の〇−置換ヒドロキシルアミンを化
合物(1)と反応させ、得られたO−アルキルオキシム
類やO−アラルキルオキシム類を還元反応に付すことに
よってら製造することができる。得られfこオキシム類
のヒドロキノイミノ基のアミン基へのぶ元反応はシクリ
トール部分の水酸基が保護された状態で行なってもよい
し、あるいは水酸基の保護基を脱離させた後に行なって
もよい。
、例えば化合物(1,)と一般式([1)においてR2
が水酸基である化合物、すなわちヒドロキシルアミンを
反応させ、得られたオキシムを還元反応に付すことよっ
て製造することができる。またヒドロキシルアミンの代
わりにO−メチルヒドロキシルアミンや0−ベンジルヒ
ドロキシルアミン等の〇−置換ヒドロキシルアミンを化
合物(1)と反応させ、得られたO−アルキルオキシム
類やO−アラルキルオキシム類を還元反応に付すことに
よってら製造することができる。得られfこオキシム類
のヒドロキノイミノ基のアミン基へのぶ元反応はシクリ
トール部分の水酸基が保護された状態で行なってもよい
し、あるいは水酸基の保護基を脱離させた後に行なって
もよい。
還元反応は、例えば適当な溶媒中で酸化白金等の白金触
媒、パラジウムカーボン等のパラジウム触媒、ラネーニ
ッケル等のニッケル触媒、ロジウム炭素等のロジウム触
媒等を触媒とする接触還元に付すことにによって、また
、適当な溶媒中で、例えば、水素化アルミニウムリチウ
ム等の水素化アルミニウム誘導体を用いて、より好まし
くは窒素。
媒、パラジウムカーボン等のパラジウム触媒、ラネーニ
ッケル等のニッケル触媒、ロジウム炭素等のロジウム触
媒等を触媒とする接触還元に付すことにによって、また
、適当な溶媒中で、例えば、水素化アルミニウムリチウ
ム等の水素化アルミニウム誘導体を用いて、より好まし
くは窒素。
アルゴン等の不活性ガスの雰囲気中で還元すること1こ
よって行うことができる。また、一般式(I[l)にお
いてAが水素原子である化合物は、化合物([1’)の
うち、そのA部分が、例えばベンジル基、p−メトキシ
ベンジル基、3.4−ジメトキシベンジル基、ジ(p−
メトキシフェニル)メチル基のような一般にアミノ基の
保護基としても用いられる基が置換分である化合物を化
合物(1)より合成した後、例えば接触還元による水素
化分解反応、液体アンモニア中金属ナトリウムとの反応
、酸(例えば濃硫酸−無水トリフルオロ酢酸、酢酸。
よって行うことができる。また、一般式(I[l)にお
いてAが水素原子である化合物は、化合物([1’)の
うち、そのA部分が、例えばベンジル基、p−メトキシ
ベンジル基、3.4−ジメトキシベンジル基、ジ(p−
メトキシフェニル)メチル基のような一般にアミノ基の
保護基としても用いられる基が置換分である化合物を化
合物(1)より合成した後、例えば接触還元による水素
化分解反応、液体アンモニア中金属ナトリウムとの反応
、酸(例えば濃硫酸−無水トリフルオロ酢酸、酢酸。
トリフルオロ酢酸、ぎ酸等)との反応等の一般にアミノ
基の保護基の脱離反応として用いられる反応に付すこと
によっても製造することができる。
基の保護基の脱離反応として用いられる反応に付すこと
によっても製造することができる。
化合物(I[I]が保護されている水酸基を有している
場合、水酸基の保護基の脱離反応はそれ自体公知の方法
を用いて行なうことができる。例えば、ンクロへキシリ
デン基、イソプロピリデン基、ベンジリデン基などのア
セタール型保護基やトリチル基などは塩酸、酢酸、スル
ホン酸型樹脂などの酸で加水分解することによって、例
えばアセチル基。
場合、水酸基の保護基の脱離反応はそれ自体公知の方法
を用いて行なうことができる。例えば、ンクロへキシリ
デン基、イソプロピリデン基、ベンジリデン基などのア
セタール型保護基やトリチル基などは塩酸、酢酸、スル
ホン酸型樹脂などの酸で加水分解することによって、例
えばアセチル基。
ベンゾイル基などのアシル型保護基はアンモニア。
水酸化ナトリウム、水酸化バリウム、ナトリウムメトキ
シドなどのアルカリで加水分解することによって、また
、ベンジル基、p−メトキシベンジル基などのベンジル
エーテル型保護基は接触還元反応、接触・トランスファ
ー・水素化(catalyt 1ctransrer
hydrogenation )反応などの水素化分解
反応あるいは液体アンモニア中での金属ナトリウムによ
る還元分解反応等に付すことによって脱離することがで
きる。
シドなどのアルカリで加水分解することによって、また
、ベンジル基、p−メトキシベンジル基などのベンジル
エーテル型保護基は接触還元反応、接触・トランスファ
ー・水素化(catalyt 1ctransrer
hydrogenation )反応などの水素化分解
反応あるいは液体アンモニア中での金属ナトリウムによ
る還元分解反応等に付すことによって脱離することがで
きる。
このようにして得られる化合物(Ii、(III)およ
びそれらの合成中間体などは自体公知の手段、例えば、
ろ過、遠心分離、濃縮、減圧塁縮、乾燥、凍結乾燥、吸
着、脱着、各種溶媒に対する溶解度の差を利用する方法
(例えば、溶媒抽出、転溶、沈殿、結晶化、再結晶化な
ど)、クロマトグラフィー(例えば、イオン交換樹脂、
活性炭、ハイポーラスポリマー。
びそれらの合成中間体などは自体公知の手段、例えば、
ろ過、遠心分離、濃縮、減圧塁縮、乾燥、凍結乾燥、吸
着、脱着、各種溶媒に対する溶解度の差を利用する方法
(例えば、溶媒抽出、転溶、沈殿、結晶化、再結晶化な
ど)、クロマトグラフィー(例えば、イオン交換樹脂、
活性炭、ハイポーラスポリマー。
セファデックス、セファデックスイオン交換体、セルロ
ーズ、イオン交換セルローズ、シリカゲル、アルミナな
どを用いるクロマトグラフィー)などにより単離、精製
できる。
ーズ、イオン交換セルローズ、シリカゲル、アルミナな
どを用いるクロマトグラフィー)などにより単離、精製
できる。
本発明に含まれる化合物(III)の塩としては、薬学
的に許容できる化合物(III)との塩が用いられる。
的に許容できる化合物(III)との塩が用いられる。
このような塩としては、例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸
、りん酸、硝酸などの無機酸1、例えば酢酸、りんご酸
、くえん酸、アスコルビン酸。
、りん酸、硝酸などの無機酸1、例えば酢酸、りんご酸
、くえん酸、アスコルビン酸。
マンデル酸、メタンスルホン酸などの有機酸等との塩が
用いられる。
用いられる。
なお、化合物CIII)のうちR3が水素原子で、結合
手mがS配位である化合物、すなわち一般式 (式中、Aは水素原子またはアミン残基を示す。)で表
わされるパリオールアミンおよびそのN−置換誘導体お
よびそれらの塩は毒性もほとんどなく(ラットLDso
500mg/kg以上)、α−グルコシダーゼ阻害作用
を有し、人間および人間以外の動物の炭水化物の代謝を
抑制するために、例えば血糖上昇抑制作用を有しており
、過血糖症状および過血糖に起因する種々の疾患、例え
ば糖尿病、前糖尿病、肥満症、脂肪過多症、過脂肪血症
(動脈硬化症)および口腔微生物による糖代謝に帰因す
る疾病(例えば、虫歯等)の治療および予防に有用な化
合物である。
手mがS配位である化合物、すなわち一般式 (式中、Aは水素原子またはアミン残基を示す。)で表
わされるパリオールアミンおよびそのN−置換誘導体お
よびそれらの塩は毒性もほとんどなく(ラットLDso
500mg/kg以上)、α−グルコシダーゼ阻害作用
を有し、人間および人間以外の動物の炭水化物の代謝を
抑制するために、例えば血糖上昇抑制作用を有しており
、過血糖症状および過血糖に起因する種々の疾患、例え
ば糖尿病、前糖尿病、肥満症、脂肪過多症、過脂肪血症
(動脈硬化症)および口腔微生物による糖代謝に帰因す
る疾病(例えば、虫歯等)の治療および予防に有用な化
合物である。
発明の効果
化合物CI)は種々のN −W、換パリオールアミン誘
導体やその他のパリオールアミン関連化合物の製造のた
めの中間原料化合物としてパリオールアミンに匹敵する
有用な化合物である。例えば、N−Fft換パリオール
アミン誘導体の合成において、N−置換基部分を構築す
る原料化合物がアミノ化合物として入手しやすい場合に
は化合物(1)を中間原料として用いる方がパリオール
アミンを中間原料として用いるよりも容易に目的物を合
成することが可能である。
導体やその他のパリオールアミン関連化合物の製造のた
めの中間原料化合物としてパリオールアミンに匹敵する
有用な化合物である。例えば、N−Fft換パリオール
アミン誘導体の合成において、N−置換基部分を構築す
る原料化合物がアミノ化合物として入手しやすい場合に
は化合物(1)を中間原料として用いる方がパリオール
アミンを中間原料として用いるよりも容易に目的物を合
成することが可能である。
更に、化合物(1)の製造のための出発原料として用い
られるセドヘプチュロースは前記したようにある種の細
菌や放線菌等の培養液中に多量に蓄積されろことが知ら
れており、発酵生産によって安価に製造することが可能
である。また、セドヘプチュローサンや2.7−アンヒ
ドロ−β−イドーヘプチュロピラノース(D−イドヘプ
チュローサン)はセドヘプチュロースを原料として安価
に製造することが可能であるので、本発明の方法はN−
置換バリオールアミン誘導体の製造法として有用な方法
である。
られるセドヘプチュロースは前記したようにある種の細
菌や放線菌等の培養液中に多量に蓄積されろことが知ら
れており、発酵生産によって安価に製造することが可能
である。また、セドヘプチュローサンや2.7−アンヒ
ドロ−β−イドーヘプチュロピラノース(D−イドヘプ
チュローサン)はセドヘプチュロースを原料として安価
に製造することが可能であるので、本発明の方法はN−
置換バリオールアミン誘導体の製造法として有用な方法
である。
その他、化合物[(]は、そのカルボニル基を水酸基へ
の還元反応に付し、所望により脱保護基反応に付すこと
によって、(l宅)−(+(OH)、2゜4.5/l、
3)−1−C−(ヒドロキシメチル)−I、2,3,4
.5−シクロヘキサンベントール、(l主)−(1(O
H)2.4/1.’3.5)−1−C−(ヒドロキシメ
チル) −1,2,3,4,5−シクロヘキサンベント
ール、およびそれらの〇−置換誘導体を合成するための
原料としてし有用な化合物である。これらのベントール
誘導体もまた化合物[I[[]およびその類縁化合物の
合成のための原料として用いることができる。
の還元反応に付し、所望により脱保護基反応に付すこと
によって、(l宅)−(+(OH)、2゜4.5/l、
3)−1−C−(ヒドロキシメチル)−I、2,3,4
.5−シクロヘキサンベントール、(l主)−(1(O
H)2.4/1.’3.5)−1−C−(ヒドロキシメ
チル) −1,2,3,4,5−シクロヘキサンベント
ール、およびそれらの〇−置換誘導体を合成するための
原料としてし有用な化合物である。これらのベントール
誘導体もまた化合物[I[[]およびその類縁化合物の
合成のための原料として用いることができる。
以下に、参考例および実施例を挙げて本発明を更に具体
的に説明するが本発明の範囲はこれに限定されるもので
はない。
的に説明するが本発明の範囲はこれに限定されるもので
はない。
参考例!
4.5−0−イソプロビリデンセドへプチュローサン
セドヘブチュローサン(2,7−アンヒドロ−β−D−
アルドロー2−へプチュロビラノース。
アルドロー2−へプチュロビラノース。
25g)の結晶を粉末化し、アセトン(320mGに懸
濁させ、濃硫酸(2,5d)を加え室温で18時間攪拌
した。生じた結晶をろ取し、アセトンで洗浄して4.5
−0−イソブロピリデンセドへプチュローサン(28g
)を得た。
濁させ、濃硫酸(2,5d)を加え室温で18時間攪拌
した。生じた結晶をろ取し、アセトンで洗浄して4.5
−0−イソブロピリデンセドへプチュローサン(28g
)を得た。
元素分析値: C+o Has Os
計算値(%):C,51,72; Il、6.94実験
値(%):C:51.58: H,6,97参考例2 1.3−ジー0−ベンゾイル−4,5−0−イソブロピ
リデンセドへブチュローサン 4.5−0−イソプロビリデンセドへプチュローサン(
5,0g)をN、N−ジメチルホルムアミド(DMF)
(85d)とピリジン(5d)の混合溶媒に懸濁し、冷
却下(約−30℃)に塩化ベンゾイル(9−)を滴下し
、更に−5〜−10℃で2.5時間攪拌した。反応液を
氷水(約200d)中に加え、生じた油状物を酢酸エチ
ルで抽出した。酢酸エチル抽出液を2N塩酸と飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲルの
カラムクロマト(500M1)に付し、トルエン−酢酸
エチル(10:Iv/v)で溶出した。溶出画分を減圧
濃縮乾固し、残留物を更に減圧下に一夜乾燥してl。
値(%):C:51.58: H,6,97参考例2 1.3−ジー0−ベンゾイル−4,5−0−イソブロピ
リデンセドへブチュローサン 4.5−0−イソプロビリデンセドへプチュローサン(
5,0g)をN、N−ジメチルホルムアミド(DMF)
(85d)とピリジン(5d)の混合溶媒に懸濁し、冷
却下(約−30℃)に塩化ベンゾイル(9−)を滴下し
、更に−5〜−10℃で2.5時間攪拌した。反応液を
氷水(約200d)中に加え、生じた油状物を酢酸エチ
ルで抽出した。酢酸エチル抽出液を2N塩酸と飽和炭酸
水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲルの
カラムクロマト(500M1)に付し、トルエン−酢酸
エチル(10:Iv/v)で溶出した。溶出画分を減圧
濃縮乾固し、残留物を更に減圧下に一夜乾燥してl。
3−ジー〇−ベンゾイルー4.5−0−イソブロビリデ
ンセドへプチュローサンの白色粉末 (8,8g)を
得た。
ンセドへプチュローサンの白色粉末 (8,8g)を
得た。
参考例3
1.3−ジー0−ペンゾイルセドへプチュローサン
1.3−ジー0−ベンゾイル−4,5−0−イソブロビ
リデンセドへプヂュローサン(8,8g)を80%(v
/v)酢酸(90滅)に溶解し、70〜75℃で2時間
攪拌した。反応液に水(170戒)を加えて減圧a縮し
た。残留物を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液で洗浄し、酢酸エチル溶液を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物にエチル
エーテル−石油エーテル(3: l v/v)(280
旙)を加えて冷蔵庫中に一夜放置して1.3−ノー0−
ペンゾイルセドへプチュローサンの結晶(7,,3g)
を得た。
リデンセドへプヂュローサン(8,8g)を80%(v
/v)酢酸(90滅)に溶解し、70〜75℃で2時間
攪拌した。反応液に水(170戒)を加えて減圧a縮し
た。残留物を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液で洗浄し、酢酸エチル溶液を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物にエチル
エーテル−石油エーテル(3: l v/v)(280
旙)を加えて冷蔵庫中に一夜放置して1.3−ノー0−
ペンゾイルセドへプチュローサンの結晶(7,,3g)
を得た。
参考例4
1,3.4−トリー〇−ペンゾイルセドへプチュローサ
ン 1.3−ジー0−ペンゾイルセドへプチュローサン(1
4,1g)のジクロロメタン(140t+2)溶液にピ
リジン(4,7滅)を加え、冷却下(−40’C以下)
に塩化ベンゾイル(5,64g)のジクロロメタン溶液
(50成)を滴下し、冷却下(−40〜−30℃)に2
.5時間攪拌した。反応液を氷水中に加え、30分間攪
拌後、ジクロロメタン層を分離し、更に水層をジクロロ
メタンで抽出した。ジクロロメタン抽出液を2N塩酸と
飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物にエチ
ルエーテル−石油エーテル(1: l Ov/v)(1
(Dを加えて冷蔵庫中に一夜放置すると1.3.4−)
ソー0−ペンゾイルセドへプチュローサンの結晶(t7
.5g)が得られ几。
ン 1.3−ジー0−ペンゾイルセドへプチュローサン(1
4,1g)のジクロロメタン(140t+2)溶液にピ
リジン(4,7滅)を加え、冷却下(−40’C以下)
に塩化ベンゾイル(5,64g)のジクロロメタン溶液
(50成)を滴下し、冷却下(−40〜−30℃)に2
.5時間攪拌した。反応液を氷水中に加え、30分間攪
拌後、ジクロロメタン層を分離し、更に水層をジクロロ
メタンで抽出した。ジクロロメタン抽出液を2N塩酸と
飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物にエチ
ルエーテル−石油エーテル(1: l Ov/v)(1
(Dを加えて冷蔵庫中に一夜放置すると1.3.4−)
ソー0−ペンゾイルセドへプチュローサンの結晶(t7
.5g)が得られ几。
N M n (CDC13)δ: 2.51(IH,d
、J=611z、−0H)、 3.9〜4.25(21
1,m、 ? −CI、) 、 4.25〜4.5 (
18,m、 5−CH;D*0を加えると64.3g(
dd、J=3tlz、511z)に変化する〕。
、J=611z、−0H)、 3.9〜4.25(21
1,m、 ? −CI、) 、 4.25〜4.5 (
18,m、 5−CH;D*0を加えると64.3g(
dd、J=3tlz、511z)に変化する〕。
4、58(21+、 s 、 1−CI!、) 、 4
.7〜4 、9(LH,m、 6−C11) 、 5.
46(LH。
.7〜4 、9(LH,m、 6−C11) 、 5.
46(LH。
dd、 J = 3Hz、911z、 4−CHt)、
5.94(LH,d、 J = 91(z、 3−C
Iり 。
5.94(LH,d、 J = 91(z、 3−C
Iり 。
7.1〜7.7(9H,m)および7.8〜8.2(6
tLmXC,il、x 3)。
tLmXC,il、x 3)。
元素分析:CtsHt40s
計算値(%):C,66,66、H,4,80実験値(
%):C,67,04; H,4,74参考例5 1.3.4−トリー〇−ベンゾイル−5−0−(イミダ
ゾリルスルホニル)セドヘプチュローザン1.3.4−
トリー〇−ペンゾイルセドへブチュローサン(9,48
g)をDMF(100d)に溶解し、−40℃以下に冷
却下に塩化スルフリル(3,2y7)を加えた後、約−
40℃で20分間攪拌した。反応液を再び一40℃以下
に冷却下にイミダゾール(13,6g)を加えた後、冷
却浴を除き、室温で15時間攪拌した。反応液を氷水(
300d)中に加え、生じた油状物を酢酸エチルで抽出
した。
%):C,67,04; H,4,74参考例5 1.3.4−トリー〇−ベンゾイル−5−0−(イミダ
ゾリルスルホニル)セドヘプチュローザン1.3.4−
トリー〇−ペンゾイルセドへブチュローサン(9,48
g)をDMF(100d)に溶解し、−40℃以下に冷
却下に塩化スルフリル(3,2y7)を加えた後、約−
40℃で20分間攪拌した。反応液を再び一40℃以下
に冷却下にイミダゾール(13,6g)を加えた後、冷
却浴を除き、室温で15時間攪拌した。反応液を氷水(
300d)中に加え、生じた油状物を酢酸エチルで抽出
した。
酢酸エチル抽出液を2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム
溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に
溶媒を留去した。残留物をシリカゲルのカラムクロマト
(600M1)に付し、トルエン−酢酸エチル(3:2
v/v)で溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、残留物に
石油エーテル(約100d)を加え冷蔵庫中に一夜放置
して1,3.4−トリー〇−ベンゾイル−5−0−(イ
ミダゾリルスルホニル)セドヘブチュローサンの白色粉
末(9゜5g)を得た。
溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に
溶媒を留去した。残留物をシリカゲルのカラムクロマト
(600M1)に付し、トルエン−酢酸エチル(3:2
v/v)で溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、残留物に
石油エーテル(約100d)を加え冷蔵庫中に一夜放置
して1,3.4−トリー〇−ベンゾイル−5−0−(イ
ミダゾリルスルホニル)セドヘブチュローサンの白色粉
末(9゜5g)を得た。
N M R(CDCIs)δ: 4.04(IH,dd
、J=5Hz、J=8Hz、7−CH) 、 4..0
8(III、d、 J = 8Hz、 ? −CI)
、 4.59(21,s、 1−CHt) 。
、J=5Hz、J=8Hz、7−CH) 、 4..0
8(III、d、 J = 8Hz、 ? −CI)
、 4.59(21,s、 1−CHt) 。
4.75〜4.90(IH,m、6−CH)、5.27
(IH,dd、J= 2.5Hz。
(IH,dd、J= 2.5Hz。
4Hz、5−C1l) 、 5.49(IH,dd、
J = 4Hz、 9.5Hz、 4−CI) 、 5
.92(III、d、J= 9.511z、3−CI)
、6.78,7.15および7.18 (各111、s
、イミダゾール)、7.2〜.7.7(91,m)およ
び7.8〜8.2(611,m)(C1111sX3)
。
J = 4Hz、 9.5Hz、 4−CI) 、 5
.92(III、d、J= 9.511z、3−CI)
、6.78,7.15および7.18 (各111、s
、イミダゾール)、7.2〜.7.7(91,m)およ
び7.8〜8.2(611,m)(C1111sX3)
。
元素分析: Cs r Ht a N t O+ t
S計算値(%):C,5g、67、 H,4,13,N
、4.41実験値(%):C,58,71; H,4,
10; !i、4.43参考例6 2.7−アンヒドロ−1,3,4,5−テトラ−0−ベ
ンゾイル−β−D−イドー2−ヘプヂュロピラノース 1.3.4−)ソー0−ベンゾイル−5−0−(イミダ
ゾリルスルホニル)セドヘプチュローサン(9゜5g)
をトルエン(140m)に溶解し、安息香酸テトラ−n
−ブチルアンモニウム(l1g)を加え、100℃で3
時間攪拌した。減圧下に反応液の溶媒を留去後、残留物
を酢酸エチルと水に分配し、水層を更に酢酸エチルで抽
出した。酢酸エチル層を集め2N塩酸と飽和炭酸水素ナ
トリウム溶液て洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶
媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(1
g)に付し、トルエン−酢酸エチル(19: I v/
v)で溶出した。溶出画分を減圧下に濃縮乾固して2゜
7−アンヒドロ−1,3,4,5−テトラ−O−ベンゾ
イル−β−D−イドー2−へブヂュロピラノースの白色
粉末(6,8g)を得た。
S計算値(%):C,5g、67、 H,4,13,N
、4.41実験値(%):C,58,71; H,4,
10; !i、4.43参考例6 2.7−アンヒドロ−1,3,4,5−テトラ−0−ベ
ンゾイル−β−D−イドー2−ヘプヂュロピラノース 1.3.4−)ソー0−ベンゾイル−5−0−(イミダ
ゾリルスルホニル)セドヘプチュローサン(9゜5g)
をトルエン(140m)に溶解し、安息香酸テトラ−n
−ブチルアンモニウム(l1g)を加え、100℃で3
時間攪拌した。減圧下に反応液の溶媒を留去後、残留物
を酢酸エチルと水に分配し、水層を更に酢酸エチルで抽
出した。酢酸エチル層を集め2N塩酸と飽和炭酸水素ナ
トリウム溶液て洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶
媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(1
g)に付し、トルエン−酢酸エチル(19: I v/
v)で溶出した。溶出画分を減圧下に濃縮乾固して2゜
7−アンヒドロ−1,3,4,5−テトラ−O−ベンゾ
イル−β−D−イドー2−へブヂュロピラノースの白色
粉末(6,8g)を得た。
N M R(CDCIりδ:4.02(lIl、dd、
J = 4.511z、 8Hz、 7−CH)、
4.50(111,d、J=811z、7−CH)、4
.60(211,s、1−CtlJ、5゜10(III
、t、J=4.5Hz、6−Ct()、 5.54(l
11.dd、J=4.51!z。
J = 4.511z、 8Hz、 7−CH)、
4.50(111,d、J=811z、7−CH)、4
.60(211,s、1−CtlJ、5゜10(III
、t、J=4.5Hz、6−Ct()、 5.54(l
11.dd、J=4.51!z。
13、5Hz、 5−CH) 、 5.80(III、
d、 J = 8.511z、 3−CH) 、 6
.80 (IH。
d、 J = 8.511z、 3−CH) 、 6
.80 (IH。
t、J= 8.5[1z、4−C11)、7.2〜7.
7(12)1.m)および7,8〜8.2(8H,m)
(CetlsX4)。
7(12)1.m)および7,8〜8.2(8H,m)
(CetlsX4)。
元素分析: C35H2s Q + 。
計算値(%):C,69,07; II、4.64実験
値(%):C,69,34: H,4,67参考例7 メチル 1,3,4.5−テトラ−O−ベンゾイル−D
−イド−2−へプチュロビラノシド2.7−アンヒドロ
−1,3,4,5−テトラ−0−ベンゾイル−β−D−
イドー2−へプチュロピラノース(3,0g)をメタノ
ール(30,d)とオルトぎ酸メチル(15Tn1.)
の混合液に溶解し、塩化亜鉛(3,0g)を加えて室温
で40時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物を酢
酸エチルと水に分配した。酢酸エチル層を2N塩酸と飽
和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲ
ルのカラムクロマト(200d)に付し、トルエン−酢
酸エチル(5:Lv/v)で溶出した。溶出両分を減圧
下に濃縮乾固してメチル 1.3.4.5−テトラ−0
−ベンゾイル−D−イド−2−へプチュロピラノシドの
白色粉末(1,05g)を得た。
値(%):C,69,34: H,4,67参考例7 メチル 1,3,4.5−テトラ−O−ベンゾイル−D
−イド−2−へプチュロビラノシド2.7−アンヒドロ
−1,3,4,5−テトラ−0−ベンゾイル−β−D−
イドー2−へプチュロピラノース(3,0g)をメタノ
ール(30,d)とオルトぎ酸メチル(15Tn1.)
の混合液に溶解し、塩化亜鉛(3,0g)を加えて室温
で40時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物を酢
酸エチルと水に分配した。酢酸エチル層を2N塩酸と飽
和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残留物をシリカゲ
ルのカラムクロマト(200d)に付し、トルエン−酢
酸エチル(5:Lv/v)で溶出した。溶出両分を減圧
下に濃縮乾固してメチル 1.3.4.5−テトラ−0
−ベンゾイル−D−イド−2−へプチュロピラノシドの
白色粉末(1,05g)を得た。
N M R(CDCl2)δ: 2.36(LH,ブロ
ードs 、 −0il) 、 3.69(311,s、
−0CII3) 、 3.97(III、 dd、
J = 6.511z、 9.511z、 7−Cli
) 。
ードs 、 −0il) 、 3.69(311,s、
−0CII3) 、 3.97(III、 dd、
J = 6.511z、 9.511z、 7−Cli
) 。
4、21(III、dd、 J = 71!z、 9.
5Hz、 ? −CIり 、 4.56(21(、s
、 1−C11z) 、 4 、60〜4.75(il
l、 m、 6−CIり 、 5.31(lit、 d
d、 J= 51iz、 8゜511z、5−C1l)
、 5.82(III、 d、 J = 8.511
z、 3−C11) 、5.96(IH,t 。
5Hz、 ? −CIり 、 4.56(21(、s
、 1−C11z) 、 4 、60〜4.75(il
l、 m、 6−CIり 、 5.31(lit、 d
d、 J= 51iz、 8゜511z、5−C1l)
、 5.82(III、 d、 J = 8.511
z、 3−C11) 、5.96(IH,t 。
J=8.511z、4−CtD、7.15〜7.7(1
2H,m)および7.8〜8゜2(8H,mXceHs
X 4)。
2H,m)および7.8〜8゜2(8H,mXceHs
X 4)。
元素分析:C3eHzxOx
計算値(%):C,67,49; 11,5.03実験
値(%):C,66,98; II、4.74参首例8 メチル 1,3.4.5−テトラ〜○−ベンゾイル−7
−デオキンー7−ヨードー〇−イド−2−ヘプチュロピ
ラノシド メチル 1.3,4.5−テトラ−0−ベンゾイル−D
−イド−2−へプチュロピラノンド(950mg)をD
MF(161nfl)に溶解し、トリフェニルホスフィ
ン(1,65,g)とN−ヨードこはく酸イミド(+、
2g)を加えて室温で一夜攪拌した。反応液を氷水(1
00d)に加え、生じた油状物を酢酸エチルで抽出した
。酢酸エチル抽出液を飽和チオ硫酸ナトリウム溶液、2
N塩酸および飽和炭酸水素すトリウム溶液で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残
留物をシリカゲルのカラムクロマト(’200d)に付
し、トルエン−酢酸エチル(10:Iv/りで溶出した
。溶出画分を減圧下に濃縮乾固してメチル1,3,4.
5−テトラ−O−ベンゾイル−7−ゾオキシー7−ヨー
ドーD−イド−2−へプチュロピラノシドの白色粉末(
780mg)を得た。
値(%):C,66,98; II、4.74参首例8 メチル 1,3.4.5−テトラ〜○−ベンゾイル−7
−デオキンー7−ヨードー〇−イド−2−ヘプチュロピ
ラノシド メチル 1.3,4.5−テトラ−0−ベンゾイル−D
−イド−2−へプチュロピラノンド(950mg)をD
MF(161nfl)に溶解し、トリフェニルホスフィ
ン(1,65,g)とN−ヨードこはく酸イミド(+、
2g)を加えて室温で一夜攪拌した。反応液を氷水(1
00d)に加え、生じた油状物を酢酸エチルで抽出した
。酢酸エチル抽出液を飽和チオ硫酸ナトリウム溶液、2
N塩酸および飽和炭酸水素すトリウム溶液で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧下に溶媒を留去した。残
留物をシリカゲルのカラムクロマト(’200d)に付
し、トルエン−酢酸エチル(10:Iv/りで溶出した
。溶出画分を減圧下に濃縮乾固してメチル1,3,4.
5−テトラ−O−ベンゾイル−7−ゾオキシー7−ヨー
ドーD−イド−2−へプチュロピラノシドの白色粉末(
780mg)を得た。
参考例9
メチル 1,3,4.5−テトラ−O−ベンゾイル−7
−ジオキシ−し一キシロー2−ヘプト−6−エノウロピ
ラノンド 〔すなわち、メチルI、3゜4.5−テトラ
−0−ベンゾイル−7−ゾオキシーD−イト−2−ヘプ
ト−6−エノウロピラノシド〕 メチル 1..3,4.5−テトラ−0−ベンゾイル−
7−ゾオキシー7−ヨードーD−イド−2−へプチュロ
ピラノシド(500mg)をピリジン(5d)に溶解し
、ふっ化銀(1,0g)を加えて室温で18時間攪拌し
た。反応液にエチルエーテル(+00d)を加えて不溶
物をろ過し、エチルエーテルで洗浄した。ろ液と洗液を
集めて減圧濃縮し、残留物を酢酸エチルに溶解し、2N
塩酸と飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物をシ
リカゲルのカラムクロマト(、l00Tn1)に付し、
トルエン−酢酸エチル(9:1v/v)で溶出した。溶
出画分を減圧下に濃縮乾固してメチル I 、3.4
。
−ジオキシ−し一キシロー2−ヘプト−6−エノウロピ
ラノンド 〔すなわち、メチルI、3゜4.5−テトラ
−0−ベンゾイル−7−ゾオキシーD−イト−2−ヘプ
ト−6−エノウロピラノシド〕 メチル 1..3,4.5−テトラ−0−ベンゾイル−
7−ゾオキシー7−ヨードーD−イド−2−へプチュロ
ピラノシド(500mg)をピリジン(5d)に溶解し
、ふっ化銀(1,0g)を加えて室温で18時間攪拌し
た。反応液にエチルエーテル(+00d)を加えて不溶
物をろ過し、エチルエーテルで洗浄した。ろ液と洗液を
集めて減圧濃縮し、残留物を酢酸エチルに溶解し、2N
塩酸と飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残留物をシ
リカゲルのカラムクロマト(、l00Tn1)に付し、
トルエン−酢酸エチル(9:1v/v)で溶出した。溶
出画分を減圧下に濃縮乾固してメチル I 、3.4
。
5−テトラ−O−ベンゾイル−7−デオキンーし一キシ
ロー2−ヘプト−6−エノウロピラノンドの白色粉末(
249mg)を得た。
ロー2−ヘプト−6−エノウロピラノンドの白色粉末(
249mg)を得た。
N M R(CDCl2)δ:3.68(311,s、
−0CH3>、4.45(211゜ブロードs、 l
−Cllz) 、 5.32(l11.d、 J =
911z、5−CIまたは3−Cl1)、5.64(l
H,d、J= 911z、3−C11または5−Ctl
)、5.81(111,t、J=911z、4−C11
)、5.91およびe、o3<各111.s、7−CH
t)、7.2〜7.7(12H,m)および7.8〜8
.2(8H,m)(C,n5X 4)。
−0CH3>、4.45(211゜ブロードs、 l
−Cllz) 、 5.32(l11.d、 J =
911z、5−CIまたは3−Cl1)、5.64(l
H,d、J= 911z、3−C11または5−Ctl
)、5.81(111,t、J=911z、4−C11
)、5.91およびe、o3<各111.s、7−CH
t)、7.2〜7.7(12H,m)および7.8〜8
.2(8H,m)(C,n5X 4)。
元素分析: Csao 300 t。
計算値(%):C,69,56; H,4,86実験値
(%):C,70,03; H,5,09参考例l0 (lΣ)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−1−
C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5−シク
ロヘキサンペントールおよび(1Σ)−(1(oH)。
(%):C,70,03; H,5,09参考例l0 (lΣ)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−1−
C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5−シク
ロヘキサンペントールおよび(1Σ)−(1(oH)。
2.11/1,3.5)−1−C−(ヒドロキシメチル
)−1,2,3,4,5−シクロヘキサンペントール2
D−(2,4,,5(OH)/3.5)−2,3,4−
トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキツメチル
)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサノ
ン(i、Og)をメタノール−テトラヒドロフラン(1
: 1.304)に溶解し、氷水で冷却下に水素化は
う素ナトリウム(250mg)を加え、同温度で2時間
撹拌した。反応液を減圧濃縮後、残留物を酢酸エチルと
水に分配した。 酢酸エチル層を2N塩酸と飽和炭酸水
素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、減圧濃縮した。残留物をメタノール−アセトン−2
N水酸化ナトリウムC2:6:3.220滅)に溶解し
、室温で一夜撹拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物に
水(約50−)を加えて濾過した。 濾液をダウエック
ス50wx8()(“型、250滅)のカラムクロマト
に付し、水で溶出し、溶出画分を減圧濃縮した。残留物
をダウエックスlX2(OH−型。
)−1,2,3,4,5−シクロヘキサンペントール2
D−(2,4,,5(OH)/3.5)−2,3,4−
トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキツメチル
)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサノ
ン(i、Og)をメタノール−テトラヒドロフラン(1
: 1.304)に溶解し、氷水で冷却下に水素化は
う素ナトリウム(250mg)を加え、同温度で2時間
撹拌した。反応液を減圧濃縮後、残留物を酢酸エチルと
水に分配した。 酢酸エチル層を2N塩酸と飽和炭酸水
素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、減圧濃縮した。残留物をメタノール−アセトン−2
N水酸化ナトリウムC2:6:3.220滅)に溶解し
、室温で一夜撹拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物に
水(約50−)を加えて濾過した。 濾液をダウエック
ス50wx8()(“型、250滅)のカラムクロマト
に付し、水で溶出し、溶出画分を減圧濃縮した。残留物
をダウエックスlX2(OH−型。
400m1)のカラムクロマトに付し、水で溶出した。
先に溶出された両分(570〜760d)と後に溶出さ
れた両分(765〜1050d)に分離した。後に溶出
された両分を減圧濃縮し、残留物を再びダウエックスI
x2(OH−型、600旋)のカラムクロマトに付し、
水で溶出し、先に溶出された両分(075〜1,03ρ
)と後に溶出された両分(1,1〜1.4f2)に分離
しfこ。後に溶出された両分を減圧濃縮後、凍結乾燥し
て(l 5)−(1(OH)、2,4,571,3)−
1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5−
シクロヘキサンペントールの白色粉末(49mg)を得
た。1回目と2回目のダウエックスlx2のカラムクロ
マトで先に溶出された両分を集め、減圧濃縮後、凍結乾
燥して(lβ−)−(1(OH)、2,4./1,3゜
5)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3゜4
.5−シクロヘキサンペントールの白色粉末(68mg
)を得た。
れた両分(765〜1050d)に分離した。後に溶出
された両分を減圧濃縮し、残留物を再びダウエックスI
x2(OH−型、600旋)のカラムクロマトに付し、
水で溶出し、先に溶出された両分(075〜1,03ρ
)と後に溶出された両分(1,1〜1.4f2)に分離
しfこ。後に溶出された両分を減圧濃縮後、凍結乾燥し
て(l 5)−(1(OH)、2,4,571,3)−
1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5−
シクロヘキサンペントールの白色粉末(49mg)を得
た。1回目と2回目のダウエックスlx2のカラムクロ
マトで先に溶出された両分を集め、減圧濃縮後、凍結乾
燥して(lβ−)−(1(OH)、2,4./1,3゜
5)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3゜4
.5−シクロヘキサンペントールの白色粉末(68mg
)を得た。
(lジ)−(1(OH)、2.4/1,3.5)−1−
C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5=シク
ロヘキサンベントール(先に溶出された異性体): N M R(D20)δ: 1.63 (18,dd、
J=12Hz、 1411z)。
C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5=シク
ロヘキサンベントール(先に溶出された異性体): N M R(D20)δ: 1.63 (18,dd、
J=12Hz、 1411z)。
2.14(1)1. dd、 J=511z、14Hz
)、3.25〜4.1(6H,m)。
)、3.25〜4.1(6H,m)。
(Iジ)−(1(OH)、2,4..5/1.3)−1
−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5−シ
クロヘキサンペントール(後に溶出された異性体); N MR(DtO)δ:1.79 (18,dd、 J
= 3Hz、 15.511z)。
−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4,5−シ
クロヘキサンペントール(後に溶出された異性体); N MR(DtO)δ:1.79 (18,dd、 J
= 3Hz、 15.511z)。
2.12(ill、 dd、J=411z、15.5H
z)、 3.4〜4.45(all、 m)。
z)、 3.4〜4.45(all、 m)。
実施例1
2D−(2,=1.5(OH)/3,5)−2,3,4
−トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキツメチ
ル)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサ
ノン メチル 1,3,4.5−テトラ〜O−ヘンシイルー7
−ゾオキシーし一キシロー2−ヘプト−6−エノウロビ
ラノシド[すなわち、I、3,4゜5−テトラ−0−ベ
ーベンゾイル−7−デ才キシーD−イド−2−ヘプト−
6−エノウロビラノンド](620mg)を80%(v
/ v)アセトン水(40旋)に溶解し、塩化第二水銀
(275mg)を加えて室温で8時間攪拌した。反応液
を約20滅に減圧濃縮し、濃縮液に酢酸エチル(100
Ml)と水(100滅)を加え、攪拌後、酢酸エチル層
を分離し、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留
去した。残留物をシリカゲルのカラムクロマト(60祿
)に付し、トルエン−酢酸エチル(5: ! v/v)
で溶出した。溶出画分を減圧下に濃縮乾固して2D−(
2,4,5(Ol−I)/3.5)−2,3,4−トリ
ー〇−ベンゾイル−5−(ペンゾイルオキンメチル)−
2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサノンの
白色粉末(248mg)を得た。
−トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキツメチ
ル)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサ
ノン メチル 1,3,4.5−テトラ〜O−ヘンシイルー7
−ゾオキシーし一キシロー2−ヘプト−6−エノウロビ
ラノシド[すなわち、I、3,4゜5−テトラ−0−ベ
ーベンゾイル−7−デ才キシーD−イド−2−ヘプト−
6−エノウロビラノンド](620mg)を80%(v
/ v)アセトン水(40旋)に溶解し、塩化第二水銀
(275mg)を加えて室温で8時間攪拌した。反応液
を約20滅に減圧濃縮し、濃縮液に酢酸エチル(100
Ml)と水(100滅)を加え、攪拌後、酢酸エチル層
を分離し、2N塩酸と飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留
去した。残留物をシリカゲルのカラムクロマト(60祿
)に付し、トルエン−酢酸エチル(5: ! v/v)
で溶出した。溶出画分を減圧下に濃縮乾固して2D−(
2,4,5(Ol−I)/3.5)−2,3,4−トリ
ー〇−ベンゾイル−5−(ペンゾイルオキンメチル)−
2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサノンの
白色粉末(248mg)を得た。
薄層クロマトグラフィー(T L C、シリカゲル60
F−254,メルク社製):トルエンー酢酸エチル(2
:lv/v)、Rf O,52:)ルエンーアセトン(
9:Iv/v)、 RrO,31;n−ヘキサン−酢酸
エチル(3:2v/v)、RrO,38;溶解性:メタ
ノール、酢酸エチル、トルエン。
F−254,メルク社製):トルエンー酢酸エチル(2
:lv/v)、Rf O,52:)ルエンーアセトン(
9:Iv/v)、 RrO,31;n−ヘキサン−酢酸
エチル(3:2v/v)、RrO,38;溶解性:メタ
ノール、酢酸エチル、トルエン。
アセトン、クロロホルムに可溶、水9石油エーテルに不
溶: N M R(CDCI s )δ: 2.38(1B、
ブロードs、−0[()、2.88および3.04(各
IH,ABQj= 14.5Hz、6−CH,)、4.
81(21゜s 、 −CIItO−) 、 5.43
(LH,d、 J = IQI(z、 4−C11)、
5.81(IH,t 。
溶: N M R(CDCI s )δ: 2.38(1B、
ブロードs、−0[()、2.88および3.04(各
IH,ABQj= 14.5Hz、6−CH,)、4.
81(21゜s 、 −CIItO−) 、 5.43
(LH,d、 J = IQI(z、 4−C11)、
5.81(IH,t 。
J=1011z、3−CH)、 6.11(LH,d、
J=lGHz、2−CI)、7.2〜7.7(211,
m)および7.8〜8.3(lllH,f!1)(c@
H,X 4)。
J=lGHz、2−CI)、7.2〜7.7(211,
m)および7.8〜8.3(lllH,f!1)(c@
H,X 4)。
元素分析:(,1sHtsOt。
計算値(%):C,69,07; 11,4.64実験
値(%):C,68,74H,5,03実施例2 (lジ)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−5−
(〔2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキシメチル)エチル
コアミノ)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1゜2.
3.4−シクロヘキサンテトロール2D−(2,4,5
(OH)/3.5)−2,3,4−トリー〇−ベンゾイ
ル−5−(ベンゾイルオキシメチル)−2,3,4゜5
−テトラヒドロキシシクロヘキサノン(410+ag)
と2−アミノ−1,3−プロパンジオール(280mg
)を酢酸−エタノール(1:9v/v、 15M1)に
溶解し、室温で30分間攪拌後、シアノ水素化はう素ナ
トリウム(300mg)を加えて室温で一夜m拌した。
値(%):C,68,74H,5,03実施例2 (lジ)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−5−
(〔2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキシメチル)エチル
コアミノ)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1゜2.
3.4−シクロヘキサンテトロール2D−(2,4,5
(OH)/3.5)−2,3,4−トリー〇−ベンゾイ
ル−5−(ベンゾイルオキシメチル)−2,3,4゜5
−テトラヒドロキシシクロヘキサノン(410+ag)
と2−アミノ−1,3−プロパンジオール(280mg
)を酢酸−エタノール(1:9v/v、 15M1)に
溶解し、室温で30分間攪拌後、シアノ水素化はう素ナ
トリウム(300mg)を加えて室温で一夜m拌した。
反応液を減圧下に濃縮乾固し、残留物をメタノール−ア
セトン−1N水酸化ナトリウム(1:1 :2v/v、
I O(IFnIl)に溶解し、室温で5.5時間攪拌
後、減圧下に有機溶媒を留去した。濃縮液を2N塩酸で
I)Hlに調節し、酢酸エチルで洗浄後、ダウエックス
50Wx8(H中型、100d)を加えて30分間室温
で攪拌した。この反応混合物をダウエックス50Wx8
(H中型、50d)を充填したカラムの上に加え、カラ
ムを水洗後、0.5Nアンモニア水で溶出した。溶出画
分を減圧濃縮し、残留物をアンバーライトCG−50(
NH,中型、250d)のカラムクロマトに付し、水で
溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、残留物にエタノール
を加えて15分間過熱還流した後、減圧濃縮した。濃縮
液(約21nl)を−夜室温に放置すると(■主)−(
+ (OH)、 2 。
セトン−1N水酸化ナトリウム(1:1 :2v/v、
I O(IFnIl)に溶解し、室温で5.5時間攪拌
後、減圧下に有機溶媒を留去した。濃縮液を2N塩酸で
I)Hlに調節し、酢酸エチルで洗浄後、ダウエックス
50Wx8(H中型、100d)を加えて30分間室温
で攪拌した。この反応混合物をダウエックス50Wx8
(H中型、50d)を充填したカラムの上に加え、カラ
ムを水洗後、0.5Nアンモニア水で溶出した。溶出画
分を減圧濃縮し、残留物をアンバーライトCG−50(
NH,中型、250d)のカラムクロマトに付し、水で
溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、残留物にエタノール
を加えて15分間過熱還流した後、減圧濃縮した。濃縮
液(約21nl)を−夜室温に放置すると(■主)−(
+ (OH)、 2 。
4.5/1.3)−5−((2−ヒドロキシ−1−(ヒ
ドロキシメチル)干チル〕アミノ)−t−C−(ヒドロ
キシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサンテトロ
ールの白色粉末が得られた。 、〔α)、 +26.
9°(C= 1.8.O) ;N M R(D*O)δ
:1−、54′(jH,dd、J= 311z、151
1z、6−CHax)。
ドロキシメチル)干チル〕アミノ)−t−C−(ヒドロ
キシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサンテトロ
ールの白色粉末が得られた。 、〔α)、 +26.
9°(C= 1.8.O) ;N M R(D*O)δ
:1−、54′(jH,dd、J= 311z、151
1z、6−CHax)。
、’ 2.10(111,dd、、J=311z
、l511z、 6−C11eq)、 2.90 (I
II’、 ’quint、、J= 5Hz’、 −N
−CH)、3.35〜4.0(10tl、m)。
、l511z、 6−C11eq)、 2.90 (I
II’、 ’quint、、J= 5Hz’、 −N
−CH)、3.35〜4.0(10tl、m)。
実施例3
(lジ)−(1(OH)、2,4.5/1.3) −5
−((2−ヒドロキシメチル)アミノ)−1−C−(ヒ
ドロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサンテ
トロールおよび(l且)−(1(OH)、2.4/l。
−((2−ヒドロキシメチル)アミノ)−1−C−(ヒ
ドロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサンテ
トロールおよび(l且)−(1(OH)、2.4/l。
3.5)−5−((2−ヒドロキシメチル)アミノ〕−
I−C−Cヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シク
ロヘキサンテトロール 2D−(2,4,5(OH)/3.5)−2,3,4−
トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキシメチル
)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサノ
ン(880mg)とエタノールアミン(1,01n1.
)をメタノール(50d)に溶解し、シアノ水素化はう
素ナトリウム(1,0g)を加えて室温で一夜5−律し
た。反応液を減圧下に濃縮し、残留物を ・水(5
0d)と酢酸エチル(50d)に分配させた。酢酸エチ
ル層を分取し、水層萎更に酢酸エーチ゛ルで抽 ″
−出した。酢酸エチル層を合わせて、飽和塩化ナト
リウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減
圧濃縮した。残留物をメタノール(13〇−)に溶解し
、IN水酸化ナトリウム(70tn1)を加えて室温で
一夜攪拌した。反応液を2N塩酸でpH4に調節後、減
圧濃縮した。残留物を水(50最)と酢酸エチル(50
d)に分配し、水層を分取し、更に酢酸エチルで洗浄後
、ダウエックス50W×8(H中型、400d)のカラ
ムに吸着させ、カラムを水洗後、0.5Nアンモニア水
で溶出した。
I−C−Cヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シク
ロヘキサンテトロール 2D−(2,4,5(OH)/3.5)−2,3,4−
トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキシメチル
)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサノ
ン(880mg)とエタノールアミン(1,01n1.
)をメタノール(50d)に溶解し、シアノ水素化はう
素ナトリウム(1,0g)を加えて室温で一夜5−律し
た。反応液を減圧下に濃縮し、残留物を ・水(5
0d)と酢酸エチル(50d)に分配させた。酢酸エチ
ル層を分取し、水層萎更に酢酸エーチ゛ルで抽 ″
−出した。酢酸エチル層を合わせて、飽和塩化ナト
リウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減
圧濃縮した。残留物をメタノール(13〇−)に溶解し
、IN水酸化ナトリウム(70tn1)を加えて室温で
一夜攪拌した。反応液を2N塩酸でpH4に調節後、減
圧濃縮した。残留物を水(50最)と酢酸エチル(50
d)に分配し、水層を分取し、更に酢酸エチルで洗浄後
、ダウエックス50W×8(H中型、400d)のカラ
ムに吸着させ、カラムを水洗後、0.5Nアンモニア水
で溶出した。
溶出画分を減圧濃縮し、アンバーライトCG−50(N
H,小型、250d)のカラムに吸着させ、カラムを水
洗後、0.INアンモニア水で溶出した。溶出画分を減
圧下に濃縮乾固し、残留物をダウエックスlX2(OH
−型、400d)のカラムクロマトに付し、水で溶出し
た。先(ど溶出される両分(360〜480d)を減圧
濃縮後、凍結乾燥すると(lΣ)−(1(OH)、2.
4/1,3.5)−5−〔(2−ヒドロキシエチル)ア
ミノ)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,
4−シクロヘキサンテトロール(59mg)が、後に溶
出される両分(520〜68Qd)を減圧濃縮後、凍結
乾燥すると(l 5)−(1(OH)、2,4.5/1
.3)−5−〔(2−ヒドロキシエチル)アミノ) −
1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シク
ロヘキサンテトロール(228a+g)が得られた。
H,小型、250d)のカラムに吸着させ、カラムを水
洗後、0.INアンモニア水で溶出した。溶出画分を減
圧下に濃縮乾固し、残留物をダウエックスlX2(OH
−型、400d)のカラムクロマトに付し、水で溶出し
た。先(ど溶出される両分(360〜480d)を減圧
濃縮後、凍結乾燥すると(lΣ)−(1(OH)、2.
4/1,3.5)−5−〔(2−ヒドロキシエチル)ア
ミノ)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,
4−シクロヘキサンテトロール(59mg)が、後に溶
出される両分(520〜68Qd)を減圧濃縮後、凍結
乾燥すると(l 5)−(1(OH)、2,4.5/1
.3)−5−〔(2−ヒドロキシエチル)アミノ) −
1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シク
ロヘキサンテトロール(228a+g)が得られた。
(I 5)−(1(OH)、2.4/ 1.3.5)−
5−〔(2−ヒドロキシエチル)アミノ)−1−C−(
ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサン
テトロール(先に溶出された異性体):N M n C
DtO”)δ: 1.16(lit、t、J= 121
1z、6−CHax)。
5−〔(2−ヒドロキシエチル)アミノ)−1−C−(
ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサン
テトロール(先に溶出された異性体):N M n C
DtO”)δ: 1.16(lit、t、J= 121
1z、6−CHax)。
2、50(ill、dd 、 J = 4Hz 、 1
211z、 6−CIIeQ) 、 2.50〜3.0
5(3H。
211z、 6−CIIeQ) 、 2.50〜3.0
5(3H。
m、5−Cl1.N−C11t)、3.25〜3.95
(711,m)。
(711,m)。
(l影)(1(OH)、2,4.5/1.3) −5−
〔(2−ヒドロキシエチル)アミノ)−1−C−(ヒド
ロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサンテト
ロール(後に溶出された異性体):N M R(D、O
)δ:1.52(LH,ddj= 3Hz、 15Hz
、6−CIlax)。
〔(2−ヒドロキシエチル)アミノ)−1−C−(ヒド
ロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキサンテト
ロール(後に溶出された異性体):N M R(D、O
)δ:1.52(LH,ddj= 3Hz、 15Hz
、6−CIlax)。
2、14(IH,dd、J = 3.5Hz、 151
1z、 6−C1[eq) 、 2.25〜3.15(
2It、m、N−CHJ、3.25(111,q、J=
311z、5−C11)、 3.35〜4.0(711
,a+)。
1z、 6−C1[eq) 、 2.25〜3.15(
2It、m、N−CHJ、3.25(111,q、J=
311z、5−C11)、 3.35〜4.0(711
,a+)。
元素分析:CsH+eNOe
計算値(%):C,45,56; I+、8.07.
N、5.90実験値(%):C,45,59; 11.
8.03; N、5.99実施例4 (1ジ)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−5−
(((R)−a−(ヒドロキシメチル)ベンジルコアミ
ノ)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3゜4
−シクロヘキサンテトロール 2D−(2,4,5(OH)/3.5)−2,3,4,
−トリー0−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキシメチ
ル)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサ
ノン(860mg)とD−フェニルグリシツール・酢酸
塩(950n+g)をD M F (45d)に溶解し
、シアノ水素化はう素ナトリウム(650mg)を加え
て55℃で12時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残
留物を酢酸エチル(100d)と水(50d)に分配し
た。酢酸エチル層を2%酢酸(V#)および飽和炭酸水
素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後減圧濃縮した。残留物をメタノール−アセトン(5:
3 v/v、 80d)に溶解し、IN水酸化ナトリウ
ム(20d)を加えて室温で3゜5時間攪拌した。反応
液を2N塩酸でpH3に調節後、減圧濃縮した。残留物
を水(100−)と酢酸エチル(50d)に分配し、水
層を分離し、酢酸エチルで洗浄後、ダウエックス50W
X8(H”型、150d)のカラムクロマトに付し、水
洗後、0.5Nアンモニア水で溶出した。溶出画分を減
圧濃縮後、アンバーライトCG−50(NH4+型。
N、5.90実験値(%):C,45,59; 11.
8.03; N、5.99実施例4 (1ジ)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−5−
(((R)−a−(ヒドロキシメチル)ベンジルコアミ
ノ)−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3゜4
−シクロヘキサンテトロール 2D−(2,4,5(OH)/3.5)−2,3,4,
−トリー0−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオキシメチ
ル)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシクロヘキサ
ノン(860mg)とD−フェニルグリシツール・酢酸
塩(950n+g)をD M F (45d)に溶解し
、シアノ水素化はう素ナトリウム(650mg)を加え
て55℃で12時間攪拌した。反応液を減圧濃縮し、残
留物を酢酸エチル(100d)と水(50d)に分配し
た。酢酸エチル層を2%酢酸(V#)および飽和炭酸水
素ナトリウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
後減圧濃縮した。残留物をメタノール−アセトン(5:
3 v/v、 80d)に溶解し、IN水酸化ナトリウ
ム(20d)を加えて室温で3゜5時間攪拌した。反応
液を2N塩酸でpH3に調節後、減圧濃縮した。残留物
を水(100−)と酢酸エチル(50d)に分配し、水
層を分離し、酢酸エチルで洗浄後、ダウエックス50W
X8(H”型、150d)のカラムクロマトに付し、水
洗後、0.5Nアンモニア水で溶出した。溶出画分を減
圧濃縮後、アンバーライトCG−50(NH4+型。
1801n1)のカラムクロマトに付し、水で溶出した
。溶出画分を減圧濃縮し、冷蔵厘中に放置するとN−(
(R)−α−(ヒドロキシメチル)ベンジルコパリオー
ルアミンの白色結晶(150mg)が得られた。融点
157−158℃ニ ー6.5°(c=1.0.1NHCff);N M R
(oto)δ : 1,43(IH,dd、J=3.5
11z、 1511z。
。溶出画分を減圧濃縮し、冷蔵厘中に放置するとN−(
(R)−α−(ヒドロキシメチル)ベンジルコパリオー
ルアミンの白色結晶(150mg)が得られた。融点
157−158℃ニ ー6.5°(c=1.0.1NHCff);N M R
(oto)δ : 1,43(IH,dd、J=3.5
11z、 1511z。
6− C11ax)、 1.73(ill、dd、J=
3.5Hz、15 Hz、6−Cl1eq)。
3.5Hz、15 Hz、6−Cl1eq)。
3.25−3.7(411,m) 、 3.7−4.0
(51L m) 、 7.58(511,s 、Ph)
。
(51L m) 、 7.58(511,s 、Ph)
。
実施例5
(lジ)−(1(OH)、2.’4.5/1.3)−5
−アミノ−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3
゜4−シクロヘキサンテトロール (パリオールアミ
ン) a) 2D−(2,4,5(OIO/3.5)−2
,3゜4−トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオ
キシメチル)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシク
ロヘキサノン(t、Og)のメタノール溶液(200轍
)に塩酸ヒドロキシルアミン(400mg)およびピリ
ジン(2滅)を加え、室温で一夜攪拌した。
−アミノ−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3
゜4−シクロヘキサンテトロール (パリオールアミ
ン) a) 2D−(2,4,5(OIO/3.5)−2
,3゜4−トリー〇−ベンゾイル−5−(ベンゾイルオ
キシメチル)−2,3,4,5−テトラヒドロキシシク
ロヘキサノン(t、Og)のメタノール溶液(200轍
)に塩酸ヒドロキシルアミン(400mg)およびピリ
ジン(2滅)を加え、室温で一夜攪拌した。
反応液を減圧濃縮し、残留物に酢酸エチル(1007n
Il)および水(20d)を加えて分配し、酢酸エチル
層を分取した。酢酸エチル層を2N塩酸、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液および水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥濃縮乾固した。残留物をシリカゲル(約100−
)のカラムクロマトに付し、トルエン−酢酸エチル(1
0: 1 v/v)で洗浄後、トルエン−酢酸エチル(
5: 1 v/v)で溶出した。
Il)および水(20d)を加えて分配し、酢酸エチル
層を分取した。酢酸エチル層を2N塩酸、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液および水で洗浄後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥濃縮乾固した。残留物をシリカゲル(約100−
)のカラムクロマトに付し、トルエン−酢酸エチル(1
0: 1 v/v)で洗浄後、トルエン−酢酸エチル(
5: 1 v/v)で溶出した。
溶出画分を減圧濃縮乾固して2D−(2,4,5(OH
)/3.5)−2,3,4−)ソー0−ベンゾイル−5
−(ベンゾイルオキシメチル)−2,3,4゜5−テト
ラヒドロキシシクロへキサノン オキシムの白色粉末(
410mg)を得た。
)/3.5)−2,3,4−)ソー0−ベンゾイル−5
−(ベンゾイルオキシメチル)−2,3,4゜5−テト
ラヒドロキシシクロへキサノン オキシムの白色粉末(
410mg)を得た。
b) 上記のシクロへキサノン オキシム(410m
g)をメタノール(20d)に溶解し、濃アンモニア水
(4滅)を加え、室温で一夜攪拌した。
g)をメタノール(20d)に溶解し、濃アンモニア水
(4滅)を加え、室温で一夜攪拌した。
反応液に水を加えて減圧濃縮乾固し、更に水を加えて減
圧濃縮した。濃縮液(約50旙)に酢酸(2蔵)を加え
、酢酸エチルで洗浄し、水層を減圧濃縮して有機溶媒を
留去した後、再び水を加えて約50滅とした。この水溶
液に二酸化白金(200mg)を加え、水素気流中、室
温で4時間攪拌した。
圧濃縮した。濃縮液(約50旙)に酢酸(2蔵)を加え
、酢酸エチルで洗浄し、水層を減圧濃縮して有機溶媒を
留去した後、再び水を加えて約50滅とした。この水溶
液に二酸化白金(200mg)を加え、水素気流中、室
温で4時間攪拌した。
触媒をろ去、水洗し、ろ液および洗液を減圧濃縮乾固し
た。残留物をアンバーライトCG−50(NH串型、1
80d)のカラムクロマトに付し、水(300d)で洗
浄後、0.05Nアンモニア水で溶出した。溶出画分(
1330〜18801ni)を減圧濃縮後、凍結乾燥し
てパリオールアミンの白色粉末(69mg)を得た。
た。残留物をアンバーライトCG−50(NH串型、1
80d)のカラムクロマトに付し、水(300d)で洗
浄後、0.05Nアンモニア水で溶出した。溶出画分(
1330〜18801ni)を減圧濃縮後、凍結乾燥し
てパリオールアミンの白色粉末(69mg)を得た。
実施例6
”(I 5)−(1(Of−()、2,4.5/1.3
)−2゜3.4−1リ−0−ベンジル−5−[C2−ヒ
ドロキシ−1−(ヒドロキシメチル)エチルコアミノ]
−I−C−(ベンジルオキシメチル)−1,2,3゜4
−シクロヘキサンテトロール (l影)−(1(OH)、2.4/1.3)−2,3゜
4−トリー〇−ベンジル−1−C−(ベンジルオキシメ
チル)−5−オキソ−1,2,3,4−シクロヘキサン
テトロール[本化合物は白色結晶で、融点 84〜85
°C: IR(KBr) : 3440.1735 cm−’
;NMR(CDCQ、)62.45(ill、d、J
=15Hz)、 2.82(l11.d、J=1511
z)、 3.15(IH,d、 J=9Hz)、 3.
53(11゜d、J=911z)、 3.95〜4.1
5(3)1.m)、4.40〜5.05(8B、m)。
)−2゜3.4−1リ−0−ベンジル−5−[C2−ヒ
ドロキシ−1−(ヒドロキシメチル)エチルコアミノ]
−I−C−(ベンジルオキシメチル)−1,2,3゜4
−シクロヘキサンテトロール (l影)−(1(OH)、2.4/1.3)−2,3゜
4−トリー〇−ベンジル−1−C−(ベンジルオキシメ
チル)−5−オキソ−1,2,3,4−シクロヘキサン
テトロール[本化合物は白色結晶で、融点 84〜85
°C: IR(KBr) : 3440.1735 cm−’
;NMR(CDCQ、)62.45(ill、d、J
=15Hz)、 2.82(l11.d、J=1511
z)、 3.15(IH,d、 J=9Hz)、 3.
53(11゜d、J=911z)、 3.95〜4.1
5(3)1.m)、4.40〜5.05(8B、m)。
7.05〜7.55(2011,m) :元素分析値:
C35H38011 計算値(%): C,76,06、H,6,57実験値
(%’): C,76,11:H,6,47の物性を示
す、](600mg)と2−アミノ−I。
C35H38011 計算値(%): C,76,06、H,6,57実験値
(%’): C,76,11:H,6,47の物性を示
す、](600mg)と2−アミノ−I。
3〜プロパンジオール(230mg)をメタノール(4
0y、ff1)に溶解し、室温で24時間撹拌後、氷水
で冷却下に水素化はう素ナトリウム(1,0g)を加え
、氷水で6却下に16時間撹拌した。反応液を減圧濃縮
し、残留物を酢酸エチル(140d)と水(50d)に
分配した。酢酸エチル層を分離し、水洗し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、減圧濃縮した。
0y、ff1)に溶解し、室温で24時間撹拌後、氷水
で冷却下に水素化はう素ナトリウム(1,0g)を加え
、氷水で6却下に16時間撹拌した。反応液を減圧濃縮
し、残留物を酢酸エチル(140d)と水(50d)に
分配した。酢酸エチル層を分離し、水洗し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥後、減圧濃縮した。
残留物をシリカゲルのカラムクロマト(60d)に付し
、酢酸エチルで溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、更に
減圧下に乾燥して(lΣ)−(1(OH)。
、酢酸エチルで溶出した。溶出画分を減圧濃縮し、更に
減圧下に乾燥して(lΣ)−(1(OH)。
2.4.5/1.3)−2,3,4−)リーO−ベンジ
ル−5−[[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキシメチル
)エチルコアミノ]−1−C−(ベンジルオキシメチル
)−1,2,3,4−シクロヘキサンテトロールの白色
粉末(380mg)を得た。
ル−5−[[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキシメチル
)エチルコアミノ]−1−C−(ベンジルオキシメチル
)−1,2,3,4−シクロヘキサンテトロールの白色
粉末(380mg)を得た。
[α戸?)+3o、oo(C= 1 、 CHCCa)
。
。
元素分析値: Cs5H4sNOy
計算値(%): C,72,70、I−I、7.23
。
。
N、2.23
実験値(%): C,72,43; H,7,27。
N、2.31
実施例7
(IS)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−5−
4[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキシメチル)エチル
コアミノ]−x−c−(ヒドロキシメチル)−1゜2.
3.4−シクロヘキサンテトロール(I 5)−(1(
O)()、2,4.5/I、3)−2゜3.4−トリー
〇−ベンジル−5−[[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロ
キシメチル)エチルコアミノ]−1−C−(ベンジルオ
キシメチル)−1,2,3゜4−シクロヘキサンテトロ
ール(200mg)を90%ぎ酸−メタノール(1:
19v/v、20M1)に溶解し、パラジウム黒(1
00mg)を加えて窒素気流中室温で一夜撹拌した。触
媒を濾過し、50%(v/v)メタノール水で洗浄後、
濾液と洗液を集め、減圧濃縮した。残留物をダウエック
ス50WX8(H串型、70d)のカラムクロマトに付
し、カラムを水洗後、0.5アンモニア水で溶出した。
4[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロキシメチル)エチル
コアミノ]−x−c−(ヒドロキシメチル)−1゜2.
3.4−シクロヘキサンテトロール(I 5)−(1(
O)()、2,4.5/I、3)−2゜3.4−トリー
〇−ベンジル−5−[[2−ヒドロキシ−1−(ヒドロ
キシメチル)エチルコアミノ]−1−C−(ベンジルオ
キシメチル)−1,2,3゜4−シクロヘキサンテトロ
ール(200mg)を90%ぎ酸−メタノール(1:
19v/v、20M1)に溶解し、パラジウム黒(1
00mg)を加えて窒素気流中室温で一夜撹拌した。触
媒を濾過し、50%(v/v)メタノール水で洗浄後、
濾液と洗液を集め、減圧濃縮した。残留物をダウエック
ス50WX8(H串型、70d)のカラムクロマトに付
し、カラムを水洗後、0.5アンモニア水で溶出した。
溶出画分を減圧濃縮し、残留物をアンバーライトCG−
(NH+型、180d)のカラムクロマトに付し、水で
溶出した。溶出画分を減圧濃縮乾固し、残留物にエタノ
−、ル(107+11りを加えて約10分間加熱還流後
、冷蔵庫中に一夜放置して(1ジ)−(1(OH)、2
.4.5/1.3)−5−EE2−(ヒドロキシメチル
)エチルコアミノ]−1−(ヒドロキシメチル)−1,
2,3,4−シクロヘキサンテトロールの白色結晶(8
0+ng)を得た。
(NH+型、180d)のカラムクロマトに付し、水で
溶出した。溶出画分を減圧濃縮乾固し、残留物にエタノ
−、ル(107+11りを加えて約10分間加熱還流後
、冷蔵庫中に一夜放置して(1ジ)−(1(OH)、2
.4.5/1.3)−5−EE2−(ヒドロキシメチル
)エチルコアミノ]−1−(ヒドロキシメチル)−1,
2,3,4−シクロヘキサンテトロールの白色結晶(8
0+ng)を得た。
実施例8
(Is)−(1(OH)、2.4/1.3)−2,3゜
4−トリー〇−ベンジル−1−C−(ベンジルオキシメ
チル)−5−ヒドロキシイミノ−1,2,3゜4−シク
ロヘキサンテトロール (is)−(1(OH)、2.4/l、3’)−2,3
,4−トリー〇−ベンジル−1−C−(ベンジルオキシ
メチル)−5−オキソ−1,2,3,4−シクロヘキサ
ンテトロール(500mg)をメタノール(101nf
/、)に溶液し、塩酸ヒドロキシルアミン(1゜0g)
および酢酸ナトリウム(500mg)を加え、室温で一
夜撹拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物に酢酸エチル
(60d)と水(2571ft)を加えてt51拌した
。酢酸エチル層を分離し、2N塩酸と飽和炭酸水素ナト
リウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減
圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(l
OOd)に付し、トルエン−酢酸エチル(4: 1
v/v)で溶出した。
4−トリー〇−ベンジル−1−C−(ベンジルオキシメ
チル)−5−ヒドロキシイミノ−1,2,3゜4−シク
ロヘキサンテトロール (is)−(1(OH)、2.4/l、3’)−2,3
,4−トリー〇−ベンジル−1−C−(ベンジルオキシ
メチル)−5−オキソ−1,2,3,4−シクロヘキサ
ンテトロール(500mg)をメタノール(101nf
/、)に溶液し、塩酸ヒドロキシルアミン(1゜0g)
および酢酸ナトリウム(500mg)を加え、室温で一
夜撹拌した。反応液を減圧濃縮し、残留物に酢酸エチル
(60d)と水(2571ft)を加えてt51拌した
。酢酸エチル層を分離し、2N塩酸と飽和炭酸水素ナト
リウム溶液で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減
圧濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト(l
OOd)に付し、トルエン−酢酸エチル(4: 1
v/v)で溶出した。
溶出画分を減圧濃縮乾固して(I 5)−(1(OH)
。
。
2.4/1.3)−2,3,4−トリー〇−ベンジル−
1−C−(ベンジルオキシメチル)−5−ヒドロキシイ
ミノ−1,2,3,4−シクロヘキサンテトロール(4
20mg)を無色シロップとして得た。
1−C−(ベンジルオキシメチル)−5−ヒドロキシイ
ミノ−1,2,3,4−シクロヘキサンテトロール(4
20mg)を無色シロップとして得た。
NMR(CDCC,+D、0)δ:2.29(IH,d
、 J=1511z)、 3.24(LH,d、 J−
9Hz)、 3.24(IH,d、 J=9Hz)、
3.25(l)l、 dJ=15)1z)、 3.56
(1B、 d、 J=9Hz)。
、 J=1511z)、 3.24(LH,d、 J−
9Hz)、 3.24(IH,d、 J=9Hz)、
3.25(l)l、 dJ=15)1z)、 3.56
(1B、 d、 J=9Hz)。
3.77(IH,d、 J=8Hz)、 4,0f(I
n、d、J=8Hz)、 4.4〜5.0(8Hz、
m)、 7.05〜7.5(2011z、 m)元素分
析値: C35H37N Oe 計算値(%): C,74,05、H,6,57。
n、d、J=8Hz)、 4.4〜5.0(8Hz、
m)、 7.05〜7.5(2011z、 m)元素分
析値: C35H37N Oe 計算値(%): C,74,05、H,6,57。
N、2.47
実験値(%): C,73,77、H,6,62。
N、2.72
実施例9
(I 5)−(1(OH)、2,4.5/1.3)−5
−アミノ−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3
゜4−シクロヘキサンテトロールおよび(IS)−(1
(OH)、2.4/1,3.5)−5−アミノ−1−〇
−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキ
サンテトロール (I 5)−(1(OH)、2.4/1.3)−2,3
,4−トリー〇−ベンジル−t−C−(ベンジルオキシ
メチル)−5−ヒドロキシイミノ−1,2,3,4−シ
クロヘキサンテトロール(330mg)をメタノール(
60滅)に溶解し、ラネーニッケル(200mg)を加
え、3.5〜3.9kg/cm’の加圧下に室温で24
時間接接触光した。触媒を濾過し、メタノールで洗浄後
、濾液と洗液を合わせ減圧濃縮した。
−アミノ−1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3
゜4−シクロヘキサンテトロールおよび(IS)−(1
(OH)、2.4/1,3.5)−5−アミノ−1−〇
−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シクロヘキ
サンテトロール (I 5)−(1(OH)、2.4/1.3)−2,3
,4−トリー〇−ベンジル−t−C−(ベンジルオキシ
メチル)−5−ヒドロキシイミノ−1,2,3,4−シ
クロヘキサンテトロール(330mg)をメタノール(
60滅)に溶解し、ラネーニッケル(200mg)を加
え、3.5〜3.9kg/cm’の加圧下に室温で24
時間接接触光した。触媒を濾過し、メタノールで洗浄後
、濾液と洗液を合わせ減圧濃縮した。
残留物を90%ぎ酸−メタノール(1: I 9v/
v。
v。
20滅)に溶解し、パラジウム黒(100mg)を加え
、窒素気流中室温で40時間撹拌しf:o触媒を濾過し
、水−メタノール(1: l v/v)で洗浄後、
濾液と洗液を合わせ減圧濃縮した。
、窒素気流中室温で40時間撹拌しf:o触媒を濾過し
、水−メタノール(1: l v/v)で洗浄後、
濾液と洗液を合わせ減圧濃縮した。
残留物をアンバーライトCG−50(Nlq型。
100M1)のカラムクロマトに付し、カラムを水洗後
、0.INアンモニア水で溶出した。 先に溶出された
両分(280〜380rn1)と後に溶出された画分(
420〜600d)に分離し、れぞれの溶出画分を減圧
濃縮した。残留物をそれぞれダウエックス1x2(OH
″″型、150d)のカラムクロマトに付し水で溶出し
、溶出画分を減圧濃縮した。アンバーライトCG−50
カラムクロマトで先に溶出された両分より (lジ)−
(1(OH)、2゜4、/1.3.5)−5−アミノ−
1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シク
ロヘキサンテトロールの白色粉末(10mg)を、後に
溶出された両分より(1旦)−(1(OH)、2,4゜
5/1.3)−5−アミノ−1−C−(ヒドロキシメチ
ル)−1,2゜3.4−シクロヘキサンテトロールの白
色粉末(70mg)を得た。
、0.INアンモニア水で溶出した。 先に溶出された
両分(280〜380rn1)と後に溶出された画分(
420〜600d)に分離し、れぞれの溶出画分を減圧
濃縮した。残留物をそれぞれダウエックス1x2(OH
″″型、150d)のカラムクロマトに付し水で溶出し
、溶出画分を減圧濃縮した。アンバーライトCG−50
カラムクロマトで先に溶出された両分より (lジ)−
(1(OH)、2゜4、/1.3.5)−5−アミノ−
1−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3,4−シク
ロヘキサンテトロールの白色粉末(10mg)を、後に
溶出された両分より(1旦)−(1(OH)、2,4゜
5/1.3)−5−アミノ−1−C−(ヒドロキシメチ
ル)−1,2゜3.4−シクロヘキサンテトロールの白
色粉末(70mg)を得た。
(lジ)−(1(OH)、2,4./1,3.5)−5
−アミノ−1−C’−(ヒドロキシメチル)−1,2,
3゜4−シクロヘキサンテトロール(先に溶出された異
性体): NMR(D、O)δ 1.51(111,dd、J=
11Hz、1411z)。
−アミノ−1−C’−(ヒドロキシメチル)−1,2,
3゜4−シクロヘキサンテトロール(先に溶出された異
性体): NMR(D、O)δ 1.51(111,dd、J=
11Hz、1411z)。
1.99(IH,dd、 J =4.5)1z、14H
z)、2.85〜3.85(6H,m)。
z)、2.85〜3.85(6H,m)。
(l主)−(1(OH)2,4.5/1.3)−5−ア
ミノ−t−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3゜4
−シクロヘキサンテトロール(後に溶出された異性体)
: N M R(D * 0 )δ1.74(IH,dd、
J= 4H2,15,5112)。
ミノ−t−C−(ヒドロキシメチル)−1,2,3゜4
−シクロヘキサンテトロール(後に溶出された異性体)
: N M R(D * 0 )δ1.74(IH,dd、
J= 4H2,15,5112)。
2.00(111,dd、 J = 311z、 15
.511z)、 3.35〜3.72(511,m)
。
.511z)、 3.35〜3.72(511,m)
。
3.91(1+1.tj=9.5Hz)。
元素分析値 C7HIs N Os・H1O計算値(%
): C,39,80;H,8,11:N、6.63 実験値(%): C,39,89,H,8,1B。
): C,39,80;H,8,11:N、6.63 実験値(%): C,39,89,H,8,1B。
N、6.56
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水酸基の保護基を示す。)で表わされ
る新規イノソース誘導体。 2、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水酸基の保護基を示す。)で表わされ
る化合物と一般式R^2−NH_2(式中、R^2はア
ミン残基または水酸基を示す。)で表わされる第一アミ
ンまたはヒドロキシルアミンとを反応させ、ついで還元
反応に付し、所望により脱保護基反応に付すことを特徴
とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^3は水素原子または水酸基の保護基を、A
はアミン残基または水素原子を、結合手■はR配位また
はS配位の結合手を示す。)で表わされる擬似アミノ糖
またはその誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050875A JPH0784403B2 (ja) | 1986-03-05 | 1987-03-04 | 新規イノソース誘導体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4794186 | 1986-03-05 | ||
| JP61-47941 | 1986-03-05 | ||
| JP62050875A JPH0784403B2 (ja) | 1986-03-05 | 1987-03-04 | 新規イノソース誘導体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7043781A Division JP2699912B2 (ja) | 1986-03-05 | 1995-03-03 | 新規イノソース誘導体を原料とする擬似アミノ糖およびその誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310740A true JPS6310740A (ja) | 1988-01-18 |
| JPH0784403B2 JPH0784403B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=26388151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050875A Expired - Fee Related JPH0784403B2 (ja) | 1986-03-05 | 1987-03-04 | 新規イノソース誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784403B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006008548A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Kotobuki Seiyaku Kk | ボグリボースの製造法 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62050875A patent/JPH0784403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006008548A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Kotobuki Seiyaku Kk | ボグリボースの製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0784403B2 (ja) | 1995-09-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |