JPS63117357A - 光磁気デイスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １生史１ 本発明は、書換自在型の光磁気ディスクに関し、特にト
ラッキング制御のための渦巻状案内溝を有した基板から
なる光学式情報記録円盤に関する。

１且致ｌ 書換自在型の光磁気ディスクにおいては、光磁気記録媒
体として希土類−遷移金属アモルファス合金の薄膜を垂
直磁化膜に用いるものが開発されている。また、磁気光
学効果が大きく、アモルファス合金の欠点であった耐酸
化性に優れている光磁気記録媒体として、酸化物である
Ｂｉ置換ガーネットも注目されている。

第３図は、Ｂｉ置換希土類ガーネットを垂直磁化膜３と
した光磁気ディスク構造を示している。

光磁気ディスクは、案内溝２がその主面上に形成された
円形ガラス平板すなわち基板１上に、垂直磁化膜３と反
射膜４とを順に積層させた構造を有している。案内溝は
光磁気ディスク完成後、レーザ光がその上を正確にトレ
ースするようにＩＩＩ　′ｍされるために設けられ、通
常、ディスクの半径方向のピッチは１．６μｍ程度であ
る。Ｂｉｔｔｙ換の希土類ガーネットの垂直磁化膜３は
、Ｂｉの置換量が多いほど磁気光学効果たとえばファラ
デー効果（ｏｆ）の値が大きくなる、さらに、垂直磁化
膜自体が透明であるので膜厚を厚くできる笠の利点があ
る。

かかる光磁気ディスクにおけるレーザ光による信号の読
取及びトラッキング制御は、次の如く行なわれる。第３
図に示す入射レーザ光５は透明な基板１を透過して、一
部のレーザ光は基板１と垂直磁化膜３との界面７で先ず
反射される。残りのレーザ光は、透明な垂直磁化膜３を
更に透過して垂直磁化膜３と反射膜４との界面８で反射
される。

このように、垂直磁化１！３を透過して垂直磁化膜３と
反射膜４との界面８で反射されたレーザ光は、カー効果
により偏光され、検光子を通して光検出装置（図示しな
い）によってレーザ光の強度信号が電気信号に変換され
記録信号が読取られる。また、基板１と垂直磁化膜３と
の界面７で反射されたレーザ光５１は、ディスク半径方
向の案内溝２及びその近傍の凹凸の位置関係により反射
レーザ光５１の半径方向の強度分布が変化するので、プ
ッシュプル法等を用いた光検出装置（図示しない）によ
って、電気信号に変換され、トラッキング誤差信号を得
ることができる。この場合、希土類−遷移金属アモルフ
ァス合金を垂直磁化膜とする光磁気ディスクでは基板と
垂直磁化膜との界面が金属光沢を有するのでレーザ光の
光示はあまり必要としないが、酸化物系垂直磁化膜によ
る光磁気ディスクでは膜自体が透明であるために案内溝
の検出においてレーザ光の光量を多くする必要がある。

また、このＢｉ置換希土類ガーネットの外にＢａフェラ
イト、ｃｏフェライト等も酸化物系垂直磁化膜として用
いられ始めている。これら酸化物系垂直磁化膜は、透明
で磁気光学効果が大きく、耐酸化性に優れており、その
形成はスパッタリング法のように大型装置を必要といな
い熱分解法によるので、光磁気ディスクの光磁気媒体膜
として好ましい。

かかる酸化物系垂直磁化膜を熱分解法によって形成する
従来の光磁気ディスクの製造方法を、第４図（ａ〜＋ｔ
ｏに示す概略断面図に示す。

第４図（ωにおいて、ガラス円盤すなわち基板１上に７
オトレジスト膜９をスピンナー等を用いてコーティング
してフォトレジスト膜９を成膜する。

Ｂ１置換希土類ガーネットのような透明結晶酸化物を書
換え可能な光磁気ディスクの光磁気記録媒体として用い
る場合には、樹脂基板では耐えることのできない高温（
少くとも１２０℃以上）での熱処理が必要であるため、
基板として耐熱温度が高く、透明で光学的性能のすぐれ
たガラス等を用いなければならない。

次に、第４図（ｂ）に示す如く、基板１をスピンドルモ
ータ等で一定速度に制御しながら回転させ、同時に対物
レンズ１１によってレーザ光１０をフォトレジスト膜９
上に焦光させ、フォトレジスト１１！１９を露光する。

対物レンズ１−１を有した光ピツクアップ１２は基板１
の中心から半径上を一定速度に制御されつつ移動してお
り、そのためレーザビーム１０はフォトレジスト膜９を
スパイラル状に露光することになる。

次に、第４図（Ｃ）に示す如く、フォトレジスト膜９の
現像を行い、第４図（小に示す如く、これをマスクとし
て、基板１をエツチングする。

その後、第４図（ｅ）に示す如く、フォトレジスト膜を
洗浄、剥離させて案内溝２の形成された基板１を製造す
る。

次に、熱分解法を用いて基板１０案内溝２が形成された
面上に酸化物系垂直磁化膜を形成するために、予め、Ｂ
ｉ置換の希土類ガーネットを構成する金属イオンの塩を
主体とする硝酸溶液を調製する。

その後、第４図（ｆ＋に示す如く、スピンコート法等に
よるスピンナー等を用いて硝酸溶液を基板１上に塗布し
、溶液膜３−を形成し、その後、熱処理炉１６中で加熱
処理することにより（第４図（９））、該溶液膜を熱分
解させて結晶化させＢｉ置換希土類ガーネツｔ”　［（
Ｂ　ｉ、　Ｒ）ｓ　Ｆｅｓ　０１２　　（ＲはＧｄ、Ｄ
ｙ、Ｔｂ等の希土類金属の肉受なくとも１種類を示す）
］の酸化物系垂直磁化膜３を形成する方法である。尚、
Ｂｉ置換希土類ガーネットに代えてＣｏフェライト［Ｃ
０Ｆｅｚ　０４　］の酸化物系垂直磁化１！Ｊ３でも同
様な方法にて形成できる。

次に、第４図（ｈ）に示す如く、スパッタリング等によ
り反射膜４を酸化物系垂直磁化膜３上に形成して光磁気
ディスクが得られる。

このように、従来の酸化物系垂直磁化膜による光磁気デ
ィスクでは、該垂直磁化膜が透明である故に、トラッキ
ング制御用の案内溝からの反射光量が希土類−遷移金属
アモルファス合金による光磁気ディスクに比べて多くと
れなかった。また、酸化物系垂直磁化膜による光磁気デ
ィスクの製造においては、特に、耐熱性を有するガラス
からなる基板に案内溝を形成する際に、基板を一枚一枚
、露光し、現像する工程が必要であり、大量に必要とさ
れる案内溝付基板としては、ガラスのエツチングに時間
がかかり、光磁気ディスクのＷＡ造歩留が低くなる欠点
があった。

ｌ且豊鳳Ｉ 従って、本発明は、上記の如き従来の光磁気ディスクの
欠点を解消せんがためになされたもので、光磁気ディス
クの案内溝の検出を容易にし、製造工程数を減少させて
製造に要する時間を短縮させ１ｑる光磁気ディスク及び
その製造方法を提供することを目的とする。

本発明の光磁気ディスクは、透明な円形平板と、その円
形平板上に成膜された磁気光学効果を有する酸化物系垂
直磁化膜と、該酸化物系垂直磁化膜上に成膜された反射
膜とからなり、酸化物系垂直磁化膜と反射膜との界面に
案内溝が形成されていることを特徴とする。

また、本発明の光磁気ディスクの製造方法は、透明な円
形平板を形成する工程と、磁気光学効果を有する酸化物
系垂直磁化膜を組成する金属の塩を含む溶液を調製する
工程と、該調製溶液を円形平板の主面上にスピンコート
して金属塩の溶液膜を形成する工程と、該金属塩の溶液
膜上に案内溝型の転写面を圧着する工程と、案内溝型を
圧着した状態を保持して案内溝型と円形平板と溶液膜と
を加熱する工程と、金属塩の溶液膜を結晶化させる７二
−ルエ程とを含むことを特徴とする。

支−豊一旦 以下、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。

先ず、第１図（ωに示す如く、予め用意されたＢ；置換
希土類ガーネットを構成する金属の塩を主体とする溶液
をスピンナー等を用いて、円形のガラス平板である基板
１上に塗布し、溶液膜３−を形成する。

その後、第１図（わ）に示す如く、予め案内溝がスパイ
ラル状に形成されたスタンパ−１５の転写面を溶液膜３
−に圧着させる。

次に、第１図（Ｃ）に示す如く、スタンパ−１５と共に
基板１を熱処理炉１６中で加熱し、該溶液膜を熱分解さ
せ、固化させるのことによりスタンパ−１５上の案内溝
２が複写され、Ｂｉ置換希土類ガーネットを構成する金
属の酸化物膜３″ができる。かかる熱処理は、例えば希
土類ガーネットでは１００〜４００℃、数１０秒〜数分
必要である。

その後、第１図（小に示す如く、スタンパ−１５を基板
１から剥離させ、もう−度、結晶化のため、より高温の
熱処理を行ない酸化物系垂直磁化膜３を形成する。スタ
ンパ−１５の材料としては、高温における硬度、寸法精
度を維持するために、Ｎｉ又はＮｉＰなどが使用される
。

次に、第１図（ｅ）に示す如く、スパッタリング等によ
り反射！１１４を酸化物系垂直磁化膜３上に形成して本
実施例の光磁気ディスクが得られる。

第２図に示すように本実施例の光磁気ディスクにおいて
は、レーザ光による信号の読取及びトラッキング制御は
、次の如く行なわれる。入射レーザ光５は透明な基板１
を透過して、一部のレーザ光は基板１と酸化物系垂直磁
化８３との界面７で先ず反射される。残りのレーザ光は
、透明な垂直磁化膜３を更に透過して垂直磁化１１３と
反射膜４との界面８で反射される。

垂直磁化膜３を透過して垂直磁化１！Ｊ　３と反射膜４
との界面８で反射されたレーザ光５２は、カー効果によ
り偏光され、検光子を通して光検出装置によってレーザ
光の強度信号が電気信号に変換され記録信号が読取られ
る。また、ディスク半径方向の案内溝及びその近傍の凹
凸の位置関係により反射レーザ光５２の半径方向の強度
分布が変化するので、光検出装置によって電気信号に変
換され、トラッキング誤差信号を得ることができる。

従って、本実施例の光磁気ディスクによれば、反射光の
うち案内溝の形成された垂直磁化膜３と反射膜４との界
面８で反射された従来よりも強い反射レーザ光５２によ
って、トラッキング誤差信号を得ることができる。

なお、上記実施例ではスタンパ−を剥離した後、アニー
ルしてＢｉ置換希土類ガーネットを結晶化させる製造方
法を示したが、スタンパ−を剥離する前に、スタンパ−
と共に熱分解のための熱処理と同時に結晶化させても、
実施例と同様な光磁気ディスクが得られる。

ｌユ立羞」 以上詳述した如く、本発明の光磁気ディスクによれば、
透明な酸化物系垂直磁化膜と反射膜との界面に案内溝が
形成されて、トラッキング制御のための反射レーザ光の
光量が従来の光磁気ディスクに比べて多くなるゆえに、
光磁気ディスクの案内溝によるトラッキングが容易にな
る。

また、本発明の光磁気ディスクのＥｌ製造方法よれば、
Ｂｉ置換希土類ガーネット垂直磁化膜を熱分解法を用い
て成膜する際にスタンパ−を圧着したまま熱処理により
熱分解することにより、酸化物系垂直磁化膜の成膜と同
時に案内溝を直接、形成できるため、ガラス基板を一枚
一枚、露光する必要がなく、−枚のスタンパ−から酸化
物系垂直磁化膜を担持した案内溝付基板の複製を容易に
作成することができ、かつ製造工程数を少なくできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による光磁気ディスクの製造
方法を示ｔｉ略断面図、第２図はこの発明の一実施例に
よる光磁気ディスクの構造を示す概略断面図、第３図は
従来の光磁気ディスクの構造を示す概略断面図、第４図
は従来の光磁気ディスクの製造方法を示す概略断面図で
ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・基板 ２・・・・・・案内溝 ３・・・・・・酸化物系垂直磁化膜 ４　・・・・・・反９４月美

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明な円形平板と、前記円形平板上に成膜された
   磁気光学効果を有する酸化物系垂直磁化膜と、前記酸化
   物系垂直磁化膜上に成膜された反射膜とからなり、前記
   酸化物系垂直磁化膜と反射膜との界面に案内溝が形成さ
   れていることを特徴とする光磁気ディスク。
2. （２）前記磁気光学効果を有する酸化物系垂直磁化膜は
   、Ｂｉ置換希土類ガーネット又はＣｏフェライトである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気デ
   ィスク。
3. （３）透明な円形平板を形成する工程と、磁気光学効果
   を有する酸化物系垂直磁化膜を組成する金属の塩を含む
   溶液を調製する工程と、前記溶液を前記円形平板の主面
   上にスピンコートして溶液膜を形成する工程と、前記溶
   液膜上に案内溝型の転写面を圧着する工程と、前記案内
   溝型を圧着した状態を保持して前記案内溝型と前記円形
   平板と前記溶液膜とを加熱する工程と、前記溶液膜を結
   晶化させるアニール工程とを含むことを特徴とする光磁
   気ディスクの製造方法。
4. （４）前記磁気光学効果を有する酸化物系垂直磁化膜は
   、Ｂｉ置換希土類ガーネット又はＣｏフェライトである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光磁気デ
   ィスクの製造方法。