JPS63152185A - 感磁性半導体装置の製造方法 - Google Patents

感磁性半導体装置の製造方法

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JPS63152185A
JPS63152185A JP61300678A JP30067886A JPS63152185A JP S63152185 A JPS63152185 A JP S63152185A JP 61300678 A JP61300678 A JP 61300678A JP 30067886 A JP30067886 A JP 30067886A JP S63152185 A JPS63152185 A JP S63152185A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は感磁性半導体装置の！Ｉ２造力注力法するもの
である。
〈発明のａ要〉 感磁性半導体基板を治具に貼り付は感磁性部面でない側
をラッピング又はエツチングして基板の厚さを１くする
とともに、治具を貼り付けた状態ぐ磁性体成板を貼り付
け、この磁性体基板を一体化したままで個別素子・に分
割することにより、半導体基板の割れを防止して組立て
を容易にし、また感磁性半導体５１１１の感度向上を図
る。
く従・米の技術〉 従来、ホール素子等の感磁性半導体装置は、別々に準備
された半導体チップと磁性木片を次の方法で組立て感度
を上げていた。第３１３−第５図にその例を示す。
リードフレーム１上に磁性１ド片２を接着し、その磁性
体片２上にホー、ルＬＴ−等の半導木チップ３を接着す
るノｊ法（第３図）。
リードフレーム１上に゛１−導体ナノブ３を按若し、そ
の半導体チップ３上に磁性体片６を按Ｘｉする方法（第
４図）。
リードフレーム１上に磁性ｆド片２を接着し、その磁性
体片２上に２ｒ導体チップ３を接着し、更：二半導体チ
ップ３上に磁性体片６を接着する方法（ｍ５図）。
なお、第３図〜ｆＴｓ５図において、３ａは半導体チッ
プ３の感磁性部、４は端子取出し用ワイヤー、５はパ・
ンケーノ樹脂である。
〈免明が解決しようとする問題点〉 しかし、これらの方法は組立てを複雑にし、方法によっ
ては感度向上の効果がそれほど得られないという欠点が
あった。
磁性体片２又は６を用いて感度を向上させるためには、
磁性体片２，６のＦｒ１さくｄ）を厚くする、あるいは
磁性体片２，６をできる限り生導本チップ３の感磁性部
３ａに近付けることが必要である。
磁性体片２．６の厚さくｄ）はパフケーノの大きさから
制限される。磁性体片２．６を半導体チップ３の感磁性
部３ａに近付けるのは、？ｔＳ３図と第５図のように半
導体チップ３の下側に磁性体片２を配置する場合、半導
体チップ３の厚さく１）で制限される。半導体チップ３
の厚さく１）は、半導体基板を加工してホール素子等の
感磁性部３ａを形成する時に基板が割れないだけの強度
を確保する必要があり、このためにｔ＞　２００μＩＯ
が必要であり、取扱いに注意してもＬ＞　１５０μ聞が
限界であった。
゛本発明は、従来技術の組立て時の複雑さを感度向上を
妨げないで達成する製造方法を提Ｏ１：することを目的
とする。
く問題点を解決するための手段〉 半導体基板の片面に感磁性部を形成する工程、感磁性部
を形成した半導体基板を治具；こ貼り付ける工程、感磁
性部面でない側をラッピング又はエツチングする工程、
治具を貼り付けた状態のまま磁性体基板を貼り付ける工
程、そして、半導体基板と磁性体基板とを一体化して個
別素子に分割する工程、分割した個別素子をダイボンド
、ワイヤーボンド、樹脂モールドする工程を有すること
を特徴とする。
く作用〉 本発明によれば、半導体基板の片面にホール素子等の感
磁性部を形成する。感磁性部の形成に当たっては、能動
層は結品成艮やイオン注入が用いられる。次に感磁性部
を形成した側の面に治具を貼り付け、化Ｔ的エツチング
又はラッピングで半導体基板を所望の１７さ１こする。
半導体基板の厚さは■いはと感度が向上するので１００
μ輪以下がよい。１００μｍ以下でめ半導体基板は非常
に割れやすいが、本発明では治具に貼り付けられたまま
の状態で磁性本基板を貼り付け、その後に治具から取り
外すので、半導体基板の割れを防ぐことができる。磁性
体基板の貼り付けには、後工程のヤイヤーボンデング時
などの温度に耐え得るように、耐熱性のあるエポキシυ
子脂が適当である。磁性体基板を貼り付けた半導体基板
は、この後、グインングで容易に分割してホール素子等
の半導体チップを得る。これ以降の組立においては、従
来の半導体チンプと同じ扱いができ、組立を容易する。
また上記方法によって、磁性体片を厚くかつ磁性体片を
半導体チップの感磁性部に近づけて配置でき、磁束収束
による感度の向上も得られることとなる。
〈実施例〉 以下、第１図及び第２図（、）〜（ｆ）に従ってイオン
注入型ＧａＡｓホール素子について説明する。第１図は
完成後の断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は途中の各工程
時の様子を示す断面図である。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１３の所望の領域に例えばＳ１イ
オンを注入し、熱処理により注入領域をＩＩＷ！にする
°。これによりホール素子の能動層を形成する。所望の
領域にイオンを注入する場合、７オトレノストを用いて
所望の領域以外を覆い、注入後に７オトレノストを除去
することにより、容易に所望の領域にイオン注入できる
。そして能動層にオーミック電極を形成することにより
、Ｇ　ａ　／’Ｉ　Ｓ基板１３の一方の面に所謂ホール
素子としての感磁性部１４が形成される。（第２１１２
１（ａ）参照）。
次に、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板１３の感磁性部１４が形成さ
れた面にラッピング用治具１５を貼り付け、ＧａＡｓ基
板１３の反対側の面（感磁性部ｌｔ側でない面）をラッ
ピングする。ラッピングは化学的その他のエツチングで
もかまわない。（第２図（ｂ）及ブ（ｃ）参照、ただし
ラッピング後等でユくなったＧａＡｓ基板は符６１１で
示す）。
ラッピング等によりＧａＡｓ基板１３の厚さを薄くする
程、感度を向上できる。例えばここではラッピング後の
厚さを１００μｍとした。
ＧａＡｓ基板１１をラッピング用治具１５に貼り付けた
ままの状態で、エポキシυノ脂を用いＧａＡｓ基板１１
上に磁性体基板（例えばＮｉ−Ｚｎ７エライト基板）１
２を貼り付は接着する。磁性体基板１２の厚さは厚い程
感度を向上できるが、パフケーノに封入するために上限
がある。ここでは例えば３００μ歳の厚みのフェライト
基板を用いた。（第２図（ｄ）参照）。
１００μｍ以下のＧａＡｓ基板１１は割れやすく取り扱
いが困難であるが、上記のようにラッピング用治Ａ１５
を貼り付けられているため、磁性体基板１２の接着は何
の支障もなく行え、またその後は磁性体基板１２が貼り
付けられるため、ラッピング用治具１５を取り外しても
容易に取り扱うことができる。
ラッピング用治具１５を取り外して後、ＧａＡｓ基板１
１を上にして、すなわち磁性体基板１２の側１こ粘着テ
ープ１６を貼り付け、グインング１こより０．５５ｍｍ
角の個別チップに分割する。（第２図（ｅ）及び第２図
（ｆ）参照）。
このようにして作成された個別チップを、特別に磁性体
片を取り付けることなく、通常のチップと同様°の方法
で、ダイボンド、ワイヤーボンド、υｘｍモールドを行
い、第１図に図示のような感磁性半導体装置を得る。１
１はラッピング、分割後のＧａＡｓ基板（チップ）、１
２は磁性ＦＢＷ板（ここでは磁性体片となっている）で
ある、また１は第３図〜第５図と同様のリードフレーム
、４は同端子取出し用ワイヤー、５は同パノケーノ０１
脂を示している。
上記の例によれば、フェライトの取り付けていない場合
に比べて１．４７（ごの感度向上が得られた。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、感磁性半導ｆト基板の割
れを防止して容易に組み立てることができ、また大きな
感度向上が図れる′５Ｍ遣方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に基づき作成された感磁性半
導体装置の断面図、第２図（、）乃至（「）は第１図の
Ｓ置を作成釘る各工程時の様子を示す断面図、第３［２
Ｎ乃至第５図はそれぞれ異なる従来例を示す断面図であ
る。 １；リードフレーム、４；端子取出し用ワイヤー、５；
パンケーノυ１脂、１１’、Ｇａｌ〜Ｓ基板（チップ）
、１２；磁性体基板（片）、１３；半絶縁性ＧａＡｓ基
板、１４；感磁性部、１５；ラッピング用治具。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体基板の片面に感磁性部を形成する工程、前記
    半導体基板の感磁性部側に治具を貼り付ける工程、前記
    治具を貼り付けた状態で前記半導体基板の他側をラッピ
    ング又はエッチングする工程、前記ラッピング又はエッ
    チングした面に磁性体基板を貼り付ける工程、前記磁性
    体基板を貼り付けた後、半導体チップと磁性体片を一体
    化した個別素子に分割する工程、及び前記分割した各個
    別素子をダイボンド、ワイヤーボンド、樹脂モールドす
    る工程とを有することを特徴とする感磁性半導体装置の
    製造方法。
JP61300678A 1986-12-16 1986-12-16 感磁性半導体装置の製造方法 Granted JPS63152185A (ja)

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