JPS63147660A - 記録装置 - Google Patents
記録装置Info
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- JPS63147660A JPS63147660A JP29475986A JP29475986A JPS63147660A JP S63147660 A JPS63147660 A JP S63147660A JP 29475986 A JP29475986 A JP 29475986A JP 29475986 A JP29475986 A JP 29475986A JP S63147660 A JPS63147660 A JP S63147660A
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- JP
- Japan
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- aperture
- ion flow
- electrode
- recording medium
- aperture electrode
- Prior art date
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/385—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material
- B41J2/41—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material for electrostatic printing
- B41J2/415—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective supply of electric current or selective application of magnetism to a printing or impression-transfer material for electrostatic printing by passing charged particles through a hole or a slit
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン流照射により静電潜像を作成するプ
ロセスを用いた高品質の画像を記録できる記録装置に関
するものである。
ロセスを用いた高品質の画像を記録できる記録装置に関
するものである。
第４図は従来のイオン流制御方式による静電記録装置の
原理図であり、１はコロトロンシールドケース、２はコ
ロナワイヤ、３はコロナイオン、４は上部制御電極とな
る第１の開口電極、６は下部制御電極となる第２の開口
電極、５は開口を有する絶縁体基板、７は前記４，５．
６により構成されるイオン流制御板、８は誘電体層、９
は導電層、１０は前記８，９により構成される記録媒体
、１１は前記記録媒体１０の誘電体層８上にすでに形成
された表面電荷（静電潜像）である。
原理図であり、１はコロトロンシールドケース、２はコ
ロナワイヤ、３はコロナイオン、４は上部制御電極とな
る第１の開口電極、６は下部制御電極となる第２の開口
電極、５は開口を有する絶縁体基板、７は前記４，５．
６により構成されるイオン流制御板、８は誘電体層、９
は導電層、１０は前記８，９により構成される記録媒体
、１１は前記記録媒体１０の誘電体層８上にすでに形成
された表面電荷（静電潜像）である。
Ｅ１〜Ｅ４は電源、ＳＷは切換スイッチを示す。
この種の記録装置においては、第１．第２の開口電極４
または６の電位を制御し、両者間の電位差を制御するこ
とによりコロナワイヤ２からイオン流制御板７の開口部
を通過して記録媒体１０へ向かう。コロナイオン３の通
過量を変化させて記録媒体１０上に任意の静電潜像１１
を形成し、公知の静電記録方法と同様にこの静電潜像１
１をトナーで現像することにより、記録媒体１０上に所
望の可視像を得ることができる。
または６の電位を制御し、両者間の電位差を制御するこ
とによりコロナワイヤ２からイオン流制御板７の開口部
を通過して記録媒体１０へ向かう。コロナイオン３の通
過量を変化させて記録媒体１０上に任意の静電潜像１１
を形成し、公知の静電記録方法と同様にこの静電潜像１
１をトナーで現像することにより、記録媒体１０上に所
望の可視像を得ることができる。
このような記録方法を用いて、実用的な記録装置を構成
する際には記録画素密度、記録速度等の性能を高めるた
め、一般的に第５図のような装置構成とし、イオン流制
御板７上にイオン流を通過させるための開口部を、例え
ば４列に２次元的に配列し、それぞれの開口部において
、例えば第１の開口電極４の電位Ｖ ｌ １＋ Ｖ １
２＋・・・・・・Ｖｔａ・・・・・・を独立に制御する
ことによりそれぞれの開口部におけるイオン流通過量を
変化させ記録を行う。この際記録媒体１０をコロナワイ
ヤ２と垂直方向に移動させながらイオン流の照射を行う
ことによって、イオン流制御板７上の、例えば４列に配
置された開口部より照射されるイオン流は結果として記
録媒体１ｏ上のコロナワイヤ２と平行な方向に１列に合
成されて静電潜像を形成する。
する際には記録画素密度、記録速度等の性能を高めるた
め、一般的に第５図のような装置構成とし、イオン流制
御板７上にイオン流を通過させるための開口部を、例え
ば４列に２次元的に配列し、それぞれの開口部において
、例えば第１の開口電極４の電位Ｖ ｌ １＋ Ｖ １
２＋・・・・・・Ｖｔａ・・・・・・を独立に制御する
ことによりそれぞれの開口部におけるイオン流通過量を
変化させ記録を行う。この際記録媒体１０をコロナワイ
ヤ２と垂直方向に移動させながらイオン流の照射を行う
ことによって、イオン流制御板７上の、例えば４列に配
置された開口部より照射されるイオン流は結果として記
録媒体１ｏ上のコロナワイヤ２と平行な方向に１列に合
成されて静電潜像を形成する。
このため、第２列目以後の開口部からイオン流を照射す
る際には、記録媒体１０上にはその列より前の列の開口
部から照射されたイオン流による表面電荷が記録媒体１
０上のこれからイオンを照射しようとする位置のすぐ近
傍にすでに形成ずみとなって存在することになる。この
表面電荷は、下部制御電極６と記録媒体１０の導電層９
との間に形成ずみのイオン引き込み用の電場の一様性を
乱し、結果として第４図に示すように形成ずみの表面電
荷１１と反発する形でイオン流の照射方向が偏向され、
所望の位置にイオン流の照射を行うことが困難になる。
る際には、記録媒体１０上にはその列より前の列の開口
部から照射されたイオン流による表面電荷が記録媒体１
０上のこれからイオンを照射しようとする位置のすぐ近
傍にすでに形成ずみとなって存在することになる。この
表面電荷は、下部制御電極６と記録媒体１０の導電層９
との間に形成ずみのイオン引き込み用の電場の一様性を
乱し、結果として第４図に示すように形成ずみの表面電
荷１１と反発する形でイオン流の照射方向が偏向され、
所望の位置にイオン流の照射を行うことが困難になる。
このことによって記録媒体１ｏ上の表面電荷１１は不均
一に形成され、得られる画像にむらを生じることとなり
、従来技術の大きな欠点となっていた。（特公昭５９−
４３３１７号公報、「静電印刷用のイオン流変調ボード
」参照。） また、特開昭５５−１５１１５号公報（「静電記録方式
」）には３枚の開口電極構造を有するイオン流制御板を
用いた静電記録方式が開示されているが、これは３枚の
うち中央の平板電極に一定電位を加えておき、第１層、
第３層の電極の電位を両方とも変化させることによフて
初めてイオン流の０Ｎ−ＯＦＦが可能となる方法であり
、２枚の電極のみでイオン流の０Ｎ−ＯＦＦがなされる
この発明とは異なる技術に属する。ちなみに前記方法に
はイオン流照射方向の偏向を防ぐ効巣はなく、記録むら
を生じる欠点を持つ。
一に形成され、得られる画像にむらを生じることとなり
、従来技術の大きな欠点となっていた。（特公昭５９−
４３３１７号公報、「静電印刷用のイオン流変調ボード
」参照。） また、特開昭５５−１５１１５号公報（「静電記録方式
」）には３枚の開口電極構造を有するイオン流制御板を
用いた静電記録方式が開示されているが、これは３枚の
うち中央の平板電極に一定電位を加えておき、第１層、
第３層の電極の電位を両方とも変化させることによフて
初めてイオン流の０Ｎ−ＯＦＦが可能となる方法であり
、２枚の電極のみでイオン流の０Ｎ−ＯＦＦがなされる
この発明とは異なる技術に属する。ちなみに前記方法に
はイオン流照射方向の偏向を防ぐ効巣はなく、記録むら
を生じる欠点を持つ。
また、特開昭６０−１９９６８８号公報（画像記録装置
）、特開昭６０−１９６３６４号公報（イオン発生装置
の製造方法）、特開昭６０−１２０７６８号公報（画像
記録装置）等には２枚ないし３枚の開口電極とそれらに
平行な１枚の開口なしの電極をもつ構造を有するイオン
流照射方式による静電記録方式が開示されている。これ
はイオン発生方法がこの発明と全く異なっており、異な
る技術分野に属するものであるが、前記の理由により同
様にイオン流の照射方向が偏向され記録むらを生じる。
）、特開昭６０−１９６３６４号公報（イオン発生装置
の製造方法）、特開昭６０−１２０７６８号公報（画像
記録装置）等には２枚ないし３枚の開口電極とそれらに
平行な１枚の開口なしの電極をもつ構造を有するイオン
流照射方式による静電記録方式が開示されている。これ
はイオン発生方法がこの発明と全く異なっており、異な
る技術分野に属するものであるが、前記の理由により同
様にイオン流の照射方向が偏向され記録むらを生じる。
この発明の目的は、記録媒体上にすでに形成ずみの静電
潜像の影響を排除して所望の位置にイオン流を照射し、
むらのない高品質の画像を記録できる記録装置を提供す
ることにある。
潜像の影響を排除して所望の位置にイオン流を照射し、
むらのない高品質の画像を記録できる記録装置を提供す
ることにある。
この発明にかかる記録装置は、記録媒体側に設けられた
第２の開口電極の記録媒体側に第１と第２の開口電極間
の間隔程度またはそれより大きな間隔をおいてイオン流
誘導用の第３の開口電極を設け、これら３枚の開口電極
のうち中央の第２の開口電極と第３の開口電極との間お
よび第３の開口電極と記録媒体との間に各々イオン流通
過状態における第１と第２の開口電極間の電場と同程度
以上の同じ向きの電場を印加する手段を具備せしめたも
のである。
第２の開口電極の記録媒体側に第１と第２の開口電極間
の間隔程度またはそれより大きな間隔をおいてイオン流
誘導用の第３の開口電極を設け、これら３枚の開口電極
のうち中央の第２の開口電極と第３の開口電極との間お
よび第３の開口電極と記録媒体との間に各々イオン流通
過状態における第１と第２の開口電極間の電場と同程度
以上の同じ向きの電場を印加する手段を具備せしめたも
のである。
〔作用）
この発明においては、イオン流制御板に設けた第３の開
口電極によりイオン流引き出し用電場の一様性が確保さ
れ、すでに形成ずみの静電潜像の影響を受けないように
なる。
口電極によりイオン流引き出し用電場の一様性が確保さ
れ、すでに形成ずみの静電潜像の影響を受けないように
なる。
第１図はこの発明の第１の実施例を説明する原理図であ
って、１２は絶縁板、１３はイオン流話導用に追加した
第３の開口電極、１４はイオン流誘導用付加電極付のイ
オン流制御板、Ｅ５は電源であり、その他は第４図と同
じである。
って、１２は絶縁板、１３はイオン流話導用に追加した
第３の開口電極、１４はイオン流誘導用付加電極付のイ
オン流制御板、Ｅ５は電源であり、その他は第４図と同
じである。
これを作動するには、まずコロトロンシールドケース１
とコロナワイヤ２の間に数ｋＶの高電圧を印加し、コロ
ナワイヤ２の近傍にコロナイオン３を発生させておく。
とコロナワイヤ２の間に数ｋＶの高電圧を印加し、コロ
ナワイヤ２の近傍にコロナイオン３を発生させておく。
また、コロナワイヤ２と第１の開口電極４．第２の開口
電極６と第３の開口電極１３．この第３の開口電極１３
と記録媒体１０の導電層９との間には各々常にコロナワ
イヤ２の近傍で、コロナイオン３をコロナワイヤ２から
記録媒体１０へと進める向きの電場（正電場と呼ぶこと
にする）を加えておく。このとき、例えば第１の開口電
極４の電位を変化させて、第１と第２の開口電極４と６
との間の電極を制御することによってイオン流制御板１
４を通過して記録媒体１０に到達するイオン量をコント
ロールすることができる。
電極６と第３の開口電極１３．この第３の開口電極１３
と記録媒体１０の導電層９との間には各々常にコロナワ
イヤ２の近傍で、コロナイオン３をコロナワイヤ２から
記録媒体１０へと進める向きの電場（正電場と呼ぶこと
にする）を加えておく。このとき、例えば第１の開口電
極４の電位を変化させて、第１と第２の開口電極４と６
との間の電極を制御することによってイオン流制御板１
４を通過して記録媒体１０に到達するイオン量をコント
ロールすることができる。
一般に、第１の開口電極４と第２の開口電極６の間の電
場を正電場とすれば、イオン流はイオン流制御板１４を
通過し、負電場とすれば、イオン流は通過できない。
場を正電場とすれば、イオン流はイオン流制御板１４を
通過し、負電場とすれば、イオン流は通過できない。
第３の開口電極１３を設けであることにより、第２の開
口電極６と第３の開口電極１３の間の正電場の一様性が
確保されており、さらに、第３の開口電極１３の下面と
記録媒体１ｏの表面との間隔ｇを小さく設定することに
より記録媒体１０上にすでに形成ずみの表面電荷１１が
存在する場合においても、第２の開口電極６から記録媒
体１゜の表面までのイオン流が通過する空間の電場の乱
れが小さく、イオン流は表面電荷１１より偏向させられ
ることも通過量が変化することも極めて少なく、記録媒
体１ｏ上の所望の位置に正確に照射され、記録むらの極
めて少ない記録が行われる効果を有する。
口電極６と第３の開口電極１３の間の正電場の一様性が
確保されており、さらに、第３の開口電極１３の下面と
記録媒体１ｏの表面との間隔ｇを小さく設定することに
より記録媒体１０上にすでに形成ずみの表面電荷１１が
存在する場合においても、第２の開口電極６から記録媒
体１゜の表面までのイオン流が通過する空間の電場の乱
れが小さく、イオン流は表面電荷１１より偏向させられ
ることも通過量が変化することも極めて少なく、記録媒
体１ｏ上の所望の位置に正確に照射され、記録むらの極
めて少ない記録が行われる効果を有する。
第２図はイオン流誘導用付加電極付のイオン流制御板１
４の実用的な構成の一例を説明する図であり、（ａ）は
断面図、（ｂ）は上面図、（Ｃ）は下面図である。
４の実用的な構成の一例を説明する図であり、（ａ）は
断面図、（ｂ）は上面図、（Ｃ）は下面図である。
第２図の構成例において、第１の開口電極４は第２図（
ｂ）にみられるようにイオン流通過用開口部を囲むリン
グ形状となっており、各々に独立に任意の電位を印加す
るためのリード電極部４ａを有している。第３の開口電
極１３の形状は第２図（Ｃ）にみられるように、開口部
１３ａを有する平板電極であり、第２の開口電極６の形
状は第３の開口電極１３と同様である。
ｂ）にみられるようにイオン流通過用開口部を囲むリン
グ形状となっており、各々に独立に任意の電位を印加す
るためのリード電極部４ａを有している。第３の開口電
極１３の形状は第２図（Ｃ）にみられるように、開口部
１３ａを有する平板電極であり、第２の開口電極６の形
状は第３の開口電極１３と同様である。
第１図の実施例における各寸法の典型例は、例えば直径
２００μｍ、第１の開口電極４と第２の開口電極６の間
隔２００μｍ、第２の開口電極６と第３の開口電極１３
の間隔４００μｍ、第３の開口電極１３と記録媒体１０
との間隔は５０μｍとすればよく、各部分の電位の典型
的な値としてはコロナワイヤ２の電位５０００ｖ、コロ
トロンシールドケース１の電位５００ Ｖ、第１の開口
電極４の電位（Ｖｌ ’）５００Ｖ （イオン流通過）
。
２００μｍ、第１の開口電極４と第２の開口電極６の間
隔２００μｍ、第２の開口電極６と第３の開口電極１３
の間隔４００μｍ、第３の開口電極１３と記録媒体１０
との間隔は５０μｍとすればよく、各部分の電位の典型
的な値としてはコロナワイヤ２の電位５０００ｖ、コロ
トロンシールドケース１の電位５００ Ｖ、第１の開口
電極４の電位（Ｖｌ ’）５００Ｖ （イオン流通過）
。
３００Ｖ （イオン流不通過）、第２の開口電極６の電
位（Ｖ２ ）４００Ｖ、第３の開口電極１３の電位（ｖ
３）ｓｏｖなどとすればよい。
位（Ｖ２ ）４００Ｖ、第３の開口電極１３の電位（ｖ
３）ｓｏｖなどとすればよい。
すでに形成ずみの静電潜像１１によるイオン流の偏向を
防ぐためには、第３の開口電極１３の開口直径ｄに較べ
て第３の開口電極１３と記録媒体１０の間隔ｇを狭くす
ることが重要であり、この間隔はゼロとすることが最も
理想的（すなわちイオン流制御板１４と記録媒体１０を
接触させて動作させる）であるが、ｇ／ｄ＜１以下（望
ましくはｇ／ｄ＜０．５）であれば、イオン流の偏向は
大幅に減らすことができる。この際、第３の開口部８ｉ
１３の電位は、第３の開口部８ｉ１３と記録媒体１０間
の電場が、第２の開口電極６と第３の開口電極１３の間
の電場と同程度かまたはそれ以上となるよう設定すれば
よく、具体的には第１図中でＶ３ ／ｇ＞ （Ｖ２−Ｖ
３ ）／ｌａとすればよい。もし、ｇ＝Ｑとするならば
、ｖ３＝０としてもよい。
防ぐためには、第３の開口電極１３の開口直径ｄに較べ
て第３の開口電極１３と記録媒体１０の間隔ｇを狭くす
ることが重要であり、この間隔はゼロとすることが最も
理想的（すなわちイオン流制御板１４と記録媒体１０を
接触させて動作させる）であるが、ｇ／ｄ＜１以下（望
ましくはｇ／ｄ＜０．５）であれば、イオン流の偏向は
大幅に減らすことができる。この際、第３の開口部８ｉ
１３の電位は、第３の開口部８ｉ１３と記録媒体１０間
の電場が、第２の開口電極６と第３の開口電極１３の間
の電場と同程度かまたはそれ以上となるよう設定すれば
よく、具体的には第１図中でＶ３ ／ｇ＞ （Ｖ２−Ｖ
３ ）／ｌａとすればよい。もし、ｇ＝Ｑとするならば
、ｖ３＝０としてもよい。
イオン流制御板１４の実用的な構成としては第３の開口
電極１３の下面に絶縁性または半絶縁性のコーディング
をほどこすか、または同じく第３の開口部８ｉ１３の下
面にもう一層絶縁体層を設けてもよく、このようにする
ことによりイオン流制御板１４と記録媒体１０を接触状
態としながらギャップｇを所望の小さな値に保つことが
容易にでき、しかも付加電極と記録媒体表面を非接触性
確保することができ、さらに有利である。
電極１３の下面に絶縁性または半絶縁性のコーディング
をほどこすか、または同じく第３の開口部８ｉ１３の下
面にもう一層絶縁体層を設けてもよく、このようにする
ことによりイオン流制御板１４と記録媒体１０を接触状
態としながらギャップｇを所望の小さな値に保つことが
容易にでき、しかも付加電極と記録媒体表面を非接触性
確保することができ、さらに有利である。
また、第３の開口電極１３の開口径は第１図の実施例で
は第１．第２の開口電極４．６の開口径と同一であると
説明したが、実用上はそれよりも小さくしてもよく、そ
のようにすることにより、イオン流制御板１４の穴位置
等の製作精度の要求水準を暖和する効果を持たせること
ができる。すなわち、イオン流制御板１４の製作方法と
して、第３の開口電極１３のみを製作精度の上げやすい
方法（例えば金属板のエツチング加工等）で高精度に作
成し、イオン流制御板１４の他の部分に取つつける形と
しておけば、イオン流照射位置は第３の開口電極１３の
開口部間隔精度によってほぼ決定され、第１．第２の開
口電極４．６の開口部位置が第３の開口電極１３の開口
部をふさがない程度に前後左右にずれていても、イオン
流照射位置に大きく影響を与えない。
は第１．第２の開口電極４．６の開口径と同一であると
説明したが、実用上はそれよりも小さくしてもよく、そ
のようにすることにより、イオン流制御板１４の穴位置
等の製作精度の要求水準を暖和する効果を持たせること
ができる。すなわち、イオン流制御板１４の製作方法と
して、第３の開口電極１３のみを製作精度の上げやすい
方法（例えば金属板のエツチング加工等）で高精度に作
成し、イオン流制御板１４の他の部分に取つつける形と
しておけば、イオン流照射位置は第３の開口電極１３の
開口部間隔精度によってほぼ決定され、第１．第２の開
口電極４．６の開口部位置が第３の開口電極１３の開口
部をふさがない程度に前後左右にずれていても、イオン
流照射位置に大きく影響を与えない。
また、このようなイオン流制御板１４の構成を用いる場
合等には絶縁板１２を省略し、間隔ｔ２を確保するだけ
としても差しつかえない。
合等には絶縁板１２を省略し、間隔ｔ２を確保するだけ
としても差しつかえない。
また、イオン流制御板１４の構造としては第２図に示し
た実施例の他に、第１の開口電極４と、第２の開口電極
６を入れ換えた構造として、下部側となった第１の開口
電極４のリング状電極の７位変化によりイオン流を制御
してもよく、さらに別の実施例としては第１の開口電極
４と第２の開口電極６を縦、横のマトリックス状電極の
形状として上部、下部の両方の電極電位を制御し、所望
の開口部のイオン流通過状態をコントロールするように
してもよい。
た実施例の他に、第１の開口電極４と、第２の開口電極
６を入れ換えた構造として、下部側となった第１の開口
電極４のリング状電極の７位変化によりイオン流を制御
してもよく、さらに別の実施例としては第１の開口電極
４と第２の開口電極６を縦、横のマトリックス状電極の
形状として上部、下部の両方の電極電位を制御し、所望
の開口部のイオン流通過状態をコントロールするように
してもよい。
第３図はこの発明の別の実施例を示す図であり、１５は
絶縁体スペーサである。この実施例のように第３の開口
電極１３の先端を面取りした構造にする等によって先端
部の厚みを薄くしておくことによりイオン流が第３の開
口電極１３の開口部内壁にぶつかって吸収されて結果的
にイオン通過量を減らす現象を抑えることができる。こ
のような構造は、第３の開口電極１３の間口径を第１、
第２の開口部ｉ４，６の開口部よりも小さくした場合の
イオン通過量の減少を防ぐ上で特に効果的である。また
、第３図は第２の開口電極６と第３の開口電極１３の距
離を確保するため絶縁体スペーサ１５を設けた構造の例
を示しているが、このような構造としても全くさしつか
えない。
絶縁体スペーサである。この実施例のように第３の開口
電極１３の先端を面取りした構造にする等によって先端
部の厚みを薄くしておくことによりイオン流が第３の開
口電極１３の開口部内壁にぶつかって吸収されて結果的
にイオン通過量を減らす現象を抑えることができる。こ
のような構造は、第３の開口電極１３の間口径を第１、
第２の開口部ｉ４，６の開口部よりも小さくした場合の
イオン通過量の減少を防ぐ上で特に効果的である。また
、第３図は第２の開口電極６と第３の開口電極１３の距
離を確保するため絶縁体スペーサ１５を設けた構造の例
を示しているが、このような構造としても全くさしつか
えない。
以上説明したように、この発明は第３の開口電極の設置
により、記録媒体上のイオン流照射位置が第３の開口電
極の開口部のほぼ直下に保証され、記録媒体上にすでに
形成ずみの表面電荷によるイオン流偏向が極めて小さく
、また、第１．第２の開口電極の開口部位置の製作精度
の影響を受けにくいため、イオン流照射位置ずれによる
記録むらの発生が極めて小さくできるという利点がある
。
により、記録媒体上のイオン流照射位置が第３の開口電
極の開口部のほぼ直下に保証され、記録媒体上にすでに
形成ずみの表面電荷によるイオン流偏向が極めて小さく
、また、第１．第２の開口電極の開口部位置の製作精度
の影響を受けにくいため、イオン流照射位置ずれによる
記録むらの発生が極めて小さくできるという利点がある
。
第１図はこの発明の第１の実施例を説明する原理図、第
２図はこの発明の実施に用いるイオン流制御板の構成例
の説明図、第３図はこの発明の他の実施例を示す説明図
、第４図は従来のイオン流制御方式による静電記録方法
の原理図、第５図は第１図に原理を示した従来方法によ
る装置構成の典型例を示す図である。 図中、１はコロトロンシールドケース、２はコロナワイ
ヤ、３はコロナイオン、４は第１の開口電極、５は絶縁
体基板、６は第２の開口電極、７はイオン流制御板、８
は誘電体層、９は導電層、１ｏは記録媒体、１１は表面
電荷、１２は絶縁板、１３は第３の開口電極、１４はイ
オン流制御板、１５は絶縁体スペーサである。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
２図はこの発明の実施に用いるイオン流制御板の構成例
の説明図、第３図はこの発明の他の実施例を示す説明図
、第４図は従来のイオン流制御方式による静電記録方法
の原理図、第５図は第１図に原理を示した従来方法によ
る装置構成の典型例を示す図である。 図中、１はコロトロンシールドケース、２はコロナワイ
ヤ、３はコロナイオン、４は第１の開口電極、５は絶縁
体基板、６は第２の開口電極、７はイオン流制御板、８
は誘電体層、９は導電層、１ｏは記録媒体、１１は表面
電荷、１２は絶縁板、１３は第３の開口電極、１４はイ
オン流制御板、１５は絶縁体スペーサである。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）イオン発生源と記録媒体との間に間隔を有して設
置した第１、第２の開口電極の間の電場を制御すること
によって前記両開口電極を通過するイオン流の通過量を
制御しながら記録媒体上に前記イオン流を照射すること
によって静電潜像を形成する静電記録装置において、記
録媒体側に設けられた第２の開口電極の記録媒体側に前
記第１と第２の開口電極間の間隔程度またはそれより大
きな間隔をおいてイオン流誘導用の第３の開口電極を設
け、これら３枚の開口電極のうち中央の第２の開口電極
と第３の開口電極との間および第３の開口電極と記録媒
体との間に各々イオン流通過状態における第１と第２の
開口電極間の電場と同程度以上の同じ向きの電場を印加
する手段を具備せしめたことを特徴とする記録装置。 - （２）記録媒体と第３の開口電極との間隔を第３の開口
電極の開口部直径以下としたことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294759A JP2690484B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294759A JP2690484B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147660A true JPS63147660A (ja) | 1988-06-20 |
| JP2690484B2 JP2690484B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17811933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294759A Expired - Fee Related JP2690484B2 (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | 記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690484B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19711513C2 (de) * | 1996-03-19 | 2002-10-24 | Hitachi Ltd | Vorrichtung und Verfahren für elektrostatische Aufzeichnungen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550265A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrostatic recording method |
| JPS6025770A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 階調記録方法 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP61294759A patent/JP2690484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550265A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrostatic recording method |
| JPS6025770A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 階調記録方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19711513C2 (de) * | 1996-03-19 | 2002-10-24 | Hitachi Ltd | Vorrichtung und Verfahren für elektrostatische Aufzeichnungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2690484B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Legal Events
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