JPH04296881A

JPH04296881A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH04296881A
Application number: JP3089667A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Ito; 浩伊藤; Naooki Miyamoto; 宮本　直興
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1991-03-27
Filing date: 1991-03-27
Publication date: 1992-10-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はコロナ帯電を不要として
露光と現像とがほぼ同時に行えるように組み合わせた電
子写真方式に用いられる画像形成装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近時、コロナ放電により帯電を行うカー
ルソン方式に対して、コロナ放電を不要とする電子写真
方式が提案されている（特開昭５８−４４４４５号、特
開昭５８−１５３９５７号、特開昭６１−４６９６１号
、特開昭６２−２８０７７２号など）。

【０００３】上記提案の電子写真方式によれば、透光性
支持体上に透光性導電層と光導電層とを順次積層したド
ラム状もしくはベルト状感光体に対して、透光性支持体
側より露光するとともにバイアス電圧を印加した導電性
磁性トナーを備えた磁気ブラシでもって感光体表面を摺
擦させ、これによって帯電と露光と現像とをほぼ同時に
行う方式である。

【０００４】また、このような電子写真方式において、
上記光導電層にアモルファスシリコン層を用いることが
提案されている（特開昭６３−２４０５５３　号、特開
平２−１０６７６１号）。

【０００５】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、本発
明者等の実験によれば、上記アモルファスシリコン光導
電層を備えた感光体を用いた場合、その層厚を小さくし
て良好な画像を得ようとしても、未だ満足しえるような
画像濃度が得られず、光感度の改善が望まれる。

【０００６】また、上記アモルファスシリコン光導電層
（以下アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略す）はＩＴ
Ｏなどの透光性導電層の上にグロー放電分解法により積
層するが、透光性支持体の形状がドラム状もしくはベル
ト状である場合には、上記成膜に伴ってａ−Ｓｉ層に応
力が加わり、剥がれ易いという問題点もあることが判明
した。

【０００７】従って本発明の目的は叙上の問題点を解決
し、光感度を高め、しかも、膜剥がれのない高信頼性か
つ高品質の画像形成装置を提供することにある。

【０００８】

【問題点を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、感光体と、その感光体に現像剤を接触させつつ電圧
を印加する現像手段と、その感光体に画像露光を行うた
めの光源とを備えており、上記感光体においては透光性
支持体上に透光性導電層を形成し、その透光性導電層の
上に５０μＷ／ｃｍ２　の光強度に対する光導電率が１
０−７（Ω・ｃｍ　）−１以上であるアモルファスシリ
コンゲルマニウム系（以下、アモルファスシリコンゲル
マニウムをａ−ＳｉＧｅと略す）の第１の光導電層と、
暗導電率が１０−９（Ω・ｃｍ）　−１以下であるとと
もに上記ａ−ＳｉＧｅ系第１の光導電層の暗導電率に比
べて１０分の１以下であるａ−Ｓｉ系第２の光導電層と
を順次積層した構成を特徴とするものであり、本装置に
よれば、更に上記感光体に透光性支持体側より画像露光
を行うための光源を配設する。

【０００９】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。

【００１０】図１は本発明画像形成装置の基本構成を表
す模式図であり、図中、１はドラム状の感光体、２は光
源としてのＬＥＤヘッド、３は現像器、４は転写ローラ
である。また図２は上記感光体１と現像器３の一部分を
表す説明図である。

【００１１】これらの図において、先ず感光体１はドラ
ム状透光性支持体５の外周面に透光性導電層６を形成し
、更にその透光性導電層６の上にａ−Ｓｉ系光導電層７
を積層した構成である。

【００１２】上記透光性支持体５を構成する材料には、
パイレックスガラス、ソーダガラス、ホウ珪酸ガラスな
ど、また石英、サファイアなどの無機質系、並びに弗素
樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ビニロン、エポキシ、マイラーなどの
有機樹脂系が挙げられる。

【００１３】上記透光性導電層６を構成する材料には、
インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫、酸化鉛
、酸化インジウム、ヨウ化銅などがあり、また半透明に
なる程度に薄くしたＡｌ、Ｎｉ、Ａｕなどから成る金属
層を用いてもよい。その層形成法には真空蒸着法、活性
反応蒸着法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリン
グ法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、スプレー法、塗布法、浸漬法などがある。

【００１４】上記感光体１のある一部を介して、ＬＥＤ
ヘッド２と現像器３がほぼ対称的に配置される。

【００１５】現像器３は、円柱状の磁極ローラ８と、そ
の外周に亘って配設されたスリーブ９とから成り、更に
トナー受１０に貯蔵された現像剤としての一成分磁性導
電性トナーはスリーブ９の外周へ配送され、磁気ブラシ
１１を形成する。また、スリーブ９と透光性導電層６と
の間にはバイアス電源１２が設けられ、その両者６、９
の間に感光体１の電位特性に応じて＋或いは−の１０〜
３００Ｖの電圧を印加する。

【００１６】かくして上記構成の画像形成装置によれば
、回転する感光体１の透光性支持体５にＬＥＤヘッド２
より画像露光の光を照射し、ａ−Ｓｉ系光導電層７の内
部に正孔と電子を発生させると、現像器３側に＋のバイ
アス電圧を印加してあれば、そのバイアス電圧によって
電子はａ−Ｓｉ系光導電層７の表面側へ移動し、磁気ブ
ラシ１１の末端の正電荷と打ち消し合い、もしくは引き
合い、感光体１の表面に導電性トナーが付着される。そして、その導電性トナーは転写ローラ４により記録紙
１３上に転写され、次いで定着される。

【００１７】本発明の画像形成装置においては、上記ａ
−Ｓｉ系光導電層７が図３に示すように少なくとも順次
第１の層７ａと第２の層７ｂとが積層され、第１の層７
ａはａ−ＳｉＧｅ系であるとともに５０μＷ／ｃｍ２　
の光強度に対する光導電率が１０−７（Ω・ｃｍ　）−
１以上であり、第２の層７ｂにおいては暗導電率が１０
−９（Ω・ｃｍ　）−１以下であり、しかも、第１の層
７ａの暗導電率に比べて１０分の１以下であるような構
成であって、これによって光感度が顕著に高められる点
が特徴である。

【００１８】上記構成によれば、透光性支持体５より入
射した光の大部分は第１の層７ａに到達すると吸収され
、光生成キャリアが発生し、光励起作用が行われる。そ
して、第２の層７ｂにおいては、その光励起キャリアの
うち現像バイアスと逆極性の電荷を、その現像バイアス
による電界で感光体表面へ輸送する機能がある。

【００１９】本発明者等は、このように各層７ａ、７ｂ
に固有な機能を持たせるように光導電率や暗導電率を所
定の範囲に設定した場合、光感度が高められることを見
い出した。

【００２０】第１の層７ａにおいては、５０μＷ／ｃｍ
２　の強度の光に対する光導電率が１０−７（Ω・ｃｍ
　）−１以上であることが必要であり、これによって十
分にキャリア発生することができ、また、第２の層７ｂ
においてはキャリアを十分に輸送する機能を持たせる場
合、電荷保持や耐圧確保のために暗導電率が１０−９（
Ω・ｃｍ　）−１以下であって、しかも、第１の層７ａ
の暗導電率よりも小さくなるように高抵抗であることが
必要であり、本発明者等の実験によれば、暗導電率が１
０倍以上の差となるように低くするのが良いことを確認
した。

【００２１】また上記のように２層に機能分離した場合
には光導電率の暗導電率に対する比率、即ち光導電性に
ついては、第１の層７ａが第２の層７ｂに比べて大きく
するのがよく、これによって第１の層７ａにおいてより
多くの光生成キャリアが発生し、透光性支持体側からの
露光に対する光感度が顕著に高められるという点で望ま
しい。また、第１の層７ａは第２の層７ｂに比べて光導
電率を高めた方がよく、これによっても第１の層７ａに
おいてより多くの光生成キャリアが発生し、透光性支持
体側からの露光に対する光感度が顕著に高められるとい
う点で望ましい。第２の層７ｂについては第１の層７ａ
に比べて暗導電率を１桁以上小さくして高抵抗にするこ
とがよく、これによって感光体の帯電特性や電荷保持能
や絶縁耐圧等が高められ、感光体層の厚みをより薄くし
て用いることが可能になるという点で望ましい。

【００２２】上記のような特性並びに機能を有する２層
構成にするには、周期律表第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族
元素を含有させたり、Ｃ、Ｎ、Ｏ等の元素を含有させた
り、或いは各層の光導電層を形成する際の成膜条件にお
いて、原料ガス及び希釈ガスのガス流量やガス圧、高周
波電力、成膜温度等を適宜設定することにより得られる
。

【００２３】更にまた第１の層７ａは、その元素比率を
下記の通りの範囲内に設定した場合、特に長波長側の光
感度を顕著に高めることができる。

【００２４】Ｓｉ１−Ｘ　ＧｅＸ　０．０５≦Ｘ≦０．５好適には　　０．１≦Ｘ≦０．４

【００２５】上記Ｘ値が０．０５未満の場合には、長波
長光の吸収が小さいためその光感度を高めることができ
ず、Ｘ値が０．５を超える場合には、膜の内部欠陥が増
大して光導電率が著しく小さくなり、光キャリアの励起
機能が低下する。

【００２６】またこの際、光学的バンドギャップ（Ｅｇ
ｏｐｔ）が１．３〜１．７ｅＶになるように成膜条件を
設定すると、この層７ａの良好な光導電性が得られる。

【００２７】第１の層７ａは、例えばグロー放電分解法
、スパッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着法などにより形成
し、その形成に当たってダングリングボンド終端用に水
素（Ｈ）やハロゲン元素を１〜４０原子％含有させる。また、この層７ａの暗導電率や光導電率などの電気的特
性、Ｅｇｏｐｔなどについて所望の特性を得るために、
ＩＩＩａ族元素やＶａ族元素を含有させるとよい。

【００２８】ＩＩＩａ族元素やＶａ族元素の含有量は、
正バイアスに対しては、ノンドープまたはＶａ族元素を
５００ｐｐｍ以下、好適には０．１〜１００ｐｐｍ、或
いはＩＩＩａ族元素を１００ｐｐｍ以下、好適には３０
ｐｐｍ以下が望ましく、他方、負バイアスに対しては、
ノンドープまたはＩＩＩａ族元素を１０００ｐｐｍ以下
、好適には０．１〜５００ｐｐｍで、それぞれ第２の層
７ｂよりも多く含有させるとよい。

【００２９】第１の層７ａの厚みは、０．０５〜５μｍ
、好適には０．１〜３μｍにすればよく、この範囲内で
あれば高い光感度が得られ、残留電位が低くなる。

【００３０】第２の層７ｂにも、バイアス対応型に応じ
て第１の層７ａと同様な範囲のＩＩＩａ族元素やＶａ族
元素を含有させれば良いが、第１の層７ａよりも低い暗
導電率を保持するため、それらの含有は第１の層７ａよ
りも少なくする。就中、この第２の層７ｂをｉ型化して
高抵抗にするためには、ＩＩＩａ族元素を１００ｐｐｍ
以下、好適には０．１〜３０ｐｐｍの範囲で含有させる
とよく、これによって電荷保持能や絶縁耐圧が十分に高
められるとともに、キャリアの走行も十分に確保される
。

【００３１】この第２の層７ｂにａ−ＳｉＣを使用する
場合には、そのカーボン量は、Ｓｉ１−Ｙ　ＣＹ　のＹ
値で０．０１≦Ｙ≦０．５、好適には０．０５≦Ｙ≦０
．４５の範囲がよい。

【００３２】この第２の層７ｂの厚みは０．５〜１０μ
ｍ、好適には１〜８μｍの範囲内にすればよい。

【００３３】本発明の画像形成装置は上述した光導電層
７に更に図４〜図６に示すように透光性導電層６と光導
電層７の間にキャリア注入阻止層１４を形成したり、或
いは光導電層７の上に表面層１５を積層してもよい。

【００３４】表面層１５は絶縁層もしくは高抵抗層であ
り、有機材料もしくは無機材料のいずれによっても形成
することができる。

【００３５】尚、本発明においては、絶縁層及び高抵抗
層を次のように定義する。

【００３６】先ず、絶縁層とは体積抵抗率が極めて大き
く、その層の内部において、正負両電極の電荷の移動を
共に阻止する性質を有するものをいう。他方の高抵抗層
とは体積抵抗率が絶縁層に比べて小さいが、光導電層に
比べて大きいものである。就中、その層の内部において
一方の極性の電荷の移動は阻止するが、他方の極性の電
荷の移動を許容する性質を有するものが望ましい。

【００３７】絶縁層に用いられる有機材料であれば、マ
イラー、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリパラキ
シリレンなどが挙げられ、それを塗布或いは蒸着などの
方法により形成する。

【００３８】絶縁層もしくは高抵抗層に用いられる無機
材料としては例えばａ−ＳｉＣがあり、その他にシリコ
ンナイトライド、シリコンオキサイド、シリコンオキシ
カーバイド、シリコンオキシナイトライドなどがあり、
それを薄膜形成手段により形成する。

【００３９】表面層１５にａ−ＳｉＣ層を用いた場合に
はａ−Ｓｉ系光導電層７に含まれるカーボン量に比べて
カーボンを多く含有させればよい。その場合、Ｓｉ１−
Ｘ　ＣＸ　のＸ値で０．３＜Ｘ＜１．０、好適には０．
５≦Ｘ≦０．９５の範囲がよい。

【００４０】表面層１５の厚みは０．０５〜５μｍ、好
適には０．１〜３μｍにすればよく、０．０５μｍ未満
の場合には、この層１５で十分な画像濃度の向上や絶縁
耐圧の向上ができず、また、繰り返し使用した場合、磨
耗により寿命も劣る。５μｍを超えた場合には精細な電
荷パターンを形成するに当たって、この層１５中で電界
（電気力線）が膜面方向に広がりを生じ、これにより、
解像力の低下をきたし、十分な解像度が得られない。或
いは表面に残留する電荷が多くなって残留電位が高くな
るため、画像濃度の低下やバックのカブリ或いは繰り返
し使用における画像濃度の変化等の問題が生じる。

【００４１】前記キャリア注入阻止層１４には絶縁層ま
たは高抵抗層またはＰ型半導体層、Ｎ型半導体層のいず
れの層を用いてもよい。この層１４には前記表面層１５
と同じ材料により形成してもよく、或いはａ−Ｓｉ系の
材料を用いてもよい。通常、ａ−Ｓｉ系光導電層７にお
ける光キャリア発生に有効な光を吸収しないように、そ
の光導電層７に比べて光学的バンドギャップを大きくす
る必要がある。そのために例えば酸素または窒素等の元
素を含有させるとよい。また、キャリア注入阻止層１４
をａ−ＳｉＣ層により形成した場合、光導電層７に比べ
てカーボン量を多くすればよい。

【００４２】また、キャリア注入阻止層１４をａ−Ｓｉ
系の層により形成する場合、透光性導電層５から光導電
層７へのキャリアの注入を阻止するために不純物元素を
含有させてＰ型やＮ型の半導体層としてもよい。即ち、
負電荷キャリアの注入を阻止するためには第ＩＩＩａ族
元素を１〜１０，０００ｐｐｍ、好適には１００〜５，
０００ｐｐｍ含有するとよく、一方、正電荷キャリアの
注入を阻止するためには第Ｖａ族元素を５，０００ｐｐ
ｍ以下、好適には３００〜３，０００ｐｐｍ含有すると
よい。これらの元素は層厚方向に亘って勾配を設けても
よく、その場合には層全体の平均含有量が上記範囲内で
あればよい。

【００４３】このようにキャリア注入阻止層１４に第Ｉ
ＩＩａ族元素を含有した場合、正極性の現像バイアスが
用いられ、他方、第Ｖａ族元素を含有した場合、負極性
の現像バイアスが用いられる。

【００４４】第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族元素としては
、それぞれＢ元素やＰ元素が共有結合性に優れて半導体
特性を敏感に変え得る点で、その上優れた注入阻止能並
びに光感度が得られるという点で望ましい。

【００４５】上記キャリア注入阻止層１４には酸素及び
／又は窒素の各元素合計含有量が０．０１〜３０原子％
の範囲内で含有させた場合、透光性導電層６からのキャ
リアの注入を更に一層阻止することができるとともに、
その層６に対する密着力も一段と高めることができる。

【００４６】また上記キャリア注入阻止層１４の厚みは
０．０１〜５μｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内が
よく、これにより、必要な絶縁耐圧が確保し易く、また
この層での露光の不必要な吸収を抑制して光導電層にお
いて光キャリアを有効に生成でき、しかも、残留電位の
上昇を抑制することができる。

【００４７】次に実施例を個々詳述する。

【００４８】（例１）透明な円筒状ガラス基板の周面に
、透光性導電層としてＩＴＯ層を活性反応蒸着法により
１０００Åの厚みで形成し、次いでその上に容量結合型
グロー放電分解装置を用いて表１の成膜条件によりａ−
Ｓｉ注入阻止層、光導電層の第１の層と第２の層、ａ−
ＳｉＣ表面高抵抗層を順次積層して、感光体Ａを作製し
た。

【００４９】

【表１】

【００５０】この感光体Ａについて、５０μＷ／ｃｍ２
　の光強度に対する光導電性σｐ　並びにσｄ　を測定
したところ、表１に示す通りの結果が得られた。

【００５１】かくして得られた感光体Ａにおいては、ａ
−Ｓｉ注入阻止層がＩＴＯ層との密着性に優れ、膜の剥
がれが生じなかった。また、この感光体Ａを図１に示す
ような画像形成装置に装着し、そして、スリーブ９と透
光性導電層６との間に＋１００Ｖの電圧を印加しながら
、波長６６０ｎｍ、露光量０．６μＷ／ｃｍ２　の条件
で画像露光を行い、感光体上にトナー像を形成し、その
トナー像を記録紙に転写し、熱定着を行って画像を得た
。この画像を評価したところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像
濃度を有し、バックのカブリのない解像度の良好な画像
であった。

【００５２】また、感光体Ａの画像評価に際し、露光光
源に波長７４０ｎｍの長波長光のＬＥＤヘッドを用いて
露光光量０．５μＷ／ｃｍ２　の条件で画像露光を行っ
たところ、同様に画像濃度、バックのカブリ、解像度と
もに良好な画像が得られ、長波長側の光に対しても高い
光感度を有していた。

【００５３】（例２）（例１）の感光体作製に当たって
、表１に示す各層に代えて表２に示す成膜条件によりａ
−Ｓｉ注入阻止層、第１の層、第２の層、ａ−ＳｉＣ表
面高抵抗層を順次形成し、その他は（例１）と同じ条件
により作製して感光体Ｂを作った。

【００５４】

【表２】

【００５５】かくして得られた感光体Ｂの光導電率σｐ
　と暗導電率σｄ　を（例１）と同様に測定したところ
、表２に示す通りの結果が得られ、また、膜の剥がれが
生じなかった。次にこの感光体Ｂを（例１）　と同様に
画像形成装置に装着し、同一条件で画像露光を行い、感
光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転
写し、熱定着を行って画像を得た。この画像を評価した
ところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像濃度を有し、バックの
カブリのない、解像度の良好な画像であった。

【００５６】また（例１）　と同様に、露光光源に波長
７４０ｎｍの長波長光のＬＥＤヘッドを用いて露光光量
０．５μＷ／ｃｍ２　の条件で画像露光を行ったところ
、十分な画像濃度が得られず、バックのカブリ、解像度
も良くない画像となり、ａ−ＳｉＧｅから成る第１の光
導電層を用いた場合に比べて、長波長側の光感度が劣っ
ていた。

【００５７】（例３）次に本発明者等は（例１）の感光
体Ａを作製するに当たり、第１の層と第２の層の成膜に
おける各ガスの流量、ガス圧、ＲＦ電力などの条件を変
えて各層の光導電率σｐ　（露光条件：６６０ｎｍ、５
０μＷ／ｃｍ２　）並びに暗導電率σｄ　を表３に示す
ように変え、これによって感光体Ｃ〜Ｍを作製し、そし
て、各感光体の画像濃度、バックのカブリ及び解像度を
測定したところ、表３に示す通りの結果が得られた。

【００５８】

【表３】

【００５９】同表中に示す各種評価結果はいずれも◎印
、○印及び△印の３種類に区分しており、いずれも◎印
は非常に良好な評価が得られた場合であり、○印は実用
上何等支障がない位にやや良好な評価が得られた場合で
あり、また△印はやや劣って実用上問題がある場合であ
る。

【００６０】表３に示す結果より本発明の感光体Ｄ、Ｅ
、Ｇ、Ｈ、Ｊ、Ｋにおいては、画像濃度、バックのカブ
リ、解像度のいずれの特性も優れていることが判る。

【００６１】（例４）透明な円筒状ガラス基板の周面に
、透光性導電層としてＩＴＯ層を活性反応蒸着法により
１０００Åの厚みで形成し、次いでその上に容量結合型
グロー放電分解装置を用いて表４の成膜条件によりａ−
Ｓｉ注入阻止層、光導電層の第１の層と第２の層、ａ−
ＳｉＣ表面絶縁層を順次積層して、感光体Ｎを作製した
。

【００６２】

【表４】

【００６３】この感光体Ａについて、５０μＷ／ｃｍ２
　の光強度に対する光導電性σｐ　並びにσｄ　を測定
したところ、表４に示す通りの結果が得られた。

【００６４】かくして得られた感光体Ｎにおいては、ａ
−Ｓｉ注入阻止層がＩＴＯ層との密着性に優れ、膜の剥
がれが生じなかった。また、この感光体Ｎを図１に示す
ような画像形成装置に装着し、そして、スリーブ９と透
光性導電層６との間に＋１００Ｖの電圧を印加しながら
、波長６６０ｎｍ、露光量０．６μＷ／ｃｍ２　の条件
で画像露光を行い、感光体上にトナー像を形成し、その
トナー像を記録紙に転写し、熱定着を行って画像を得た
。この画像を評価したところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像
濃度を有し、バックのカブリのない解像度の良好な画像
であった。

【００６５】また、感光体Ｎの画像評価に際し、露光光
源に波長７４０ｎｍの長波長光のＬＥＤヘッドを用いて
露光光量０．５μＷ／ｃｍ２　の条件で画像露光を行っ
たところ、同様に画像濃度、バックのカブリ、解像度と
もに良好な画像が得られ、長波長側の光に対しても高い
光感度を有していた。

【００６６】（例５）（例４）の感光体作製に当たって
、表４に示す各層に代えて表５に示す成膜条件によりａ
−Ｓｉ注入阻止層、第１の層、第２の層、ａ−ＳｉＣ表
面絶縁層を順次形成し、その他は（例４）と同じ条件に
より作製して感光体Ｏを作った。

【００６７】

【表５】

【００６８】かくして得られた感光体Ｏの光導電率σｐ
　と暗導電率σｄ　を（例４）と同様に測定したところ
、表５に示す通りの結果が得られ、また、膜の剥がれが
生じなかった。次にこの感光体Ｏを（例４）　と同様に
画像形成装置に装着し、同一条件で画像露光を行い、感
光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転
写し、熱定着を行って画像を得た。この画像を評価した
ところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像濃度を有し、バックの
カブリのない、解像度の良好な画像であった。

【００６９】また（例４）　と同様に、露光光源に波長
７４０ｎｍの長波長光のＬＥＤヘッドを用いて露光光量
０．５μＷ／ｃｍ２　の条件で画像露光を行ったところ
、十分な画像濃度が得られず、バックのカブリ、解像度
も良くない画像となり、ａ−ＳｉＧｅから成る第１の光
導電層を用いた場合に比べて、長波長側の光感度が劣っ
ていた。

【００７０】（例６）次に本発明者等は（例４）の感光
体Ｎを作製するに当たり、第１の層と第２の層の成膜に
おける各ガスの流量、ガス圧、ＲＦ電力などの条件を変
えて各層の光導電率σｐ　（露光条件：６６０ｎｍ、５
０μＷ／ｃｍ２　）並びに暗導電率σｄ　を表６に示す
ように変え、これによって感光体Ｐ〜Ｚを作製し、そし
て、各感光体の画像濃度、バックのカブリ及び解像度を
測定したところ、表６に示す通りの結果が得られた。

【００７１】

【表６】

【００７２】同表中に示す各種評価結果はいずれも◎印
、○印及び△印の３種類に区分しており、いずれも◎印
は非常に良好な評価が得られた場合であり、○印は実用
上何等支障がない位にやや良好な評価が得られた場合で
あり、また△印はやや劣って実用上問題がある場合であ
る。

【００７３】表６に示す結果より本発明の感光体Ｑ、Ｒ
、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘにおいては、画像濃度、バックのカブ
リ、解像度のいずれの特性も優れていることが判る。

【００７４】

【発明の効果】以上の通り、本発明の画像形成装置によ
れば、光導電層を機能の異なる２層により形成したこと
によって高い光感度を得ることができ、しかも、そのう
ちの一層にａ−ＳｉＧｅ層を用いたことによって長波長
光に光感度が顕著に高くなり、これによって発光出力や
発光効率が高く、かつ価格も安価な長波長発光のＬＥＤ
を使用したＬＥＤヘッドを用いることができ、また半導
体レーザなどの長波長光の発光光源を用いる場合にも有
利となる。

【００７５】また本発明によれば、光導電層の上に表面
層を積層して耐磨耗性及び耐環境性を高めるとともに、
キャリア注入阻止層を形成して光感度や絶縁耐圧や感光
体層の密着性を高めた画像形成装置を提供することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる電子写真方法を示す模式図であ
る。

【図２】感光体の働きを表す模式図である。

【図３】感光体の層構成を表す断面図である。

【図４】感光体の層構成を表す断面図である。

【図５】感光体の層構成を表す断面図である。

【図６】感光体の層構成を表す断面図である。

【符号の説明】

１　　　　感光体２　　　　ＬＥＤヘッド３　　　　現像器４　　　　転写ローラ６　　　　透光性導電層７　　　　光導電層７ａ　　第１の層７ｂ　　第２の層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性支持体上に透光性導電層を形成し、
該透光性導電層の上に５０μＷ／ｃｍ２　の光強度に対
する光導電率が１０−７（Ω・ｃｍ）　−１以上である
アモルファスシリコンゲルマニウム系第１の光導電層と
、暗導電率が１０−９（Ω・ｃｍ　）−１以下であると
ともに上記アモルファスシリコンゲルマニウム系第１の
光導電層の暗導電率に比べて１０分の１以下であるアモ
ルファスシリコン系第２の光導電層とを順次積層して成
る感光体と、該感光体の上記第２の光導電層側に現像手
段を配設するとともに、上記感光体に現像剤による画像
を形成させるべく上記透光性支持体側から照射する光源
とから成る画像形成装置。