JPS63144603A - 伝送線路 - Google Patents
伝送線路Info
- Publication number
- JPS63144603A JPS63144603A JP61292719A JP29271986A JPS63144603A JP S63144603 A JPS63144603 A JP S63144603A JP 61292719 A JP61292719 A JP 61292719A JP 29271986 A JP29271986 A JP 29271986A JP S63144603 A JPS63144603 A JP S63144603A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- center conductor
- impedance
- conductor
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半絶縁性化合物半導体基板上に形成される
低インピーダンスの伝送線路に関するものである。
低インピーダンスの伝送線路に関するものである。
第３図、第４図は従来の伝送線路を示す上面図およびＢ
−Ｂ断面図である。この伝送ｉ路は、半絶縁性化合物半
導体基板１上へ形成した、それぞれ特性インピーダンス
に対応する幅を持つマイクロストリップ線路２，３，４
を示している。なお、５は前記半絶縁性化合物半導体基
板１の裏面接地導体である。
−Ｂ断面図である。この伝送ｉ路は、半絶縁性化合物半
導体基板１上へ形成した、それぞれ特性インピーダンス
に対応する幅を持つマイクロストリップ線路２，３，４
を示している。なお、５は前記半絶縁性化合物半導体基
板１の裏面接地導体である。
次に動作について説明する。
半絶縁性化合物半導体基板１上に形成されたマイクロス
トリップｉ路２，３，１１の特性インピーダンスは、そ
の線路幅と半絶縁性化合物半導体基板１の比誘電率と基
板厚によって決まる。
トリップｉ路２，３，１１の特性インピーダンスは、そ
の線路幅と半絶縁性化合物半導体基板１の比誘電率と基
板厚によって決まる。
半絶縁性化合物半導体基板１の比誘電率を一定とした場
合、マイクロストリップ線路２，３．４の特性インピー
ダンスはその線路幅と半絶縁性化合物半導体基板１の厚
みの比が大きいほど低い特性インピーダンスを持ち、小
さいほど高い特性インピーダンスをもつ伝送線路となる
。
合、マイクロストリップ線路２，３．４の特性インピー
ダンスはその線路幅と半絶縁性化合物半導体基板１の厚
みの比が大きいほど低い特性インピーダンスを持ち、小
さいほど高い特性インピーダンスをもつ伝送線路となる
。
このような理由から、第３図において、マイクロストリ
ップ線絡３が他のマイクロストリップ線路２，４より非
常に低い特性インピーダンスの場合、線路幅が拡がり、
集積化するうえで面積をとることがわかる。
ップ線絡３が他のマイクロストリップ線路２，４より非
常に低い特性インピーダンスの場合、線路幅が拡がり、
集積化するうえで面積をとることがわかる。
従来の伝送線路は以上のような特徴をもち、低い特性イ
ンピーダンス１７％路３を形成する場合、線路幅が半絶
縁性化合物半導体基板１で大きな面積をとり、集積回路
の面積を縮小することができないなどの問題点があった
。
ンピーダンス１７％路３を形成する場合、線路幅が半絶
縁性化合物半導体基板１で大きな面積をとり、集積回路
の面積を縮小することができないなどの問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、線路幅をあまり拡げずに、特定の低いイン
ピーダンス線路を得ることができ、かつ集積回路の縮小
化を図った伝送線路を得ることを目的とする。
れたもので、線路幅をあまり拡げずに、特定の低いイン
ピーダンス線路を得ることができ、かつ集積回路の縮小
化を図った伝送線路を得ることを目的とする。
この発明に係る伝送線路は、半絶縁性化合物半導体基板
上に下側接地導体を設け、この上に中心導体線路を、下
側絶縁体を介して形成し、中心導体線路に接触しないよ
うに上側接地導体を、上側絶縁体を介して中心導体線路
を取り囲むように形成したものである。
上に下側接地導体を設け、この上に中心導体線路を、下
側絶縁体を介して形成し、中心導体線路に接触しないよ
うに上側接地導体を、上側絶縁体を介して中心導体線路
を取り囲むように形成したものである。
この発明における伝送線路は、中心導体線路と接地導体
が非常に近接することにより、線路幅を拡げずに低い特
性インピーダンスの伝送線路が実現される。
が非常に近接することにより、線路幅を拡げずに低い特
性インピーダンスの伝送線路が実現される。
以下、乙の発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す伝送線路の上面図で
、あり、第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図を示す。
、あり、第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図を示す。
第１図、第２図において、１，２，４．５は第３図、第
４図と同じものであり、６は前記半絶縁性化合物半導体
基板１上に形成された下側接地導体、７はこの下側接地
導体６上に下側絶縁体９を介して形成された中心導体線
路、８は上側接地導体で、中心導体線路７に接触しない
ように上側絶縁体１ｏを介して形成される。
４図と同じものであり、６は前記半絶縁性化合物半導体
基板１上に形成された下側接地導体、７はこの下側接地
導体６上に下側絶縁体９を介して形成された中心導体線
路、８は上側接地導体で、中心導体線路７に接触しない
ように上側絶縁体１ｏを介して形成される。
第１図は特定インピーダンスをもつマイクロストリップ
線路２から低インピーダンス線路である中心導体線′Ｉ
ＦＩ７へ接続し、高インピーダンス線路であるマイクロ
ストリップ線路４へ接続した状態である。上、下側接地
導体６，８と中心導体線路７の間隔が狭いために、低イ
ンピーダンスでも線路幅はあまり拡げる必要はなくなる
。
線路２から低インピーダンス線路である中心導体線′Ｉ
ＦＩ７へ接続し、高インピーダンス線路であるマイクロ
ストリップ線路４へ接続した状態である。上、下側接地
導体６，８と中心導体線路７の間隔が狭いために、低イ
ンピーダンスでも線路幅はあまり拡げる必要はなくなる
。
第２図に示したように、中心導体線ｌｌｌ１７は上。
下側接地導体６，８に非常に近接し、また、その上、下
側絶縁体１０，９の比誘電率を変化させることで伝送線
路の特性インピーダンスを変化させることが可能となる
。
側絶縁体１０，９の比誘電率を変化させることで伝送線
路の特性インピーダンスを変化させることが可能となる
。
以上説明したように、この発明は、半絶縁性化合物半導
体基板上に下側接地導体を設け、この上に中心導体線路
を、下側絶縁体を介して形成し、中心導体線路に接触し
ないように上側接地導体を、上側絶縁体を介して中心導
体線路を取り囲むように形成したので、中心導体線路の
線路幅を拡げずに低い特性インピーダンス線路が実現で
き、集積回路の高４Ａ積化が図れる効果がある。
体基板上に下側接地導体を設け、この上に中心導体線路
を、下側絶縁体を介して形成し、中心導体線路に接触し
ないように上側接地導体を、上側絶縁体を介して中心導
体線路を取り囲むように形成したので、中心導体線路の
線路幅を拡げずに低い特性インピーダンス線路が実現で
き、集積回路の高４Ａ積化が図れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す伝送線路の上面図、
第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は従来の伝送
線路の上面図、第４図は、第３図の１３−Ｂ断面図であ
る。 図において、１は半絶縁性化合物半導体基板、６は下側
接地等体、７は中心導体線路、８は上側接地導体、９は
下側絶縁体、１０は上側絶縁体である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ］０：よｇｊ潤種怪 第３図
第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は従来の伝送
線路の上面図、第４図は、第３図の１３−Ｂ断面図であ
る。 図において、１は半絶縁性化合物半導体基板、６は下側
接地等体、７は中心導体線路、８は上側接地導体、９は
下側絶縁体、１０は上側絶縁体である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 ］０：よｇｊ潤種怪 第３図
Claims (1)
- 半絶縁性化合物半導体基板上に下側接地導体を設け、
この上に中心導体線路を、下側絶縁体を介して形成し、
前記中心導体線路に接触しないように上側接地導体を、
上側絶縁体を介して前記中心導体線路を取り囲むように
形成したことを特徴とする伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292719A JPS63144603A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292719A JPS63144603A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 伝送線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144603A true JPS63144603A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17785427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61292719A Pending JPS63144603A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144603A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393606A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Shinku Yakin Kk | 高温超伝導体厚膜の形成法 |
| US6075423A (en) * | 1997-11-26 | 2000-06-13 | Intel Corporation | Controlling signal trace characteristic impedance via a conductive epoxy layer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873138A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-02 | Toshiba Corp | マイクロ波増幅器 |
| JPS6177402A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-21 | Toyo Commun Equip Co Ltd | マツチング・ネツトワ−ク装置 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61292719A patent/JPS63144603A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873138A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-02 | Toshiba Corp | マイクロ波増幅器 |
| JPS6177402A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-21 | Toyo Commun Equip Co Ltd | マツチング・ネツトワ−ク装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0393606A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Shinku Yakin Kk | 高温超伝導体厚膜の形成法 |
| US6075423A (en) * | 1997-11-26 | 2000-06-13 | Intel Corporation | Controlling signal trace characteristic impedance via a conductive epoxy layer |
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