JPH07122940B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH07122940B2 JPH07122940B2 JP60004490A JP449085A JPH07122940B2 JP H07122940 B2 JPH07122940 B2 JP H07122940B2 JP 60004490 A JP60004490 A JP 60004490A JP 449085 A JP449085 A JP 449085A JP H07122940 B2 JPH07122940 B2 JP H07122940B2
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- Japan
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- guide track
- substrate
- layer
- magnetic layer
- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はレーザー光により高密度の記録、再生および消
去するために必要とする耐熱性ガイドトラツクを有する
光磁気記録媒体の製造方法に関する。
去するために必要とする耐熱性ガイドトラツクを有する
光磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来技術 レーザー光によつて高密度記録および再生を行う光磁気
記録媒体としてレーザー光をガイドするガイドトラツク
を有するものが知られている。
記録媒体としてレーザー光をガイドするガイドトラツク
を有するものが知られている。
従来、ガイドトラツクは次の工程により作成されてい
る。原盤作成工程；ガラス基板上にホトレジストポリ
マーの薄膜を塗布し、ガイドトラツク信号をレーザー光
により照射し、未照射あるいは照射部分をエツチングし
てガラス基板上にホトレジストガイドトラツクを形成
し、この上に金属薄膜を蒸着する、スタンパの作成工
程；金属薄膜付ホトレジストガイドトラツク面にNiめつ
き（電鋳）を行い、次にこれをガラス基板より剥離して
ガイドトラツクを有するNi電鋳板、すなわちスタンパを
得る、ガイドトラツクの作成工程；（ｉ）プラスチツ
クを熱融解し、これとスタンパとを加圧接合してプラス
チツク基板上にガイドトラツクを形成するインジエクシ
ヨン法、（ii）プラスチツク板とスタンパを加熱、加圧
接合するコンプレツシヨン法、（iii）ガラス基板上に
U.Vポリマーを塗布しスタンパと接合し、U.V硬化させる
2P法、等によつてプラスチツク材質よりなるガイドトラ
ツクを形成していた。これら従来の方法は工程数が多く
複雑で歩留りが悪く、長時間を要するものであつた。ま
た、スタンパにポリマーが残存し、スタンパは数多くの
繰返しができず、さらに転写不良による欠陥が多く歩留
りが低い原因となつていた。
る。原盤作成工程；ガラス基板上にホトレジストポリ
マーの薄膜を塗布し、ガイドトラツク信号をレーザー光
により照射し、未照射あるいは照射部分をエツチングし
てガラス基板上にホトレジストガイドトラツクを形成
し、この上に金属薄膜を蒸着する、スタンパの作成工
程；金属薄膜付ホトレジストガイドトラツク面にNiめつ
き（電鋳）を行い、次にこれをガラス基板より剥離して
ガイドトラツクを有するNi電鋳板、すなわちスタンパを
得る、ガイドトラツクの作成工程；（ｉ）プラスチツ
クを熱融解し、これとスタンパとを加圧接合してプラス
チツク基板上にガイドトラツクを形成するインジエクシ
ヨン法、（ii）プラスチツク板とスタンパを加熱、加圧
接合するコンプレツシヨン法、（iii）ガラス基板上に
U.Vポリマーを塗布しスタンパと接合し、U.V硬化させる
2P法、等によつてプラスチツク材質よりなるガイドトラ
ツクを形成していた。これら従来の方法は工程数が多く
複雑で歩留りが悪く、長時間を要するものであつた。ま
た、スタンパにポリマーが残存し、スタンパは数多くの
繰返しができず、さらに転写不良による欠陥が多く歩留
りが低い原因となつていた。
このようにして得られるガイドトラツクはその材質がプ
ラスチツクであるため、記録および消去時に照射される
レーザー光によつてガイドトラツク部が高温度となり、
また繰返し数が多くなるので熱変形およびH2O、O2の介
在によつて劣化し、トラツキング不良およびノイズの原
因となつていた。さらに、ガイドトラツク上に磁性層、
下地層等をスパツタリング法、蒸着法、CVD法等で作成
する場合、基板温度が上昇する。すなわち、酸化物磁性
体は基板温度400℃以上、下地層も例えばZnOは300℃以
上でないと良い特性の膜が得られないのである。このよ
うにガイドトラツク上に薄膜を作成する場合に基板温度
が高くなると従来のプラスチツクに形成されたガイドト
ラツクは熱変形によつて使用し得ないものであつた。ま
た、基板上に磁性層を被着し、これとあらかじめプラス
チツク板にガイドトラツクおよび反射層を設けたものと
を接合する方法も考えられるが、磁性層を被着した基板
およびガイドトラツク付プラスチツク基板のいずれも平
坦度が30μｍ以上あり、またこれを接合する接着層を１
μｍ以下として気泡のない状態で接合することは困難で
あつた。
ラスチツクであるため、記録および消去時に照射される
レーザー光によつてガイドトラツク部が高温度となり、
また繰返し数が多くなるので熱変形およびH2O、O2の介
在によつて劣化し、トラツキング不良およびノイズの原
因となつていた。さらに、ガイドトラツク上に磁性層、
下地層等をスパツタリング法、蒸着法、CVD法等で作成
する場合、基板温度が上昇する。すなわち、酸化物磁性
体は基板温度400℃以上、下地層も例えばZnOは300℃以
上でないと良い特性の膜が得られないのである。このよ
うにガイドトラツク上に薄膜を作成する場合に基板温度
が高くなると従来のプラスチツクに形成されたガイドト
ラツクは熱変形によつて使用し得ないものであつた。ま
た、基板上に磁性層を被着し、これとあらかじめプラス
チツク板にガイドトラツクおよび反射層を設けたものと
を接合する方法も考えられるが、磁性層を被着した基板
およびガイドトラツク付プラスチツク基板のいずれも平
坦度が30μｍ以上あり、またこれを接合する接着層を１
μｍ以下として気泡のない状態で接合することは困難で
あつた。
目的 本発明の目的は高密度記録、再生および消去時にレーザ
ー光を繰返し照射した場合、熱変形の生じない耐熱性ガ
イドトラツクを有する光磁気記録媒体を工程数が少く、
簡単にして歩留りよく製造し得る方法を提供することに
ある。
ー光を繰返し照射した場合、熱変形の生じない耐熱性ガ
イドトラツクを有する光磁気記録媒体を工程数が少く、
簡単にして歩留りよく製造し得る方法を提供することに
ある。
構成 本発明によれば、平滑な基板上に酸化物磁性層を設ける
光磁気記録媒体の製造方法において、基板上に酸化物磁
性層を設け、ついで該酸化物磁性層にフォトリソ法によ
り凹凸のガイドトラックを形成することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法が提供される。
光磁気記録媒体の製造方法において、基板上に酸化物磁
性層を設け、ついで該酸化物磁性層にフォトリソ法によ
り凹凸のガイドトラックを形成することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法が提供される。
本発明によれば、上記のような光磁気記録媒体は耐熱性
ガイドトラツクは基板上に設けられた酸化物磁性層にホ
トレジストを被覆し、これにガイドパターンを有するマ
スクを通して露光し、露光部分または未露光部分のいず
れかをエツチング除去し、ホトレジストが除去された部
分をエツチングし、しかる後にホトレジストを除去する
ことにより製造される。
ガイドトラツクは基板上に設けられた酸化物磁性層にホ
トレジストを被覆し、これにガイドパターンを有するマ
スクを通して露光し、露光部分または未露光部分のいず
れかをエツチング除去し、ホトレジストが除去された部
分をエツチングし、しかる後にホトレジストを除去する
ことにより製造される。
以下に本発明を添付図面を参照して説明する。
第１図は基板上の酸化物磁性層に耐熱性ガイドトラツク
を形成する場合の工程図を示すものである。第１図にお
いて、基板１上に酸化物磁性層を設け、ついでホトレジ
スト層２を被覆する（ａ）。一方、ガイドパターンを有
するマスク材３をガラスまたはプラスチツク支持体４上
に薄膜層として設け、このマスク材３を前記ホトレジス
ト層２の上方に配置し、マスク材３の上方から光、熱、
電子、Ｘ線等のエネルギーを照射してホトレジスト層２
上に光学パターンを露光する（ｂ）。この露光部分をエ
ツチング除去する（ｃ）。なお図では露光部分をエツチ
ング除去したが、未露光部分をエツチング除去するよう
にしてもよい。ホトレジスト層２のエツチング液として
はアルカリ性溶液、有機溶媒等が用いられる。次にホト
レジスト部分と酸化物磁性層とのエツチング特性の差を
利用して露出している基板をエツチングしてガイドトラ
ツク５を形成する（ｄ）。エツチング方法は反応性イオ
ンエツチング、プラズマエツチング等のドライエツチン
グ、スパツタエツチングあるいは化学エツチング等が可
能である。化学エツチングとしては例えば基板にクロム
を用い、エツチング液として硝酸第２セリウムアンモニ
ウムを用いる。
を形成する場合の工程図を示すものである。第１図にお
いて、基板１上に酸化物磁性層を設け、ついでホトレジ
スト層２を被覆する（ａ）。一方、ガイドパターンを有
するマスク材３をガラスまたはプラスチツク支持体４上
に薄膜層として設け、このマスク材３を前記ホトレジス
ト層２の上方に配置し、マスク材３の上方から光、熱、
電子、Ｘ線等のエネルギーを照射してホトレジスト層２
上に光学パターンを露光する（ｂ）。この露光部分をエ
ツチング除去する（ｃ）。なお図では露光部分をエツチ
ング除去したが、未露光部分をエツチング除去するよう
にしてもよい。ホトレジスト層２のエツチング液として
はアルカリ性溶液、有機溶媒等が用いられる。次にホト
レジスト部分と酸化物磁性層とのエツチング特性の差を
利用して露出している基板をエツチングしてガイドトラ
ツク５を形成する（ｄ）。エツチング方法は反応性イオ
ンエツチング、プラズマエツチング等のドライエツチン
グ、スパツタエツチングあるいは化学エツチング等が可
能である。化学エツチングとしては例えば基板にクロム
を用い、エツチング液として硝酸第２セリウムアンモニ
ウムを用いる。
本発明で使用し得る基板は、ガラス材としてソーダガラ
ス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、結晶化
ガラス、バイコールガラス、パイレツクガラス、石英ガ
ラス等が、セラミツク材としてAlN、アルミナ、ガラス
でグレージングしたアルミナ、酸化ジルコン、シリコン
等が、単結晶材としてシリコン、サフアイア、リチウム
タンタレート、ガトリニウム−ガリウム−ガーネツト
（G.G.G.）等が、金属としてAl、ステンレス、Ni、Ni−
Cr、Cr等が、プラスチツク材としてポリイミド樹脂、有
機シリコン樹脂等が用いられる。これら基板は磁性層や
下地層等をスパツタリング法、蒸着法、CVD法等により
形成する場合の基板温度上昇に耐えるようにするため30
0℃以上の耐熱性を有することが望ましい。
ス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、結晶化
ガラス、バイコールガラス、パイレツクガラス、石英ガ
ラス等が、セラミツク材としてAlN、アルミナ、ガラス
でグレージングしたアルミナ、酸化ジルコン、シリコン
等が、単結晶材としてシリコン、サフアイア、リチウム
タンタレート、ガトリニウム−ガリウム−ガーネツト
（G.G.G.）等が、金属としてAl、ステンレス、Ni、Ni−
Cr、Cr等が、プラスチツク材としてポリイミド樹脂、有
機シリコン樹脂等が用いられる。これら基板は磁性層や
下地層等をスパツタリング法、蒸着法、CVD法等により
形成する場合の基板温度上昇に耐えるようにするため30
0℃以上の耐熱性を有することが望ましい。
第２図および第３図は第１図に示した工程によつて基板
１上の酸化物磁性層７上にガイドトラックを用いて作製
した光磁気記録媒体の例を示すものである。
１上の酸化物磁性層７上にガイドトラックを用いて作製
した光磁気記録媒体の例を示すものである。
第２図および第３図は磁性層７がガイドトラツク形成層
６を兼ねる場合を説明するものであり、このようにガイ
ドトラツク形成層は磁性層によつて形成してもよい。第
２図は透光性基板１上にガイドトラツク５を設けた透光
性磁性層６を被着し、その上に反射層14および保護基板
10を設けたものであり、このような記録媒体では基板側
からレーザー光を照射し、記録、再生を行うようにす
る。第３図は基板１上に透光性の小さい磁性層７を設
け、これにガイドトラツク５を設け、その上に保護層
８、スペーサー９および保護基板10を設けてなるもので
ある。
６を兼ねる場合を説明するものであり、このようにガイ
ドトラツク形成層は磁性層によつて形成してもよい。第
２図は透光性基板１上にガイドトラツク５を設けた透光
性磁性層６を被着し、その上に反射層14および保護基板
10を設けたものであり、このような記録媒体では基板側
からレーザー光を照射し、記録、再生を行うようにす
る。第３図は基板１上に透光性の小さい磁性層７を設
け、これにガイドトラツク５を設け、その上に保護層
８、スペーサー９および保護基板10を設けてなるもので
ある。
本発明において、用いられる磁性層としては以下のよう
なものが例示される。
なものが例示される。
酸化物磁性体 （ａ） 六方晶ヘキサゴナル系、MeIOA〔MIXFe
2-XO3〕、MeIO（MeII）２〔MIyFe16-yO26〕、MeIはBa、
Sr、Pbの少くとも１種以上、MIはCo、Ti、Ga、Al、Rh、
Cr、Sc、In、Zn、Sn、Ir、Ru、Mn、Ni、Cu、Ta、Ge、T
e、Si、Bi、Ｖ、Nb、Sb、Re、Pt、Os、Ｗ、Mo、Pr、M
g、Gd、Tb、Zr、Ｙ、La、Yb、Tc等の少くとも１種以
上、MeIIはFe2+、Zn2+、Ni2+、Co2+、Cu2+、Mg2+等の少
くとも１種以上、５≦Ａ≦６、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜
８。
2-XO3〕、MeIO（MeII）２〔MIyFe16-yO26〕、MeIはBa、
Sr、Pbの少くとも１種以上、MIはCo、Ti、Ga、Al、Rh、
Cr、Sc、In、Zn、Sn、Ir、Ru、Mn、Ni、Cu、Ta、Ge、T
e、Si、Bi、Ｖ、Nb、Sb、Re、Pt、Os、Ｗ、Mo、Pr、M
g、Gd、Tb、Zr、Ｙ、La、Yb、Tc等の少くとも１種以
上、MeIIはFe2+、Zn2+、Ni2+、Co2+、Cu2+、Mg2+等の少
くとも１種以上、５≦Ａ≦６、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜
８。
（ｂ） コバルトスピネルフエライト系、ConMImFe
(3-n-m)O4、MIは六方晶ヘキサゴナル系のそれと同様の
もの、０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｍ＋ｎ＜２。
(3-n-m)O4、MIは六方晶ヘキサゴナル系のそれと同様の
もの、０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｍ＋ｎ＜２。
（ｃ） ガーネツト系、〔R3〕〔MII zFe5-z〕O12、Ｒ
はＹ、Bi、Yb、La、Ba、Sm、Eu、Tm、Sm、Co、Lu、Pr、
Nd、Ho、Dy、Tb等の少くとも１種以上、MIIはGa、Al、
Ｖ、Si、Rh、Cu、Ni、Sc、In、Im、Co、Fe、Zn、Zr、Lu
等の少くとも１種以上。
はＹ、Bi、Yb、La、Ba、Sm、Eu、Tm、Sm、Co、Lu、Pr、
Nd、Ho、Dy、Tb等の少くとも１種以上、MIIはGa、Al、
Ｖ、Si、Rh、Cu、Ni、Sc、In、Im、Co、Fe、Zn、Zr、Lu
等の少くとも１種以上。
以上の磁性体を磁性層として用いられる。磁性体は蒸着
法、スパツタリング法、イオンビーム法、CVD法等によ
つてガイドトラツク上に膜面の方向に対して垂直磁気異
方性磁性薄膜として形成する。酸化物磁性体は膜厚1000
〜30000Å、で用いられる。
法、スパツタリング法、イオンビーム法、CVD法等によ
つてガイドトラツク上に膜面の方向に対して垂直磁気異
方性磁性薄膜として形成する。酸化物磁性体は膜厚1000
〜30000Å、で用いられる。
下地層としてはZnO、Mn−Znフエライト、AlN、Al2O3、F
e3O4、BaFe2O4、MgO等が蒸着法、スパツタリング法、イ
オンプレーテイング法、CVD法等により膜厚500〜1000Å
で用いられる。なお、前述のようにこの下地層はエピタ
キシヤル層として機能する。
e3O4、BaFe2O4、MgO等が蒸着法、スパツタリング法、イ
オンプレーテイング法、CVD法等により膜厚500〜1000Å
で用いられる。なお、前述のようにこの下地層はエピタ
キシヤル層として機能する。
反射層としてはCr、Ag、Al、Au、Pt、Rh、Pd、Cu、Co、
Fe、TaN、TiN、OrN等が蒸着法、スパツタリング法にて
膜厚200〜5000Åで用いられる。
Fe、TaN、TiN、OrN等が蒸着法、スパツタリング法にて
膜厚200〜5000Åで用いられる。
以下に本発明の実施例を説明する。
実施例１ 結晶化ガラス基板上に透光性磁性層としてBaO6.0〔Co
0.1Al0.1Rh0.1Fe1.7O2〕をスパツタリング法にて5000Å
被着し、この上にホトレジストポリマーをスピンコート
により0.5μｍ被覆して実施例１と同様にマスクを通し
て露光した。露光部分のホトレジストを除去し、ECR法
にてホトレジストが除去された領域と対する磁性層をエ
ツチングした。次にホトレジストを除去して磁性層に巾
0.8μｍ、深さ0.08μｍ、トラツクピツチ２μｍのガイ
ドトラツクを形成した。この上に反射層としてAgを膜厚
1000Å、蒸着法にて被着し、接着剤にてプラスチツク保
護基板を接合してデイスクを作成した。
0.1Al0.1Rh0.1Fe1.7O2〕をスパツタリング法にて5000Å
被着し、この上にホトレジストポリマーをスピンコート
により0.5μｍ被覆して実施例１と同様にマスクを通し
て露光した。露光部分のホトレジストを除去し、ECR法
にてホトレジストが除去された領域と対する磁性層をエ
ツチングした。次にホトレジストを除去して磁性層に巾
0.8μｍ、深さ0.08μｍ、トラツクピツチ２μｍのガイ
ドトラツクを形成した。この上に反射層としてAgを膜厚
1000Å、蒸着法にて被着し、接着剤にてプラスチツク保
護基板を接合してデイスクを作成した。
実施例２ ソーダガラス基板上に下引層としてSi3N4をスパツタリ
ング法で500Å設け、この上に透光性の小さい磁性層と
してTbFeCo膜をスパツタリング法にて3000Å被着した。
さらにこの上にホトレジスト層を0.5μｍ被着し、実施
例４と同様にして磁性層にガイドトラツクを形成した。
この上に保護層としてSi3N4をスパツタリング法にて200
0Å被着し、スペーサーを介してガラス保護基板を接合
し、デイスクを作成した。
ング法で500Å設け、この上に透光性の小さい磁性層と
してTbFeCo膜をスパツタリング法にて3000Å被着した。
さらにこの上にホトレジスト層を0.5μｍ被着し、実施
例４と同様にして磁性層にガイドトラツクを形成した。
この上に保護層としてSi3N4をスパツタリング法にて200
0Å被着し、スペーサーを介してガラス保護基板を接合
し、デイスクを作成した。
比較例 ガイドトラツクを有したポリメチルメタクリレート基板
上に保護層としてSi3N4を膜厚1000Å、磁性層としてTbF
eCoを膜厚2000Å、保護層としてSi3N4を膜厚1000Åを順
次スパツタリング法にて積層し、この上に接着剤にて保
護基板を接合してデイスクを作成した。
上に保護層としてSi3N4を膜厚1000Å、磁性層としてTbF
eCoを膜厚2000Å、保護層としてSi3N4を膜厚1000Åを順
次スパツタリング法にて積層し、この上に接着剤にて保
護基板を接合してデイスクを作成した。
上記の実施例１〜８および比較例の各デイスクを用い、
次の条件で記録、消去テストを行つた。
次の条件で記録、消去テストを行つた。
記録条件:He−Neレーザーパワー媒体面５〜10mW、外部
磁界300〜500Oe、パルス時間100KHz〜500KHz 消去条件:He−Neレーザーパワー媒体面５〜10mW、外部
磁界500〜1000Oe これらの記録、消去を各104回実施したところ、実施例
１〜８の各デイスクはガイドトラツクの破壊は全く生じ
ず、トラツキング信号は変化しなかつた。これに反し、
比較例のデイスクはトラツク信号が大きく乱れ、ガイド
トラツクが変形していた。
磁界300〜500Oe、パルス時間100KHz〜500KHz 消去条件:He−Neレーザーパワー媒体面５〜10mW、外部
磁界500〜1000Oe これらの記録、消去を各104回実施したところ、実施例
１〜８の各デイスクはガイドトラツクの破壊は全く生じ
ず、トラツキング信号は変化しなかつた。これに反し、
比較例のデイスクはトラツク信号が大きく乱れ、ガイド
トラツクが変形していた。
効果 以上のような本発明によれば、ガイドトラツクは基板上
に、もしくは基板がレーザー光の繰返し照射に耐えられ
ない場合は基板上に設けたガイドトラツク形成層上に設
けられるため、記録、再生の数千回以上の繰返しにおい
ても、ガイドトラツクの変形、劣化によるトラツキング
エラーが起らず、しかもスパツタリング法、蒸着法、CV
D法等によつて各種の膜層をガイドトラツク上に作成す
る場合に基板温度が上昇してもあるいは作成時に基板温
度を高くしてもガイドトラツクが熱により変形しない光
磁気記録媒体が得られる。また、このような光磁気記録
媒体は１枚のマスクから簡単な工程で容易に耐熱性ガイ
ドトラツク付のものが多数枚製造し得る歩留りのよい方
法が提供される。
に、もしくは基板がレーザー光の繰返し照射に耐えられ
ない場合は基板上に設けたガイドトラツク形成層上に設
けられるため、記録、再生の数千回以上の繰返しにおい
ても、ガイドトラツクの変形、劣化によるトラツキング
エラーが起らず、しかもスパツタリング法、蒸着法、CV
D法等によつて各種の膜層をガイドトラツク上に作成す
る場合に基板温度が上昇してもあるいは作成時に基板温
度を高くしてもガイドトラツクが熱により変形しない光
磁気記録媒体が得られる。また、このような光磁気記録
媒体は１枚のマスクから簡単な工程で容易に耐熱性ガイ
ドトラツク付のものが多数枚製造し得る歩留りのよい方
法が提供される。
第１図は本発明方法に従つて基板上に耐熱性ガイドトラ
ツクを形成する場合の工程図である。 第２図〜第３図は第１図に示した工程によつて基板上に
直接設けられたガイドトラツクを用いて作製した光磁気
記録媒体の説明図である。 １……基板、２……ホトレジスト層 ３……マスク、４……プラスチツク支持体 ５……ガイドトラツク、６……ガイドトラツク形成層 ７……磁性層、８……保護層 ９……スペーサー、10……保護基板 11……エアーギヤツプ 14……反射層 17……断熱層
ツクを形成する場合の工程図である。 第２図〜第３図は第１図に示した工程によつて基板上に
直接設けられたガイドトラツクを用いて作製した光磁気
記録媒体の説明図である。 １……基板、２……ホトレジスト層 ３……マスク、４……プラスチツク支持体 ５……ガイドトラツク、６……ガイドトラツク形成層 ７……磁性層、８……保護層 ９……スペーサー、10……保護基板 11……エアーギヤツプ 14……反射層 17……断熱層
Claims (1)
- 【請求項１】平滑な基板上に酸化物磁性層を設ける光磁
気記録媒体の製造方法において、基板上に酸化物磁性層
を設け、ついで該酸化物磁性層にフォトリソ法により凹
凸のガイドトラックを形成することを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004490A JPH07122940B2 (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| DE19853519070 DE3519070A1 (de) | 1984-05-29 | 1985-05-28 | Magneto-optisches aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004490A JPH07122940B2 (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162844A JPS61162844A (ja) | 1986-07-23 |
| JPH07122940B2 true JPH07122940B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=11585529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60004490A Expired - Lifetime JPH07122940B2 (ja) | 1984-05-29 | 1985-01-14 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122940B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS59157834A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-07 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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| JPH0685237B2 (ja) * | 1984-03-16 | 1994-10-26 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
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| JPS60239954A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH0664763B2 (ja) * | 1984-07-20 | 1994-08-22 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP60004490A patent/JPH07122940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61162844A (ja) | 1986-07-23 |
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