JPS63155644A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63155644A JPS63155644A JP30206886A JP30206886A JPS63155644A JP S63155644 A JPS63155644 A JP S63155644A JP 30206886 A JP30206886 A JP 30206886A JP 30206886 A JP30206886 A JP 30206886A JP S63155644 A JPS63155644 A JP S63155644A
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- JP
- Japan
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- conductor
- insulator
- wiring
- semiconductor device
- reduce
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
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- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特にその配線の改良に関するもの
である。
である。
従来の技術
従来の半導体装置では、第6図の断面図に示すように、
半導体基板1上に、直接または絶縁体を介して、導電性
の良い導体のみからなる配線6が設けられていた。この
配線6を直流または低周波信号が流れるときには、この
配線6の全断面域にわたって均一な電流密度で流れる。
半導体基板1上に、直接または絶縁体を介して、導電性
の良い導体のみからなる配線6が設けられていた。この
配線6を直流または低周波信号が流れるときには、この
配線6の全断面域にわたって均一な電流密度で流れる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、高周波電流をこの配線6に流すと、その電流は
、表皮効果によって配線6の周辺部にしか流れない。そ
の場合、中心部の導体は電流を流すのに、はとんど寄与
しない。したがって特に配線6に貴金属を使用した場合
、不必要な場所に貴金属を使用することとなり、コスト
高の要因となる。本発明は、このような問題を解決し、
配線に使用する導体の量を減少させ、コストダウンを図
った半導体装置を提供することを目的とする。
、表皮効果によって配線6の周辺部にしか流れない。そ
の場合、中心部の導体は電流を流すのに、はとんど寄与
しない。したがって特に配線6に貴金属を使用した場合
、不必要な場所に貴金属を使用することとなり、コスト
高の要因となる。本発明は、このような問題を解決し、
配線に使用する導体の量を減少させ、コストダウンを図
った半導体装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明は基板上に線状の絶
縁体を設け、その周囲を囲むように導電性の良い導体配
線を設けた構造の半導体装置である。
縁体を設け、その周囲を囲むように導電性の良い導体配
線を設けた構造の半導体装置である。
作用
このようにすれば、高周波信号を扱う半導体装置におい
て、高周波信号が周辺の導体部分を通って流れる。この
ため信号の伝送には何ら問題はない。しかも配線の中心
部分は絶縁体で構成し、その周辺のみを高価な導体で構
成することができるから、トータル的にコストダウンを
図ることができる。
て、高周波信号が周辺の導体部分を通って流れる。この
ため信号の伝送には何ら問題はない。しかも配線の中心
部分は絶縁体で構成し、その周辺のみを高価な導体で構
成することができるから、トータル的にコストダウンを
図ることができる。
実施例
本発明の一実施例の断面図を第1図に示す。第1図にお
いて、1は半導体またはその表面を覆う絶縁体、2,3
はその表面に設けられた絶縁体、4は上記絶縁体3の周
辺を囲むように形成された導体であり、上記絶縁体3お
よび導体4で配線を形成している。このようにすれば、
配線に高周波信号が流れたとき、表皮効果により、その
大部分は導体4を通じて伝送される。したがって、高周
波信号の伝送特性自体はほとんど犠牲にならない。そし
て、第1図中の導体4とその内部の絶縁体3でなる配線
の大きさく同図の断面で示される面積)が、第6図に示
す従来の配線6の大きさく同図の断面で示される面積)
と同じであるとすれば、第1図示の実施例の場合の方が
導体の使用量が大幅に少なくなり、それだけコストダウ
ンを図ることができる。
いて、1は半導体またはその表面を覆う絶縁体、2,3
はその表面に設けられた絶縁体、4は上記絶縁体3の周
辺を囲むように形成された導体であり、上記絶縁体3お
よび導体4で配線を形成している。このようにすれば、
配線に高周波信号が流れたとき、表皮効果により、その
大部分は導体4を通じて伝送される。したがって、高周
波信号の伝送特性自体はほとんど犠牲にならない。そし
て、第1図中の導体4とその内部の絶縁体3でなる配線
の大きさく同図の断面で示される面積)が、第6図に示
す従来の配線6の大きさく同図の断面で示される面積)
と同じであるとすれば、第1図示の実施例の場合の方が
導体の使用量が大幅に少なくなり、それだけコストダウ
ンを図ることができる。
第2図〜第5図は上記実施例の半導体装置を製造する方
法を工程順に示した断面図である。まず、第2図のよう
に、半導体または絶縁体1上に絶縁体2,3を設ける。
法を工程順に示した断面図である。まず、第2図のよう
に、半導体または絶縁体1上に絶縁体2,3を設ける。
絶縁体2と3は同一工程で形成すればよい。次に、第3
図のように、絶縁体2,3問および、それらの表面に導
体4を設ける。次に、第4図のように、導体4の配線形
成に必要な場所をレジスト5によってマスクする。次に
、第5図のように、導体4をエツチングし、レジスト5
を除去すれば、第1図に示した半導体装置が完成する。
図のように、絶縁体2,3問および、それらの表面に導
体4を設ける。次に、第4図のように、導体4の配線形
成に必要な場所をレジスト5によってマスクする。次に
、第5図のように、導体4をエツチングし、レジスト5
を除去すれば、第1図に示した半導体装置が完成する。
発明の効果
本発明を高周波で使用する半導体装置の配線に使用する
ことにより、導体の大幅な材料域となり、コストダウン
を図ることができる。
ことにより、導体の大幅な材料域となり、コストダウン
を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第2図〜第5図は同実施例の製造方法を工程順に示す
断面図、第6図は従来例の半導体装置の断面図である。 1・・・・・・半導体または絶縁体、2,3・・・・・
・絶縁体、4・・・・・・導体、5・・・・・・レジス
ト。 〜 \
、第2図〜第5図は同実施例の製造方法を工程順に示す
断面図、第6図は従来例の半導体装置の断面図である。 1・・・・・・半導体または絶縁体、2,3・・・・・
・絶縁体、4・・・・・・導体、5・・・・・・レジス
ト。 〜 \
Claims (1)
- 基板上に線状の絶縁体を設け、その周囲を囲むように、
導体配線を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30206886A JPH0722162B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30206886A JPH0722162B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155644A true JPS63155644A (ja) | 1988-06-28 |
| JPH0722162B2 JPH0722162B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=17904526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30206886A Expired - Lifetime JPH0722162B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722162B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669362A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-03-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30206886A patent/JPH0722162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669362A (ja) * | 1992-05-22 | 1994-03-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722162B2 (ja) | 1995-03-08 |
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