JPS63135965U - - Google Patents

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JPS63135965U
JPS63135965U JP2926287U JP2926287U JPS63135965U JP S63135965 U JPS63135965 U JP S63135965U JP 2926287 U JP2926287 U JP 2926287U JP 2926287 U JP2926287 U JP 2926287U JP S63135965 U JPS63135965 U JP S63135965U
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tungsten carbide
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
図面は本考案の実施例を示すもので、第1図は
低温CVD装置の全体構成図、第2図・第5図・
第8図は夫々遮断部材の底板の平面図、第3図・
第6図・第9図は夫々遮蔽部材のカバー部材の平
面図、第4図・第7図・第10図は夫々遮蔽部材
のカバー部材の断面図、第11図は遮蔽部材と機
械部品の拡大断面図、第12図は底板とプラグの
要部拡大断面図、第13図は変形例に係る第11
図相当図である。 1……レトルト、2……ガス供給系、3……ガ
ス排出系、10〜12……遮蔽部材、10A〜1
2A……底板、10B〜12B……カバー部材、
34……嵌合孔、W……機械部品、h……筒孔。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) タングステンカーバイト層形成のための原
    料ガスを供給する原料ガス供給系と、原料ガス供
    給系から原料ガスの供給を受けて被処理物に化学
    蒸着を施す反応炉と、反応炉内のガスを排出する
    ガス排出系とを備えたタングステンカーバイト層
    を形成する処理装置において、 上記反応炉内に、筒状の被処理物を着脱可能に
    保持し且つ被処理物の外周面を覆う遮蔽部材を原
    料ガスの流動方向に交差させて隔壁状に設け、 上記遮蔽部材に被処理物の筒孔内へ原料ガスを
    導入可能に被処理部材が内嵌される嵌合孔を設け
    たことを特徴とするタングステンカーバイト層を
    形成する処理装置。 (2) 上記遮蔽部材が原料ガスの流動方向に所定
    間隔あけて複数段設けられている実用新案登録請
    求の範囲第1項に記載のタングステンカーバイト
    層を形成する処理装置。 (3) 上記原料ガス供給系の原料ガス供給管が反
    応炉内へ複数本導入され、各遮蔽部材の下方に各
    原料ガス供給管が開端している実用新案登録請求
    の範囲第2項に記載のタングステンカーバイト層
    を形成する処理装置。
JP2926287U 1987-02-28 1987-02-28 タングステンカ−バイト層を形成する処理装置 Expired - Lifetime JPH0623564Y2 (ja)

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JPS63135965U true JPS63135965U (ja) 1988-09-07
JPH0623564Y2 JPH0623564Y2 (ja) 1994-06-22

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JPH0623564Y2 (ja) 1994-06-22

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