JPS59217247A - 光磁気記録媒体とその製法 - Google Patents
光磁気記録媒体とその製法Info
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- JPS59217247A JPS59217247A JP58092067A JP9206783A JPS59217247A JP S59217247 A JPS59217247 A JP S59217247A JP 58092067 A JP58092067 A JP 58092067A JP 9206783 A JP9206783 A JP 9206783A JP S59217247 A JPS59217247 A JP S59217247A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えは書き換え１１Ｊ能な光磁気ディスクに
通用する光磁気記録媒体とその製法に係わる。
通用する光磁気記録媒体とその製法に係わる。
背景技術とその問題点
レーザー光、例えば半導体レーザー光による古き込み、
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
クとして、希土類金属と遷移金属とのアモルファス（非
晶質）合金によるものが提案されている。このような光
磁気ディスク、すなわち光磁気記録媒体を１−！Ｉる方
法としては、スパッタリング法がある。この場合のスパ
ッタリンクは、１つのスパッタリング源からなされる。
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
クとして、希土類金属と遷移金属とのアモルファス（非
晶質）合金によるものが提案されている。このような光
磁気ディスク、すなわち光磁気記録媒体を１−！Ｉる方
法としては、スパッタリング法がある。この場合のスパ
ッタリンクは、１つのスパッタリング源からなされる。
すなわち、そのスパックリング源、すなわちターゲット
は、遷移金属ターゲット」二に希土類金属のベレット（
ｌｌｌＩ片）を載せた構成とし、これら金属を同時に基
体上にスパッタリンクするという方法がとられる。この
ようにして得た光磁気記録媒体の磁化曲線（磁化の強さ
Ｍ−磁場の強さ８曲線）は、第１図に示すようにそのヒ
ス′テリシス特性の角型が：小い。したがって、この場
合、何らかの理由で、記録ずみの媒体に外部磁界が与え
られた場合などにおいＣ媒体上の記録か劣化しＳ／Ｎを
低めてしまうなどの欠点がある。また、このような方法
による場合、記録媒体の全域に且つて一様のスパッタリ
ング、したがって一様の磁気特性を有するものがｆ４４
ｆｆｆいという欠点がある。
は、遷移金属ターゲット」二に希土類金属のベレット（
ｌｌｌＩ片）を載せた構成とし、これら金属を同時に基
体上にスパッタリンクするという方法がとられる。この
ようにして得た光磁気記録媒体の磁化曲線（磁化の強さ
Ｍ−磁場の強さ８曲線）は、第１図に示すようにそのヒ
ス′テリシス特性の角型が：小い。したがって、この場
合、何らかの理由で、記録ずみの媒体に外部磁界が与え
られた場合などにおいＣ媒体上の記録か劣化しＳ／Ｎを
低めてしまうなどの欠点がある。また、このような方法
による場合、記録媒体の全域に且つて一様のスパッタリ
ング、したがって一様の磁気特性を有するものがｆ４４
ｆｆｆいという欠点がある。
発明の目的
本発明は上述した諸欠点を解消し、各部一様にすぐれた
特性を有する光磁気記録媒体とその製法を提供するもの
である。
特性を有する光磁気記録媒体とその製法を提供するもの
である。
発明の４Ｒ要
本発明においては、第２図に不ずように、基体（１）、
例えばガラス、或いはアクリル、ポリカーボネイト等よ
り成るディスク基体」二に、Ｔｂ、 Ｇｄ等の希土類金
属の車体若しくは合金による希土類金属１両（２）と、
Ｆｅ、 Ｇｏ等の遷移金属の同様に単体若しくは合金
による遷移金属Ｊ＠ （３１とが、夫々１層以上例えば
多層に順次交互に槓１＠されるようにすると共に、これ
ら希土類金属層（２）と遷移金属層（３）との間に、こ
れら金属Ｍ ｆ２１及び（３）の各成分を共に含む中間
層（４）を介在させる。図中（５）は本発明による光磁
気記録媒体を全体としてボす。
例えばガラス、或いはアクリル、ポリカーボネイト等よ
り成るディスク基体」二に、Ｔｂ、 Ｇｄ等の希土類金
属の車体若しくは合金による希土類金属１両（２）と、
Ｆｅ、 Ｇｏ等の遷移金属の同様に単体若しくは合金
による遷移金属Ｊ＠ （３１とが、夫々１層以上例えば
多層に順次交互に槓１＠されるようにすると共に、これ
ら希土類金属層（２）と遷移金属層（３）との間に、こ
れら金属Ｍ ｆ２１及び（３）の各成分を共に含む中間
層（４）を介在させる。図中（５）は本発明による光磁
気記録媒体を全体としてボす。
また本発明におい°ζは、このような構成を有する光磁
気記録媒体（５）を得るに、特に希土類金属と遷移金属
とを夫々異るスパック−源とし°ζ設け、両スパッター
源から媒体（５）を構成する基体（１１に向って同時に
夫々金属をスパックリングする。この場合、両スパンタ
リング椋からの基体に苅Ｊる主たるスパッタリング位置
が互いに異るように、両スパッタリンク源と基体との位
置関係と、史に両スパッタリング源と基体との間に配置
するマスクを選定する。そして、これり各スパッター源
と基体とを相対的に回転移動させるごとによって基体上
に、希土類金属層と、遷移金属層とを積層し、両金属層
間に希土類金属と遷移金属との両成分を含む中間層を介
在させた光磁気記録層を形成する。
気記録媒体（５）を得るに、特に希土類金属と遷移金属
とを夫々異るスパック−源とし°ζ設け、両スパッター
源から媒体（５）を構成する基体（１１に向って同時に
夫々金属をスパックリングする。この場合、両スパンタ
リング椋からの基体に苅Ｊる主たるスパッタリング位置
が互いに異るように、両スパッタリンク源と基体との位
置関係と、史に両スパッタリング源と基体との間に配置
するマスクを選定する。そして、これり各スパッター源
と基体とを相対的に回転移動させるごとによって基体上
に、希土類金属層と、遷移金属層とを積層し、両金属層
間に希土類金属と遷移金属との両成分を含む中間層を介
在させた光磁気記録層を形成する。
このようにして、基体上に遷移金属１日と希土類金属層
とが積ｊ−された記録層におけるその厚さ方向に関する
各金属の分布は、例えは第３図に夫々遷移金属を実線で
、希土類金属を破線で承ずように、厚さ方向に交互にピ
ークを有し、このピーク【（１９では’＋？−いに他の
金属を殆んど含まないような分布を生しるようにする。
とが積ｊ−された記録層におけるその厚さ方向に関する
各金属の分布は、例えは第３図に夫々遷移金属を実線で
、希土類金属を破線で承ずように、厚さ方向に交互にピ
ークを有し、このピーク【（１９では’＋？−いに他の
金属を殆んど含まないような分布を生しるようにする。
すなわち遷移金属の分布のピーク部では、希土類金属を
りｈんど含まれずに遷移金属のみの単−若しくは合金層
（３）が形成されるようにし、希土類金属の分布のピー
ク部では遷移金属を殆んど含まずに希土類金属のみの単
−若しくは合金１ｓ＃ （２１が形成され、両ピーク部
間におい゛ζ希土類合金及び遷移金属の両金属を含む中
間層（４）が形成されるようにする。
りｈんど含まれずに遷移金属のみの単−若しくは合金層
（３）が形成されるようにし、希土類金属の分布のピー
ク部では遷移金属を殆んど含まずに希土類金属のみの単
−若しくは合金１ｓ＃ （２１が形成され、両ピーク部
間におい゛ζ希土類合金及び遷移金属の両金属を含む中
間層（４）が形成されるようにする。
尚、この場合、基体に対するスパックリンクによる各金
属１ｖｉの成長速度は、２へ・２０人／秒就中５〜１０
八／秒となるように基体とスパッタリンク源との相対的
回転速度、そのほかのスパッタリング条件を選定するこ
とが望ましい。すなわち、基体とスパッタリンク源との
相対的回転速度が速すぎζ、その成長速度が２人／秒未
ンＳ１となると、遷移金属と４ｉ土頬金１１・べとが人
々層状に形成され難くなり、また２０八／秒を超えると
磁気的特性が低トシ゛Ｃくるごとが認められた。
属１ｖｉの成長速度は、２へ・２０人／秒就中５〜１０
八／秒となるように基体とスパッタリンク源との相対的
回転速度、そのほかのスパッタリング条件を選定するこ
とが望ましい。すなわち、基体とスパッタリンク源との
相対的回転速度が速すぎζ、その成長速度が２人／秒未
ンＳ１となると、遷移金属と４ｉ土頬金１１・べとが人
々層状に形成され難くなり、また２０八／秒を超えると
磁気的特性が低トシ゛Ｃくるごとが認められた。
実施例
本発明製法を実施するスパッタリンク装置としては、マ
グネトロン型構成をとり得るが、これを特殊の構成とす
る。第４図は本発明製法を実施するスパッタリング装置
の一例の路線的構成をン１〜ずもので、この場合、ヘル
ジャ（図ボせず）内に、軸心０−０′を中心とし゛ζ回
転する基台（６）を設の、これの例えはト面に目的とす
る光磁気記録媒体を構成するガラス扱、樹脂板等より成
る基体ｔｘｔが配置される。そして、この基体（１１に
対向して軸心〇−〇′を中心に等角間隔、すなわち１８
０°の角間隔を保持して２個のスパッター源（７）及び
（８）を配置６゛する。これらスパッター源（７）及び
（８）と基台（６）、すなわち基体（１）との間には、
スパッター源（７）及び（８）より人々スパッターされ
る金属のスパッター位置を規制するマスク（９）を配置
する。スパッター源（７）は希土類金属ＴｂＯ扱状体よ
り成るターゲットαψを有し、スパッター源（８）は、
遷移金属Ｆｅの４Ｉｙ、状体より成るターゲット （１
１）を有して成る。 （１２）及び（１３）は、夫々マ
クネットをボす。
グネトロン型構成をとり得るが、これを特殊の構成とす
る。第４図は本発明製法を実施するスパッタリング装置
の一例の路線的構成をン１〜ずもので、この場合、ヘル
ジャ（図ボせず）内に、軸心０−０′を中心とし゛ζ回
転する基台（６）を設の、これの例えはト面に目的とす
る光磁気記録媒体を構成するガラス扱、樹脂板等より成
る基体ｔｘｔが配置される。そして、この基体（１１に
対向して軸心〇−〇′を中心に等角間隔、すなわち１８
０°の角間隔を保持して２個のスパッター源（７）及び
（８）を配置６゛する。これらスパッター源（７）及び
（８）と基台（６）、すなわち基体（１）との間には、
スパッター源（７）及び（８）より人々スパッターされ
る金属のスパッター位置を規制するマスク（９）を配置
する。スパッター源（７）は希土類金属ＴｂＯ扱状体よ
り成るターゲットαψを有し、スパッター源（８）は、
遷移金属Ｆｅの４Ｉｙ、状体より成るターゲット （１
１）を有して成る。 （１２）及び（１３）は、夫々マ
クネットをボす。
マスク（９）は、例えば第５図にボずように、クーケソ
Ｉ−ＱＧＩ及び（１１）にス・１間する部分にこれらタ
ーゲット００）及び（１１）の中心を通る曲線Ｘ方向に
外側に向りζ広がるいＩうよう形の：ｆ５（１４）及び
（１５）が穿設されご成り、基台（６）が停止した状態
では基体（１）の例えは主とし′ζ−半部に一方のター
ゲ・ノド００）からの希土類金属がスパッタリングされ
、主とし°Ｃ他半ｆ５Ｊ（、に他方のターゲ・ノド（１
１）からの遷移金属がスパックリンクされるようにする
。
Ｉ−ＱＧＩ及び（１１）にス・１間する部分にこれらタ
ーゲット００）及び（１１）の中心を通る曲線Ｘ方向に
外側に向りζ広がるいＩうよう形の：ｆ５（１４）及び
（１５）が穿設されご成り、基台（６）が停止した状態
では基体（１）の例えは主とし′ζ−半部に一方のター
ゲ・ノド００）からの希土類金属がスパッタリングされ
、主とし°Ｃ他半ｆ５Ｊ（、に他方のターゲ・ノド（１
１）からの遷移金属がスパックリンクされるようにする
。
そしＣ基台（６）を回転させながらターノｒ・ノドα旬
及び（１１）を負極側として直流スバ・ツタリングを行
う。
及び（１１）を負極側として直流スバ・ツタリングを行
う。
今この方法によってこの基台（θ）の回転を１回転３秒
間の回転速度をもゲで回転さ・口て６分間、すなわら、
１２０回の回転によゲＣスバ・ツタリングを１］った
。この場合、基体ｆｌｌ上には、全体として１００ （
１人の金属ｊ−か堆イ占被着された。そして、このよう
にし゛ζ形成された金属層は、第２し１で説明したよう
にＴｂ層、ずなわら希土類金属層（２）と、Ｐｅ１Ｗ１
へ ”４−なわち遷移金属層（３）と両者
間に両金属の成分を含んで成る中間層（４）が介在され
た積層構造を宿するものとなった。この場合の磁化曲線
は第６図に示ずように、角型比特にｌｉｅの向上がめら
れる。
間の回転速度をもゲで回転さ・口て６分間、すなわら、
１２０回の回転によゲＣスバ・ツタリングを１］った
。この場合、基体ｆｌｌ上には、全体として１００ （
１人の金属ｊ−か堆イ占被着された。そして、このよう
にし゛ζ形成された金属層は、第２し１で説明したよう
にＴｂ層、ずなわら希土類金属層（２）と、Ｐｅ１Ｗ１
へ ”４−なわち遷移金属層（３）と両者
間に両金属の成分を含んで成る中間層（４）が介在され
た積層構造を宿するものとなった。この場合の磁化曲線
は第６図に示ずように、角型比特にｌｉｅの向上がめら
れる。
このように角型比の向上がはかられるのは、次の理由に
よるものと思われる。すなわ１つ、抗磁力１１ｃは、磁
気異方性と歪力とに依存するが、本発明による光磁気記
録媒体においては、希＋ｌＴｉ金属層（２）と遷移金属
Ｊ−（３１と、希土類金属及び遷移金属の両者より成る
中間層（４）とを積層したことによ−ＪＴ、主とし′Ｃ
Ｃ金金属成分含む中間層（４）においＣは、両成分の相
互作用によって磁気異方性がＩＭられるが、上述の３７
鋪（２１＋３＋ ＋４１の形成によって主として中間層
（４）と各金属層（２）及び（３）との間に歪力が発生
し、これがＨｃの改善、ひい′ζは角型の改善に寄りし
ているものと思われる。
よるものと思われる。すなわ１つ、抗磁力１１ｃは、磁
気異方性と歪力とに依存するが、本発明による光磁気記
録媒体においては、希＋ｌＴｉ金属層（２）と遷移金属
Ｊ−（３１と、希土類金属及び遷移金属の両者より成る
中間層（４）とを積層したことによ−ＪＴ、主とし′Ｃ
Ｃ金金属成分含む中間層（４）においＣは、両成分の相
互作用によって磁気異方性がＩＭられるが、上述の３７
鋪（２１＋３＋ ＋４１の形成によって主として中間層
（４）と各金属層（２）及び（３）との間に歪力が発生
し、これがＨｃの改善、ひい′ζは角型の改善に寄りし
ているものと思われる。
尚、上述のスパッタリングは、直流スパッタリングで行
うことが望ましい。第７図及び第８図は、人々商周波ス
パッタリングと直流スパッタリングで夫々形成した媒体
の磁化曲線を示すもので直流スパッタリングによる場合
、よりすぐれた角型特性を示し′Ｃいる。
うことが望ましい。第７図及び第８図は、人々商周波ス
パッタリングと直流スパッタリングで夫々形成した媒体
の磁化曲線を示すもので直流スパッタリングによる場合
、よりすぐれた角型特性を示し′Ｃいる。
面、に述した例においては、各Ｓ土１０金属Ｉｆｆ （
２１と遷移金属層（３）とを夫々単一金属によって構成
した場合であるが、これらの一方若しくは双方を２几以
」−の組成とすることもできる。例えば希土類金属とし
てＴｂＧｄ合金、Ｘ１ｉ！移金属としてＰｅＣｏ合金を
用い得る。このように希土類金属、或いは（及び）遷移
金属とし°ζＺ几以十の金属より構成する場合は、クー
ゲソＩ−（１０）或いは（及び） （ＩＩ）として夫
々これらの合金によっ°Ｃ構成するか、或いはクーゲソ
） （１０１或いは（及び） （１１）を部分的に、
特にマスク（９）の窓（■４）或いは（及び） （１
５）に臨む部分において部分的に人々の金属部分の面積
の比率か、最終的に各金属＋＊ （２１或いはく及び）
（３）で得ようとする組成比の割合となるように選定Ｊ
るとか、ターゲットα０）或いは（及び） （１１）
として１種の金ｊホの板体上に他の金属ベレットを載せ
てそのスパッターを行うなどの方法を採り得る。
２１と遷移金属層（３）とを夫々単一金属によって構成
した場合であるが、これらの一方若しくは双方を２几以
」−の組成とすることもできる。例えば希土類金属とし
てＴｂＧｄ合金、Ｘ１ｉ！移金属としてＰｅＣｏ合金を
用い得る。このように希土類金属、或いは（及び）遷移
金属とし°ζＺ几以十の金属より構成する場合は、クー
ゲソＩ−（１０）或いは（及び） （ＩＩ）として夫
々これらの合金によっ°Ｃ構成するか、或いはクーゲソ
） （１０１或いは（及び） （１１）を部分的に、
特にマスク（９）の窓（■４）或いは（及び） （１
５）に臨む部分において部分的に人々の金属部分の面積
の比率か、最終的に各金属＋＊ （２１或いはく及び）
（３）で得ようとする組成比の割合となるように選定Ｊ
るとか、ターゲットα０）或いは（及び） （１１）
として１種の金ｊホの板体上に他の金属ベレットを載せ
てそのスパッターを行うなどの方法を採り得る。
また、スパッタリンク源は、希土類金属と遷移金属とに
関し、人々異るスパッタリンク源を用いるものであるが
、これらは人々複数個設けることもできる。
関し、人々異るスパッタリンク源を用いるものであるが
、これらは人々複数個設けることもできる。
発明の効果
上述したように本発明によれは、＋１＋い抗磁力を有し
、すぐれた角型を有する、したがってＳ／Ｎの向い光磁
気記録媒体を得ることかできるものＣある。
、すぐれた角型を有する、したがってＳ／Ｎの向い光磁
気記録媒体を得ることかできるものＣある。
第１図は従来の光磁気記録媒体の磁化曲線図、第２図は
本発明による光磁気記録媒体の路線的拡大１４Ｉｊ ｉ
ｌｕ図、第３図はその成分分布図、第４図は本発明製法
を実施するスパッタリング装置の一例の路線的構成図、
第５図はその要部の、ｓＨｉ血図、第６し１は本発明に
よる光磁気記録媒体の磁化曲線し１、第７図１及び第８
陳１は人々本発明の説明に惧する磁化曲線図である。 （１）は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属層、（４）は中間層である。 第１図 第６図 第８図 第４図 第５図 第７図 手続補正書 昭和５８年 ７月２２１１ １、事件の表示 昭和５８年特許願第 ９２０６７ 号２、発明の名称
光磁伝記ｎ島体とその製法３、補正をする考 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁１．１７番３５号名称（
２］８） ソニー株式会社 代表取締没 大 賀 興 ｌＪ：１１ ４、代 理 人 東京都新宿区西着ｉ宿１丁ｌ」８番１
−５月ｍ１１１ヒＩＬ、ｉ１’ＥＬ東ｊｉｃ（０３）３
４３−５８２１ （代！、、）（３３８８） 弁理士
伊 藤 貞５、油止命令のＬ１付
昭和 年 月 １１６、補止により増加する発明
の赦 する。 （２） 明細書中、第３頁、１５行１一層（２）」を
削除する。 （３） 同、同頁、１６行〜第４頁１行１−遷移金属
層（３）・ぐ・全体として示す。」を、（−遷移金属と
を含む光磁気記録層（２）を有する光磁気記録媒体（３
）を構成するが、特に本発明においては、この記録Ｎ（
２）における上述の希土類金属と遷移金属との組成比が
記録層（２）の厚さ方向に関して周期的に変化するよう
にする。すなわら、第３図Ａ及びＢに、希土類金属の含
有量と遷移金属の含有量の記録層（２）の厚さ方向に関
する各分布を対比して示すように、一方が大のとき、他
方が小となるように周期的に変化させる。」と訂正する
。 （４）同、第４頁、３及び５行「媒体（５）」を夫々「
媒体（３）」と訂正する。 （５）同、同頁、１３行〜第５頁、９行１−希土類金属
層と、・・・ようにする。」を［希土類金属層（４）と
、遷移金属Ｍ（５）とを、ＮＳ２図にボずように交互に
且つ相互に混入するように積層し、前述したように、希
土類金属と遷移金属との組成比が膜厚方向に関して周期
的に変化するようにする。この場合、各希土類金属層及
び遷移金属層が、相互にこれより先に堆積形成された遷
移金属層及び希土類金属層にも相互に各金属が少なくと
も拡散するようにして、希土類金属のみ、或いは遷移金
属のみによる層が存在することがないようにすることが
望まれる。」と訂正する。 （６）同、第７頁、下から４行〜第８頁１行「第２図で
説明した・・・ものとなった。」を［第２図及び第３図
で説明したようにＴｂ、すなわち希土類金属と、Ｐｅす
なわち遷移金属の両成分を含み、その組成比が周期的に
変化した記録層が形成された。」と訂正する。 （７）同、第８頁、２行【゛角型比特に」を１角型比及
び」と訂正する。 （８）同、同頁、３行１゛角型比の向上」を１角型比及
びｌｌｃの向上」と訂正する。 （９１１ｉｊＪ、同頁、６〜１２行「においては、希土
類金属層・・・歪力が発生し、」を１−においては、希
土類金属と遷移金属とから成る合金中、両成分の相互作
用によって磁気異方性が得られ、また記録層の膜厚方向
の両成分の組成比の違いによっ°ζ膜内部に歪力が発生
し、」と訂正する。 顛 同、第９頁、１〜２行１−各希土類金属層（２）と
遷移金属層（３）」を１各希土類金属と遷移金属」と訂
正する。 （１１）同、同頁、１３〜１４行「率か、最終・・・組
成比の割合」を［率が、最終的に得ようとする各金属の
組成比の割合」と訂正する。 （１２）同、第１Ｏ頁、１６〜１７行「（２）は・・・
である。」を［（２）は光磁気記録層である。」と訂正
する。 （１３）図面中、第２図及び第３図を添付図面のように
補正する。 以 上 ・ 特許請求の範囲 ■、基体上に希土類金属と遷移金属とを含む光磁気記録
層が形成され、該光磁気記録層は、上記希土類金属と上
記遷移金属との組成比が厚さ方向に関して周期的に変化
するようになされた光磁気記録媒体。 ２、 基体に対してＪｌ、いに分離して設けられた遷移
金属のスパック−源と希土類金属のスバ・ツターＩツ（
とから夫々の金属を同時に上記基体に対し夫々の主たる
スパックリング位置が異る位置となるようにスパッタリ
ングすると共に、上記両金属のスパッター源と上記基体
とを相対的に回転移動させることによゲＣ上記基体」二
に、希土類金属と遷移金属とを含み上記希土類金属と上
記遷移金属との組成比が厚さ方向に関して周期的に変化
する光磁気記録層を形成する光磁気記録媒体の製法。 第２図 八８ 含肩量 含儒童 手続補正書 （特許庁審判長 殿）１、事件
の表示 昭和５Ｂ年特許願第９２０６７ 号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体とその製法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６、
補正により増加する廃明の数 （１） 明細書中、第１０頁、６行「ある。」の次に
「尚、本発明に垂直磁化膜、すなわち光磁気記録層の異
方性定数Ｋｕは、従来一般のそれの約１桁高い１０’ｅ
ｒｇ／ｃｃとなった。すなわち、本発明によれば、抗磁
力Ｈｃが高められ、これによって保存性にすぐれ、熱的
安定性にすぐれ、更に高密度記録化がはかられる。すな
わち、記録ビットの最小径ｄは、 （Ｅｗは磁壁エネルギー、 Ｍｓは飽和磁化）で与えら
れるので、Ｈｃが大となるととＫよって記録ビットの径
ｄを小さくでき、これによって高密度記録化がはかられ
るのである。 また、従来一般の希土類−遷移金属による光磁気記録層
の場合、その飽和磁化Ｍｓ一温度温度性特性第９図中破
線図示のような７エリ磁性を示すものであり、その補償
温度Ｔｃｏｍｐ近傍で用いられるものであるが、本発明
によるＭｓ−’Ｌ’ＩＰ＃性は、第９図中実線図示の特
性を示し、その補償温度Ｔｃｏｍｐは、０°にないしは
それ以下となるので、特性の安定化がはかられ、これに
伴ってその作製方法も容易となるものである。」を加入
する。 （２）同、第１０頁、１５行「化曲線図である。」を「
化曲線図、第９図は飽和碍化一温度特性曲線図である。 」と訂正する。 （３）図面中、添付図面第９図を追加する。 以 上 第９図
本発明による光磁気記録媒体の路線的拡大１４Ｉｊ ｉ
ｌｕ図、第３図はその成分分布図、第４図は本発明製法
を実施するスパッタリング装置の一例の路線的構成図、
第５図はその要部の、ｓＨｉ血図、第６し１は本発明に
よる光磁気記録媒体の磁化曲線し１、第７図１及び第８
陳１は人々本発明の説明に惧する磁化曲線図である。 （１）は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属層、（４）は中間層である。 第１図 第６図 第８図 第４図 第５図 第７図 手続補正書 昭和５８年 ７月２２１１ １、事件の表示 昭和５８年特許願第 ９２０６７ 号２、発明の名称
光磁伝記ｎ島体とその製法３、補正をする考 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁１．１７番３５号名称（
２］８） ソニー株式会社 代表取締没 大 賀 興 ｌＪ：１１ ４、代 理 人 東京都新宿区西着ｉ宿１丁ｌ」８番１
−５月ｍ１１１ヒＩＬ、ｉ１’ＥＬ東ｊｉｃ（０３）３
４３−５８２１ （代！、、）（３３８８） 弁理士
伊 藤 貞５、油止命令のＬ１付
昭和 年 月 １１６、補止により増加する発明
の赦 する。 （２） 明細書中、第３頁、１５行１一層（２）」を
削除する。 （３） 同、同頁、１６行〜第４頁１行１−遷移金属
層（３）・ぐ・全体として示す。」を、（−遷移金属と
を含む光磁気記録層（２）を有する光磁気記録媒体（３
）を構成するが、特に本発明においては、この記録Ｎ（
２）における上述の希土類金属と遷移金属との組成比が
記録層（２）の厚さ方向に関して周期的に変化するよう
にする。すなわら、第３図Ａ及びＢに、希土類金属の含
有量と遷移金属の含有量の記録層（２）の厚さ方向に関
する各分布を対比して示すように、一方が大のとき、他
方が小となるように周期的に変化させる。」と訂正する
。 （４）同、第４頁、３及び５行「媒体（５）」を夫々「
媒体（３）」と訂正する。 （５）同、同頁、１３行〜第５頁、９行１−希土類金属
層と、・・・ようにする。」を［希土類金属層（４）と
、遷移金属Ｍ（５）とを、ＮＳ２図にボずように交互に
且つ相互に混入するように積層し、前述したように、希
土類金属と遷移金属との組成比が膜厚方向に関して周期
的に変化するようにする。この場合、各希土類金属層及
び遷移金属層が、相互にこれより先に堆積形成された遷
移金属層及び希土類金属層にも相互に各金属が少なくと
も拡散するようにして、希土類金属のみ、或いは遷移金
属のみによる層が存在することがないようにすることが
望まれる。」と訂正する。 （６）同、第７頁、下から４行〜第８頁１行「第２図で
説明した・・・ものとなった。」を［第２図及び第３図
で説明したようにＴｂ、すなわち希土類金属と、Ｐｅす
なわち遷移金属の両成分を含み、その組成比が周期的に
変化した記録層が形成された。」と訂正する。 （７）同、第８頁、２行【゛角型比特に」を１角型比及
び」と訂正する。 （８）同、同頁、３行１゛角型比の向上」を１角型比及
びｌｌｃの向上」と訂正する。 （９１１ｉｊＪ、同頁、６〜１２行「においては、希土
類金属層・・・歪力が発生し、」を１−においては、希
土類金属と遷移金属とから成る合金中、両成分の相互作
用によって磁気異方性が得られ、また記録層の膜厚方向
の両成分の組成比の違いによっ°ζ膜内部に歪力が発生
し、」と訂正する。 顛 同、第９頁、１〜２行１−各希土類金属層（２）と
遷移金属層（３）」を１各希土類金属と遷移金属」と訂
正する。 （１１）同、同頁、１３〜１４行「率か、最終・・・組
成比の割合」を［率が、最終的に得ようとする各金属の
組成比の割合」と訂正する。 （１２）同、第１Ｏ頁、１６〜１７行「（２）は・・・
である。」を［（２）は光磁気記録層である。」と訂正
する。 （１３）図面中、第２図及び第３図を添付図面のように
補正する。 以 上 ・ 特許請求の範囲 ■、基体上に希土類金属と遷移金属とを含む光磁気記録
層が形成され、該光磁気記録層は、上記希土類金属と上
記遷移金属との組成比が厚さ方向に関して周期的に変化
するようになされた光磁気記録媒体。 ２、 基体に対してＪｌ、いに分離して設けられた遷移
金属のスパック−源と希土類金属のスバ・ツターＩツ（
とから夫々の金属を同時に上記基体に対し夫々の主たる
スパックリング位置が異る位置となるようにスパッタリ
ングすると共に、上記両金属のスパッター源と上記基体
とを相対的に回転移動させることによゲＣ上記基体」二
に、希土類金属と遷移金属とを含み上記希土類金属と上
記遷移金属との組成比が厚さ方向に関して周期的に変化
する光磁気記録層を形成する光磁気記録媒体の製法。 第２図 八８ 含肩量 含儒童 手続補正書 （特許庁審判長 殿）１、事件
の表示 昭和５Ｂ年特許願第９２０６７ 号 ２、発明の名称 光磁気記録媒体とその製法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６、
補正により増加する廃明の数 （１） 明細書中、第１０頁、６行「ある。」の次に
「尚、本発明に垂直磁化膜、すなわち光磁気記録層の異
方性定数Ｋｕは、従来一般のそれの約１桁高い１０’ｅ
ｒｇ／ｃｃとなった。すなわち、本発明によれば、抗磁
力Ｈｃが高められ、これによって保存性にすぐれ、熱的
安定性にすぐれ、更に高密度記録化がはかられる。すな
わち、記録ビットの最小径ｄは、 （Ｅｗは磁壁エネルギー、 Ｍｓは飽和磁化）で与えら
れるので、Ｈｃが大となるととＫよって記録ビットの径
ｄを小さくでき、これによって高密度記録化がはかられ
るのである。 また、従来一般の希土類−遷移金属による光磁気記録層
の場合、その飽和磁化Ｍｓ一温度温度性特性第９図中破
線図示のような７エリ磁性を示すものであり、その補償
温度Ｔｃｏｍｐ近傍で用いられるものであるが、本発明
によるＭｓ−’Ｌ’ＩＰ＃性は、第９図中実線図示の特
性を示し、その補償温度Ｔｃｏｍｐは、０°にないしは
それ以下となるので、特性の安定化がはかられ、これに
伴ってその作製方法も容易となるものである。」を加入
する。 （２）同、第１０頁、１５行「化曲線図である。」を「
化曲線図、第９図は飽和碍化一温度特性曲線図である。 」と訂正する。 （３）図面中、添付図面第９図を追加する。 以 上 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ、基体上に、希土類金属層と、遷移金属層と、両金属
ｊｄ間に介在された上記希土類金属及び上記遷移金属の
両成分を含む中間層とが積層されて成る光磁気記録媒体
。 ２、基体に対して互いに分離して設けられた遷移金属の
スパッター源と希土類金属のスパッター源とから夫々の
金属を同時に上記基体に対し夫々の主たるスパックリン
グ源置が異る位置となるようにスパッタリングすると共
に、上記両金属のスパッター隙と」１記基体とを相対的
に回転移動させることによって上記基体上に、希土類金
属１−と、遷移金属層と、両金属層間に介在された上記
希土類金属及び上記遷移金属の両成分を含む中間層とが
積！−された光磁気記録媒体の製法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58092067A JPH0670858B2 (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体とその製法 |
| US06/613,383 US4576699A (en) | 1983-05-25 | 1984-05-23 | Magneto-optical recording medium and method of making same |
| DE3419264A DE3419264A1 (de) | 1983-05-25 | 1984-05-23 | Magneto-optisches speichermedium und verfahren zu seiner herstellung |
| FR8408226A FR2546655A1 (fr) | 1983-05-25 | 1984-05-25 | Support d'enregistrement magneto-optique et procede de fabrication d'un tel support |
| GB08413411A GB2141864B (en) | 1983-05-25 | 1984-05-25 | Magneto-optical recording media and methods of making such media |
| US06/802,992 US4670356A (en) | 1983-05-25 | 1985-11-29 | Magneto-optical recording medium and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58092067A JPH0670858B2 (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体とその製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20136085A Division JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217247A true JPS59217247A (ja) | 1984-12-07 |
| JPH0670858B2 JPH0670858B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=14044118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58092067A Expired - Lifetime JPH0670858B2 (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体とその製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4576699A (ja) |
| JP (1) | JPH0670858B2 (ja) |
| DE (1) | DE3419264A1 (ja) |
| FR (1) | FR2546655A1 (ja) |
| GB (1) | GB2141864B (ja) |
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