JPS63144342A - ドライフイルムフオトレジスト - Google Patents

ドライフイルムフオトレジスト

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JPS63144342A
JPS63144342A JP29150386A JP29150386A JPS63144342A JP S63144342 A JPS63144342 A JP S63144342A JP 29150386 A JP29150386 A JP 29150386A JP 29150386 A JP29150386 A JP 29150386A JP S63144342 A JPS63144342 A JP S63144342A
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JP
Japan
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dry film
layer
carbon atoms
molecule
formulas
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Pending
Application number
JP29150386A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Goto
後藤 義隆
Toshiya Yazawa
矢沢 俊也
Akio Hayashi
昭男 林
Masaharu Nakayama
中山 雅陽
Mamoru Shimizu
守 清水
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NOF Corp
Original Assignee
Nippon Oil and Fats Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プリント回路昨友の際に使用されるドライフ
ィルムフォトレジストK B4i3するものであり、さ
らに詳しく述べると、可視光レーザーにより、中間マス
クを使用せずに回路パターンを直接描画するために用い
るドライフィルムフォトンシストに関するものである。
〔従来技術〕
ドライフィルムフォトレジストはプリント回路板、例え
ば銅張積層板に第1I−をはがしたドライフィルムフォ
トレジストを熱圧着し、回路パターンの中間マスクを密
音して紫外光源にて露光後、が残存するので、これを耐
酸性レジストとして、(Jiエッチャントにより基板を
エツチングすること((より所望のプリント配線回路板
を得ることができる(林信行、鍜治誠;熱硬化性樹脂、
6t1)14(i985))。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ドライフィルムフォトレジストによるプリント回路作製
は、スクリーン印刷法により作製された回路パターンに
比べて高密度な配線が得られるものの、中間マスクと1
で光層の間(て高分子フィルム層が存在するため、ある
一定限度以上、例えば、100μmよりも細い配線パタ
ーンを得ることが離しい。そのため高分子フィルム層を
従来より薄(することにより改善を図っている例もある
が、これにも限界があり、さらICより高′8!度プリ
ント回路板の要求に充分満足させ得る方法とはなってい
ない。
さらにもう一つの問題としては、近年、配線回路が複雑
化することにより、コンピューターを用いた回路設計シ
ステム、いわゆるCADまたはCAMという名称で当該
業界で知られたシステムが用いられてきているが、この
出力を一度銀塩フイルムに露光し中間マスクを作製した
後、ドライフィルムに密着し改めて紫外線露光を行なっ
ている。
上記工程において中間マスク炸裂なせずに直接CADの
出力をドライフィルムレジストに短時間で行なうことが
できれば、プリント回路板の製造工種を大巾に短縮する
ことができ、かつ中間マスクに用いられる高価な銀塩フ
ィルムが不要となり経済的に有利である。
以上大きく2つの問題点を解決するために用いられる最
良の方法としては、設計された回路パターンを1次元の
時系列信号とし、細く絞ったレーザービームによりドラ
イフィルムレジストに直接高速で描画するシステムがあ
る。レーザービームは集光性が高く、高速走査が可能な
ため、従来方法に比べて格段に高密度の回路パターンを
作製できる。また、回路パターンの一部分を修正する場
合もこの方式を用いること)℃より極めて迅速に処理す
ることが可能となる。ここで使用されるレーザーは例え
ばアルゴンイオンレーザ−、ヘリウム−ネオンレーザ−
、ヘリウム−カドミウムレーザー、半導体レーザーなど
の可視光全損レーザーが装置上適しているが、このよう
な可視光レーザーの高速走査露光に充分対応できる感光
りを有するドライフィルムフォトレジストは、当該業界
の強い要望にもかかわらず、従来から得られていない。
本発明は、可視光レーザーの高速走査露光ンこ対して充
分な18度を有し、かつ金属基板との接着性や耐エツチ
ング性にも優れたドライフィルムフォトレジストを得る
ことを目的として〜・る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、柔軟性を有する3層の横1体からなり、その
第1゛脅および第3.′#が透明な鳩分子フィルムであ
り、第2層が下記に示す(i)〜(■)成分を含有する
感光層であることを′4徴とするドライフィルムフォト
レジストを提供するものである。
(i)酸価50〜300であり、分子量が10000〜
500000の高分子重合体 (i1)付加重合可能なエチレン性不自担二重Vj会を
分子中に2個以上有する単量体 曲1 f3− 予肉にベンゼン骨格また71ベン/フエ
ノン骨格を有する有機過峨エステル化合物 ;ψ下肥一般式(i)〜(i)で示される有機染料化合
物のR,0 (R+は炭素a1〜4のアルキル基を表わす〕(Rsは
炭素数1〜4のアルキル基を表わす〕本発明に用いる(
i)酸価50〜300で、分子量10000〜5000
00の高分子重合体とは、ビニル系付加重合型ポリマー
、ポリエステル系。
ポリウレタン系、ポリアミド系等の縮合型ポリマー等で
あり1例えば、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル
酸エステル、マレイン酸、フマル酸、マレイン酸エステ
ル、フマル酸エステル、エチレングリコール、スチレン
、アクリq 二)リル、塩化ビニルなどの共重合体が好
ましい。
この酸価が50より小さいと、露光後の現像処理工程に
おいて現像液として用いる弱アルカリ性水溶液に対して
溶解性が低く、酸化が300より太きVと溶解性が高過
ぎて、・画像部が基板から流去してしまう。
本発明に用いる(i1)付加重合可指なエチレン性不飽
和単量体としては、例えば、ポリエチレングリコールジ
(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ
)アクリレート、1.3−ブタンジオールジ(メタ)ア
クリレート、1.4−ブタンジオールジ(メタ)アクリ
レート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)7クリンー
ト、トリメチルールプロパントリ(メタ)7クリレート
、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペン
タエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラ(メタ)7クリレート等のポリエス
テル(メタ)アクリレートや、エポキシ(メタ)アクリ
レート、ウレタン(メタ)7クリレート等がある。
本発明に用いる曲)有機過酸エステル化合物としては、
10時間半減期温度が70C以上のものが好ましく、た
とえばターシャリイブチルペルオキシベンゾエート、タ
ーシャリイブチルペルオキシメトキシベンゾニート、タ
ーシャリイプチルペルオキシニト2ベンゾエート、ター
シャリイブチルペルオキシエチルベンゾエート、フェニ
ルイソプロビルペルオキシイ/シェード、ジターシャリ
イブチルジベルオキシイン7タレート、トリターシャリ
イブチルトリベルオキシトリメリテート、トリターシャ
リイプチルトリベルオキシトリメシネート、テトラター
シャリイブチルテトラベルオキシピロメリテート、2.
5−ジメチル−2,5−ジ(ベンゾイルペルオキシ)ヘ
キサン、3.3’。
4.41−テトラ〜(ターシャリイプチルペルオ千ジカ
ルボニル)ベンゾフェノン、3.3’、4.4’ −テ
トラ(ターシャリイアミルペルオキシカルボニル)ベン
ゾフェノン、3.3′、4.4′−テトラ(ターシャリ
イへキシルベルオキシカルボニル)ベンゾフェノン等が
ある。
本発明に用いる (i■)有機染料化合物としては下記
(i)式にて示されるメロシアニン系染料、R,0 (R+は炭素数1〜4のアルキル艦を表わす〕下記開式
及び+ff1)式にて示されるチオキサンチン系染料。
(Rsは炭素数1〜4のアルキル基を表わす〕があり、
これら有機染料化合物は凰独でもまた2攬以上を混合し
て用いてもよく、いずれも市販されているものを適宜使
用することができる。
上記各成分の好ましい配合割合は(i)成分100it
没部に対して叩成分lO〜200重量部、011)およ
び(iv)成分はそれぞれ0.1〜30重量部である。
さらに上記各成分のほかに感光層の可塑性及び脆性の調
整のために3〜20重量部の可塑剤を添加してもよい。
この可塑剤としては、例えばジグチルフタレート、グリ
セロールトリアセテート、およびトリメチロールプロパ
ン)IJアセテート等が使用でざる。
また、ドライフィルムフォトレジストの保存安定性を高
めるために感光層に0.01〜5tfit部の重合Q正
則を添加してもよい。この重合禁+h II Kは、通
常曳く用いられるヒドロキノン、ヒドロキノン七ツメチ
ルエーテル等が使用できる。
本発明の感光層は、前記の成分を適当な希釈溶媒に混合
して高分子フィルム上に塗布した後乾燥したものである
ここで希釈溶媒として、例えばイソプμパノール、メチ
ルエチルケトン、トルエン、キシレン、セロソルブなど
がある。
本0発明に用いる高分子フィルムとしては、例えばポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニ
ル、ポリエステルなどのフィルムがあり、その厚さは1
〜200μmが好ましい。
本発明のドライフィルムフォトレジストは、その第1層
に好ましくはポリエチレンフィルムを用い、第3層に好
ましくはポリエチレンフィルム   ゛トフイルムを用
い、第2 ’d K ilさ5〜200μmの前記の感
光層を配置して3僧の積層体とするものである。
〔発明の効果〕
本発明のドライフィルムフォトンシストは高感度であり
、波長400〜7001の可視光レーザーの照射により
嘱めて短時間のうちに光化学反応を起し所定の硬化膜を
与える。この硬化膜は後のエツチング工程において充分
な耐酸性を有し、また最終的に1アルカリ水溶液疋て除
去可能でありフォトレジストとして優れた性能を有して
いる。
〔実施例〕
以下実施例および比vテjにより本発明をさらに詳しく
説明する。なお列中の邦およびチは重量部および重着チ
を示す。
実洩例1゜ 厚さ25μmのポリエチレンテレブタンートフイルム上
に下記組成の感光液を乾燥、kA厚35μmとなるよう
にニーデイングを行ない、乾燥後厚さ20μmのポリエ
チレンフィルムを仮構してドライフィルムフォトレジス
トとした。
(i)アクリル系ポリマー(酸価175)100部30
部 (lii) 3 、3’、 4 、4’−テトラ(ター
シャリイプチルベルオ干ジカルボニル)ベンゾ フェノン               3部(i■)
下記構造の有機染料化合物      1部C2H50 0ヒドロキノン          0.1部Qインプ
ロパツール        200部得られたドライフ
ィルムレジストは、ポリエチレンフィルム層をはがした
後、銅張横層板に100CVCて熱圧着を行なりた。
露光は、出力200fnWのアルゴンイオンレーザ−を
用い、波長488nmの発振線をビーム径25μf′r
LK絞り、5.5 m / seeの速度で走査露光を
行なった。露光後、ポリエチレンテレフタレートフィル
ムをはがし、2%の炭酸ナトリウム水溶液にて30Cで
1分間スプレー現像を行なった。
このようKして得られた硬化レリーフは極めて鮮明かつ
強靭であり、42度ボーメの塩化第二鉄水溶液によるエ
ツチングにおいても何ら損傷が生じなかった。その1l
ilo%カセイソーダ水溶液により硬化レリーフを除去
して新宅のプリント回路基板を得た。
実施例2 実砲例1と同様な方法により下記組成の感光液を用いた
ドライフィルムフォトレジストを作製した。
0アクリル系ポリマー(酸価260)Zoo部Oトリメ
チρ−ルプロパントリアク リ レー )                   
           40 部Oテトラエチレングリ
コールシアク リ レー ト                   
          30 部o3,3’、4.4’−
テトラ(ターシャリイブチルペルオイーシヵルボニル) ベンゾフェノン           3部O下記構造
の有機染料化合物 0、8部 Oヒドロキノン          0.07部Oイソ
プpパノール        200部・メチルエチル
ケトン       200部得られたドライフィルム
フォトレジストを実施例1と同様な方法により銅張積層
板への熱圧着後、出力300fF!Wのアルゴンイオン
レーザ−を用い。
波長488nmの発振線をビーム径25μmに絞り、4
.5 m / 3eeの速度で高速走査露光を行なった
。走査露光後ポリエチレンテレフタレートフィルムをは
がし、1チの炭酸ナトリウム水溶液にて30Cにて1分
間スプレー現:象を行なった。
実施例3゜ 実施例1において有機過酸エステル化合物にジターシャ
リイブチルジペルオキシイソフタレートを3部、有機染
料化合物ぺは下記構造式で示される化合物を1.2部用
いた能は、同様にしてドライフィルムフォトレジストを
作製し、銅張横1板に熱圧着を行なった。
C4H3O ここに、出力250ff!Wのアルゴンイオンレーザ−
を用い、波長488nmの発振線をビーム径25μm1
7絞り、6.5 m / secの速度で高速走査露光
を行なった。1′!光後、実施例1と同様な操作により
現像を行なった。
実施例4゜ 実砲例2において有機過つエステル化合物にトリターシ
ャリイブチルトリペルオキシトリメリテートを4部、有
機染料化合物に下記構造式で示される化合物を1部用い
た他は、同様にしてドライフィルムフォトレジストを作
製し、@張積層板罠熱圧着を行なった。
ここに、出力3oomwのフルゴンイオンンーザーを用
い、波長488nmの発態線をビーム径25μfiK絞
り、  4.2 m / secの速度で高速走査露光
を行なりた。霧光侵、実施l!A2とj同様な操作によ
り現、象を行なった。
実施例5゜ 下記組成の感光液を用いて実施例1と同様な方法により
ドライフィルムフォトレジストを得た。
0ビニル系ポリマー(酸価291)  100部Oテト
ラメチp−ルメタンテトラ アクリレート             70部03.
3’、44’−テトラ(ターシャリイブチルペルオキシ
カルボニル) ペンゾフヱノン          3.5部0下記構
造の有機染料化合物      1部C2H5Q 実施例1と同様な方法により鋼張積層仮に熱圧着を行な
った後、出力200mWのアルゴンイオンレーザ−を用
い、波長488nmの発振線をビーム匝25μfrLK
絞り、6.2 m / seeの速度で走査へ!光を行
なった。露光後、ポリエチレンテレフタレートフィルム
をはがし、1%の炭すナトリウム水溶液にて30Cで1
分間スプレー現激を行なった。
以上、実施例2〜5で得られた硬化し11−7は、いず
れも唖めて鮮明かつ強靭であり、421fボーメの塩化
第二鉄水溶液によるエツチングにおいても何ら損傷が生
じなかった。また、その後10チカセイソーダ水溶液に
より硬化レリーフを除去して所望のプリント回路基板が
得られた。
比較例1.2 実施例1において、(lii)説分または(i■)成分
を除いた組成の感光液を用いて同釆にしてドライフィル
ムフォトレジストを得た。これをアルゴンイオンレーザ
−にて走査露光したところ全く感光しなかった。
比較例3. 4 市販のドライフィルムフォトレジストを21類用意し、
アルゴンイオンレーザ−にて走f:露光したところ全く
感光しなかった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 柔軟性を有する3層の積層体からなり、その第1層およ
    び第3層が透明な高分子フィルムであり、第2層が下記
    に示す(i)〜(iv)成分を含有する感光層であるこ
    とを特徴とするドライフィルムフォトレジスト。 (i)酸価50〜300であり、分子量が10000〜
    500000の高分子重合体 (ii)付加重合可能なエチレン性不飽和二重結合を分
    子中に2個以上有する単量体 (iii)分子内にベンゼン骨格またはベンゾフェノン
    骨格を有する有機過酸エステル化合物 (iv)下記一般式( I )〜(III)で示される有機染
    料化合物のうち少くとも1種類 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔R_1は炭素数1〜4のアルキル基を表わす〕 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔R_2、R_3は炭素数1〜4のアルキル基、R_4
    は炭素数1〜4のアルキレン基を表わす。〕 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔R_5は炭素数1〜4のアルキル基を表わす〕
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