JPS63128173A - マグネトロン型タ−ゲツトカソ−ド装置 - Google Patents
マグネトロン型タ−ゲツトカソ−ド装置Info
- Publication number
- JPS63128173A JPS63128173A JP27344886A JP27344886A JPS63128173A JP S63128173 A JPS63128173 A JP S63128173A JP 27344886 A JP27344886 A JP 27344886A JP 27344886 A JP27344886 A JP 27344886A JP S63128173 A JPS63128173 A JP S63128173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thickness
- backing plate
- sputtered
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、カソード本体上に、マグネットと、その上に
バッキングプレートに固定されたターゲットとを備えた
スパッタリング用のマグネトロン型ターゲットカソード
装置に関する。
バッキングプレートに固定されたターゲットとを備えた
スパッタリング用のマグネトロン型ターゲットカソード
装置に関する。
この種のスパッタ装置においては、スパッタリングに際
して、ターゲットは主として電界と磁界とが直交する。
して、ターゲットは主として電界と磁界とが直交する。
いわゆるエロージョン領域において最も激しくスパッタ
リングされるため、局所的な浸食が進行する。従って、
ターゲット自体の使用寿命はエロージョン領域の最も浸
食の激しい領域で制約を受けることになり、ターゲツト
材の使用効率は著しく悪いものであった。
リングされるため、局所的な浸食が進行する。従って、
ターゲット自体の使用寿命はエロージョン領域の最も浸
食の激しい領域で制約を受けることになり、ターゲツト
材の使用効率は著しく悪いものであった。
従来、このような難点を解消するために、例えば第２図
の模式的断面図に示すように、カソード本体ｌの上に、
マグネット２とその上にバッキングプレート３に固定さ
れたターゲットを備えたターゲットカソード装置におい
て、ターゲットをエロージョン領域のターゲット部分４
−１とそれ以外の領域のターゲット部分４−２とに分割
した。タイプのものが提案されている。これによれば、
必要に応じて浸食の激しいエロージョン領域のターゲッ
ト部分４−１のみを新品と交換することにより、比較的
効率の良いターゲットの使用が可能となる。
の模式的断面図に示すように、カソード本体ｌの上に、
マグネット２とその上にバッキングプレート３に固定さ
れたターゲットを備えたターゲットカソード装置におい
て、ターゲットをエロージョン領域のターゲット部分４
−１とそれ以外の領域のターゲット部分４−２とに分割
した。タイプのものが提案されている。これによれば、
必要に応じて浸食の激しいエロージョン領域のターゲッ
ト部分４−１のみを新品と交換することにより、比較的
効率の良いターゲットの使用が可能となる。
しかしこの場合でも、交換までのターゲットの寿命自体
は何ら改善されないし、ターゲットの分別項界面から、
ターゲットをバッキングプレートに固着したときのボン
ディング材料がターゲット表面にしみだしてきてスパッ
タリングされたり、バッキングプレート自体がスパッタ
リングされる可能性もあり、異種材料がスパッタ膜に不
純物として混合し膜が汚染される恐れがでてくる。
は何ら改善されないし、ターゲットの分別項界面から、
ターゲットをバッキングプレートに固着したときのボン
ディング材料がターゲット表面にしみだしてきてスパッ
タリングされたり、バッキングプレート自体がスパッタ
リングされる可能性もあり、異種材料がスパッタ膜に不
純物として混合し膜が汚染される恐れがでてくる。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、タ
ーゲット自体の寿命が長く、スパッタ膜への不純物の混
合がなくて、品質の良い膜を安定して形成できるマグネ
トロン型ターゲットカソード装置を提供することを目的
とする。
ーゲット自体の寿命が長く、スパッタ膜への不純物の混
合がなくて、品質の良い膜を安定して形成できるマグネ
トロン型ターゲットカソード装置を提供することを目的
とする。
本発明の目的は、カソード本体上にマグネットと、その
上にバッキングプレートに固定されたターゲットを備え
てなるマグネトロン型ターゲットカソード装置のターゲ
ットのエロージョン領域の部分の厚みをその他の部分の
厚みよりも厚くすることによって達成される。
上にバッキングプレートに固定されたターゲットを備え
てなるマグネトロン型ターゲットカソード装置のターゲ
ットのエロージョン領域の部分の厚みをその他の部分の
厚みよりも厚くすることによって達成される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式的断面図であって
、カソード本体ｌ上にマグネット２が配置されており、
その上にバッキングプレート３にボンディング材５によ
り固着されたターゲット４が配設されている。ターゲッ
ト４は分割されず一体で構成されており、そのエロージ
ョン領域Ａの部分の摩みがその他のＢの部分より厚く構
成されており、その分、長期間ターゲットを継続使用で
きることになり長寿命となる。
、カソード本体ｌ上にマグネット２が配置されており、
その上にバッキングプレート３にボンディング材５によ
り固着されたターゲット４が配設されている。ターゲッ
ト４は分割されず一体で構成されており、そのエロージ
ョン領域Ａの部分の摩みがその他のＢの部分より厚く構
成されており、その分、長期間ターゲットを継続使用で
きることになり長寿命となる。
また、ターゲット４が分割されていないので、バッキン
グプレート３やボンディング材５がスパッタリングされ
て、形成されるスパッタ膜に不純物として混入し、膜を
汚染することもない。
グプレート３やボンディング材５がスパッタリングされ
て、形成されるスパッタ膜に不純物として混入し、膜を
汚染することもない。
さらに、二ローション領域Ａではターゲット４の厚みが
増した分だけバッキングプレート３の厚みがその他の領
域Ｂの部分より薄くなり、通常バッキングプレートの背
面から行われているターゲットの水冷却の、二ローショ
ン領域Ａでの冷却効率が向上するという利点も生じてく
る。
増した分だけバッキングプレート３の厚みがその他の領
域Ｂの部分より薄くなり、通常バッキングプレートの背
面から行われているターゲットの水冷却の、二ローショ
ン領域Ａでの冷却効率が向上するという利点も生じてく
る。
第３図は本発明の他の実施例を示す模式的断面図であっ
て、第１図に示した実施例と異なるところは、バッキン
グプレートが分割されて、二ローション領域Ａの部分は
非磁性体材料で、その他の領域Ｂの部分は磁性体材料で
構成され、かつ、エロージョン領域へのターゲットの表
面に磁性体ヨークが設置されている点である。このよう
な構成とすることにより、特にターゲット材料が磁性体
の場合でも、スパッタリングが効率良く行われて有効で
ある。
て、第１図に示した実施例と異なるところは、バッキン
グプレートが分割されて、二ローション領域Ａの部分は
非磁性体材料で、その他の領域Ｂの部分は磁性体材料で
構成され、かつ、エロージョン領域へのターゲットの表
面に磁性体ヨークが設置されている点である。このよう
な構成とすることにより、特にターゲット材料が磁性体
の場合でも、スパッタリングが効率良く行われて有効で
ある。
本発明によれば、ターゲットのエロージョン領域の部分
を厚くすることによりターゲットの使用寿命を長くする
。しかも、ターゲットは分割されることなく一体だから
、ターゲットをバッキングプレートに固着するボンディ
ング材やバッキングプレート自体がスパッタリングされ
ることはないので、これらの不純物によりスパッタ膜が
汚染されることがなく、良質な膜が安定して得られる。
を厚くすることによりターゲットの使用寿命を長くする
。しかも、ターゲットは分割されることなく一体だから
、ターゲットをバッキングプレートに固着するボンディ
ング材やバッキングプレート自体がスパッタリングされ
ることはないので、これらの不純物によりスパッタ膜が
汚染されることがなく、良質な膜が安定して得られる。
さらに、エロージョン領域の部分のターゲットが厚くな
る分だけその部分のバッキングプレートが薄くなるので
、ターゲットの冷却効率が良くなり、スパッタリングの
パワーを高め、スパッタの効率を向上させることができ
、長寿命で性能の優れたマグネトロン型ターゲットカソ
ード装置となる。
る分だけその部分のバッキングプレートが薄くなるので
、ターゲットの冷却効率が良くなり、スパッタリングの
パワーを高め、スパッタの効率を向上させることができ
、長寿命で性能の優れたマグネトロン型ターゲットカソ
ード装置となる。
第１図は本発明の装置の一実施例、第２図は従来例、第
３図は本発明の他の実施例をそれぞれ示す模式的断面図
である。 １ カソード本体、２ マグネット、３ バッキングプ
レート、４ ターゲット、５ ボンディング材。
３図は本発明の他の実施例をそれぞれ示す模式的断面図
である。 １ カソード本体、２ マグネット、３ バッキングプ
レート、４ ターゲット、５ ボンディング材。
Claims (1)
- １）カソード本体上にマグネットと該マグネット上にバ
ッキングプレートに固定されたターゲットとを備えてな
るマグネトロン型ターゲットカソード装置において、前
記ターゲットのエロージョン領域の部分の厚みをその他
の領域の部分の厚みよりも厚くしたことを特徴とするマ
グネトロン型ターゲットカソード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27344886A JPS63128173A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | マグネトロン型タ−ゲツトカソ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27344886A JPS63128173A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | マグネトロン型タ−ゲツトカソ−ド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128173A true JPS63128173A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17528049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27344886A Pending JPS63128173A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | マグネトロン型タ−ゲツトカソ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336386A (en) * | 1991-01-28 | 1994-08-09 | Materials Research Corporation | Target for cathode sputtering |
| US20130146442A1 (en) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | Intermolecular, Inc. | Profiled sputter target |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27344886A patent/JPS63128173A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5336386A (en) * | 1991-01-28 | 1994-08-09 | Materials Research Corporation | Target for cathode sputtering |
| US20130146442A1 (en) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | Intermolecular, Inc. | Profiled sputter target |
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