JPS63128644A - 半導体装置のオプシヨン切換回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分計〕 この発明は半導体装置に属するオプション切換回路に関
するものである。

〔従来の技術〕

＠４図及び＠６図は従来の半導体オプション切換回路で
あり、＠４図ＩＣおいて、（１）、（２）はオプション
・スイッチ用のｎチャネルＭＯＳ　トランジスタ（ｎ　
−ＭＯＳＴ　）　、　（３）はＣＭＯＳＴからなるバン
ファである。

第ｚ図はクロンク同期形ダイナミック回路であるが、（
４）　、　（５）はオプシ”；１７−Ｘインチ用のｎ−
ＭＯＳＴ。

（６ａ）　〜（６ｆ）は入力用ＭＯＳＴ、　＋７）はプ
リチャージ用ＭＯＳＴ、　（８）はディスチャージ用Ｍ
ＯＳＴである。

次に動作について説明する。（１）　、　＋２）は通常
はエンハンスメントｎ−ＭＯＳＴであり１回路的にはＯ
ＦＦ’状態にあるが、　ＭＯＳＴ（１）又は（２）のい
づれ力）一方にウェーハプロセス中のチャネルドープ工
程においてリンイオンを注入することでデプレッション
・ＭＯＳＴ　＋形成させることによって、そのＭＯＳＴ
はソース・ドＶイン間が電気的に通電し出力にｌｏｌ又
は′１＃が出力される。＠４図の場合ＭＯＳＴ　（１）
をデプレッション形にすると出力は＃０＃　、　ＭＯＳ
Ｔ　＋２）の場合は出力は１１′である。＠６図の場合
も上記と同様ｓｃ　ＭＯＳＴ　（４）をデプレッション
形Ｉζすると。

Ａ　−Ｘ’−Ｃ−Ｄが出力され、ＭＯＳＴ　＋５）の場
合Ｂ−Ｘ◆Ｃ−Ｄが出力される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のオプション切換回路は以上のように構成新たに９
エバープロセスを投入しなければならず。

多大な出費と時間がかかるなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、異なったオプション回路を得るために、新た
に９工ｔＸ−プロセスを実施したり。

別のマスクを作成することなく、異なったオプションの
選択ができる切換回路を得ることを目的とする。

ゲート電圧が供給される２つのＭＯＳＴの一方の属する
回路の配線を切断することによって２つのオプションの
一方を選ぶようにしたものである。

〔作用〕

この発明におけるオプション切換回路では、共通のゲー
ト電圧が供給される２つのＭＯＳＴ　ｆこついて、一方
のＭＯＳＴ回路を断にすることによって。

ウェハープロセスに複雑な工程を必要とせず、出来上っ
たチップについてオプションの切換ができる。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明す変更部分
、　（１０ａ）　、　（１０ｂ）はレーザで切断する部
分でアル。第２図はパターン・レイアウト変更部分（９
）を詳細に示した図であり、Ｑ］）はアルミニ９ム（ア
ルミ）配線、＠はコンタク）、Ｑ３はｎ４形拡散である
。

パターン・レイアウト変更部分（９）はレーザー・カン
トできるようにアルミ配線につなぎかえた例である。そ
の他、従来例と同一符号は同等部分を示す。

例えば、チャネルドープ工程でｎ−ＭＯＳＴ　（１）を
デプレッション形とした場合、出力はＩＱＩであるが部
分（１０ａ）をレーザー・カッターで切断した場合。

エンハンスメントｎ　−ＭＯＳＴ　（２）　（Ｄノース
・ドレイン間のリーク電流でＣＭＯＳＴからなるインバ
ータ（３）のｐ−ＭＯＳＴ側をＯＮさせることができ、
出力はＩＩＩとなる。つまり、ワエハープロセスで得ら
れたものとは逆のオプションが得られたことになる。

上記と逆の場合は１部分（ｌｏｂ）を切断することで。

ｎ　−ＭＯＳＴ　（１）のリーク電流により、ＣＭＯＳ
Ｔからなるインバータ（３）のｎ−ＭＯＳＴ側をＯＮさ
せることができ。

出力は＃０１となる。この場合レーザーで切断するのは
アルミ配縁が最もよい。

同様に他の実施例を以下１こ説明する。１ｇ３図は従来
型の＠６図に付加回路をつけ、パターン・レイアウトも
変更したものであり、（２）はｎ−ＭＯＳＴ。

（１５ａ）　、　（１５ｂ）　、　（１５ｃ）はレーザ
ーで切断する部分であり、アルミ配線でなければならな
い。

第３図の場合はクロンク同期形ダイナミック回路である
が１例えばｎ　−ＭＯＳＴ　（４）　’ｉｔデグレツシ
ョン形とした場合出力はＡ　−Ｘ＋Ｃ−Ｄであるが１部
分（１５ａ）と（１５ｂ）との切断によりｎ　−ＭＯＳ
Ｔ　ａ４）のノース−ドレイン間のリーク電流でｎ−Ｍ
ＯＳＴ（５１をＯＮさせることができ、出力はＢ　−ｘ
＋ｃ−Ｄとなり異なったオプションが選択できる。同様
に１部分（１５ａ）と（１５ｃ）との切断により出力は
Ａ−ＸヰＣ−Ｄになる。

又、このような回路はＰＬＡ回路にも使用できる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、半導体装置のオプシ
ョン切換がマスク変更や新たにウニへ−プロセス投入す
ることなく可能になるので、ＬＳＩ評価やサンプル出荷
が安価にでき、大幅な時間削減が可能である。

【図面の簡単な説明】

＠１図はこの発明の一実施例によるオプション切換回路
を示す回路図、第２図はその要部詳細パターン図、第３
図はこの発明の他の実施例を示す回路図、第４図は従来
のオプション切換回路の一例を示す回路図、第５図はそ
の等価回路図、＠６図は他の従来例を示す回路図、＄７
図はその等価回路図である。 図において、　（１）　、　１２１はオプション切換用
の２つのＭＯＳＴ　、　（４）　、　（５）はオプショ
ン切換用の２つのＭＯＳＴ　、　　（１０ａ）、　（ｌ
ｏｂ）、　（１５ａ）、　（１５ｃ）は配線切断部分で
ある。 なお１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）共通のゲート電圧が与えられる２つのＭＯＳトラ
   ンジスタの一方をオフ（ＯＦＦ）状態に他方をオン（Ｏ
   Ｎ）状態にして２つのオプションの間の切換えを行うも
   のにおいて、 上記２つのＭＯＳトランジスタの回路にそれぞれ配線切
   断可能部分を設け、一方の上記ＭＯＳトランジスタの属
   する回路の配線を切断して当該ＭＯＳトランジスタをＯ
   ＦＦ状態にするようにしたことを特徴とする半導体装置
   のオプション切換回路。