JPS63156381A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS63156381A JPS63156381A JP30282586A JP30282586A JPS63156381A JP S63156381 A JPS63156381 A JP S63156381A JP 30282586 A JP30282586 A JP 30282586A JP 30282586 A JP30282586 A JP 30282586A JP S63156381 A JPS63156381 A JP S63156381A
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- inp layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
本発明は、埋め込み型半導体レーザ等において、高周波
特性などの特性向上のために活性領域の横面又は近くに
高抵抗層を形成して、ＰＮ接合容量を小さくしたもので
ある。
特性などの特性向上のために活性領域の横面又は近くに
高抵抗層を形成して、ＰＮ接合容量を小さくしたもので
ある。
本発明は、半導体発光装置、より詳しくは、化合物半導
体レーザ等に関するものである。
体レーザ等に関するものである。
化合物半導体レーザとしては数多（構造が提案されてお
り、本発明は埋め込み型（ＢＨ型）と呼ばれる半導体レ
ーザの改良に関するものである。
り、本発明は埋め込み型（ＢＨ型）と呼ばれる半導体レ
ーザの改良に関するものである。
光通信用の半導体レーザは低しきい値電流、高効率でか
つ高周波特性の良いことが求められている。
つ高周波特性の良いことが求められている。
従来のＢＨ型半導体レーザは、例えば、合弁、生駒、佐
藤、胚本編著：“化合物半導体デバイス（ｎ） ”、工
業調査会（１９８５）、第２０５頁の図８．２１および
第２２０頁の図８．３４■（ａ）に示されるような構造
を有している。ＢＨ型半導体レーザの低しきい値、高効
率でかつ高周波特性を向上させるためにＰＮ接合容量を
小さくすることが有効であり、埋め込みに高抵抗層を用
いた構造の半導体レーザが提案されている。ここで提案
されている半導体レーザの構造は第４図に示すものであ
る。このＢＨ型半導体レーザはｎ−ＩｎＰ基板１と、ｎ
−ＩｎＰ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３およびｐ−Ｉｎ
Ｐ層４からなる積層構造メサストライプ部５と、高抵抗
層６、ｐ−ＩｎＰ層７およびｎ−ＩｎＰ層８の充填部９
と、全面に形成したｐ−ＩｎＰＪＷ１０と、Ｐ ” −
ＩｎＧａＡｓＰキーｔ’７プ層１１とを含んでなる。Ｉ
ｎＰ層基板基板１上電極がそしてＩｎＧａＡｓＰキャッ
プ［１上にｐ電極が形成されることになる。なお、メサ
ストライプ部５のｎ−ＩｎＰ層２は図面上は基板１の一
部であるが、基板１上に成長させたｎ−ＩｎＰ工ピタキ
シヤル層の一部であってもよい。
藤、胚本編著：“化合物半導体デバイス（ｎ） ”、工
業調査会（１９８５）、第２０５頁の図８．２１および
第２２０頁の図８．３４■（ａ）に示されるような構造
を有している。ＢＨ型半導体レーザの低しきい値、高効
率でかつ高周波特性を向上させるためにＰＮ接合容量を
小さくすることが有効であり、埋め込みに高抵抗層を用
いた構造の半導体レーザが提案されている。ここで提案
されている半導体レーザの構造は第４図に示すものであ
る。このＢＨ型半導体レーザはｎ−ＩｎＰ基板１と、ｎ
−ＩｎＰ層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３およびｐ−Ｉｎ
Ｐ層４からなる積層構造メサストライプ部５と、高抵抗
層６、ｐ−ＩｎＰ層７およびｎ−ＩｎＰ層８の充填部９
と、全面に形成したｐ−ＩｎＰＪＷ１０と、Ｐ ” −
ＩｎＧａＡｓＰキーｔ’７プ層１１とを含んでなる。Ｉ
ｎＰ層基板基板１上電極がそしてＩｎＧａＡｓＰキャッ
プ［１上にｐ電極が形成されることになる。なお、メサ
ストライプ部５のｎ−ＩｎＰ層２は図面上は基板１の一
部であるが、基板１上に成長させたｎ−ＩｎＰ工ピタキ
シヤル層の一部であってもよい。
第４図の半導体レーザでは埋め込み部９の最下層部分に
高抵抗層（高抵抗ＩｎＰ層）６が配置されて活性層から
少し離れており、半導体レーザの接合容量をそれほど低
減できなかった。
高抵抗層（高抵抗ＩｎＰ層）６が配置されて活性層から
少し離れており、半導体レーザの接合容量をそれほど低
減できなかった。
本発明の目的は、ＢＨ型半導体レーザで活性層（領域）
に高抵抗層をより近づけた構造のものを提案することで
ある。
に高抵抗層をより近づけた構造のものを提案することで
ある。
本発明の別の目的は、接合容量を低減しかつ低しきい値
電流、高効率で高周波特性の良い半導体レーザを提供す
ることである。
電流、高効率で高周波特性の良い半導体レーザを提供す
ることである。
上述の目的が、ｐ−ＩｎＰ基板と、該ｐ−ＩｎＰ基板上
に形成したｐ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層および
ｎ−ＩｎＰ層からなる積層構造のメサストライプ部と、
該メサストライプ部の両側を埋めるように形成した高抵
抗ＩｎＰ層と、該高抵抗ＩｎＰ層および前記ｎ−ＩｎＰ
層上に形成した第２のｎ−ＩｎＰ層とを含んでなること
を特徴とする半導体発光装置によって達成される。
に形成したｐ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層および
ｎ−ＩｎＰ層からなる積層構造のメサストライプ部と、
該メサストライプ部の両側を埋めるように形成した高抵
抗ＩｎＰ層と、該高抵抗ＩｎＰ層および前記ｎ−ＩｎＰ
層上に形成した第２のｎ−ＩｎＰ層とを含んでなること
を特徴とする半導体発光装置によって達成される。
また、上述の高抵抗層のみからなる充填部をｐ−ＩｎＰ
層およびその上の高抵抗層とで構成した充填部とするこ
ともできる。
層およびその上の高抵抗層とで構成した充填部とするこ
ともできる。
本発明では活性層を含むメサストライプ部を高抵抗層（
高抵抗ＩｎＰ層）で埋め込んで活性層の両側に直接に形
成するので接合容量を著しく低減することができる。な
お、この場合に高抵抗ＩｎＰＪｉをマンガン（Ｍｎ）と
チタン（Ｔｉ）との同時ドーピングした液相エピタキシ
ャル成長法によって成長温度を７００°Ｃとして形成す
ることができる。
高抵抗ＩｎＰ層）で埋め込んで活性層の両側に直接に形
成するので接合容量を著しく低減することができる。な
お、この場合に高抵抗ＩｎＰＪｉをマンガン（Ｍｎ）と
チタン（Ｔｉ）との同時ドーピングした液相エピタキシ
ャル成長法によって成長温度を７００°Ｃとして形成す
ることができる。
また、ｐ−ＩｎＰ層およびその上の高抵抗ＩｎＰ層の充
填部でメサストライプ部を埋め込んでも、先に提案した
半導体レーザよりも高抵抗ＩｎＰ層を活性層に近づける
ことができて、接合容量低減をできる。この場合には、
ｐ−ＩｎＰ層を低い成長温度（約６００℃）で液相エピ
タキシャル成長させそして高抵抗ＩｎＰ層を約８５０℃
の成長温度の鉄（Ｆｅ）ドープ液相エピタキシャル成長
法で成長させる。このときの高抵抗ＩｎＰ層をＭｎおよ
びＴｉの同時ドープ液相エピタキシャル成長法で形成し
てもよい。
填部でメサストライプ部を埋め込んでも、先に提案した
半導体レーザよりも高抵抗ＩｎＰ層を活性層に近づける
ことができて、接合容量低減をできる。この場合には、
ｐ−ＩｎＰ層を低い成長温度（約６００℃）で液相エピ
タキシャル成長させそして高抵抗ＩｎＰ層を約８５０℃
の成長温度の鉄（Ｆｅ）ドープ液相エピタキシャル成長
法で成長させる。このときの高抵抗ＩｎＰ層をＭｎおよ
びＴｉの同時ドープ液相エピタキシャル成長法で形成し
てもよい。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
貫−上
第１図は本発明に係る半導体レーザの概略断面図である
。
。
この半導体レーザは、ｐ−ＩｎＰ基板２１と、ｐ−Ｉｎ
ＰＩｉ１２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３およびｎ−Ｉ
ｎＰ層２４からなるメサストライプ部２５と、このメサ
ストライプ部２５の両側を埋めている高抵抗ＩｎＰ層２
６と、全面を覆うｎ−ＩｎＰ層２７と、ｎ −ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層２８とを含んでなる。そして、半導体
レーザが次のようにして製造される。
ＰＩｉ１２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３およびｎ−Ｉ
ｎＰ層２４からなるメサストライプ部２５と、このメサ
ストライプ部２５の両側を埋めている高抵抗ＩｎＰ層２
６と、全面を覆うｎ−ＩｎＰ層２７と、ｎ −ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層２８とを含んでなる。そして、半導体
レーザが次のようにして製造される。
まず、ｐ −１ｎ Ｐ （１００）基板２１上の全面に
ｐ−ＩｎＰ層２２、ＩｎＧａＡｓＰ ’活性層２３およ
びｎ−ＩｎＰ層２４を連続的に液相エピタキシャル成長
させる。成長温度は６００°Ｃであり、成長溶液の組成
はそれぞれ次のとおりである。
ｐ−ＩｎＰ層２２、ＩｎＧａＡｓＰ ’活性層２３およ
びｎ−ＩｎＰ層２４を連続的に液相エピタキシャル成長
させる。成長温度は６００°Ｃであり、成長溶液の組成
はそれぞれ次のとおりである。
ｐ−ＩｎＰ層溶液はドーパントにカドミウム（Ｃｄ）を
用いて、Ｉｎ： ＩｎＰ： Ｃｄ ＝１ ｇ ： ５
．７ｏｖ：３０曙であり、 ＩｎＧａＡｓＰ層溶液はＩｎ：ＩｎＰ ：ＧａＡｓ：
ＩｎＰ ＝１ ｇ ：４４．３ｏｗ ： ９．２■：１
．５■であり、ｎ−ＩｎＰ層溶液溶液−パントに鍋（Ｓ
ｎ）を用いて、Ｉｎ： ＩｎＰ： Ｓｎ ＝ｌ ｇ
： ５．５ｍｇ：３０ｏｗである。
用いて、Ｉｎ： ＩｎＰ： Ｃｄ ＝１ ｇ ： ５
．７ｏｖ：３０曙であり、 ＩｎＧａＡｓＰ層溶液はＩｎ：ＩｎＰ ：ＧａＡｓ：
ＩｎＰ ＝１ ｇ ：４４．３ｏｗ ： ９．２■：１
．５■であり、ｎ−ＩｎＰ層溶液溶液−パントに鍋（Ｓ
ｎ）を用いて、Ｉｎ： ＩｎＰ： Ｓｎ ＝ｌ ｇ
： ５．５ｍｇ：３０ｏｗである。
成長時間はそれぞれについて２００秒、３秒および２０
秒として、成長層厚はｐ−ＩｎＰ層２２が１ｐｍで、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層２３が０．２ ｐ ｍで、ｎ−ＩｎＰ基
板２１が０．５ ｐ ｍである。
秒として、成長層厚はｐ−ＩｎＰ層２２が１ｐｍで、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層２３が０．２ ｐ ｍで、ｎ−ＩｎＰ基
板２１が０．５ ｐ ｍである。
ｎ−ＩｎＰ層２４の上に所定幅（３μｍ）のＳｉ０ｇス
トライプマスク２９ （第３図）を＜０１１＞方向で形
成し、臭素（Ｂｒ）メタノールのエッチャントを用いて
ｎ−ＩｎＰ層２４、ＩｎＧａＡｓＰ層２３およびｐ−Ｉ
ｎＰＰｉ２２を化学エツチングしてメサストライプ部２
５を形成する。この状態を第３図に示す。
トライプマスク２９ （第３図）を＜０１１＞方向で形
成し、臭素（Ｂｒ）メタノールのエッチャントを用いて
ｎ−ＩｎＰ層２４、ＩｎＧａＡｓＰ層２３およびｐ−Ｉ
ｎＰＰｉ２２を化学エツチングしてメサストライプ部２
５を形成する。この状態を第３図に示す。
次に、高抵抗ＩｎＰＪｉ２６を液相エピタキシャル成長
法でメサストライプ部２５を埋めるようにその両側に成
長させる（第１図）。この液相成長は溶液組成をＩｎ：
ＩｎＰ： Ｍｎ ： Ｔｉ ＝ １ ｇ ：２１
．Ｏｍｇ：３ｘｌｏ−μｇ：２ｍｇとしてＭｎ とＴｉ
との同時ドーピングでＩｎＰを高抵抗化を図って、か
つ７００℃の成長温度で行なう。
法でメサストライプ部２５を埋めるようにその両側に成
長させる（第１図）。この液相成長は溶液組成をＩｎ：
ＩｎＰ： Ｍｎ ： Ｔｉ ＝ １ ｇ ：２１
．Ｏｍｇ：３ｘｌｏ−μｇ：２ｍｇとしてＭｎ とＴｉ
との同時ドーピングでＩｎＰを高抵抗化を図って、か
つ７００℃の成長温度で行なう。
５ｉＯｚストライプマスク２９をフン化アンモニウム液
でエツチング除去する。それから、第３回目の液相エピ
タキシャル成長によって高抵抗ＩｎＰ層２６およびｎ−
ＩｎＰ層２４の上にｎ−ＩｎＰ層２７（厚さ：１．Ｏμ
ｍ）およびｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層２８ （厚さ＝０．
５μｍ）を連続成長させる。
でエツチング除去する。それから、第３回目の液相エピ
タキシャル成長によって高抵抗ＩｎＰ層２６およびｎ−
ＩｎＰ層２４の上にｎ−ＩｎＰ層２７（厚さ：１．Ｏμ
ｍ）およびｎ −ＩｎＧａＡｓＰ層２８ （厚さ＝０．
５μｍ）を連続成長させる。
そして、基板２１上にｐ電極（Ａｕ −Ｚｎ −Ａ１１
％図示せず）を、ｎ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８
上にｎ電極（Ａｕ −Ｇｅ 、図示せず）“をそれぞれ
通常の方法で形成する。このようにして得たものを３０
０μｍの共振器長で切り出すくへき関する）と半導体レ
ーザが製造できる。得られた半導体レーザの特性は、し
きい値電流が１５ｍＡで、効率が０．３５ｍ Ｗ ／
ｍ Ａ −ｆａｃｅｔで、接合容量が５ｐＦである。
％図示せず）を、ｎ −ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８
上にｎ電極（Ａｕ −Ｇｅ 、図示せず）“をそれぞれ
通常の方法で形成する。このようにして得たものを３０
０μｍの共振器長で切り出すくへき関する）と半導体レ
ーザが製造できる。得られた半導体レーザの特性は、し
きい値電流が１５ｍＡで、効率が０．３５ｍ Ｗ ／
ｍ Ａ −ｆａｃｅｔで、接合容量が５ｐＦである。
汎−Ｉ
第２図は併合発明に係る半導体レーザの概略断面図であ
り、この半導体レーザは、ｐ−ＩｎＰ基板２１と、ｐ−
ＩｎＰ層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３およびｎ −
１ｎ、 Ｐ層２４からなるメサストライプ部２５と、こ
のメサストライプ部２５の両側を埋めているｐ−ＩｎＰ
層３１およびこの上の高抵抗ＩｎＰ層３２からなる充填
部３３と、全面を覆うｎ−ＩｎＰ層とを含んでなる。こ
の半導体レーザが次のようにして製造される。
り、この半導体レーザは、ｐ−ＩｎＰ基板２１と、ｐ−
ＩｎＰ層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３およびｎ −
１ｎ、 Ｐ層２４からなるメサストライプ部２５と、こ
のメサストライプ部２５の両側を埋めているｐ−ＩｎＰ
層３１およびこの上の高抵抗ＩｎＰ層３２からなる充填
部３３と、全面を覆うｎ−ＩｎＰ層とを含んでなる。こ
の半導体レーザが次のようにして製造される。
上述の例１と同じ工程で第３図に示す状態のメサストラ
イプ部２５を形成する。
イプ部２５を形成する。
そして、メサストライプ部２５を埋めるようにｐ−Ｉｎ
Ｐ層３１を液相エピタキシャル成長させる（第２図）。
Ｐ層３１を液相エピタキシャル成長させる（第２図）。
この液相成長は溶液組成をＩｎ：ＩｎＰ： Ｃｄ ＝
１ ｇ ： ５．５ｍｇ：３０ｍｇとして６００℃の成
長温度で行なう。さらに、高抵抗ＩｎＰ層３２を液相エ
ピタキシャル成長でｐ−ＩｎＰ層３層上１上成する。こ
の液相成長は溶液組成をＩｎ ： ＩｎＰ ：Ｆｅ
＝ １ ｇ ：１１ｍｇ ： ２ｍｇとしてＦｅ ド
ーピングでＩｎＰを高抵抗化を図って、かつ８５０℃の
成長温度で行なう。
１ ｇ ： ５．５ｍｇ：３０ｍｇとして６００℃の成
長温度で行なう。さらに、高抵抗ＩｎＰ層３２を液相エ
ピタキシャル成長でｐ−ＩｎＰ層３層上１上成する。こ
の液相成長は溶液組成をＩｎ ： ＩｎＰ ：Ｆｅ
＝ １ ｇ ：１１ｍｇ ： ２ｍｇとしてＦｅ ド
ーピングでＩｎＰを高抵抗化を図って、かつ８５０℃の
成長温度で行なう。
ＳｉＯ□ストライプマスク２９を例１と同様に除去して
から、ｎ−ＩｎＰ層（厚さ：１．０μｍ）３４を液相エ
ピタキシャル成長法によって高抵抗ＩｎＰ層３２および
ｎ−ＩｎＰ層２４の上に成長させる。例１でのようにｎ
−ＩｎＰ層３４の上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層を成長させ
てもよい。
から、ｎ−ＩｎＰ層（厚さ：１．０μｍ）３４を液相エ
ピタキシャル成長法によって高抵抗ＩｎＰ層３２および
ｎ−ＩｎＰ層２４の上に成長させる。例１でのようにｎ
−ＩｎＰ層３４の上にｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層を成長させ
てもよい。
そして、例１と同様にｐ電極およびｎ電極をそれぞれ形
成し、３００μｍの共振器長で切り出して半導体レーザ
が製造できる。得られた半導体レーザの特性は、しきい
値電流が１５ｍＡで、効率が０．３５ｍ Ｗ ／ ｍ
Ａ−ｆａｃｅｔで、接合容量が８ｐＦである。
成し、３００μｍの共振器長で切り出して半導体レーザ
が製造できる。得られた半導体レーザの特性は、しきい
値電流が１５ｍＡで、効率が０．３５ｍ Ｗ ／ ｍ
Ａ−ｆａｃｅｔで、接合容量が８ｐＦである。
本発明によれば、ＢＨ型半導体レーザにおいて活性層の
両側直接に又は近づけて高抵抗層を形成することができ
て接合容量を低減し、低しきい値かつ高効率で高周波特
性の良い半導体レーザが得られる。
両側直接に又は近づけて高抵抗層を形成することができ
て接合容量を低減し、低しきい値かつ高効率で高周波特
性の良い半導体レーザが得られる。
第１図は本発明に係る半導体レーザの概略断面図であり
、第２図は併合発明に係る半導体レーザの概略断面図で
あり、第３図は製造途中の半導体レーザの概略断面図で
あり、および第４図は既に提案されている半導体レーザ
の概略断面図である。 ２１・・・ｐ−ＩｎＰ基板、 ２２・・・ｐ−ＩｎＰ層、 ２３ ＝４ｎＧａＡｓＰ活性層、 ２５・・・メサストライプ部、 ２６・・・高抵抗層、 ２７・・・ｎ−ＩｎＰ層
、３１・・・ｐ−ＩｎＰ層、 ３２・・・高抵抗層、
３４−ｎ−ＩｎＰ層。
、第２図は併合発明に係る半導体レーザの概略断面図で
あり、第３図は製造途中の半導体レーザの概略断面図で
あり、および第４図は既に提案されている半導体レーザ
の概略断面図である。 ２１・・・ｐ−ＩｎＰ基板、 ２２・・・ｐ−ＩｎＰ層、 ２３ ＝４ｎＧａＡｓＰ活性層、 ２５・・・メサストライプ部、 ２６・・・高抵抗層、 ２７・・・ｎ−ＩｎＰ層
、３１・・・ｐ−ＩｎＰ層、 ３２・・・高抵抗層、
３４−ｎ−ＩｎＰ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｐ−ＩｎＰ基板と、該ｐ−ＩｎＰ基板上に形成した
ｐ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層およびｎ−ＩｎＰ
層からなる積層構造のメサストライプ部と、該メサスト
ライプ部の両側を埋めるように形成した高抵抗ＩｎＰ層
と、該高抵抗ＩｎＰ層および前記ｎ−ＩｎＰ層上に形成
した第２のｎ−ＩｎＰ層とを含んでなることを特徴とす
る半導体発光装置。 ２、ｐ−ＩｎＰ基板と、該ｐ−ＩｎＰ基板上に形成した
ｐ−ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層およびｎ−ＩｎＰ
層からなる積層構造のメサストライプ部と、該メサスト
ライプ部の両側を埋めるように形成した第２のｎ−Ｉｎ
Ｐ層およびその上の高抵抗ＩｎＰ層からなる充填部と、
該高抵抗ＩｎＰ層および前記ｎ−ＩｎＰ層上に形成した
第２のｎ−ＩｎＰ層とを含んでなることを特徴とする半
導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302825A JPH0795616B2 (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302825A JPH0795616B2 (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63156381A true JPS63156381A (ja) | 1988-06-29 |
| JPH0795616B2 JPH0795616B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=17913545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61302825A Expired - Lifetime JPH0795616B2 (ja) | 1986-12-20 | 1986-12-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795616B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880887A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Nec Corp | 半導体レ−ザ・フオトダイオ−ド光集積化素子 |
| JPS61216495A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-20 JP JP61302825A patent/JPH0795616B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880887A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Nec Corp | 半導体レ−ザ・フオトダイオ−ド光集積化素子 |
| JPS61216495A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0795616B2 (ja) | 1995-10-11 |
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