JPS6312129A - 半導体製造装置の熱処理装置 - Google Patents
半導体製造装置の熱処理装置Info
- Publication number
- JPS6312129A JPS6312129A JP61156544A JP15654486A JPS6312129A JP S6312129 A JPS6312129 A JP S6312129A JP 61156544 A JP61156544 A JP 61156544A JP 15654486 A JP15654486 A JP 15654486A JP S6312129 A JPS6312129 A JP S6312129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- boat
- quartz tube
- wafers
- heat treatment
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置の熱処理装置に関するもの
である。
である。
第４図は従来のこの種の熱処理装置を示す断面図であり
、図において、１は電気炉のヒータ、２は石英ボート、
３は前記石英ボート２上に載置されるシリコンウェハで
、通常５０〜１００枚が配設される。４は前記石英ボー
ト２が挿入される石英管、４ａは前記石英管４のガス導
入口、４ｂは前記石英ボート２の出入口である。
、図において、１は電気炉のヒータ、２は石英ボート、
３は前記石英ボート２上に載置されるシリコンウェハで
、通常５０〜１００枚が配設される。４は前記石英ボー
ト２が挿入される石英管、４ａは前記石英管４のガス導
入口、４ｂは前記石英ボート２の出入口である。
次に動作について説明する。
石英ボート２上に並べられた５０〜１００枚のシリコン
ウェハ３は、石英管４へ挿入される前は、石英管４の外
の常温中におかれており、熱処理時に石英ボート２とと
もに８００〜９００℃に熱せられた石英管４内に挿入さ
れる。ガス導入口４ａからガスを石英管４に導入してシ
リコンウェハ３に酸化膜を生成させた後に、石英ボート
２を挿入した方向とは逆方向に移動させてシリコンウェ
ハ３を石英管４より出し常温にする。
ウェハ３は、石英管４へ挿入される前は、石英管４の外
の常温中におかれており、熱処理時に石英ボート２とと
もに８００〜９００℃に熱せられた石英管４内に挿入さ
れる。ガス導入口４ａからガスを石英管４に導入してシ
リコンウェハ３に酸化膜を生成させた後に、石英ボート
２を挿入した方向とは逆方向に移動させてシリコンウェ
ハ３を石英管４より出し常温にする。
従来の熱処理装置は、以上のように構成されているので
、最初に石英管４内に入ったシリコンウェハ３が最後に
石英管４から出てくるため、最も長（熱処理を受け、逆
に最後に石英管４に入ったシリコンウェハ３は最初に石
英管乙から出るため、最も短く熱処理を受ける。したが
って、不純物の拡散を行った場合、両者では、拡散深さ
に差が出るなどの問題点があった。
、最初に石英管４内に入ったシリコンウェハ３が最後に
石英管４から出てくるため、最も長（熱処理を受け、逆
に最後に石英管４に入ったシリコンウェハ３は最初に石
英管乙から出るため、最も短く熱処理を受ける。したが
って、不純物の拡散を行った場合、両者では、拡散深さ
に差が出るなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、石英ボートの位置によらずにどの位置でも
ほぼ熱処理時間を一定にできる熱処理装置を得ることを
目的とする。
れたもので、石英ボートの位置によらずにどの位置でも
ほぼ熱処理時間を一定にできる熱処理装置を得ることを
目的とする。
この発明にかかる熱処理装置は、熱処理されるシリコン
ウェハが配設された石英ボートを石英管の片側から挿入
し、石英管の反対側に通り抜けるようにしたものである
。
ウェハが配設された石英ボートを石英管の片側から挿入
し、石英管の反対側に通り抜けるようにしたものである
。
この発明における熱処理装置は、石英ボートのどの位置
においても１・−タルの熱処理時間がほぼ同じになるこ
とから、石英ボート上のシリコンウェハは、同じ時間熱
処理されることになり、不純物の拡散深さを同じにでき
る。
においても１・−タルの熱処理時間がほぼ同じになるこ
とから、石英ボート上のシリコンウェハは、同じ時間熱
処理されることになり、不純物の拡散深さを同じにでき
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体製造装置の熱
処理装置の概略構成図で、第４図と同一符号は同一構成
部分を示し、５は前記石英ボート２が挿入される石英管
で、挿入口５ａおよび着脱口５ｂにそれぞれ石英キャッ
プ５Ｃおよび５ｄが着脱自在に設けられる。５ｅは前記
石英管５内にガスを導入するガス導入口である。６は前
記石英ボート２を移動させるための石英製の押込み棒で
ある。また石英キャップ５ｃには、石英製の押込み棒６
を動作させるための穴５ｆが形成され、さらにガス導入
口５ｇが形成されている。
処理装置の概略構成図で、第４図と同一符号は同一構成
部分を示し、５は前記石英ボート２が挿入される石英管
で、挿入口５ａおよび着脱口５ｂにそれぞれ石英キャッ
プ５Ｃおよび５ｄが着脱自在に設けられる。５ｅは前記
石英管５内にガスを導入するガス導入口である。６は前
記石英ボート２を移動させるための石英製の押込み棒で
ある。また石英キャップ５ｃには、石英製の押込み棒６
を動作させるための穴５ｆが形成され、さらにガス導入
口５ｇが形成されている。
次にこの動作を第２図とともに説明する。
第２図に示すように石英ボー１−２上に約１００枚のシ
リコンウェハ３を並べ、石英管５に挿入する場合には、
押込み棒６を石英キャップ５ｃの穴５ｇを通して操作し
挿入する。この時、反対側の石英キャップ５ｄのガス導
入口５ｅからは、例えばＮ２ガスや０２ガスが導入され
て石英管５内部はガス雰囲気になっている。石英ボート
２を挿入口５ａより徐々に石英管５内に挿入すると、石
英ボート２の先端部に載置されたシリコンウェハ３ａが
後端部に載置されたシリコンウェハ３ｂよりも先に石英
管５内に挿入され温度が上昇する。
リコンウェハ３を並べ、石英管５に挿入する場合には、
押込み棒６を石英キャップ５ｃの穴５ｇを通して操作し
挿入する。この時、反対側の石英キャップ５ｄのガス導
入口５ｅからは、例えばＮ２ガスや０２ガスが導入され
て石英管５内部はガス雰囲気になっている。石英ボート
２を挿入口５ａより徐々に石英管５内に挿入すると、石
英ボート２の先端部に載置されたシリコンウェハ３ａが
後端部に載置されたシリコンウェハ３ｂよりも先に石英
管５内に挿入され温度が上昇する。
次に石英ボート２を石英管５から出す場合には、石英ボ
ート２を押込み棒６によって挿入してきた方向と同じ方
向にさらに移動させる。そして、石英キャップ５ｄを徐
々に移動させて、第１図の状態になる。この時、シリコ
ンウェハ３ａはシリコンウェハ３ｂよりも先に石英管５
より脱出して温度が下降する。
ート２を押込み棒６によって挿入してきた方向と同じ方
向にさらに移動させる。そして、石英キャップ５ｄを徐
々に移動させて、第１図の状態になる。この時、シリコ
ンウェハ３ａはシリコンウェハ３ｂよりも先に石英管５
より脱出して温度が下降する。
このようにしてシリコンウェハ３の位置による熱処理の
差を低減することができる。
差を低減することができる。
なお、上記実施例では、石英ボート２の操作に押込み棒
６を使用した場合を示したが、第３図に示すようにＳｉ
Ｃパドル８とその駆動装置９の組み合わせ等により行っ
てもよい。
６を使用した場合を示したが、第３図に示すようにＳｉ
Ｃパドル８とその駆動装置９の組み合わせ等により行っ
てもよい。
この発明は以上説明したとおり、石英管の両端に石英キ
ャップをそれぞれ着脱自在に設けてなり、シリコンウェ
ハが多数載置された石英ボートを石英管内に挿入して熱
処理を行った後、前記挿入した方向と同じ方向に石英ボ
ー１−をさらに移動して石英管より脱出させる構成とし
たので、シリコンウェハの熱処理を石英ボートの位置に
依存せずに均一に行える効果がある。
ャップをそれぞれ着脱自在に設けてなり、シリコンウェ
ハが多数載置された石英ボートを石英管内に挿入して熱
処理を行った後、前記挿入した方向と同じ方向に石英ボ
ー１−をさらに移動して石英管より脱出させる構成とし
たので、シリコンウェハの熱処理を石英ボートの位置に
依存せずに均一に行える効果がある。
第１図、第２図はこの発明の一実施例を示す半導体製造
装置の熱処理装置の概略構成を示す断面図、第３図はこ
の発明の他の実施例を示す熱処理装置の断面図、第４図
は従来の熱処理装置を示す断面図である。 図において、１はヒータ、２は石英ボー１２．３はシリ
コンウェハ、５は石英管、５ａは挿入口、５ｂは脱出口
、５ｃ、５ｄは石英キャップ、５ｅ。 ５ｇはガス導入口、５ｆは穴、６は押込み棒である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図
装置の熱処理装置の概略構成を示す断面図、第３図はこ
の発明の他の実施例を示す熱処理装置の断面図、第４図
は従来の熱処理装置を示す断面図である。 図において、１はヒータ、２は石英ボー１２．３はシリ
コンウェハ、５は石英管、５ａは挿入口、５ｂは脱出口
、５ｃ、５ｄは石英キャップ、５ｅ。 ５ｇはガス導入口、５ｆは穴、６は押込み棒である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- シリコンウェハが多数載置された石英ボートを所要のガ
スが導入された石英管内に挿入して熱処理を行う半導体
製造装置の熱処理装置において、前記石英管の両側に石
英キャップをそれぞれ着脱自在に設けてなり、前記石英
ボートを前記石英管の一端から挿入し、熱処理後前記石
英ボートを前記石英管内への挿入方向と同一方向に移動
して前記石英管の他端から脱出させる構成としたことを
特徴とする半導体製造装置の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156544A JPS6312129A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体製造装置の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156544A JPS6312129A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体製造装置の熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312129A true JPS6312129A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15630114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61156544A Pending JPS6312129A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体製造装置の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6312129A (ja) |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP61156544A patent/JPS6312129A/ja active Pending
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