JPS63114221A - ガラス基板上の半導体素子の取外し方法および装置 - Google Patents
ガラス基板上の半導体素子の取外し方法および装置Info
- Publication number
- JPS63114221A JPS63114221A JP61259931A JP25993186A JPS63114221A JP S63114221 A JPS63114221 A JP S63114221A JP 61259931 A JP61259931 A JP 61259931A JP 25993186 A JP25993186 A JP 25993186A JP S63114221 A JPS63114221 A JP S63114221A
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- solder
- semiconductor element
- ici
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液晶表示板、プラズマディスプレー等、透
明ガラス基板上に、半導体素子をフェースダウンで多数
実装する際、不良半導体の取外し方法に関する。
明ガラス基板上に、半導体素子をフェースダウンで多数
実装する際、不良半導体の取外し方法に関する。
液晶表示板に半導体素子（以下ｒｃと略す）を多数個実
装する際、接続不良や故障等が製造中で生ずる事がある
。このような場合には、不具合のＩＣを取外し、良品の
ＩＣと取替えなくてはならない。不具合のＩＣを取外し
た時、ガラス基板上に残存するはんだの量が一定でない
と、良品のＩＣを取替えた際、接合不良を起こす。本発
明は、不具合のＩＣを取外した際、残存するはんだの量
を一定にする為、ガラス基板を冷却し、不具合のＩＣを
、放電アーク光による光ビームで加熱する事により、Ｉ
Ｃのフェース面のはんだがン容融すると同時に、ＩＣ背
面に付加された引離し力でＩＣがガラス基板から取外さ
れる。
装する際、接続不良や故障等が製造中で生ずる事がある
。このような場合には、不具合のＩＣを取外し、良品の
ＩＣと取替えなくてはならない。不具合のＩＣを取外し
た時、ガラス基板上に残存するはんだの量が一定でない
と、良品のＩＣを取替えた際、接合不良を起こす。本発
明は、不具合のＩＣを取外した際、残存するはんだの量
を一定にする為、ガラス基板を冷却し、不具合のＩＣを
、放電アーク光による光ビームで加熱する事により、Ｉ
Ｃのフェース面のはんだがン容融すると同時に、ＩＣ背
面に付加された引離し力でＩＣがガラス基板から取外さ
れる。
従来は、ガラス基板５を予熱板１２で予熱し、ＩＣ１の
背面に真空吸引具１１を付加し、ＩＣＩを常に冷却しな
がら引離す力を付加して、赤外線ランプ１３でガラス基
板５の裏面を加熱し、はんだ２ａを溶融させ、ＩＣＩを
取外していた。
背面に真空吸引具１１を付加し、ＩＣＩを常に冷却しな
がら引離す力を付加して、赤外線ランプ１３でガラス基
板５の裏面を加熱し、はんだ２ａを溶融させ、ＩＣＩを
取外していた。
従来の方法では、溶融がはんだ２８部で発生し、ガラス
基板５のパターン８上にはんだ２ａが少量残存する。新
しい良品の［Ｃ１を前記はんだ２ａ上に位置合せし、加
熱によりはんだ２ａと新しいはんだ２を接合せしめる。
基板５のパターン８上にはんだ２ａが少量残存する。新
しい良品の［Ｃ１を前記はんだ２ａ上に位置合せし、加
熱によりはんだ２ａと新しいはんだ２を接合せしめる。
液晶表示板等に用いられるガラス基板５上に設置するパ
ターン８は一般に数μｍ以下と薄いので、ＩＣＩの取外
し、再接合時にはんだ２ａの拡散が進行し、パターン８
が劣化する不具合を生ずる。また、予熱板１２でガラス
基板５全体を予熱し、取外すべきＩＣ１部分のガラス基
板５を局部的に加熱するため、液晶表示板では液晶の劣
化やガラス基板５が割れるという不具合もあった。
ターン８は一般に数μｍ以下と薄いので、ＩＣＩの取外
し、再接合時にはんだ２ａの拡散が進行し、パターン８
が劣化する不具合を生ずる。また、予熱板１２でガラス
基板５全体を予熱し、取外すべきＩＣ１部分のガラス基
板５を局部的に加熱するため、液晶表示板では液晶の劣
化やガラス基板５が割れるという不具合もあった。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は前記問題点を解決するため、不具合のＩＣＩを
取外す際、はんだ２ｂ部を溶融させ、ＩＣ１を取外すよ
うにするため、ＩＣＩの背面に磁性材料３を固着し、外
部から磁力を与え、ＩＣＩを常にガラス基板５から引離
す方向に力を加えた状態で、ガラス基板５の裏面を冷却
エアー１４で冷却しながら、放電アーク光６の光ビーム
をガラス基板５を透過させて照射し、ＩＣＩのフェース
面をはんだ２の融点以上に加熱し、はんだ２ｂ部が溶融
した時、ＩＣＩを取外す事ができるようにした。
取外す際、はんだ２ｂ部を溶融させ、ＩＣ１を取外すよ
うにするため、ＩＣＩの背面に磁性材料３を固着し、外
部から磁力を与え、ＩＣＩを常にガラス基板５から引離
す方向に力を加えた状態で、ガラス基板５の裏面を冷却
エアー１４で冷却しながら、放電アーク光６の光ビーム
をガラス基板５を透過させて照射し、ＩＣＩのフェース
面をはんだ２の融点以上に加熱し、はんだ２ｂ部が溶融
した時、ＩＣＩを取外す事ができるようにした。
上記のように構成したため、ガラス基板５及びパターン
８が加熱されず、ＩＣＩのみ加熱されるため、ＴＣＩの
はんだ２ｂから）８融、引離されるため取外し、再取付
によるパターン８の劣化がなくなり、ガラス基板５を加
熱する事がないので液晶の劣化やガラス基板５が割れる
という不具合がなくなる。また、パターン８に残存する
はんだは、はんだ量、はんだ貰さとも揃うので、新しい
ＩＣを再取付ける際に不具合を生ずる事がない。
８が加熱されず、ＩＣＩのみ加熱されるため、ＴＣＩの
はんだ２ｂから）８融、引離されるため取外し、再取付
によるパターン８の劣化がなくなり、ガラス基板５を加
熱する事がないので液晶の劣化やガラス基板５が割れる
という不具合がなくなる。また、パターン８に残存する
はんだは、はんだ量、はんだ貰さとも揃うので、新しい
ＩＣを再取付ける際に不具合を生ずる事がない。
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明のガラス基板上の半導体素子の取外し方法
を示す断面略図で、第２図は従来の半導体素子の取外し
方法を示す断面略図である。
１図は本発明のガラス基板上の半導体素子の取外し方法
を示す断面略図で、第２図は従来の半導体素子の取外し
方法を示す断面略図である。
取外すべきＩＣＩは、はんだ２によりガラス基板５のパ
ターン８と接合している。前記■Ｃ１の背面に接着剤９
が付いた磁性材料３を貼付ける。
ターン８と接合している。前記■Ｃ１の背面に接着剤９
が付いた磁性材料３を貼付ける。
これは、磁性材料３の粉体を接着剤９に分散された磁性
塗料をＩＣＩの背面に塗布しても良い、基板受台１０に
永久磁石４もしくは電磁石をセットし、常に磁界を与え
ておき、基板受台１０上に、磁性材料３を付けたＩＣｉ
を永久磁石４と対向させて、ガラス基板５をセントする
。放電アーク光６の焦点を前記ＩＣＩのフェース面に合
せ、ガラス基板５のパターン８の裏側から冷却エアー１
４を当て、ガラス基板５を冷却しながら、放電アーク光
６のシャッター１５を開くと、放電アーク光６はシャッ
ター１５の下の遮光マスク７′′によりＩＣＩのフェー
ス面に照射され、照射された放電アーク光６は、ガラス
基板５が透明であるため３ｙｉ３？ｒし、ＩＣＩのフェ
ース面に吸収、加熱され、ＩＣＩの温度が上昇する。こ
の時、ＩＣＩをガラス基板５から引離す力を磁力により
行なうので、ＩＣＩを冷却する事がないので、ＩＣＩの
温度上昇が速い。はんだ２ａ部はガラス基板５で冷却さ
れ、はんだ２ｂ部はＴＣｌで加熱される。ＩＣＩの温度
が上昇し、はんだの融点に達すると、ＴＣＩはばんだ２
ｂ部から硼力により引離され、ＩＣＩがガラス基板５か
ら取外される。尚、加熱源として放電アーク光６のほか
に、赤外線ランプ１３も使用する事ができるが、赤外線
ランプ１３の場合は、放電アーク光６よりガラス基板５
の熱吸収が高く、ガラ子基板５が加熱されるので、透明
ガラス基板５を使用する液晶パネル等では放電アーク光
６の方が、ガラス基板５を加熱しないので良い。
塗料をＩＣＩの背面に塗布しても良い、基板受台１０に
永久磁石４もしくは電磁石をセットし、常に磁界を与え
ておき、基板受台１０上に、磁性材料３を付けたＩＣｉ
を永久磁石４と対向させて、ガラス基板５をセントする
。放電アーク光６の焦点を前記ＩＣＩのフェース面に合
せ、ガラス基板５のパターン８の裏側から冷却エアー１
４を当て、ガラス基板５を冷却しながら、放電アーク光
６のシャッター１５を開くと、放電アーク光６はシャッ
ター１５の下の遮光マスク７′′によりＩＣＩのフェー
ス面に照射され、照射された放電アーク光６は、ガラス
基板５が透明であるため３ｙｉ３？ｒし、ＩＣＩのフェ
ース面に吸収、加熱され、ＩＣＩの温度が上昇する。こ
の時、ＩＣＩをガラス基板５から引離す力を磁力により
行なうので、ＩＣＩを冷却する事がないので、ＩＣＩの
温度上昇が速い。はんだ２ａ部はガラス基板５で冷却さ
れ、はんだ２ｂ部はＴＣｌで加熱される。ＩＣＩの温度
が上昇し、はんだの融点に達すると、ＴＣＩはばんだ２
ｂ部から硼力により引離され、ＩＣＩがガラス基板５か
ら取外される。尚、加熱源として放電アーク光６のほか
に、赤外線ランプ１３も使用する事ができるが、赤外線
ランプ１３の場合は、放電アーク光６よりガラス基板５
の熱吸収が高く、ガラ子基板５が加熱されるので、透明
ガラス基板５を使用する液晶パネル等では放電アーク光
６の方が、ガラス基板５を加熱しないので良い。
この発明は以上説明したように、ガラス基板５を加熱す
る事なく、ＩｃＩのみ加熱し、ＴＣＩを取外すので、ガ
ラス基数５上に設置したパターン８を劣化させる事なく
ＩＣＩを取外す事ができ、ガラス割れを発生させない
。
る事なく、ＩｃＩのみ加熱し、ＴＣＩを取外すので、ガ
ラス基数５上に設置したパターン８を劣化させる事なく
ＩＣＩを取外す事ができ、ガラス割れを発生させない
。
第１図は、本発明のガラス基板上の半導体素子の取外し
装置の断面を示す略図で、第２図は、従来装置の取外し
方法の断面を示す略図である。 １ ・ ・ ・ Ｉ Ｃ ２・・・はんだ ３・・・磁性材料 ４・・・永久磁石 ５・・・ガラス基（反 ６・・・放電アーク光 ７・・・遮光マスク ８・・・パターン ９・・・接着剤 １０・・・基板受台 １１・・・真空吸引具 １２・・・予熱板 １３・・・赤外線ランプ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ７７″ウス胴丸Ｅの牛譚ｒ木禾子の取′１タトし装置の
許面図第１図 従来に直ハ陪面図 第２図
装置の断面を示す略図で、第２図は、従来装置の取外し
方法の断面を示す略図である。 １ ・ ・ ・ Ｉ Ｃ ２・・・はんだ ３・・・磁性材料 ４・・・永久磁石 ５・・・ガラス基（反 ６・・・放電アーク光 ７・・・遮光マスク ８・・・パターン ９・・・接着剤 １０・・・基板受台 １１・・・真空吸引具 １２・・・予熱板 １３・・・赤外線ランプ 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ７７″ウス胴丸Ｅの牛譚ｒ木禾子の取′１タトし装置の
許面図第１図 従来に直ハ陪面図 第２図
Claims (2)
- （１）ガラス基板の表側に、はんだが接合する金属パタ
ーンを設置し、当該金属パターン上に半導体素子をはん
だによって接合せしめた後、このガラス基板から当該半
導体素子を取外す方法において、取外すべき半導体素子
を、常にガラス基板から引離す方向に力を付加した状態
で、前記半導体素子部分に位置するガラス基板の裏側を
冷却しながら、光エネルギーを当該半導体素子の取付位
置に対応するガラス基板の裏側から照射し、ガラス基板
を透過した光エネルギーが、半導体素子の能動面をはん
だの溶融温度以上に加熱し、はんだが溶けると同時に、
ガラス基板から当該半導体素子を取外す事を特徴とした
ガラス基板上の半導体素子の取外し方法。 - （２）半導体素子をはんだによってガラス基板の表側に
接合せしめた後、このガラス基板から当該半導体素子を
取外す装置において、取外すべき半導体素子をガラス基
板から引離す方向の引っ張りを付加する引き剥がし装置
と、ガラス基板を冷却する装置と、ガラス基板の裏から
光エネルギーを照射し、ガラス基板の表側に接合された
半導体素子の能動面をはんだの溶融温度以上に加熱する
装置とから構成されている事を特徴とする半導体素子の
取外し装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259931A JPS63114221A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | ガラス基板上の半導体素子の取外し方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259931A JPS63114221A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | ガラス基板上の半導体素子の取外し方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114221A true JPS63114221A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17340915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259931A Pending JPS63114221A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | ガラス基板上の半導体素子の取外し方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114221A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5553766A (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-10 | International Business Machines Corporation | In-situ device removal for multi-chip modules |
| US5556024A (en) * | 1994-09-29 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for removing known good die using hot shear process |
| JP2023109616A (ja) * | 2022-01-27 | 2023-08-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの製造方法 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61259931A patent/JPS63114221A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556024A (en) * | 1994-09-29 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for removing known good die using hot shear process |
| US5636781A (en) * | 1994-09-29 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for removing known good die using hot shear process |
| US5707000A (en) * | 1994-09-29 | 1998-01-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for removing known good die using hot shear process |
| US5738267A (en) * | 1994-09-29 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for removing known good die using hot shear process |
| US5961026A (en) * | 1994-09-29 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for removing known good die using hot shear process |
| US5553766A (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-10 | International Business Machines Corporation | In-situ device removal for multi-chip modules |
| US5779133A (en) * | 1994-11-21 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | In-situ device removal for multi-chip modules |
| JP2023109616A (ja) * | 2022-01-27 | 2023-08-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの製造方法 |
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