JPS6366785A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPS6366785A JPS6366785A JP61209486A JP20948686A JPS6366785A JP S6366785 A JPS6366785 A JP S6366785A JP 61209486 A JP61209486 A JP 61209486A JP 20948686 A JP20948686 A JP 20948686A JP S6366785 A JPS6366785 A JP S6366785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- magnetic
- detector
- magnetic bubble
- phase block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記憶容量の高密度、高集積化に好適な磁気バブ
ルメモリ装置に係り、特に磁気バブル検出器の構成に関
するものである。
ルメモリ装置に係り、特に磁気バブル検出器の構成に関
するものである。
近年、記憶容量の高密度、高集積化に伴い、１枚の基板
上に２組の磁気バブルメモリ素子を形成して大容量化し
たいわゆる〇−π構成の磁気バブルメモリ装置が例えば
特開昭５７−１４３７８８号公報等において提案されて
いる。
上に２組の磁気バブルメモリ素子を形成して大容量化し
たいわゆる〇−π構成の磁気バブルメモリ装置が例えば
特開昭５７−１４３７８８号公報等において提案されて
いる。
このＯ−π構成は、情報の書き込み、読み出しを毎ビッ
トで入出力する２つの磁気バブルメモリ素子ブロックか
ら構成され、情報の書き込みあるいは読み出しのタイミ
ング（位相）が互いに１８０度異なる０相ブロックとπ
相ブロックとから構成されている。この構成は１サイク
ルで２ビツトの情報を入出力でき、２倍のスピードで情
報が入出力できる特徴を有している。
トで入出力する２つの磁気バブルメモリ素子ブロックか
ら構成され、情報の書き込みあるいは読み出しのタイミ
ング（位相）が互いに１８０度異なる０相ブロックとπ
相ブロックとから構成されている。この構成は１サイク
ルで２ビツトの情報を入出力でき、２倍のスピードで情
報が入出力できる特徴を有している。
従来のＯ−π構成法による磁気バブル検出器は、簿膜型
であるため、製作プロセスを増大させ、さらに薄膜を採
用するため５作製が困難であり、かつ信頼性の点におい
ても問題があった。
であるため、製作プロセスを増大させ、さらに薄膜を採
用するため５作製が困難であり、かつ信頼性の点におい
ても問題があった。
本発明の目的は、プロセスを増大させることなく容易に
製作することができるバブル検出器を有する０−π構成
法による磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
製作することができるバブル検出器を有する０−π構成
法による磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、信頼性の高いバブル検出（（：）
を有するＯ−π構成法による磁気バブルメモリ装置を提
供することにある。
を有するＯ−π構成法による磁気バブルメモリ装置を提
供することにある。
本発明の一実施例によれば、Ｏ相ブロックの磁気バブル
検出器とπ相ブロックの磁気バブル検出器とを空間的に
１８０度反転させて配置することにより、厚膜型の磁気
バブル検出器を有する磁気バブルメモリ装置が提供され
る。
検出器とπ相ブロックの磁気バブル検出器とを空間的に
１８０度反転させて配置することにより、厚膜型の磁気
バブル検出器を有する磁気バブルメモリ装置が提供され
る。
本発明においては、磁気バブル検出器が０相ブロックと
π相ブロックとで空間的に１８０度反転させて配置され
るので、情報の読み出しのタイミングが１８０度異４り
、１サイクルで２ビツトの情報が出力される。
π相ブロックとで空間的に１８０度反転させて配置され
るので、情報の読み出しのタイミングが１８０度異４り
、１サイクルで２ビツトの情報が出力される。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
なお、第１図乃至第４図において左右上下４方向の矢印
はチップ内における基準方向を示し全図対応関係は同じ
である。
はチップ内における基準方向を示し全図対応関係は同じ
である。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ装置を説明する
ための磁気バブルメモリ素子ＣＨＩの１ブロック構成図
である。同図において、ｍは情報を貯えるマイナループ
、Ｇは情報書き込み時のバブル発生回路、Ｄは読み出し
情報を検出し電気信号に変換する磁気バブル検出器であ
り、ＤＭはメイン検出器、ＤＤはダミー検出器である。
ための磁気バブルメモリ素子ＣＨＩの１ブロック構成図
である。同図において、ｍは情報を貯えるマイナループ
、Ｇは情報書き込み時のバブル発生回路、Ｄは読み出し
情報を検出し電気信号に変換する磁気バブル検出器であ
り、ＤＭはメイン検出器、ＤＤはダミー検出器である。
ＷＬは書き込み情報を転送するライトライン、ＲＬは読
み出し情報を転送するリードライン、ＷＧは書き込み情
報をマイナループｍへ移す書き込みゲート、ＲＧは読み
出し情報をマイナループｍからリードラインＲＬへ移す
読み出しゲートである。Ｍｍは欠陥マツプループの情報
を専用に記憶するマツプループであり、このマツプルー
プＭｍにも専用の書き込みゲートＭＷＧおよび読み出し
ゲートＭＲＧが設けられている。ＢＰは端子としてのポ
ンディングパッドであり、太線は導体パターン、細１線
は情報としての磁気バブルを転送させるシェブロンパタ
ーン転送路をそれぞれ示しており、同図中、左側が０相
ブロックＢＲｏ、右側がπ相ブロックＢＲπであり、０
相ブロックのＢＲｏとπ相ブロックＢ Ｒ７ｃとで磁気
バブル発生器Ｇｏ、Ｇπおよび磁気バブル検出器Ｄｏ、
Ｄπの動作位相が回転磁界で表現すると１８０度異４り
構成となっている。
み出し情報を転送するリードライン、ＷＧは書き込み情
報をマイナループｍへ移す書き込みゲート、ＲＧは読み
出し情報をマイナループｍからリードラインＲＬへ移す
読み出しゲートである。Ｍｍは欠陥マツプループの情報
を専用に記憶するマツプループであり、このマツプルー
プＭｍにも専用の書き込みゲートＭＷＧおよび読み出し
ゲートＭＲＧが設けられている。ＢＰは端子としてのポ
ンディングパッドであり、太線は導体パターン、細１線
は情報としての磁気バブルを転送させるシェブロンパタ
ーン転送路をそれぞれ示しており、同図中、左側が０相
ブロックＢＲｏ、右側がπ相ブロックＢＲπであり、０
相ブロックのＢＲｏとπ相ブロックＢ Ｒ７ｃとで磁気
バブル発生器Ｇｏ、Ｇπおよび磁気バブル検出器Ｄｏ、
Ｄπの動作位相が回転磁界で表現すると１８０度異４り
構成となっている。
第４図は第３図に示した磁気バブル検出器におけるバブ
ル拡大器の要部拡大平面図で（、）は０相検出器Ｄｏ、
（ｂ）はπ相検出器りπにおけるバブル拡大器部分を示
している。同図において、Ｓは磁気バブル拡大器におけ
る転送パターンであり、このパターンＳは回転磁界Ｈｒ
（図示せず）に応答して磁気バブルＢを矢印Ｐ方向へ転
送すると同時に左右方向に拡大する機能を有し、パーマ
ロイ等の軟強磁性体膜（膜厚３０００〜５０００人）で
構成されている。
ル拡大器の要部拡大平面図で（、）は０相検出器Ｄｏ、
（ｂ）はπ相検出器りπにおけるバブル拡大器部分を示
している。同図において、Ｓは磁気バブル拡大器におけ
る転送パターンであり、このパターンＳは回転磁界Ｈｒ
（図示せず）に応答して磁気バブルＢを矢印Ｐ方向へ転
送すると同時に左右方向に拡大する機能を有し、パーマ
ロイ等の軟強磁性体膜（膜厚３０００〜５０００人）で
構成されている。
通常、磁気バブル検出器りには厚膜型と薄膜型との２種
類があり、ともに磁気バブルを電気信号に変換するバブ
ル検出器素子部としては磁気抵抗効果を利用し、前述し
た磁気バブル転送路と同じパーマロイ等の軟強磁性体膜
で形成される。厚膜型は、このバブル検出器素部もバブ
ル転送路と同じ層に同一膜厚（３０００〜５０００人）
で同時に一括して形成される型である。これに対して薄
膜型は、バブル検出器素部用の専用の層をバブル転送路
層とは別に設け、その膜厚は３００〜５００人とバブル
転送路の膜厚の約１／１０と薄く形成される。
類があり、ともに磁気バブルを電気信号に変換するバブ
ル検出器素子部としては磁気抵抗効果を利用し、前述し
た磁気バブル転送路と同じパーマロイ等の軟強磁性体膜
で形成される。厚膜型は、このバブル検出器素部もバブ
ル転送路と同じ層に同一膜厚（３０００〜５０００人）
で同時に一括して形成される型である。これに対して薄
膜型は、バブル検出器素部用の専用の層をバブル転送路
層とは別に設け、その膜厚は３００〜５００人とバブル
転送路の膜厚の約１／１０と薄く形成される。
ところで、第４図に示した０−π構成法による磁気バブ
ル検出器Ｄｏ、Ｄπは、薄膜型であり。
ル検出器Ｄｏ、Ｄπは、薄膜型であり。
同図において、ｄ、、ｄπはバブル検出磁気抵抗素子部
であり転送パターンＳとは別の層で形成されている。こ
の磁気抵抗素子部ｄ０．ｄπは０−π構成法を実現する
ために転送パターンＳを基准にした相対位置が（ａ）と
（ｂ）とで回転磁界で表して約１８０４異なる位相とな
るように配置されている。つまり、磁気抵抗効果ｄｏは
転送パターンＳのバブル入口側に、磁気抵抗素子ｄπは
転送パターンＳのバブル出口側に配置されている。
であり転送パターンＳとは別の層で形成されている。こ
の磁気抵抗素子部ｄ０．ｄπは０−π構成法を実現する
ために転送パターンＳを基准にした相対位置が（ａ）と
（ｂ）とで回転磁界で表して約１８０４異なる位相とな
るように配置されている。つまり、磁気抵抗効果ｄｏは
転送パターンＳのバブル入口側に、磁気抵抗素子ｄπは
転送パターンＳのバブル出口側に配置されている。
これによって動作タイミングが１８０度異４りことにな
る。
る。
しかしながら、このように構成される磁気バブルメモリ
装置は、磁気バブル検出器Ｄｏ、Ｄπが薄膜型で構成さ
れ、製造プロセス等の点で不都合であった。
装置は、磁気バブル検出器Ｄｏ、Ｄπが薄膜型で構成さ
れ、製造プロセス等の点で不都合であった。
したがって本発明による〇−π構成法による磁気バブル
メモリ装置は、磁気バブル検出器りが第１図に示すよう
にＯ相ブロックＢＲｏの磁気バブル検出器Ｄｏとπ相ブ
ロックＢＲπの磁気バブル検出器Ｄπとを１８０度反転
させた配置としている。
メモリ装置は、磁気バブル検出器りが第１図に示すよう
にＯ相ブロックＢＲｏの磁気バブル検出器Ｄｏとπ相ブ
ロックＢＲπの磁気バブル検出器Ｄπとを１８０度反転
させた配置としている。
第２図は第１図に示した磁気バブル検出器りの詳細を示
す要部拡大平面図で同図はＯ相ブロックＢＲｏのバブル
検出器Ｄｏ、（ｂ）はπ相ブロックＢＲπのバブル検出
器Ｄπを示している。同図において、バブル拡大パター
ンＳおよびバブル検出磁気抵抗素子部ｄ。、ｄπが同図
（ａ）と同図（ｂ）とで逆向きとなって形成されており
、したがって磁気バブルは転送方向Ｐで示すように逆方
向にそれぞれ転送される。この場合、磁気抵抗素子部ｄ
。、ｄπは厚膜型で構成され、バブル拡大パターンＳと
同層にバブル転送路の一部として一括して形成されてい
る。
す要部拡大平面図で同図はＯ相ブロックＢＲｏのバブル
検出器Ｄｏ、（ｂ）はπ相ブロックＢＲπのバブル検出
器Ｄπを示している。同図において、バブル拡大パター
ンＳおよびバブル検出磁気抵抗素子部ｄ。、ｄπが同図
（ａ）と同図（ｂ）とで逆向きとなって形成されており
、したがって磁気バブルは転送方向Ｐで示すように逆方
向にそれぞれ転送される。この場合、磁気抵抗素子部ｄ
。、ｄπは厚膜型で構成され、バブル拡大パターンＳと
同層にバブル転送路の一部として一括して形成されてい
る。
このような構成によれば、磁気バブルが磁気抵抗素子部
ｄ、、ｄπを通り抜ける時点が回転磁界にして１８０度
異４っており、これによって読み出し動作のタイミング
（位相）が互いに１８０度異４っせることができる。
ｄ、、ｄπを通り抜ける時点が回転磁界にして１８０度
異４っており、これによって読み出し動作のタイミング
（位相）が互いに１８０度異４っせることができる。
以上説明したように本発明によれば、０相ブロックの検
出器とπ相ブロック検出器とを１８０度相互に反転して
配置したことにより、磁気バブル検出器を厚膜型で構成
でき、製作が容易となるとともに信頼性の高い磁気バブ
ル検出器が実現可能となるなどの極めて優れた効果が得
られる。
出器とπ相ブロック検出器とを１８０度相互に反転して
配置したことにより、磁気バブル検出器を厚膜型で構成
でき、製作が容易となるとともに信頼性の高い磁気バブ
ル検出器が実現可能となるなどの極めて優れた効果が得
られる。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ装置の一実施例
を示す磁気バブルメモリ素子の平面図、第２図は第１図
の磁気バブル検出器を示す要部拡大平面図、第３図、第
４図は本発明による磁気バブルメモリ装置を説明するた
めの磁気バブルメモリ素子、その磁気バブル検出器を示
す平面図である。 ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリ素子（素子）、ｍ・・・
マツプループ、Ｍｍ・・・マツプループ、Ｇ・・・磁気
バブル発生器、ＷＬ−−・ライトライン、ＷＧ・・・書
き込みゲート、ＭＷＧ・・・マツプ情１Ｆき込みゲート
、ＲＧ・・・読み出しゲート、ＲＬ・・・リードライン
、ＭＲＧ・・・マツプ情報読み出しゲート、Ｄ・・・磁
気バブル検出器、Ｄｏ・・・Ｏ相検出器、Ｄπ・・・π
相検出器、ｄ、・・・０相検出器素部、ｄπ・・・π相
検出器素部、ＤＭ・・・メイン検出器、ＤＤ・・・ダミ
ー検出器、ＢＰ・・・ボンディングパラ第２図 ト 又きＳごぺ）Ｒ８５ｇべ ＩＩＩＩＩＩＩＩＩＩ Ｓ・・・磁気バフ゛ル拡大器
を示す磁気バブルメモリ素子の平面図、第２図は第１図
の磁気バブル検出器を示す要部拡大平面図、第３図、第
４図は本発明による磁気バブルメモリ装置を説明するた
めの磁気バブルメモリ素子、その磁気バブル検出器を示
す平面図である。 ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリ素子（素子）、ｍ・・・
マツプループ、Ｍｍ・・・マツプループ、Ｇ・・・磁気
バブル発生器、ＷＬ−−・ライトライン、ＷＧ・・・書
き込みゲート、ＭＷＧ・・・マツプ情１Ｆき込みゲート
、ＲＧ・・・読み出しゲート、ＲＬ・・・リードライン
、ＭＲＧ・・・マツプ情報読み出しゲート、Ｄ・・・磁
気バブル検出器、Ｄｏ・・・Ｏ相検出器、Ｄπ・・・π
相検出器、ｄ、・・・０相検出器素部、ｄπ・・・π相
検出器素部、ＤＭ・・・メイン検出器、ＤＤ・・・ダミ
ー検出器、ＢＰ・・・ボンディングパラ第２図 ト 又きＳごぺ）Ｒ８５ｇべ ＩＩＩＩＩＩＩＩＩＩ Ｓ・・・磁気バフ゛ル拡大器
Claims (1)
- １、基板上にＯ−π構成法の磁気バブルメモリ素子ブロ
ックを形成し、Ｏ相ブロックの磁気バブル検出器とπ相
ブロックの磁気バブル検出器とを空間的に１８０度相互
に反転して配置したことを特徴とする磁気バブルメモリ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209486A JPS6366785A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209486A JPS6366785A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366785A true JPS6366785A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16573624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61209486A Pending JPS6366785A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366785A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679433A (en) * | 1991-10-31 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaish Tokiwa Denki | Noncombustible sheet, noncombustible laminated sheet, noncombustible honey comb structural material, noncombustible board, noncombustible molded product, and manufacturing method thereof |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61209486A patent/JPS6366785A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679433A (en) * | 1991-10-31 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaish Tokiwa Denki | Noncombustible sheet, noncombustible laminated sheet, noncombustible honey comb structural material, noncombustible board, noncombustible molded product, and manufacturing method thereof |
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