JPS6315675B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル記憶素子の検出器に関する
ものである。

通常、磁気バブル記憶素子は磁気バブルの発生
及び消去を制御する回路、磁気バブルを記憶する
回路、磁気バブルを複製する回路、そして磁気バ
ブルの存在を検出して電気信号として取り出す検
出器などを具備している。

特に、磁気バブル検出器としては、近時第１図
に示すように、パーマロイなどの軟磁性体の磁気
抵抗効果を利用したものが多く用いられている。
同図において、１はパーマロイなどからなるシエ
ブロン形転送路パターン、２はパーマロイなどか
らなる磁気バブル検出線、３は磁気バブル注入部
である。

第２図ａ，ｂは磁気バブルを転送するための機
構を示す原理図であり、磁気バブルはＡ→Ｂ→Ｃ
→Ｄ→Ｅの経路を経て転送される。なお、この磁
気バブルは同図ｂに示す面内回転磁界のＡ→Ｂ→
Ｃ→Ｄ→Ｅの時計方向の回転にともなつて転送さ
れる。この場合、第２図ａのＡ〜Ｅと同図ｂのＡ
〜Ｅとは同期しており、この結果、磁気バブルは
面内回転磁界の回転に追従して１ビツト毎に転送
されることになる。このような原理にもとづいて
転送される磁気バブルは、第１図で示した磁気バ
ブル注入部３から注入し、図示の上方向に転送さ
れて順次拡大してゆき、検出線２を横切る際には
充分拡大された磁気バブルにより検出線２の磁気
抵抗効果があらわれ電気信号として感知されるこ
とになる。

磁気バブルの信号を検出する場合、次のような
問題が発生する。すなわち、検出線２は信号とし
ての磁気バブルのもれ磁界のほかにノイズとして
面内回転磁界による磁気抵抗変化のノイズ消去が
必要となる。このノイズ消去対策として、従来は
第３図に示すように磁気バブル注入部のない、す
なわち、磁気バブルの転送に無関係な転送パター
ン（通称ダミー検出器と呼ぶ）を設けて正規の検
出線２とダミー検出線２ａを同一増幅器に接続し
同相雑音を消去している。なお、第３図では第１
図と同じものは同じ符号を用いてある。第４図は
磁気バブル検出回路構成を示したものである。図
において、検出線２、ダミー検出線２ａ、抵抗
４，４ａはホイーストンブリツジ（Wheatstone
bridge）接続されている。５は差動増幅器であ
り、＋Ｖは電源である。この回路の動作は面内回
転磁界により磁気バブルが検出線２に入ると磁気
バブルが作る磁界により検出線２の電気抵抗が変
化し、一方ダミー検出線２ａの電気抵抗は不変に
保たれる。この結果、ブリツジのバランスがくず
れ、差動増幅器５に入力が入り、増幅器５はこれ
を増幅して磁気バブルの存在を示す信号を出力す
る。

さて、ダミー検出器（図示していないが、実際
には磁気バブルが進入しないようにダミー検出器
部パターンの外周は周知のＴバー等からなるガー
ドレールが設けられている。）は周知のごとく第
３図のように正規の検出器と同様に大きな面積を
占める（このようにすることによつて磁気的環境
を正規の検出器と同じにする。）ため、チツプ当
りのビツト密度向上の阻害要因の１つとなつてい
る。

従つて、本発明の目的は上記問題点を解決する
新規な磁気バブル検出器を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明においてはダ
ミー検出器を構成するパターン中の磁気バブル進
入路側に前記第１および第２の検出器を構成する
磁気バブル転送路パターンと実質的に同一の転送
路パターンを約180゜回転して形成した磁気バブル
排除用転送路を設けたことを特徴としている。

ダミー検出器をこのような構成とすることによ
つて、従来の必要占有面積を約40％削減でき、そ
の結果、チツプ当りのビツト密度向上に大きく寄
与することができる。

以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。

第５図は本発明によるダミー検出器の全体構成
を示す図である。同図にはシエブロンパターンを
使用して構成した磁気バブル検出器のうちのダミ
ー検出器部分のみを示してある。６はパーマロイ
パターンなどからなる軟磁性体を直列接続した検
出線である。７は磁気バブル転送路であり、８は
本発明による磁気バブル排除用転送路であり、磁
気バブル転送路７と同じシエブロンパターンを用
いている。第２図ｂに示したような面内回転磁界
が加えられるので、磁気バブルは図面の下方から
上方に向つて進む。しかしながら、磁気バブル排
除用転送路８が他の正規な磁気バブル転送路７に
対して180゜回転して設けられているため、磁気バ
ブルは進入することができない。すなわち、この
磁気バブル排除用転送路８は従来のダミー検出器
を取り囲んでいる磁気バブル進入阻止用ガードレ
ール（Ｔバーバターンからなつている）の役割を
受け持つ。さらには、正規の検出器と同じ磁気的
環境をつくり出す役割をもになつている。従つ
て、従来のＴバーからなるガードレールを使用せ
ずに全く同じシエブロンパターンを使用し、ただ
180゜回転しているだけなので、ガードレール使用
時と較べてその磁気的環境が非常につくり易い。
なぜならば、Ｔバーパターンとシエブロンパター
ンという互いに異質なパターンを接近して使用す
るダミー検出器と、シエブロンパターンのみから
なる正規の検出器とではその磁気的環境が相違す
るので、ダミー検出器はその磁気的環境を整合す
る意味でも正規の検出器と同じ構成にする必要が
あるが、ガードレールを使用しない場合は同じ構
成にしなくてもその磁気的環境を整えられるから
である。それゆえ、ダミー検出線６と磁気バブル
排除用転送路８との間にある磁気バブル転送路７
の列数を減少させることが可能となる。実験結果
によると、その数は１〜２列で充分であることが
判明した。また、磁気バブル排除用転送路８の列
数も図示のごとく２列で充分であることがわかつ
た。ただし、ダミー検出線６の図面上で上側の磁
気バブル転送路７は従来と同じ列数であるが、普
通、磁気バブルを検出した後は縮小することなく
そのまま磁気バブル消去器（例えば、パーマロイ
のバーなど）に送り込むのでそのための転送路の
列数は少なくてよい。従つてダミー検出線６のそ
れも少なくて済む。

従つて、本発明により、ダミー検出器のパター
ン構成中のダミー検出線６と磁気バブル排除用転
送路８との間の磁気バブル転送路７の列数が削減
でき、その削減列数を占有面積に換算すると約40
％となる。この削減により生じた面積はそつくり
磁気バブルの記憶回路用として転用でき、その結
果、チツプ当りのビツト密度の向上に大きく寄与
することとなる。ちなみに、チツプの有効面積中
に占めるダミー検出器の割合は約10％であるの
で、記憶回路用として振り向けられる面積は全体
の約４％となる。この数値は一見小さいようであ
るが、最近の高密度実装を実現するためには重要
な数値である。

上述の説明ではその使用パターンとして基本的
なシエブロン形を用いているが、磁気バブル転送
路７および磁気バブル排除用転送路８ともにＴバ
ーパターンで形成するとか、種々の変形を加えた
パターンでも同じ効果が得られることはもちろん
である。

以上述べたごとく、本発明によつてダミー検出
器の磁気的環境を正規の検出器のそれと同様に保
ちながら、しかも、その占有面積を正規の検出器
のそれより大幅に削減でき、それによつて、チツ
プ当りの記憶容量の増加、すなわち、ビツト密度
の向上を図ることが可能となつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブル拡大検出器の説明図、第２
図ａ，ｂはシエブロン形転送パターンの転送順序
を説明する図、第３図は正規の検出器とダミー検
出器とのパターン構成図、第４図は磁気バブル検
出回路の構成図、第５図は本発明によるダミー検
出器のパターン構成図である。 ６…検出線、７…磁気バブル転送路、８…磁気
バブル排除用転送路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブルを拡大検出する第１の検出器と磁
   気バブルを拡大検出しない第２の検出器とを含む
   磁気バブル検出器において、 上記第２の検出器の磁気バブル進入路側に、前
   記第１および第２の検出器を構成する磁気バブル
   転送路パターンと実質的に同一の転送路パターン
   を約180゜回転して形成した磁気バブル排除用転送
   路を設けたことを特徴とする磁気バブル検出器。