JPS63160206A - 摺動接点装置 - Google Patents
摺動接点装置Info
- Publication number
- JPS63160206A JPS63160206A JP61306990A JP30699086A JPS63160206A JP S63160206 A JPS63160206 A JP S63160206A JP 61306990 A JP61306990 A JP 61306990A JP 30699086 A JP30699086 A JP 30699086A JP S63160206 A JPS63160206 A JP S63160206A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- sliding contact
- contact
- pattern
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー（可変抵抗器の一種）
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー（可変抵抗器の一種）
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン（Ｃ）や酸化ルテニウｌ、（Ｒｕｎ
ｇ）などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを
形成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターン
に対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材
にＡｇ接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とに
より構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが
発生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきが
あって不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、
接触信頼性にやや欠けるものであった。
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、セラミック
ス基板上にカーボン（Ｃ）や酸化ルテニウｌ、（Ｒｕｎ
ｇ）などの抵抗ペーストを焼成して厚膜抵抗パターンを
形成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パターン
に対向して摺動し得るようになされたスプリング端子材
にＡｇ接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接点とに
より構成されているが、この摺動接点装置は、ノイズが
発生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばらつきが
あって不安定であり、しかも摩耗し易くて寿命が短く、
接触信頼性にやや欠けるものであった。
この為、セラミックス基板上のカーボンや酸化ルテニウ
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、Ａ
ｇ−Ｐｄ系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にＡｇ
−Ｐｄ系導体ペーストを重ねて焼成することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のＡｇ接点材を硫化防止
の為、Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗ ｔ％に置き換えている
。
ムの厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分を、Ａ
ｇ−Ｐｄ系の導体ペーストに置き換えて焼成するかある
いは厚膜抵抗パターンのすり接点と摺動する部分にＡｇ
−Ｐｄ系導体ペーストを重ねて焼成することにより、接
触信頼性を改善し、又すり接点のＡｇ接点材を硫化防止
の為、Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗ ｔ％に置き換えている
。
然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗ ｔ％の接点材はＨｖ １６０
〜２００で硬すぎるのに対し、Ａｇ−Ｐｄ系の導体ペー
ストの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩
耗が多くなり、早期に寿命となる。更にＡｇ−Ｐｄ３０
〜５０ｗｔ％接点材は、電気伝導度（ＩＡＣ３３，８〜
５．５）が低い為、発熱する等の問題点があった。
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進される。又
Ａｇ−Ｐｄ３０〜５０ｗ ｔ％の接点材はＨｖ １６０
〜２００で硬すぎるのに対し、Ａｇ−Ｐｄ系の導体ペー
ストの焼成物である厚膜導体パターンが軟らかい為、摩
耗が多くなり、早期に寿命となる。更にＡｇ−Ｐｄ３０
〜５０ｗｔ％接点材は、電気伝導度（ＩＡＣ３３，８〜
５．５）が低い為、発熱する等の問題点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。
装置を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てＡｇ−Ｐｔ系導体ペーストを焼成して厚膜扉体パター
ンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パタ
ーンに対向して摺動し得るようになされＡｇ−酸化ビス
マス０．５〜１５ｉｖｔ％の接点材がスプリング端子材
に取付けられて成るすり接点とにより構成されているこ
とを特徴とする。
、セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てＡｇ−Ｐｔ系導体ペーストを焼成して厚膜扉体パター
ンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パタ
ーンに対向して摺動し得るようになされＡｇ−酸化ビス
マス０．５〜１５ｉｖｔ％の接点材がスプリング端子材
に取付けられて成るすり接点とにより構成されているこ
とを特徴とする。
本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をＡ
ｇ酸化ビスマス０．５〜１５−ｔ％とした理由は、Ａｇ
中の酸化ビスマスが０．５ｗｔ％未満だと潤滑効果が薄
く、そのすり接点がセラミックス基板上のＡｇ−Ｐ を
系の厚膜導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が生
じ、１５ｗｔ％を超えると、ノイズの発生原因となるか
らである。
ｇ酸化ビスマス０．５〜１５−ｔ％とした理由は、Ａｇ
中の酸化ビスマスが０．５ｗｔ％未満だと潤滑効果が薄
く、そのすり接点がセラミックス基板上のＡｇ−Ｐ を
系の厚膜導体パターンとの接触に於いて凝着、剥離が生
じ、１５ｗｔ％を超えると、ノイズの発生原因となるか
らである。
（作用）
上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点とセラ
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のＡｇ酸化ビスマス０．５〜１５ｗｔ％接
点材の硬さくＩ−Ｉ ｖ １１０〜１５０）が軟らかく
滑りやすいので、接触抵抗が低く安定していて、Ａｇ−
Ｐ を系厚膜導体パターンを損耗することが無く、又凝
着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少するので、良好
な接触が得られる。更にすり接点のＡｇ−酸化ビスマス
０．５〜１５ｗｔ％接点材の電気伝導度がｌＡＣ３７０
〜８０％と良好であるので、発熱しない。
ミックス基板上の厚膜導体パターンとの接触作用におい
て、すり接点のＡｇ酸化ビスマス０．５〜１５ｗｔ％接
点材の硬さくＩ−Ｉ ｖ １１０〜１５０）が軟らかく
滑りやすいので、接触抵抗が低く安定していて、Ａｇ−
Ｐ を系厚膜導体パターンを損耗することが無く、又凝
着、剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少するので、良好
な接触が得られる。更にすり接点のＡｇ−酸化ビスマス
０．５〜１５ｗｔ％接点材の電気伝導度がｌＡＣ３７０
〜８０％と良好であるので、発熱しない。
（実施例）
本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板厚０ 、６ 鰭、直径３０ｍ朧の純度９８％の、
１２ｃｈ基板１上の外周に幅３１１１でＲｕｎｇの抵抗
ペーストをスクリーン印刷し、８００℃で焼成して厚さ
１０μの厚膜抵抗パターン２を形成し、この厚膜抵抗パ
ターン２に接続して、周方向に、Ａｇ−Ｐｔ３ｗｔ％導
体ペーストをスクリーン印刷し、８００℃で焼成して、
０．２龍間隔に幅０．２龍、長さ７龍、厚さ１０μの厚
膜導体パターン３を形成して配線板４とした。一方、こ
の配線板４の厚膜導体パターン３に対向して夫々摺動す
るようになされた２種のすり接点５は、Ａｇ−酸化ビス
マス３＆４ｔ％とＡｇ−酸化ビスマス６＆４ｔ％−酸化
ニッケル０．１ｗｔ％の２種の接点線材（直径１．５ｍ
）から作製した頭部径３龍、頭部厚さ０．６ｍｍ、脚部
径１．５ｍｍ、脚部長１．５ ａｓの２種のリベット接
点６を、夫々幅４璽璽、厚さ０．１５ｍｍのＢ ｅ−Ｃ
ｕより成るスプリング端子材７の接点取付穴に挿入しか
しめて成るものである。 このように構成された実施例
１．２の摺動接点装置と、Ａ ｇ −Ｐ ｄ３０ｗｔ％
接点材を有するすり接点を配線板のＡｇ −Ｐ ｄ３０
ｗｔ％の厚膜導体パターンと対向させて成る従来の摺動
接点装置とを、下記の試験条件にて摺動開閉試験を行っ
た処、下記の表に示すような結果を得た。
如き板厚０ 、６ 鰭、直径３０ｍ朧の純度９８％の、
１２ｃｈ基板１上の外周に幅３１１１でＲｕｎｇの抵抗
ペーストをスクリーン印刷し、８００℃で焼成して厚さ
１０μの厚膜抵抗パターン２を形成し、この厚膜抵抗パ
ターン２に接続して、周方向に、Ａｇ−Ｐｔ３ｗｔ％導
体ペーストをスクリーン印刷し、８００℃で焼成して、
０．２龍間隔に幅０．２龍、長さ７龍、厚さ１０μの厚
膜導体パターン３を形成して配線板４とした。一方、こ
の配線板４の厚膜導体パターン３に対向して夫々摺動す
るようになされた２種のすり接点５は、Ａｇ−酸化ビス
マス３＆４ｔ％とＡｇ−酸化ビスマス６＆４ｔ％−酸化
ニッケル０．１ｗｔ％の２種の接点線材（直径１．５ｍ
）から作製した頭部径３龍、頭部厚さ０．６ｍｍ、脚部
径１．５ｍｍ、脚部長１．５ ａｓの２種のリベット接
点６を、夫々幅４璽璽、厚さ０．１５ｍｍのＢ ｅ−Ｃ
ｕより成るスプリング端子材７の接点取付穴に挿入しか
しめて成るものである。 このように構成された実施例
１．２の摺動接点装置と、Ａ ｇ −Ｐ ｄ３０ｗｔ％
接点材を有するすり接点を配線板のＡｇ −Ｐ ｄ３０
ｗｔ％の厚膜導体パターンと対向させて成る従来の摺動
接点装置とを、下記の試験条件にて摺動開閉試験を行っ
た処、下記の表に示すような結果を得た。
試験条件
接触カニ１０ｇ、動作：回転往復型（５５度）、駆動：
６０ストロ一ク／ｍｉｎ、通電： １２Ｖ、 １００ｍ
Ａ上記の表で明らかなように実施例１．２の摺動接点装
置は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増してい
ることが判る。これはひとえにすり接点５のＡｇ−酸化
ビスマス０．５〜１５ｉ４ｔ％接点材の硬さが軟らかく
滑りやすい為、対向するＡｇ−Ｐｔ系の厚膜導体パター
ン３を損耗することが無く、又凝着、剥離することが無
く、摩耗が減少し、更にＡｇ−酸化ビスマス０．５〜１
５ｗｔ％の接点材の電気伝導度が良好で発熱することが
無いからである。
６０ストロ一ク／ｍｉｎ、通電： １２Ｖ、 １００ｍ
Ａ上記の表で明らかなように実施例１．２の摺動接点装
置は、従来例の摺動装置に比し、寿命が大概倍増してい
ることが判る。これはひとえにすり接点５のＡｇ−酸化
ビスマス０．５〜１５ｉ４ｔ％接点材の硬さが軟らかく
滑りやすい為、対向するＡｇ−Ｐｔ系の厚膜導体パター
ン３を損耗することが無く、又凝着、剥離することが無
く、摩耗が減少し、更にＡｇ−酸化ビスマス０．５〜１
５ｗｔ％の接点材の電気伝導度が良好で発熱することが
無いからである。
尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン３の摩耗により、
すり接点５がＡ１ｔＯｘ基板との接触となって、オープ
ン状態（接触抵抗無限大）となった場合と、厚膜導体パ
ターン３間のスリット部の目詰まりによりショートした
場合で判定した。
すり接点５がＡ１ｔＯｘ基板との接触となって、オープ
ン状態（接触抵抗無限大）となった場合と、厚膜導体パ
ターン３間のスリット部の目詰まりによりショートした
場合で判定した。
尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板４は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一例端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一例端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。またセラミックス基板上にベローズ
形状に前後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、そ
の上に厚膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配
線板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動
するようにしたすり接点とより成る摺動接点装置として
も良い。
さらに実施例２のように酸化ビスマスの一部を０．０１
〜Ｌｗｔ％の範囲で鉄族元素の酸化物で置き換えてもよ
いものである。
〜Ｌｗｔ％の範囲で鉄族元素の酸化物で置き換えてもよ
いものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のＡｇ−酸化ビスマス０．５〜１５ｅｙｔ％が硬さ
くＨｖｌｌＯ〜１５０）が軟らかく滑りやすいので、接
触作用においてセラミックス基板上のＡｇ−ｐｔ系系膜
膜導体パターン損耗することが無く、又凝着、剥離が殆
んど無くなり、摩耗が減少するので、良好な接触が得ら
れる。
接点のＡｇ−酸化ビスマス０．５〜１５ｅｙｔ％が硬さ
くＨｖｌｌＯ〜１５０）が軟らかく滑りやすいので、接
触作用においてセラミックス基板上のＡｇ−ｐｔ系系膜
膜導体パターン損耗することが無く、又凝着、剥離が殆
んど無くなり、摩耗が減少するので、良好な接触が得ら
れる。
従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。更にすり接点のＡｇ−酸化ビスマス０．
５〜１５ｈｔ％接点材の電気伝導度が良好であるので、
接触作用において、発熱せず、溶着が起こりにくい。従
って、摺動接点装置の耐溶着性が著しく向上する。
しく増長する。更にすり接点のＡｇ−酸化ビスマス０．
５〜１５ｈｔ％接点材の電気伝導度が良好であるので、
接触作用において、発熱せず、溶着が起こりにくい。従
って、摺動接点装置の耐溶着性が著しく向上する。
図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略斜視図
である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ７・・・スアソ〉クー嬬子材
である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ７・・・スアソ〉クー嬬子材
Claims (1)
- セラミックス基板上に、抵抗ペーストを焼成して厚膜
抵抗パターンを形成し、この厚膜抵抗パターンに接続し
てＡｇ−Ｐｔ系導体ペーストを焼成して厚膜導体パター
ンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜導体パタ
ーンに対向して摺動し得るようになされＡｇ−酸化ビス
マス０．５〜１５ｗｔ％の接点材がスプリング端子材に
取り付けられて成るすり接点とにより構成されているこ
とを特徴とする摺動接点装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306990A JPS63160206A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 摺動接点装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306990A JPS63160206A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 摺動接点装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160206A true JPS63160206A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17963685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61306990A Pending JPS63160206A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 摺動接点装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160206A (ja) |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61306990A patent/JPS63160206A/ja active Pending
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