JPS63115331A - ピンホールの検査方法 - Google Patents
ピンホールの検査方法Info
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- JPS63115331A JPS63115331A JP26225086A JP26225086A JPS63115331A JP S63115331 A JPS63115331 A JP S63115331A JP 26225086 A JP26225086 A JP 26225086A JP 26225086 A JP26225086 A JP 26225086A JP S63115331 A JPS63115331 A JP S63115331A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の検査方法、詳しくは、半導体基
板上の窒化シリコン膜中に存在するピンホールの検出方
法に関するものである。
板上の窒化シリコン膜中に存在するピンホールの検出方
法に関するものである。
従来の技術
ＭＮＯＳ （金属−窒化物一酸化物−半導体〉構造の不
揮発性メモリでは、窒化物、すなわち、窒化シリコン膜
の性能が特性に影響し、とりわけ、窒化シリコン膜中の
ピンホールをなくすことが重要である。
揮発性メモリでは、窒化物、すなわち、窒化シリコン膜
の性能が特性に影響し、とりわけ、窒化シリコン膜中の
ピンホールをなくすことが重要である。
発明が解決しようとする問題点
ところが、窒化シリコン膜中のピンホールはきわめて微
細であり、電子顕微鏡観察によって検出することが難し
く、その検出手段を工程管理に導入することができなか
った。
細であり、電子顕微鏡観察によって検出することが難し
く、その検出手段を工程管理に導入することができなか
った。
本発明の目的は、このような問題点を解消し、窒化シリ
コン膜中のピンホールを簡易に検出する方法を提供する
ことにある。
コン膜中のピンホールを簡易に検出する方法を提供する
ことにある。
問題点を解決するための手段
本発明は、半導体基板上の窒化シリコン膜を、弗硝酸溶
液で侵食して、前記窒化シリコン膜中のピンホールを拡
大して検出する工程をそなえた半導体装置の検査方法で
ある。
液で侵食して、前記窒化シリコン膜中のピンホールを拡
大して検出する工程をそなえた半導体装置の検査方法で
ある。
作用
本発明によれば、弗硝酸溶液によって窒化シリコン膜が
侵食される過程で、同膜内の微細なピンホールも拡大さ
れ、このピンホール領域の半導体基板表面も順次食刻さ
れるので、顕微鏡観察によって十分に検出可能になり、
そのピンホールの検査が容易になる。
侵食される過程で、同膜内の微細なピンホールも拡大さ
れ、このピンホール領域の半導体基板表面も順次食刻さ
れるので、顕微鏡観察によって十分に検出可能になり、
そのピンホールの検査が容易になる。
実施例
次に、本発明を実施例によって詳しく説明する。
第１図および第２図は、本発明実施例を表す工程順断面
図であり、これらの各図を参照して、実施例を述べる。
図であり、これらの各図を参照して、実施例を述べる。
まず、第１図のように、シリコン基板１の表面に、極薄
の酸化シリコン膜２を介在させて、窒化シリコン膜３を
形成する。このとき、窒化シリコン膜３には微細なピン
ホール４が存在するが、通常の電子顕微鏡では、なかな
か検出できないものである。そこで、この窒化シリコン
膜３を、弗硝酸水溶液によって侵食処理する。弗硝酸水
溶液は、その混合比率が、ＨＦ：ＨＮＯ３： Ｈ２Ｏ−
３： ２００ ： ８０の割合であればよ（、これによ
る侵食処理を約１５分間行うと、第２図のように、窒化
シリコン膜３中のピンホール４′は、拡大され、併せて
、極薄の酸化シリコン膜２および直下のシリコン基板１
も侵食される。この状態になると、電子顕微鏡による観
察が容易になり、その侵食処理の条件から、初期のピン
ホールの状態を推定することが可能である。
の酸化シリコン膜２を介在させて、窒化シリコン膜３を
形成する。このとき、窒化シリコン膜３には微細なピン
ホール４が存在するが、通常の電子顕微鏡では、なかな
か検出できないものである。そこで、この窒化シリコン
膜３を、弗硝酸水溶液によって侵食処理する。弗硝酸水
溶液は、その混合比率が、ＨＦ：ＨＮＯ３： Ｈ２Ｏ−
３： ２００ ： ８０の割合であればよ（、これによ
る侵食処理を約１５分間行うと、第２図のように、窒化
シリコン膜３中のピンホール４′は、拡大され、併せて
、極薄の酸化シリコン膜２および直下のシリコン基板１
も侵食される。この状態になると、電子顕微鏡による観
察が容易になり、その侵食処理の条件から、初期のピン
ホールの状態を推定することが可能である。
また、この方法は、完成製品のＭＮＯ３構造不揮発性メ
モリの解析手段としても、容易に利用できる。すなわち
、完成製品では、電極として、アルミニウム膜あるいは
多結晶シリコン膜を用い、かつ、最表部にパシベーショ
ン層を設けているが、あらかじめ、上記電極およびパシ
ベーション層を剥離除去したのち、弗硝酸溶液で侵食処
理することにより、ピンホールの存在を容易に検出する
ことができる。
モリの解析手段としても、容易に利用できる。すなわち
、完成製品では、電極として、アルミニウム膜あるいは
多結晶シリコン膜を用い、かつ、最表部にパシベーショ
ン層を設けているが、あらかじめ、上記電極およびパシ
ベーション層を剥離除去したのち、弗硝酸溶液で侵食処
理することにより、ピンホールの存在を容易に検出する
ことができる。
発明の効果
本発明によれば、半導体基板上の窒化シリコン膜中に存
在するピンホールを、弗硝酸溶液による侵食処理によっ
て拡大して、容易に顕微鏡観察できるので、この技術を
窒化シリコン膜の形成工程における工程管理手段として
利用し、窒化シリコン膜の形成工程の解析、延いてはそ
の形成工程の安定化を達成することに寄与できる。
在するピンホールを、弗硝酸溶液による侵食処理によっ
て拡大して、容易に顕微鏡観察できるので、この技術を
窒化シリコン膜の形成工程における工程管理手段として
利用し、窒化シリコン膜の形成工程の解析、延いてはそ
の形成工程の安定化を達成することに寄与できる。
第１図および第２図は本発明実施例を表す工程順断面図
である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・極薄の酸
化シリコン膜、３・・・・・・窒化シリコン膜、４・・
・・・・ピンホール、４′・・・・・・同ピンホール拡
大部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／−窒イし
シリコン膜 ２− 酸イ已シリコン膜 ３−シリコン基板 ４− ピンホール 第１図
である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・極薄の酸
化シリコン膜、３・・・・・・窒化シリコン膜、４・・
・・・・ピンホール、４′・・・・・・同ピンホール拡
大部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／−窒イし
シリコン膜 ２− 酸イ已シリコン膜 ３−シリコン基板 ４− ピンホール 第１図
Claims (1)
- 半導体基板上の窒化シリコン膜を、弗硝酸溶液で侵食し
て、前記窒化シリコン膜中のピンホールを拡大して検出
する工程をそなえた半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262250A JPH0810195B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ピンホールの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262250A JPH0810195B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ピンホールの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115331A true JPS63115331A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0810195B2 JPH0810195B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17373163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61262250A Expired - Fee Related JPH0810195B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ピンホールの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810195B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270542A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-10-09 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体メモリ素子の隔離方法 |
| JP2009294044A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN105009297A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-10-28 | 应用材料公司 | 用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法 |
| CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106681A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-07 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS54118890A (en) * | 1978-03-07 | 1979-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | Pinhole measuring method of thin film |
| JPS57208155A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Detecting method for pinhole |
| JPS61245538A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-10-31 | Hitachi Ltd | シリコン基板の部分エツチング法 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262250A patent/JPH0810195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106681A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-07 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS54118890A (en) * | 1978-03-07 | 1979-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | Pinhole measuring method of thin film |
| JPS57208155A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Detecting method for pinhole |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2009294044A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN105009297A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-10-28 | 应用材料公司 | 用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法 |
| JP2016514372A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 金属酸化物半導体ｔｆｔ用誘電体膜のピンホール評価方法 |
| CN105009297B (zh) * | 2013-03-12 | 2019-06-14 | 应用材料公司 | 用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法 |
| CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810195B2 (ja) | 1996-01-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |