JPS631514Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS631514Y2 JPS631514Y2 JP861882U JP861882U JPS631514Y2 JP S631514 Y2 JPS631514 Y2 JP S631514Y2 JP 861882 U JP861882 U JP 861882U JP 861882 U JP861882 U JP 861882U JP S631514 Y2 JPS631514 Y2 JP S631514Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cartridge
- transistor
- circuit
- resistance
- type cartridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はムービングコイル型カートリツジ用前
置増幅回路に関するものである。
置増幅回路に関するものである。
一般にムービングコイル（以下MCと称す）型
カートリツジは出力電圧0.1〜0.5mVの特性を有
し、ムービングマグネツト（以下MMと称す）型
カートリツジの出力電圧が１〜5mVであるのに
比べると低出力である。従つて、MC型カートリ
ツジをMM型カートリツジ用前置増幅器に直接接
続して使用したのではSN比が悪く実用的でない
ため、第１図に示す従来例のように昇圧トランス
T1を使用していた。尚、図中MCはMC型カート
リツジ、A1はMM型カートリツジ用前置増幅器
を示している。
カートリツジは出力電圧0.1〜0.5mVの特性を有
し、ムービングマグネツト（以下MMと称す）型
カートリツジの出力電圧が１〜5mVであるのに
比べると低出力である。従つて、MC型カートリ
ツジをMM型カートリツジ用前置増幅器に直接接
続して使用したのではSN比が悪く実用的でない
ため、第１図に示す従来例のように昇圧トランス
T1を使用していた。尚、図中MCはMC型カート
リツジ、A1はMM型カートリツジ用前置増幅器
を示している。
ところが、この場合にはオーデイオ周波数帯域
が狭くなると共に音質が劣化し、且つ上記トラン
スは高価であるという欠点があつた。
が狭くなると共に音質が劣化し、且つ上記トラン
スは高価であるという欠点があつた。
そこで本考案はかかる欠点に鑑みてなしたもの
であつて、上記トランスの代りにトランジスタを
使用したMC型カートリツジ用前置増幅回路を提
供するものである。
であつて、上記トランスの代りにトランジスタを
使用したMC型カートリツジ用前置増幅回路を提
供するものである。
第２図は本考案の基礎となる回路例を示したも
ので、図において、Q1はNPN型トランジスタ、
R1は負荷抵抗、R2は帰還抵抗、R3は入力抵抗
（MC型カートリツジの負荷抵抗）である。
ので、図において、Q1はNPN型トランジスタ、
R1は負荷抵抗、R2は帰還抵抗、R3は入力抵抗
（MC型カートリツジの負荷抵抗）である。
このように、MC型カートリツジ用前置増幅回
路はR1，R2，R3及びQ1で構成され、オーデイオ
周波数帯域内ではMC型カートリツジMCの内部
インダクタンスによるリアクタンスは内部抵抗に
比べて小さく無視できるので、この回路の上記帯
域内での電圧増幅度AvはMC型カートリツジMC
の内部抵抗をR4とすると、Av＝R2／（R3＋R4）
となる。
路はR1，R2，R3及びQ1で構成され、オーデイオ
周波数帯域内ではMC型カートリツジMCの内部
インダクタンスによるリアクタンスは内部抵抗に
比べて小さく無視できるので、この回路の上記帯
域内での電圧増幅度AvはMC型カートリツジMC
の内部抵抗をR4とすると、Av＝R2／（R3＋R4）
となる。
又、この回路の入力側の等価回路は第３図に示
すようになり、図中RbbはトランジスタQ1のベー
ス拡がり抵抗、Reeはエミツタ接合抵抗である。
すようになり、図中RbbはトランジスタQ1のベー
ス拡がり抵抗、Reeはエミツタ接合抵抗である。
ここで、MC型カートリツジMCの内部抵抗R4
は通常10〜50Ωであり、負荷抵抗R3には通常47
Ωが使用されている。この回路の電圧増幅度Av
は10程度でよいから、R4＝30Ω，R3＝47Ωとす
れば、帰還抵抗R2は770Ω程度となる。
は通常10〜50Ωであり、負荷抵抗R3には通常47
Ωが使用されている。この回路の電圧増幅度Av
は10程度でよいから、R4＝30Ω，R3＝47Ωとす
れば、帰還抵抗R2は770Ω程度となる。
又、熱雑音の定理より、この回路の雑音電圧に
ついて検討すると、上記計算値にてR2≫R3＋R4
であるのでR2を無視でき、雑音電圧は√4
（R4＋R3＋Rbb＋Ree）となる（ｋはボルツマン定
数、Ｔは絶対温度、ｆは帯域幅）。ここで、R4及
びR3は固定の定数であり、この回路の雑音電圧
を下げるにはRbb及びReeを小さくしなければな
らない。エミツタ接合抵抗Reeは26mV／エミツ
タ電流で表わされ、エミツタ電流を大きくするこ
とにより抵抗値を小さくすることができ、R4＋
R3に較べて小さいので無視することができる。
ついて検討すると、上記計算値にてR2≫R3＋R4
であるのでR2を無視でき、雑音電圧は√4
（R4＋R3＋Rbb＋Ree）となる（ｋはボルツマン定
数、Ｔは絶対温度、ｆは帯域幅）。ここで、R4及
びR3は固定の定数であり、この回路の雑音電圧
を下げるにはRbb及びReeを小さくしなければな
らない。エミツタ接合抵抗Reeは26mV／エミツ
タ電流で表わされ、エミツタ電流を大きくするこ
とにより抵抗値を小さくすることができ、R4＋
R3に較べて小さいので無視することができる。
しかるにベース拡がり抵抗Rbbはトランジスタ
の固有値であり、Rbbの影響による雑音の増大を
無視できる範囲の10％以内にするには、熱雑音の
定理より導かれる√4＋3＋bb／√4＋3＜
1.1の条件式を満たす必要がある。この式に上記
の値を代入すると、略々Rbb＜20Ωとなる。
の固有値であり、Rbbの影響による雑音の増大を
無視できる範囲の10％以内にするには、熱雑音の
定理より導かれる√4＋3＋bb／√4＋3＜
1.1の条件式を満たす必要がある。この式に上記
の値を代入すると、略々Rbb＜20Ωとなる。
従つて、MC型カートリツジの出力が最初に入
力されるトランジスタQ1のベース拡がり抵抗Rbb
を20Ω以内に抑えればよく、そしてこの値は中電
力以上の電力トランジスタを用いることにより実
現可能である。
力されるトランジスタQ1のベース拡がり抵抗Rbb
を20Ω以内に抑えればよく、そしてこの値は中電
力以上の電力トランジスタを用いることにより実
現可能である。
また、一般的にカートリツジMCは、使用者の
趣味、並び経年劣化に伴ない他の型式のMCカー
トリツジに交換されることが常である。この様な
場合、新たなMCカートリツジの内部抵抗値は前
述したように10〜50Ω程度と変化し、極端な場合
１／５又は５倍程度内部抵抗R4が変化することにな
る。一方、前置増幅回路の電圧増幅度Avは前述
したようにAv＝R2／（R3＋R4）で与えられるこ
とから、MCカートリツジの負荷抵抗R3がない場
合には、５倍から1/5程度と変化することになる
が、負荷抵抗R3を設けることにより他の型式の
MCカートリツジに変更しても増幅回路の電圧増
幅度Avの変化を小幅におさえることができる効
果がある。
趣味、並び経年劣化に伴ない他の型式のMCカー
トリツジに交換されることが常である。この様な
場合、新たなMCカートリツジの内部抵抗値は前
述したように10〜50Ω程度と変化し、極端な場合
１／５又は５倍程度内部抵抗R4が変化することにな
る。一方、前置増幅回路の電圧増幅度Avは前述
したようにAv＝R2／（R3＋R4）で与えられるこ
とから、MCカートリツジの負荷抵抗R3がない場
合には、５倍から1/5程度と変化することになる
が、負荷抵抗R3を設けることにより他の型式の
MCカートリツジに変更しても増幅回路の電圧増
幅度Avの変化を小幅におさえることができる効
果がある。
なお、第４図は本願考案の他の基礎となる回路
例を示したもので、トランジスタQ2と抵抗R5と
からなるエミツタフオロワー回路を追加して回路
の出力インピーダンスを低くし、マツチングを良
くしたものであり、トランジスタQ1のベース拡
がり抵抗は第２図と同様に20Ω以内である。
例を示したもので、トランジスタQ2と抵抗R5と
からなるエミツタフオロワー回路を追加して回路
の出力インピーダンスを低くし、マツチングを良
くしたものであり、トランジスタQ1のベース拡
がり抵抗は第２図と同様に20Ω以内である。
以上説明した回路を基礎に、本願考案の実施例
を第５図に示し説明する。第５図に於て、第２図
と同一符号は同一又は相当部分を示す。Q3は第
２のPNPトランジスタで、第１のNPNトランジ
スタQ1と同様にベース拡がり抵抗が20Ω以内の
ものであり、トランジスタQ1，Q2の各エミツタ
はアースに接続され、これらによりコンプリメン
タリ・プツシユプル型前置増幅器を構成する。コ
ンデンサC1，C1は各トランジスタQ1，Q2のコレ
クタにそれぞれ接続された出力用カツプリングコ
ンデンサであり、コンデンサC2，C2は各トラン
ジスタQ1，Q2のベースにそれぞれ接続された入
力用カツプリングコンデンサである。なお、R6，
R7はそれぞれトランジスタQ1，Q3のバイアス用
抵抗である。
を第５図に示し説明する。第５図に於て、第２図
と同一符号は同一又は相当部分を示す。Q3は第
２のPNPトランジスタで、第１のNPNトランジ
スタQ1と同様にベース拡がり抵抗が20Ω以内の
ものであり、トランジスタQ1，Q2の各エミツタ
はアースに接続され、これらによりコンプリメン
タリ・プツシユプル型前置増幅器を構成する。コ
ンデンサC1，C1は各トランジスタQ1，Q2のコレ
クタにそれぞれ接続された出力用カツプリングコ
ンデンサであり、コンデンサC2，C2は各トラン
ジスタQ1，Q2のベースにそれぞれ接続された入
力用カツプリングコンデンサである。なお、R6，
R7はそれぞれトランジスタQ1，Q3のバイアス用
抵抗である。
次に、第５図に示したものの動作について説明
する。カートリツジMCでピツクアツプされた信
号は負荷抵抗R3を通り、入力用コンデンサC1を
介してトランジスタQ1のベースに与えられ、一
方入力用コンデンサC1を介してトランジスタQ2
のベースに与えられる。これらの信号が与えられ
た各トランジスタQ1，Q2は、それぞれのコンデ
ンサC2を介して、各トランジスタQ1，Q3ベース
に与えられ、トランジスタQ1，Q3で正負対称に
増巾された信号はそれぞれのコンデンサC1を介
して混合され出力される。
する。カートリツジMCでピツクアツプされた信
号は負荷抵抗R3を通り、入力用コンデンサC1を
介してトランジスタQ1のベースに与えられ、一
方入力用コンデンサC1を介してトランジスタQ2
のベースに与えられる。これらの信号が与えられ
た各トランジスタQ1，Q2は、それぞれのコンデ
ンサC2を介して、各トランジスタQ1，Q3ベース
に与えられ、トランジスタQ1，Q3で正負対称に
増巾された信号はそれぞれのコンデンサC1を介
して混合され出力される。
MCカートリツジ用アンプなどのように極小信
号をあつかう場合、アースに電流を流すと、アー
スインピーダンスによるハム雑音の混入などが問
題となるが、この回路では正負対称の回路を使用
することによりVccからトランジスタQ1に流れる
電流はほゞトランジスタQ3を通り−Vccへ流れ、
アースを流れる電流はかなり軽減することがで
き、従つて電源ハムの発生を防止することができ
る。
号をあつかう場合、アースに電流を流すと、アー
スインピーダンスによるハム雑音の混入などが問
題となるが、この回路では正負対称の回路を使用
することによりVccからトランジスタQ1に流れる
電流はほゞトランジスタQ3を通り−Vccへ流れ、
アースを流れる電流はかなり軽減することがで
き、従つて電源ハムの発生を防止することができ
る。
本考案は以上説明したように、MC型カートリ
ツジからの出力が最初に入力されるトランジスタ
のベース拡がり抵抗が20Ω以内のトランジスタを
使用することにより、高SN比、低歪率、広帯域
の特長を有する安価なMC型カートリツジ用前置
増幅回路を提供することができる。
ツジからの出力が最初に入力されるトランジスタ
のベース拡がり抵抗が20Ω以内のトランジスタを
使用することにより、高SN比、低歪率、広帯域
の特長を有する安価なMC型カートリツジ用前置
増幅回路を提供することができる。
また、MCカートリツジの負荷抵抗を設けたの
で、MCカートリツジを他の型式のMCカートリ
ツジに交換しても、前置増幅器の電圧増幅度Av
の変化を小幅におさえることができる。
で、MCカートリツジを他の型式のMCカートリ
ツジに交換しても、前置増幅器の電圧増幅度Av
の変化を小幅におさえることができる。
さらにまた、前置増幅器をプツシユプル型で構
成したので、電源ハムの影響を防止できる。
成したので、電源ハムの影響を防止できる。
第１図は昇圧トランスT1を用いた従来のムー
ビングコイル型カートリツジ用前置増幅回路の回
路図、第２図は本考案の基礎となるムービングコ
イル型カートリツジ用前置増幅回路の一例を示す
回路図、第３図は第２図における入力側の等価回
路図、第４図は本考案の他の基礎となる回路図、
第５図は本考案に係る上記前置増幅回路の実施例
を示す回路である。 MC……ムービングコイル型カートリツジ、A1
……ムービングマグネツト型カートリツジ用前置
増幅器、Q1〜Q3……トランジスタ、Rbb……トラ
ンジスタのベース拡がり抵抗、Ree……トランジ
スタのエミツタ接合抵抗、R1〜R6……抵抗、C1
〜C2……コンデンサ。
ビングコイル型カートリツジ用前置増幅回路の回
路図、第２図は本考案の基礎となるムービングコ
イル型カートリツジ用前置増幅回路の一例を示す
回路図、第３図は第２図における入力側の等価回
路図、第４図は本考案の他の基礎となる回路図、
第５図は本考案に係る上記前置増幅回路の実施例
を示す回路である。 MC……ムービングコイル型カートリツジ、A1
……ムービングマグネツト型カートリツジ用前置
増幅器、Q1〜Q3……トランジスタ、Rbb……トラ
ンジスタのベース拡がり抵抗、Ree……トランジ
スタのエミツタ接合抵抗、R1〜R6……抵抗、C1
〜C2……コンデンサ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 帰還抵抗を有するムービングコイル型カート
リツジの前置増幅回路において、プツシユプル
増幅回路を構成する第１及び第２のトランジス
タを有し、上記ムービングコイル型カートリツ
ジの出力が上記各トランジスタのベースに入力
されるトランジスタのベース拡がり抵抗をそれ
ぞれ20Ω以内にするとともに、上記カートリツ
ジの出力と上記トランジスタのベース入力との
間に上記カートリツジの負荷となる低抵抗値を
有する負荷抵抗を設けたことを特徴とするムー
ビングコイル型カートリツジ用前置増幅回路。 (2) 負荷抵抗を、ムービングコイル型カートリツ
ジの内部抵抗値にほぼ等しい抵抗値で構成した
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項記載のムービングコイル型カートリツジ用前
置増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP861882U JPS631514Y2 (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP861882U JPS631514Y2 (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57181187U JPS57181187U (ja) | 1982-11-17 |
| JPS631514Y2 true JPS631514Y2 (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=29806767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP861882U Expired JPS631514Y2 (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631514Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5983881U (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-06 | 株式会社日成エンジニアリング | 組立式簡易クレ−ンの支柱構造 |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP861882U patent/JPS631514Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57181187U (ja) | 1982-11-17 |
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