JPS6316441A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6316441A JPS6316441A JP15965986A JP15965986A JPS6316441A JP S6316441 A JPS6316441 A JP S6316441A JP 15965986 A JP15965986 A JP 15965986A JP 15965986 A JP15965986 A JP 15965986A JP S6316441 A JPS6316441 A JP S6316441A
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- JP
- Japan
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- film
- magneto
- metal
- magnetic
- dielectric film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体およびその製造方法に係シ、特
に耐fj1境性の優れた光磁気記録媒体に関する。
に耐fj1境性の優れた光磁気記録媒体に関する。
光磁気記録媒体の磁性膜として、希土類元素と遷移金属
元素を主成分とした非晶質磁性膜が使われる。これは、
キュリ一温度が低くかつカー回転角が大きいなど、磁気
光学的特性に優れているからである。
元素を主成分とした非晶質磁性膜が使われる。これは、
キュリ一温度が低くかつカー回転角が大きいなど、磁気
光学的特性に優れているからである。
しかしながら2これらの非晶質磁性膜は酸化されやすく
、記録媒体として長期保存が困難でおるという問題があ
る。この問題を解決するために、例えば、酸化ケイ素や
窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの誘電体膜、あるい
はアルミニウムやステンレス々どの金属膜を保護膜とし
て磁性膜上に形成することが行なわれている。しかし、
誘電体膜はピンホールが発生しやすく、このピンホール
の場所から磁性膜の酸化等の劣化が生じやすい。
、記録媒体として長期保存が困難でおるという問題があ
る。この問題を解決するために、例えば、酸化ケイ素や
窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの誘電体膜、あるい
はアルミニウムやステンレス々どの金属膜を保護膜とし
て磁性膜上に形成することが行なわれている。しかし、
誘電体膜はピンホールが発生しやすく、このピンホール
の場所から磁性膜の酸化等の劣化が生じやすい。
またピンホールの発生を防ぐために誘電体膜の膜厚を大
きくすると、誘電体膜の膜面内に生じる応力のため、磁
性膜のはく離やしわを生じる。磁性膜のしわは、光ディ
スクの再生時に媒体ノイズとなる。また、保護膜に使わ
れる誘電体膜として酸化物や窒化物などが代表的である
が、誘電体膜中の酸素や窒素が磁性膜中に拡散すると、
磁性膜に酸化等の劣化が生じる。一方、金属膜は熱伝導
性が良いため、レーザーで磁性膜を加熱して記録を薔き
込む場合、熱が逃げやすく、レーザーの出力を大きくし
なければならないという問題を生じる。
きくすると、誘電体膜の膜面内に生じる応力のため、磁
性膜のはく離やしわを生じる。磁性膜のしわは、光ディ
スクの再生時に媒体ノイズとなる。また、保護膜に使わ
れる誘電体膜として酸化物や窒化物などが代表的である
が、誘電体膜中の酸素や窒素が磁性膜中に拡散すると、
磁性膜に酸化等の劣化が生じる。一方、金属膜は熱伝導
性が良いため、レーザーで磁性膜を加熱して記録を薔き
込む場合、熱が逃げやすく、レーザーの出力を大きくし
なければならないという問題を生じる。
このよつに、誘電体膜あるいは金属膜は、単層で用いる
限り、磁性膜の保護膜としては最適ではない。
限り、磁性膜の保護膜としては最適ではない。
誘電体膜と金属膜の2層構造から成る保護膜については
1例えば、第8回日本応用磁気学会学術講演概要集(1
984年11月)における鈴木、井上、伊藤及び川西に
よる一Qd’l’b)’ecoへの蒸着法による保護膜
の検討”において論じられている。この報告ではSiO
膜とTi膜、SiO膜とAt膜の構成が述べられている
。また、磁性膜上に窒化アルミニウム膜とステンレス等
の金属膜を積層した例としては、特開昭59−1710
54号公報がある。この中で金属膜は保護膜としてでは
なく、反射膜として用いられている。
1例えば、第8回日本応用磁気学会学術講演概要集(1
984年11月)における鈴木、井上、伊藤及び川西に
よる一Qd’l’b)’ecoへの蒸着法による保護膜
の検討”において論じられている。この報告ではSiO
膜とTi膜、SiO膜とAt膜の構成が述べられている
。また、磁性膜上に窒化アルミニウム膜とステンレス等
の金属膜を積層した例としては、特開昭59−1710
54号公報がある。この中で金属膜は保護膜としてでは
なく、反射膜として用いられている。
しかし、これらの例では、誘電体膜と金属膜はいずれも
異なる蒸着源、異なるスパッタターゲットを用いて作製
されている。従って作製工程が多く、複雑に′なり、作
製コストが大になるという欠点があった。またさらに、
これらの例では誘電体膜中の元素(8i、Atなど)と
金属膜の構成元素(Ti、Feなど)とが異なっている
ために。
異なる蒸着源、異なるスパッタターゲットを用いて作製
されている。従って作製工程が多く、複雑に′なり、作
製コストが大になるという欠点があった。またさらに、
これらの例では誘電体膜中の元素(8i、Atなど)と
金属膜の構成元素(Ti、Feなど)とが異なっている
ために。
相互に拡散がおきた場合、互いの膜質が大幅に変化し、
内部歪が変化してクラック等の変形が生ずるという問題
があった。
内部歪が変化してクラック等の変形が生ずるという問題
があった。
本発明の目的は、上記問題点を解決し、耐環境性に優れ
、長期保存に適した光磁気記録媒体およびその製造方法
を提供することにある。
、長期保存に適した光磁気記録媒体およびその製造方法
を提供することにある。
本発明は、上記目的を連成するために光磁気記録媒体の
磁性膜の上部と下部の少なくとも一方に。
磁性膜の上部と下部の少なくとも一方に。
金属膜と誘電体膜からなる多層構造の保護膜を形成し、
これらの金属膜と誘電体膜を構成する金属元素を同一と
したことを特徴とする。また、このような光磁気記録媒
体の保護膜は同一の金属ターゲットから反応性スパッタ
法により形成することにより構成される。
これらの金属膜と誘電体膜を構成する金属元素を同一と
したことを特徴とする。また、このような光磁気記録媒
体の保護膜は同一の金属ターゲットから反応性スパッタ
法により形成することにより構成される。
本発明のように誘電体層と金属層を構成する金属元素が
同一の場合、磁性膜を保護する金属膜と誘電体膜の積層
膜は、必ずしも明確に2層である必要はなく、膜厚方向
に金属層と誘電体層が分布した多層構造であっても良い
、また金属膜と誘電体膜の境界は明確に区別できる必要
はない。例えば1反応性スパッタ法を用いる方法におい
て、混合ガスの成分比を調節することにより、多層構造
あるいは幅広い境界を持つ金属膜と誘電体膜の組み合わ
せが容易に実現できる。
同一の場合、磁性膜を保護する金属膜と誘電体膜の積層
膜は、必ずしも明確に2層である必要はなく、膜厚方向
に金属層と誘電体層が分布した多層構造であっても良い
、また金属膜と誘電体膜の境界は明確に区別できる必要
はない。例えば1反応性スパッタ法を用いる方法におい
て、混合ガスの成分比を調節することにより、多層構造
あるいは幅広い境界を持つ金属膜と誘電体膜の組み合わ
せが容易に実現できる。
金属膜はアルミニウム、メンタル、チタンに限らず、窒
素や酸素等のガス元素と化合して誘電体膜となり得る金
属元素ならすべて可能であり、また本明細書中において
は、シリコン、ゲルマニウム等の半導体元素等を含む。
素や酸素等のガス元素と化合して誘電体膜となり得る金
属元素ならすべて可能であり、また本明細書中において
は、シリコン、ゲルマニウム等の半導体元素等を含む。
また1合金膜も使用できる。さらには誘電体膜は窒化物
、酸化物に限らず硫化物、フッ化物等、金属元素と化合
物を形成して誘電体を形成するものなら何でもよい。
、酸化物に限らず硫化物、フッ化物等、金属元素と化合
物を形成して誘電体を形成するものなら何でもよい。
また、金属膜と誘電体膜の多層構造膜は、基板上に形成
した磁性膜の上部と下部の少なくともいずれか一方の側
に形成すれば良い。
した磁性膜の上部と下部の少なくともいずれか一方の側
に形成すれば良い。
また、金属膜と誘電体膜の積層順序は任意であシ、いず
れを磁性膜側に形成しても良いが、金属膜を磁性膜側に
形成する方がより好ましい。誘電体膜中の酸素や窒素が
磁性膜中に拡散することを妨げることなどのためである
。
れを磁性膜側に形成しても良いが、金属膜を磁性膜側に
形成する方がより好ましい。誘電体膜中の酸素や窒素が
磁性膜中に拡散することを妨げることなどのためである
。
また、磁性膜はTb l;’e Co等の希土類・鉄族
系非晶質膜の他Mnj3i等の多結晶膜等にも適用可能
である。
系非晶質膜の他Mnj3i等の多結晶膜等にも適用可能
である。
上述した本発明の構成によれば、金属膜と誘電体膜のそ
れぞれの欠点を補って磁性膜の酸化等を防止するのに適
し、かつ、経時変化による劣化の少ない保護膜を実現す
る。
れぞれの欠点を補って磁性膜の酸化等を防止するのに適
し、かつ、経時変化による劣化の少ない保護膜を実現す
る。
以下1本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
プラスチック基板1上に、スパッタ法で透明誘電体膜(
窒化アルミニウム膜ン2を形成した。この透明誘1体膜
はカー回転角0区を見かけ上大きくするためのものであ
る。さらにその上に&TbFeC0非晶質磁性膜3をス
パッタ法により形成した。磁性膜の膜厚は1000人で
ある。続いて、磁性膜を大気にさらすことなく、タンタ
ルターゲットを用いてタンタル膜すなわち金属膜4を1
00人形成した。さらに、同一タンタルターゲットを用
いて。
窒化アルミニウム膜ン2を形成した。この透明誘1体膜
はカー回転角0区を見かけ上大きくするためのものであ
る。さらにその上に&TbFeC0非晶質磁性膜3をス
パッタ法により形成した。磁性膜の膜厚は1000人で
ある。続いて、磁性膜を大気にさらすことなく、タンタ
ルターゲットを用いてタンタル膜すなわち金属膜4を1
00人形成した。さらに、同一タンタルターゲットを用
いて。
反応性スパッタ法により窒化タンタル膜すなわち誘電体
膜5を800人形成した。反応性スパッタには、アルゴ
ンと窒素の混合比が1:1の混合ガスを使用し、スパッ
タガス圧が2×10″2Torrの条件で行なった。こ
のようにして作製した光磁気記録媒体の断面構造を第1
図に示す。
膜5を800人形成した。反応性スパッタには、アルゴ
ンと窒素の混合比が1:1の混合ガスを使用し、スパッ
タガス圧が2×10″2Torrの条件で行なった。こ
のようにして作製した光磁気記録媒体の断面構造を第1
図に示す。
(実施例2)
第2図は、実施例1と同様の方法で磁性膜3までを形成
し、その上に金属膜4(メンタル膜。
し、その上に金属膜4(メンタル膜。
造を示す図である。窒化タンタル膜は6反応性スパッタ
法にニジ実施例1と同じスパッタ条件で形成した。
法にニジ実施例1と同じスパッタ条件で形成した。
第3図は1以上の構造の光磁気記録媒体を80Cの大気
中に200日間保持し、保磁力Heの経時変化を調べた
ものである。第1図の構造および第2図の構造のHcは
それぞれ白丸と白玉角で示す。比較のために、保護層と
して、膜厚が1200人の窒化タンタル膜を一層だけ磁
性膜上に形成したものについても黒丸で示す。同図に示
すように。
中に200日間保持し、保磁力Heの経時変化を調べた
ものである。第1図の構造および第2図の構造のHcは
それぞれ白丸と白玉角で示す。比較のために、保護層と
して、膜厚が1200人の窒化タンタル膜を一層だけ磁
性膜上に形成したものについても黒丸で示す。同図に示
すように。
上記実施例の光磁気記録媒体はいずれも、200日間の
保持日数で、Hcの変化はほとんど見られない。一方、
窒化メンタル膜一層の構造の媒体のHeは200日間で
3.5KOeから1IKOeにまで変化した。保磁力H
aの変化は、磁性膜が酸化等により劣化したことを示し
ている。
保持日数で、Hcの変化はほとんど見られない。一方、
窒化メンタル膜一層の構造の媒体のHeは200日間で
3.5KOeから1IKOeにまで変化した。保磁力H
aの変化は、磁性膜が酸化等により劣化したことを示し
ている。
(実施例3)
実施例1と同様の方法で磁性膜3までを形成し。
その上にチタン膜と窒化チタン膜から成る多層構造の保
護膜を形成した。チタン膜と窒化チタン膜は、アルゴン
と窒素の混合比を連続的に変化させることにより、連続
的に形成した。すなわち、純アルゴンガスでチタン膜を
約20人形成した後。
護膜を形成した。チタン膜と窒化チタン膜は、アルゴン
と窒素の混合比を連続的に変化させることにより、連続
的に形成した。すなわち、純アルゴンガスでチタン膜を
約20人形成した後。
スパッタガス圧を2 X 10−” ’l’orrに保
ったままで窒素ガスの分圧を徐々に増加し、アルゴンと
窒素の混合比を1:lとして窒化チタン膜を40人形成
した。続いて窒素ガスの分圧を徐々に減少させ、純アル
ゴンガスで再びチタン膜を20人形成した。以上の手順
を10回くシ返し、膜厚が900人の多層構造保護膜を
形成した。窒素ガスの分圧を徐々に変化させている間に
、約15人の視界層が形成された。この境界j−中では
、チタン原子と窒素原子の組成比が徐々に変化している
。
ったままで窒素ガスの分圧を徐々に増加し、アルゴンと
窒素の混合比を1:lとして窒化チタン膜を40人形成
した。続いて窒素ガスの分圧を徐々に減少させ、純アル
ゴンガスで再びチタン膜を20人形成した。以上の手順
を10回くシ返し、膜厚が900人の多層構造保護膜を
形成した。窒素ガスの分圧を徐々に変化させている間に
、約15人の視界層が形成された。この境界j−中では
、チタン原子と窒素原子の組成比が徐々に変化している
。
(実施例4)
プラスチック基板上に、タンタルターゲットから反応性
スパッタリングにエカ窒化り/タル膜を800人形成し
、続いてタンタル膜を20人形成した。その上に、実施
例1と同じ非晶質磁性膜を1000人形成した。磁性膜
上の保護膜は実施例2と同一の構造とした。
スパッタリングにエカ窒化り/タル膜を800人形成し
、続いてタンタル膜を20人形成した。その上に、実施
例1と同じ非晶質磁性膜を1000人形成した。磁性膜
上の保護膜は実施例2と同一の構造とした。
実施例3と実施例4の光磁気記録媒体を80Cの大気中
に150日間保持したところ、保磁力Haはいずれも1
5KOeから3.2 K Oeに変化しただけであり、
良好な耐食性を示した。
に150日間保持したところ、保磁力Haはいずれも1
5KOeから3.2 K Oeに変化しただけであり、
良好な耐食性を示した。
本発明によれば、光磁気記録媒体の磁性膜の酸化等によ
る劣化を防止する保護膜を容易に形成でき、かつ記録媒
体の信頼性を向上することがでさる。
る劣化を防止する保護膜を容易に形成でき、かつ記録媒
体の信頼性を向上することがでさる。
第1図は本発明に係る光磁気記録媒体の第1の実施例の
構造の側面断面図の一部を示す図、第2図は本発明に係
る光磁気記録媒体の第2の実施例の構造の側面断面図の
一部を示す図、第3図は。 本発明に係る光磁気記録媒体を80Cの大気中に保持し
た場合の保磁力の経時変化を示す図である。 1・・・プラスチック基板、2・・・窒化アルミニウム
膜(カー回転角エンノ・ンス膜)、3・・・’1’bp
eCO非晶質a性膜、4・・・タンタル膜、5・・・窒
化タンタル膜。
構造の側面断面図の一部を示す図、第2図は本発明に係
る光磁気記録媒体の第2の実施例の構造の側面断面図の
一部を示す図、第3図は。 本発明に係る光磁気記録媒体を80Cの大気中に保持し
た場合の保磁力の経時変化を示す図である。 1・・・プラスチック基板、2・・・窒化アルミニウム
膜(カー回転角エンノ・ンス膜)、3・・・’1’bp
eCO非晶質a性膜、4・・・タンタル膜、5・・・窒
化タンタル膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に形成された光磁気磁性膜の上部と下部の少
なくとも一方に、金属膜と誘電体膜の積層膜を形成し、
かつ該金属膜と誘電体膜を構成する金属元素を同一とし
たことを特徴とする光磁気記録媒体。 2、反応性スパッタ法により、同一金属ターゲットを用
いて、金属膜と誘電体膜を順次積層して形成し、さらに
この積層膜を光磁気磁性膜を保護するように、該磁性膜
の上部と下部の少なくとも一方に形成することを特徴と
する光磁気記録媒体。 3、特許請求の範囲第2項において、光磁気磁性膜上に
、タンタルまたはチタンの金属膜を、スパッタ法で形成
し、反応性スパッタ法により、同一の金属ターゲットを
用いて窒化タンタル、窒化チタン、酸化タンタルまたは
酸化チタンの誘電体膜を形成したことを特徴とする光磁
気記録媒体。 4、特許請求の範囲第2項において、純金属または合金
の金属ターゲットを用い、反応性ガスのガス分圧を時間
的に変動させることにより、誘電体膜と金属膜を交互に
組成変調させて多層膜を形成することを特徴とする光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15965986A JPS6316441A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15965986A JPS6316441A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316441A true JPS6316441A (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15698535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15965986A Pending JPS6316441A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6316441A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171141A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03105746A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Raimuzu:Kk | 磁気カー効果材料 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP15965986A patent/JPS6316441A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171141A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH03105746A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Raimuzu:Kk | 磁気カー効果材料 |
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