JPS63140618U - - Google Patents

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JPS63140618U
JPS63140618U JP3252287U JP3252287U JPS63140618U JP S63140618 U JPS63140618 U JP S63140618U JP 3252287 U JP3252287 U JP 3252287U JP 3252287 U JP3252287 U JP 3252287U JP S63140618 U JPS63140618 U JP S63140618U
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JP
Japan
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group
gas
vapor phase
epitaxial growth
phase epitaxial
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JP3252287U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による気相エピタキシヤル成長
装置の構成概要図、第2図は従来の気相エピタキ
シヤル成長装置の構成概要図である。 1……ボンベ、2……H2精製装置、3……ガ
ス供給パネル、4……ボンベ、5A,5B,5C
……マス・フロー・コントローラー(MFC)、
6……バブラー、7……成長室、8……反応管、
9……サセプタ、10……基板、11……排気部
、12……廃ガス処理装置、13A,13B……
フアン、14……フイルター、15……ブリード
ライン、16……ボンベ、17……配管、18A
,18B……バルブ、19……シヤフト、20…
…逆止弁。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 族原料に有機金属ガス、V族原料にV族の水
    素化物を用いて、半導体基板上に、―V族化合
    物半導体結晶を気相エピタキシヤル成長させる装
    置において、キヤリアガスとして用いるH2ガス
    を、前記結晶成長を行なつた後乾式廃ガス処理装
    置を通過させ、更にH2精製装置に送つて再使用
    することを特徴とする気相エピタキシヤル成長装
    置。
JP3252287U 1987-03-05 1987-03-05 Pending JPS63140618U (ja)

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JP3252287U JPS63140618U (ja) 1987-03-05 1987-03-05

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JP3252287U JPS63140618U (ja) 1987-03-05 1987-03-05

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JPS63140618U true JPS63140618U (ja) 1988-09-16

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ID=30839275

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JP3252287U Pending JPS63140618U (ja) 1987-03-05 1987-03-05

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