JPS63123052A - アモルフアス感光体 - Google Patents
アモルフアス感光体Info
- Publication number
- JPS63123052A JPS63123052A JP26918786A JP26918786A JPS63123052A JP S63123052 A JPS63123052 A JP S63123052A JP 26918786 A JP26918786 A JP 26918786A JP 26918786 A JP26918786 A JP 26918786A JP S63123052 A JPS63123052 A JP S63123052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- amorphous semiconductor
- amorphous
- base material
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主として電子複写像の形成等に用いるアモルフ
ァス感光体に関するものである。
ァス感光体に関するものである。
一般にこの種アモルファス感光体はＡｆｆ合金製の円筒
状をなす支持体の外周面に光導電層を形成して構成され
ているが、従来光導電層として用いられているアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ）は光学的禁制帯幅（光学的バ
ンドギャップという）が１ 、７ｅＶ程度であるため７
８０ｎｍ以上の長波長光に対する感度、換言すれば吸収
率が低く、また半導体レーザ等の長波長光源を用いた静
電プリンタ用として用いると支持体面からの反射光によ
る干渉縞が画像に現れるという問題があった。
状をなす支持体の外周面に光導電層を形成して構成され
ているが、従来光導電層として用いられているアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ）は光学的禁制帯幅（光学的バ
ンドギャップという）が１ 、７ｅＶ程度であるため７
８０ｎｍ以上の長波長光に対する感度、換言すれば吸収
率が低く、また半導体レーザ等の長波長光源を用いた静
電プリンタ用として用いると支持体面からの反射光によ
る干渉縞が画像に現れるという問題があった。
そこで感度を高め、干渉縞の発生を抑制するために光導
電体材料としてアモルファスシリコンよりも光学的バン
ドギャップの狭い（１，３ｅＶ程度）アモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ −３ｉＧｅ） ヲ用いることが
試みられている（ｔｌ、ｓ、Ｐ、 ４，４５１，５１６
号）。しかしこの材料も７８０ｎｍ前後の長波長光に対
する感度は傍れているものの８００ｎｍ以上の長波長光
に対する感度が低く、またこの範囲の長波長光に対する
感度の向上を図るためａ ＳｉＧｅの膜厚を大きく、
また膜中のＧ＋ＪＱ度を高めることも試みられているが
、逆に光導電層としての帯電能が低下するという鮪点か
あり、長波長光の感度向上には限界があった。
電体材料としてアモルファスシリコンよりも光学的バン
ドギャップの狭い（１，３ｅＶ程度）アモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ −３ｉＧｅ） ヲ用いることが
試みられている（ｔｌ、ｓ、Ｐ、 ４，４５１，５１６
号）。しかしこの材料も７８０ｎｍ前後の長波長光に対
する感度は傍れているものの８００ｎｍ以上の長波長光
に対する感度が低く、またこの範囲の長波長光に対する
感度の向上を図るためａ ＳｉＧｅの膜厚を大きく、
また膜中のＧ＋ＪＱ度を高めることも試みられているが
、逆に光導電層としての帯電能が低下するという鮪点か
あり、長波長光の感度向上には限界があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは光導電層の帯電能を低下させること
なく長波長光に対する感度の高いアモルファス感光体を
提供するにある。
目的とするところは光導電層の帯電能を低下させること
なく長波長光に対する感度の高いアモルファス感光体を
提供するにある。
本発明にあっては導電性支持体上にＳｉを母材とするア
モルファス半導一体層とこれよりも光学的ハンドギャッ
プの狭いＳ１以外の材料を母材とするアモルファス半導
体層とを交互に積層して構成される光導電層を具備する
。
モルファス半導一体層とこれよりも光学的ハンドギャッ
プの狭いＳ１以外の材料を母材とするアモルファス半導
体層とを交互に積層して構成される光導電層を具備する
。
本発明にあってはこれによって長波長光に対する感度が
高（、しかも帯電能を何ら犠牲にすることがない。
高（、しかも帯電能を何ら犠牲にすることがない。
〔実施例］
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係るアモルファス感光体く以
下本発明品という）の断面構造図であり、図中１はＡ１
合金等導電性材料で形成された支持体、２は光導電層、
３は保護層を示している。光導電層２はＳｉを母材とし
、光学的ハンドギャップが１．７ｅＶ程度のアモルファ
ス半導体層２１と、Ｇｅを母材とし、光学的バンドギャ
ップが１ｅＶ以下であるアモルファス半導体層２２とを
夫々１００人〜５００人の厚さで交互に反復して積層形
成して構成しである。
明する。第１図は本発明に係るアモルファス感光体く以
下本発明品という）の断面構造図であり、図中１はＡ１
合金等導電性材料で形成された支持体、２は光導電層、
３は保護層を示している。光導電層２はＳｉを母材とし
、光学的ハンドギャップが１．７ｅＶ程度のアモルファ
ス半導体層２１と、Ｇｅを母材とし、光学的バンドギャ
ップが１ｅＶ以下であるアモルファス半導体層２２とを
夫々１００人〜５００人の厚さで交互に反復して積層形
成して構成しである。
支持体１の表面に対し最初に形成する層は半導体層２Ｌ
２２のいずれでもよいが、最後に形成する層、換言すれ
ば最表面に形成する層は半導体層２１とする。
２２のいずれでもよいが、最後に形成する層、換言すれ
ば最表面に形成する層は半導体層２１とする。
また膜厚は１００人〜５００人に限らず１０人〜５×１
０５人（５０μｍ）の範囲内であればよいが、量子効果
の面から見れば１０人〜３００人程度とするのが望まし
い。
０５人（５０μｍ）の範囲内であればよいが、量子効果
の面から見れば１０人〜３００人程度とするのが望まし
い。
半導体層２］、２２には夫々不純物元素として■族元素
、又は■族元素を１×１０１９〜Ｉ Ｘ １０”ａｔｏ
ｍｓ／ｃｃドープしてもよい。
、又は■族元素を１×１０１９〜Ｉ Ｘ １０”ａｔｏ
ｍｓ／ｃｃドープしてもよい。
また半導体層２１には暗抵抗を高めて帯電能の向」−を
図るため不純物として０又はＮ又はＣを１×１０２０〜
Ｉ Ｘ １０”ａｔｏｍｓ／ｃｃ Ｆ−−プしてもよい
。特に光導電層２の最表面に形成する半導体層２１には
０２Ｎ又はＣをＩ ＸＩＯ”〜２ Ｘ １０１０２２ａ
ｔｏ／ｃｃドープして耐コロナ放電性能を向上させるの
が望ましい。
図るため不純物として０又はＮ又はＣを１×１０２０〜
Ｉ Ｘ １０”ａｔｏｍｓ／ｃｃ Ｆ−−プしてもよい
。特に光導電層２の最表面に形成する半導体層２１には
０２Ｎ又はＣをＩ ＸＩＯ”〜２ Ｘ １０１０２２ａ
ｔｏ／ｃｃドープして耐コロナ放電性能を向上させるの
が望ましい。
なお、保護層３はａ ５ｉｘＮ＋−ｘ（０−３≦ｘ≦
０．９）、ａ Ｓｉ、１ＣＩ−ＳｉｘＯ１−ｘ（０．
３≦ｘ≦０．９）、ａ ５ｉ）（Ｃ）＋−ｘ（０，３
≦ｘ≦０．９）等を適宜選択して形成する。
０．９）、ａ Ｓｉ、１ＣＩ−ＳｉｘＯ１−ｘ（０．
３≦ｘ≦０．９）、ａ ５ｉ）（Ｃ）＋−ｘ（０，３
≦ｘ≦０．９）等を適宜選択して形成する。
このような層の形成方法としてはグロー放電法、光ＣＶ
Ｄ法、マイクロ波ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、
スパンタリング法、蒸着法、イオンブレーティング法、
ＭＯＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等従来知られている方法を適
宜採択すればよい。
Ｄ法、マイクロ波ＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、
スパンタリング法、蒸着法、イオンブレーティング法、
ＭＯＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等従来知られている方法を適
宜採択すればよい。
第２図は」−記した本発明品のハンド図であり、光導電
層２においては光学的ハンドギヤツブが半導体層２１．
２２夫々の位置に応して広狭変化しており、キャリアは
光学的バンドギャップの広い半導体層２１内ではトンネ
リング又はホッピング伝導によって、また光学的バンド
ギャップの狭い半導体Ｎ２２内ではハンド伝導にて輸送
され、応答速度が低下することはない。
層２においては光学的ハンドギヤツブが半導体層２１．
２２夫々の位置に応して広狭変化しており、キャリアは
光学的バンドギャップの広い半導体層２１内ではトンネ
リング又はホッピング伝導によって、また光学的バンド
ギャップの狭い半導体Ｎ２２内ではハンド伝導にて輸送
され、応答速度が低下することはない。
このようなバンド構造を有する光導電層２内に入射した
光のうち長波長光は光学的バンドギャップの狭い半導体
層２２で吸収されることとなり、長波長光に対する感度
が向上する。
光のうち長波長光は光学的バンドギャップの狭い半導体
層２２で吸収されることとなり、長波長光に対する感度
が向上する。
なお光学的バンドギャップが狭い半導体層２２の使用は
膜の暗抵抗を低下させ、帯電能が低くなるが、本発明品
にあっては半導体層２２間に高抵抗の半導体層２１が介
在する結果、帯電能の低下は抑制される。特にＮ、Ｃ又
はＯを添加した場合は膜抵抗が一層高められ、帯電能の
向上が図れる。
膜の暗抵抗を低下させ、帯電能が低くなるが、本発明品
にあっては半導体層２２間に高抵抗の半導体層２１が介
在する結果、帯電能の低下は抑制される。特にＮ、Ｃ又
はＯを添加した場合は膜抵抗が一層高められ、帯電能の
向上が図れる。
第３図は本発明の他の実施例を示す断面構造図であり、
第１，２図に示す実施例のアモルファス半導体層２２に
代えてこの実施例ではＧｅを母材とし、光学的バンドギ
ャップが１ 、２ｅＶ程度となるよう０゜Ｎ又はＣを１
ｙｌＱＩＢ〜１． ＸＩＯ”ａｔｏｍｓ／ｃｃドープ
したアモルファス半導体層２３を光導電層を構成する材
料の一つとして用いている。他の構成は第１゜２図に示
す実施例と実質的に同しであり、対応する部分には同じ
番号を付して説明を省略する。
第１，２図に示す実施例のアモルファス半導体層２２に
代えてこの実施例ではＧｅを母材とし、光学的バンドギ
ャップが１ 、２ｅＶ程度となるよう０゜Ｎ又はＣを１
ｙｌＱＩＢ〜１． ＸＩＯ”ａｔｏｍｓ／ｃｃドープ
したアモルファス半導体層２３を光導電層を構成する材
料の一つとして用いている。他の構成は第１゜２図に示
す実施例と実質的に同しであり、対応する部分には同じ
番号を付して説明を省略する。
このような実施例においては長波長光に対する感度は第
１．２図に示す実施例よりも低下するが、帯電能は向上
するから電子写真機等の機種によっては十分な効果を得
ることが出来る。
１．２図に示す実施例よりも低下するが、帯電能は向上
するから電子写真機等の機種によっては十分な効果を得
ることが出来る。
第４図は本発明の他の実施例を示す模式的断面図であり
、第１，２図、第３図に示す半導体層２２゜２３に代え
て周期律表のｍ−ｖ族化合物であるＧａｒｂ。
、第１，２図、第３図に示す半導体層２２゜２３に代え
て周期律表のｍ−ｖ族化合物であるＧａｒｂ。
ＩｎＡｓ＋ ＩｎＳｂ等を母材とし光学的バンドギャッ
プが１ｅＶ以下であるアモルファス半導体層２４を用い
ている。他の構成は前記第１．２図に示した実施例の構
成と実質的に同じであり、対応する部分には同じ番号を
付して説明を省略する。
プが１ｅＶ以下であるアモルファス半導体層２４を用い
ている。他の構成は前記第１．２図に示した実施例の構
成と実質的に同じであり、対応する部分には同じ番号を
付して説明を省略する。
なおアモルファス半導体層２４としてＧａＳｂを母材に
用いる場合には原料ガスとして（ＣＬ） ３Ｇａ、 （
Ｃ２ＮＳ） ｚＧａ等（７）Ｇａを含むガスと、ＳｂＨ
３，（ＣＨ＋） ａｓｂ、 （Ｃ２Ｈ５） ３ｓｂ。
用いる場合には原料ガスとして（ＣＬ） ３Ｇａ、 （
Ｃ２ＮＳ） ｚＧａ等（７）Ｇａを含むガスと、ＳｂＨ
３，（ＣＨ＋） ａｓｂ、 （Ｃ２Ｈ５） ３ｓｂ。
ＳｂＣ１ｓ等のｓｂを含むガスを用いる。
またアモルファス半導体層２４としてｒｎＡｓを母材に
用いる場合は原料ガスとして（ＣＨｚ）ｓｉｎ、 （Ｃ
２１１５） Ｊｎ等のＩｎを含むガスと、八ｓＨ，，，
＾ｓＦ３．ＡｓＣｎ ３＋ （ＣＨ３）３八Ｓ。
用いる場合は原料ガスとして（ＣＨｚ）ｓｉｎ、 （Ｃ
２１１５） Ｊｎ等のＩｎを含むガスと、八ｓＨ，，，
＾ｓＦ３．ＡｓＣｎ ３＋ （ＣＨ３）３八Ｓ。
（Ｃｚｕｓ）ｓＡｓ等のＡｓを含むガスを用いる。
更にアモルファス半導体層２４としてＩｎＳｂを母材に
用いる場合は原料ガスとして（ＣＨ３） ３１ｎ＋ （
Ｃ２Ｈ５） ３１ｎ等のＩｎを含むガスと、５ｂｌ（ｓ
、（ＣＨ３）＋Ｓｂ、 （ＣｚＨｓ）＋Ｓｂ。
用いる場合は原料ガスとして（ＣＨ３） ３１ｎ＋ （
Ｃ２Ｈ５） ３１ｎ等のＩｎを含むガスと、５ｂｌ（ｓ
、（ＣＨ３）＋Ｓｂ、 （ＣｚＨｓ）＋Ｓｂ。
ｓｂｃ ｉ ５等のｓｂを含むガスを用いる。
このような実施例にあっては製造上の工数は前記第１．
２図に示す実施例よりも若干多くなるが、長波長光に対
する感度の面では同様の効果が得られる。
２図に示す実施例よりも若干多くなるが、長波長光に対
する感度の面では同様の効果が得られる。
以上の如く本発明品にあってはＳｉを母材とするアモル
ファス半導体層と、該アモルファス半導体層よりも光学
的バンドギャップが狭＜ｓｉ以外の材料を母材とするア
モルファス半導体層とを交互に積層形成したから、帯電
能を低下させることなく、長波長光に対する感度を向上
させ得、特に半導体レーザを光源に用いた静電プリンタ
等における反射光の干渉縞を効果的に防止し得、更に各
アモルファス半導体層Ｏ光学的パンドギャンプを適切に
選択することによって長波長光に対する感度を任意に制
御することが可能となるなど本発明は優れた効果を奏す
るものである。
ファス半導体層と、該アモルファス半導体層よりも光学
的バンドギャップが狭＜ｓｉ以外の材料を母材とするア
モルファス半導体層とを交互に積層形成したから、帯電
能を低下させることなく、長波長光に対する感度を向上
させ得、特に半導体レーザを光源に用いた静電プリンタ
等における反射光の干渉縞を効果的に防止し得、更に各
アモルファス半導体層Ｏ光学的パンドギャンプを適切に
選択することによって長波長光に対する感度を任意に制
御することが可能となるなど本発明は優れた効果を奏す
るものである。
第１図は本発明品の断面構造図、第２図は同じくその光
学的バンド図、第３，４図は本発明の各別異の実施例を
示す断面構造図である。 １・・・支持体 ２・・・光導電層 ３・・・保護層２
１・・・Ｓｉを母材とするアモルファス半導体層２２．
２３．２４・・・Ｓｉ以外の材料を母材とするアモルフ
ァス半導体層
学的バンド図、第３，４図は本発明の各別異の実施例を
示す断面構造図である。 １・・・支持体 ２・・・光導電層 ３・・・保護層２
１・・・Ｓｉを母材とするアモルファス半導体層２２．
２３．２４・・・Ｓｉ以外の材料を母材とするアモルフ
ァス半導体層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に交互に積層された、Ｓｉを母材と
するアモルファス半導体層と、該アモルファス半導体層
よりも光学的バンドギャップの狭いＳｉ以外の材料を母
材とするアモルファス半導体層とからなる光導電層を具
備することを特徴とするアモルファス感光体。 ２、前記Ｓｉ以外の材料を母材とするアモルファス半導
体層の光学的バンドギャップは１．７ｅＶ以下である特
許請求の範囲第１項記載のアモルファス感光体。 ３、前記Ｓｉ以外の材料を母材とするアモルファス半導
体層はＧｅを母材とするアモルファス半導体層である特
許請求の範囲第１項記載のアモルファス感光体。 ４、前記Ｓｉ以外の材料を母材とするアモルファス半導
体層は周期律表のIII族とＶ族との化合物を母材とする
アモルファス半導体層である特許請求の範囲第１項記載
のアモルファス感光体。 ５、前記Ｓｉ以外の材料を母材とするアモルファス半導
体層は周期律表のII族とVI族との化合物を母材とするア
モルファス半導体層である特許請求の範囲第１項記載の
アモルファス感光体。 ６、前記光導電層の表面の層はＳｉを母材とするアモル
ファス半導体層である特許請求の範囲第１項記載のアモ
ルファス感光体。 ７、前記光導電層の表面はａ−Ｓｉ＿ｘＮ＿１＿−＿ｘ
（０．３≦ｘ≦０．９）、ａ−Ｓｉ＿ｘＣ＿１＿−＿ｘ
（０．３≦ｘ≦０．９）、又はａ−Ｓｉ＿ｘＯ＿１＿−
＿ｘ（０．３≦ｘ≦０．９）を材料とする表面保護層で
被覆されている特許請求の範囲第１項記載のアモルファ
ス感光体。 ８、前記Ｓｉを母材とするアモルファス半導体層、Ｓｉ
以外の材料を母材とするアモルファス半導体層の膜厚は
１０Å〜５×１０＾５Åである特許請求の範囲第１項記
載のアモルファス感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26918786A JPS63123052A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | アモルフアス感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26918786A JPS63123052A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | アモルフアス感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63123052A true JPS63123052A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17468891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26918786A Pending JPS63123052A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | アモルフアス感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63123052A (ja) |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26918786A patent/JPS63123052A/ja active Pending
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