JPH076421A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH076421A JPH076421A JP16754993A JP16754993A JPH076421A JP H076421 A JPH076421 A JP H076421A JP 16754993 A JP16754993 A JP 16754993A JP 16754993 A JP16754993 A JP 16754993A JP H076421 A JPH076421 A JP H076421A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、かかる従来例の有する不都合を改
善し、とくに耐久性良好な光磁気記録媒体を提供するこ
とを、その目的とする。 【構成】 基板１１上に、第１のＳi Ｎ膜１２，光磁気
記録１３，第２のＳi Ｎ膜１４，Ａｌ合金膜１５および
第３のＳi Ｎ膜１６が順次積層されていること。
善し、とくに耐久性良好な光磁気記録媒体を提供するこ
とを、その目的とする。 【構成】 基板１１上に、第１のＳi Ｎ膜１２，光磁気
記録１３，第２のＳi Ｎ膜１４，Ａｌ合金膜１５および
第３のＳi Ｎ膜１６が順次積層されていること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に係
り、とくに耐久性を考慮した光磁気記録媒体に関する。
り、とくに耐久性を考慮した光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光メモリー素子の中で、追加記録および
消去が可能な媒体（光磁気記録媒体，相変化記録媒体）
は、既に一部の技術が実用化されている段階にある。こ
の光記録媒として、レーザー光線照射時の記録再生効率
を向上させるために、基板上の光記録層上にＡl 合金層
をヒートシンク層或いは反射層として設ける方式も提案
されている。
消去が可能な媒体（光磁気記録媒体，相変化記録媒体）
は、既に一部の技術が実用化されている段階にある。こ
の光記録媒として、レーザー光線照射時の記録再生効率
を向上させるために、基板上の光記録層上にＡl 合金層
をヒートシンク層或いは反射層として設ける方式も提案
されている。
【０００３】一方、Ａl 合金を使用した場合には、高温
高湿度環境での長期保存性が充分ではない。即ち、Ａl
合金膜は表面に自然酸化膜を作るために、全体腐食に対
しては強固な特性を示すが、一度ピンホールが生成する
と、腐食電流の集中が起こりピンホールの拡大をもたら
すことになる。この反応は、特に水分の存在下において
顕著である。これを防ぐ手段として、例えば特開平１−
２１３８４９号公報記載のものが提案されている。
高湿度環境での長期保存性が充分ではない。即ち、Ａl
合金膜は表面に自然酸化膜を作るために、全体腐食に対
しては強固な特性を示すが、一度ピンホールが生成する
と、腐食電流の集中が起こりピンホールの拡大をもたら
すことになる。この反応は、特に水分の存在下において
顕著である。これを防ぐ手段として、例えば特開平１−
２１３８４９号公報記載のものが提案されている。
【０００４】この特開平１−２１３８４９号公報記載の
ものは、図２に示すように、基板１１の上に、金属酸化
物からなる干渉膜２２，希土類金属と遷移金属の合金か
らなる光磁気記録膜２３，記録層に接して設けられたＡ
ｌ合金膜１５があり、その上に金属酸化物からなる保護
膜２４が設けられたものとなっている。
ものは、図２に示すように、基板１１の上に、金属酸化
物からなる干渉膜２２，希土類金属と遷移金属の合金か
らなる光磁気記録膜２３，記録層に接して設けられたＡ
ｌ合金膜１５があり、その上に金属酸化物からなる保護
膜２４が設けられたものとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例における光磁気記録媒体は、Ａｌ合金膜１５が
変質する場合があり、これによって媒体反射率の変動
や、Ａｌ合金膜１５の腐食反応が促進される事態が生
じ、長期保存にそぐわないという不都合があった。
た従来例における光磁気記録媒体は、Ａｌ合金膜１５が
変質する場合があり、これによって媒体反射率の変動
や、Ａｌ合金膜１５の腐食反応が促進される事態が生
じ、長期保存にそぐわないという不都合があった。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに耐久性良好な光磁気記録媒体を提供す
ることを、その目的とする。
を改善し、とくに耐久性良好な光磁気記録媒体を提供す
ることを、その目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板上に、
第１のＳi Ｎ膜，光磁気記録，第２のＳi Ｎ膜，Ａｌ合
金膜および第３のＳi Ｎ膜を順次積層する、等の構成を
採っている。これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
第１のＳi Ｎ膜，光磁気記録，第２のＳi Ｎ膜，Ａｌ合
金膜および第３のＳi Ｎ膜を順次積層する、等の構成を
採っている。これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
【０００８】
【作 用】本願発明にかかる光磁気記録媒体を、ＵＶオ
ーバーコートしたのち、７０〔℃〕，８５〔％〕の高温
高湿環境下で１０００時間保持させる耐候性試験を行っ
たところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録再生特性も良
好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜の代わりに、
酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気記録媒体でも
同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食が見られ
ると共に、媒体反射率の変動が見られるものもあった。
ーバーコートしたのち、７０〔℃〕，８５〔％〕の高温
高湿環境下で１０００時間保持させる耐候性試験を行っ
たところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録再生特性も良
好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜の代わりに、
酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気記録媒体でも
同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食が見られ
ると共に、媒体反射率の変動が見られるものもあった。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説
明する。この図１において、符号１１は基板を示し、符
号１２は第１のＳｉＮ膜を示し、符号１３は光磁気記録
膜を示す。また、符号１４は第２のＳｉＮ膜を、符号１
５はＡｌ合金膜を、符号１６は第３のＳｉＮ膜を各々示
す。
明する。この図１において、符号１１は基板を示し、符
号１２は第１のＳｉＮ膜を示し、符号１３は光磁気記録
膜を示す。また、符号１４は第２のＳｉＮ膜を、符号１
５はＡｌ合金膜を、符号１６は第３のＳｉＮ膜を各々示
す。
【００１０】ここで、従来より問題視されていたＡｌ合
金膜の変質は、本願発明者が鋭意調査した結果、保護膜
として用いられている金属酸化物中の酸素の影響である
ことをつきとめるに至った
金膜の変質は、本願発明者が鋭意調査した結果、保護膜
として用いられている金属酸化物中の酸素の影響である
ことをつきとめるに至った
【００１１】即ち、本実施例では、金属酸化物の保護膜
の代わりに、緻密なＳｉＮ膜を用いることによって、良
好な記録再生特性を阻害することなく、劣悪環境長期保
存後の変質を防止することを可能としたものである。
の代わりに、緻密なＳｉＮ膜を用いることによって、良
好な記録再生特性を阻害することなく、劣悪環境長期保
存後の変質を防止することを可能としたものである。
【００１２】以下、これを更に詳述する。
【００１３】本発明に用いる基板１１としては、アクリ
ル樹脂，ポリカーボネート樹脂等のプラスチック，ガラ
ス，ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が使用され
ている。ガラス上に溝を形成する場合に用いる樹脂とし
ては、紫外線硬化樹脂が用いられている。
ル樹脂，ポリカーボネート樹脂等のプラスチック，ガラ
ス，ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が使用され
ている。ガラス上に溝を形成する場合に用いる樹脂とし
ては、紫外線硬化樹脂が用いられている。
【００１４】光磁気記録層１３としては、ＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＮｄＦｅＣｏ，ＰｔＣｏ，ＭｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉが用
いられている。又、それらには、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｎｂを小量添加しても良い。光磁気記録層と
しては、単一の層を用いても良いし、ＧｄＦｅＣｏ／Ｔ
ｂＦｅのように、二層以上の記録層を重ねても良い。光
磁気記録層の膜厚は、１００〜１０００〔 〕に設定さ
れている。
ｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＮｄＦｅＣｏ，ＰｔＣｏ，ＭｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉが用
いられている。又、それらには、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｎｂを小量添加しても良い。光磁気記録層と
しては、単一の層を用いても良いし、ＧｄＦｅＣｏ／Ｔ
ｂＦｅのように、二層以上の記録層を重ねても良い。光
磁気記録層の膜厚は、１００〜１０００〔 〕に設定さ
れている。
【００１５】本実施例の磁気記録媒体は、第３のＳｉＮ
膜１６の上に、ＵＶオーバーコートが施されている。こ
の磁気記録媒体は、同じものを２枚或いはカバー基板と
貼り合わせたものであってもよい。
膜１６の上に、ＵＶオーバーコートが施されている。こ
の磁気記録媒体は、同じものを２枚或いはカバー基板と
貼り合わせたものであってもよい。
【００１６】次に、本実施例の具体的製法を説明する。
【００１７】まず、２ｐ１ガラス基板をスパッタ装置内
に装着し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気後、アル
ゴンガスを導入して、基板をおよそ１０ 程度スパッタ
エッチングし、引き続きアルゴンと窒素との混合ガスを
導入して２×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングをすることにより、
８００〔 〕厚の第１のＳｉＮ膜を形成する。
に装着し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気後、アル
ゴンガスを導入して、基板をおよそ１０ 程度スパッタ
エッチングし、引き続きアルゴンと窒素との混合ガスを
導入して２×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングをすることにより、
８００〔 〕厚の第１のＳｉＮ膜を形成する。
【００１８】次に、アルゴンガスを導入して、ＴｂＦｅ
ＣｏＴｉターゲットをスパッタリングすることにより、
２５０〔 〕厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの光磁気記録膜を形
成する。
ＣｏＴｉターゲットをスパッタリングすることにより、
２５０〔 〕厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの光磁気記録膜を形
成する。
【００１９】１次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
して４×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコンター
ゲットを反応性スパッタリングする事により６００
〔 〕厚の第２のＳｉＮ膜を形成した。
して４×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコンター
ゲットを反応性スパッタリングする事により６００
〔 〕厚の第２のＳｉＮ膜を形成した。
【００２０】更に、アルゴンガスを導入して、ＡｌＴｉ
ターゲットをスパッタリングする事により、２００
〔 〕厚のＡｌＴｉ膜を形成した。
ターゲットをスパッタリングする事により、２００
〔 〕厚のＡｌＴｉ膜を形成した。
【００２１】最後に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
して１．５×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングする事により、２０
０〔〕厚の第３のＳｉＮ膜を形成した。この際に、第３
のＳｉＮ膜のバリヤー性を高めるために、低スパッタガ
ス圧を用いると更に耐候性上効果があることが判明し、
実験的にも確認することができた。
して１．５×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングする事により、２０
０〔〕厚の第３のＳｉＮ膜を形成した。この際に、第３
のＳｉＮ膜のバリヤー性を高めるために、低スパッタガ
ス圧を用いると更に耐候性上効果があることが判明し、
実験的にも確認することができた。
【００２２】次に、第３のＳｉＮ膜の上にＵＶオーバー
コートを塗布した。このようにして作製した光磁気記録
媒体の記録再生特性は、Ｃ／Ｎが４７〔ｄＢ〕であり良
好であった。
コートを塗布した。このようにして作製した光磁気記録
媒体の記録再生特性は、Ｃ／Ｎが４７〔ｄＢ〕であり良
好であった。
【００２３】この光磁気記録媒体を、７０〔℃〕，８５
〔％〕の高温高湿環境下で１０００時間保持させる耐候
性試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録
再生特性も良好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜
の代わりに、酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気
記録媒体でも同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に
腐食が見られると共に、媒体反射率の変動が見られるも
のもあった。
〔％〕の高温高湿環境下で１０００時間保持させる耐候
性試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録
再生特性も良好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜
の代わりに、酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気
記録媒体でも同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に
腐食が見られると共に、媒体反射率の変動が見られるも
のもあった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、基
板上に、第１のＳｉＮ膜，光磁気記録膜，第２のＳｉＮ
膜，Ａｌ合金膜，第３のＳｉＮ膜を順次積層することに
より、良好な記録再生特性を示し、かつ、劣悪環境に長
期保存しても変質しないという従来にない優れた光磁気
記録媒体うぃ提供することができる。
板上に、第１のＳｉＮ膜，光磁気記録膜，第２のＳｉＮ
膜，Ａｌ合金膜，第３のＳｉＮ膜を順次積層することに
より、良好な記録再生特性を示し、かつ、劣悪環境に長
期保存しても変質しないという従来にない優れた光磁気
記録媒体うぃ提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】従来の光記録媒体を示す概略断面図である。
１１ 基板 １２ 第１のＳｉＮ膜 １３ 光磁気記録膜 １４ 第２のＳｉＮ膜 １５ Ａｌ合金膜 １６ 第３のＳｉＮ膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に係
り、とくに耐久性を考慮した光磁気記録媒体に関する。
り、とくに耐久性を考慮した光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光メモリー素子の中で、追加記録および
消去が可能な媒体（光磁気記録媒体，相変化記録媒体）
は、既に一部の技術が実用化されている段階にある。こ
の光記録媒として、レーザー光線照射時の記録再生効率
を向上させるために、基板上の光記録層上にＡl 合金層
をヒートシンク層或いは反射層として設ける方式も提案
されている。
消去が可能な媒体（光磁気記録媒体，相変化記録媒体）
は、既に一部の技術が実用化されている段階にある。こ
の光記録媒として、レーザー光線照射時の記録再生効率
を向上させるために、基板上の光記録層上にＡl 合金層
をヒートシンク層或いは反射層として設ける方式も提案
されている。
【０００３】一方、Ａl 合金を使用した場合には、高温
高湿度環境での長期保存性が充分ではない。即ち、Ａl
合金膜は表面に自然酸化膜を作るために、全体腐食に対
しては強固な特性を示すが、一度ピンホールが生成する
と、腐食電流の集中が起こりピンホールの拡大をもたら
すことになる。この反応は、特に水分の存在下において
顕著である。これを防ぐ手段として、例えば特開平１−
２１３８４９号公報記載のものが提案されている。
高湿度環境での長期保存性が充分ではない。即ち、Ａl
合金膜は表面に自然酸化膜を作るために、全体腐食に対
しては強固な特性を示すが、一度ピンホールが生成する
と、腐食電流の集中が起こりピンホールの拡大をもたら
すことになる。この反応は、特に水分の存在下において
顕著である。これを防ぐ手段として、例えば特開平１−
２１３８４９号公報記載のものが提案されている。
【０００４】この特開平１−２１３８４９号公報記載の
ものは、図２に示すように、基板１１の上に、金属酸化
物からなる干渉膜２２，希土類金属と遷移金属の合金か
らなる光磁気記録膜２３，記録層に接して設けられたＡ
ｌ合金膜１５があり、その上に金属酸化物からなる保護
膜２４が設けられたものとなっている。
ものは、図２に示すように、基板１１の上に、金属酸化
物からなる干渉膜２２，希土類金属と遷移金属の合金か
らなる光磁気記録膜２３，記録層に接して設けられたＡ
ｌ合金膜１５があり、その上に金属酸化物からなる保護
膜２４が設けられたものとなっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例における光磁気記録媒体は、Ａｌ合金膜１５が
変質する場合があり、これによって媒体反射率の変動
や、Ａｌ合金膜１５の腐食反応が促進される事態が生
じ、長期保存にそぐわないという不都合があった。
た従来例における光磁気記録媒体は、Ａｌ合金膜１５が
変質する場合があり、これによって媒体反射率の変動
や、Ａｌ合金膜１５の腐食反応が促進される事態が生
じ、長期保存にそぐわないという不都合があった。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに耐久性良好な光磁気記録媒体を提供す
ることを、その目的とする。
を改善し、とくに耐久性良好な光磁気記録媒体を提供す
ることを、その目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板上に、
第１のＳi Ｎ膜，光磁気記録，第２のＳi Ｎ膜，Ａｌ合
金膜および第３のＳi Ｎ膜を順次積層する、等の構成を
採っている。これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
第１のＳi Ｎ膜，光磁気記録，第２のＳi Ｎ膜，Ａｌ合
金膜および第３のＳi Ｎ膜を順次積層する、等の構成を
採っている。これによって前述した目的を達成しようと
するものである。
【０００８】
【作 用】本願発明にかかる光磁気記録媒体を、ＵＶオ
ーバーコートしたのち、７０〔℃〕，８５〔％〕の高温
高湿環境下で１０００時間保持させる耐候性試験を行っ
たところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録再生特性も良
好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜の代わりに、
酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気記録媒体でも
同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食が見られ
ると共に、媒体反射率の変動が見られるものもあった。
ーバーコートしたのち、７０〔℃〕，８５〔％〕の高温
高湿環境下で１０００時間保持させる耐候性試験を行っ
たところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録再生特性も良
好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜の代わりに、
酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気記録媒体でも
同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食が見られ
ると共に、媒体反射率の変動が見られるものもあった。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説
明する。この図１において、符号１１は基板を示し、符
号１２は第１のＳｉＮ膜を示し、符号１３は光磁気記録
膜を示す。また、符号１４は第２のＳｉＮ膜を、符号１
５はＡｌ合金膜を、符号１６は第３のＳｉＮ膜を各々示
す。
明する。この図１において、符号１１は基板を示し、符
号１２は第１のＳｉＮ膜を示し、符号１３は光磁気記録
膜を示す。また、符号１４は第２のＳｉＮ膜を、符号１
５はＡｌ合金膜を、符号１６は第３のＳｉＮ膜を各々示
す。
【００１０】ここで、従来より問題視されていたＡｌ合
金膜の変質は、本願発明者が鋭意調査した結果、保護膜
として用いられている金属酸化物中の酸素の影響である
ことをつきとめるに至った
金膜の変質は、本願発明者が鋭意調査した結果、保護膜
として用いられている金属酸化物中の酸素の影響である
ことをつきとめるに至った
【００１１】即ち、本実施例では、金属酸化物の保護膜
の代わりに、緻密なＳｉＮ膜を用いることによって、良
好な記録再生特性を阻害することなく、劣悪環境長期保
存後の変質を防止することを可能としたものである。
の代わりに、緻密なＳｉＮ膜を用いることによって、良
好な記録再生特性を阻害することなく、劣悪環境長期保
存後の変質を防止することを可能としたものである。
【００１２】以下、これを更に詳述する。
【００１３】本発明に用いる基板１１としては、アクリ
ル樹脂，ポリカーボネート樹脂等のプラスチック，ガラ
ス，ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が使用され
ている。ガラス上に溝を形成する場合に用いる樹脂とし
ては、紫外線硬化樹脂が用いられている。
ル樹脂，ポリカーボネート樹脂等のプラスチック，ガラ
ス，ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が使用され
ている。ガラス上に溝を形成する場合に用いる樹脂とし
ては、紫外線硬化樹脂が用いられている。
【００１４】光磁気記録層１３としては、ＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＮｄＦｅＣｏ，ＰｔＣｏ，ＭｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉが用
いられている。又、それらには、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｎｂを小量添加しても良い。光磁気記録層と
しては、単一の層を用いても良いし、ＧｄＦｅＣｏ／Ｔ
ｂＦｅのように、二層以上の記録層を重ねても良い。光
磁気記録層の膜厚は、１００〜１０００〔オングストロ
ーム〕に設定されている。
ｂＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，
ＮｄＦｅＣｏ，ＰｔＣｏ，ＭｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉが用
いられている。又、それらには、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｎｂを小量添加しても良い。光磁気記録層と
しては、単一の層を用いても良いし、ＧｄＦｅＣｏ／Ｔ
ｂＦｅのように、二層以上の記録層を重ねても良い。光
磁気記録層の膜厚は、１００〜１０００〔オングストロ
ーム〕に設定されている。
【００１５】本実施例の磁気記録媒体は、第３のＳｉＮ
膜１６の上に、ＵＶオーバーコートが施されている。こ
の磁気記録媒体は、同じものを２枚或いはカバー基板と
貼り合わせたものであってもよい。
膜１６の上に、ＵＶオーバーコートが施されている。こ
の磁気記録媒体は、同じものを２枚或いはカバー基板と
貼り合わせたものであってもよい。
【００１６】次に、本実施例の具体的製法を説明する。
【００１７】まず、２ｐ１ガラス基板をスパッタ装置内
に装着し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気後、アル
ゴンガスを導入して、基板をおよそ１０ 程度スパッタ
エッチングし、引き続きアルゴンと窒素との混合ガスを
導入して２×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングをすることにより、
８００〔オングストローム〕厚の第１のＳｉＮ膜を形成
する。
に装着し、３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気後、アル
ゴンガスを導入して、基板をおよそ１０ 程度スパッタ
エッチングし、引き続きアルゴンと窒素との混合ガスを
導入して２×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングをすることにより、
８００〔オングストローム〕厚の第１のＳｉＮ膜を形成
する。
【００１８】次に、アルゴンガスを導入して、ＴｂＦｅ
ＣｏＴｉターゲットをスパッタリングすることにより、
２５０〔オングストローム〕厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの光
磁気記録膜を形成する。
ＣｏＴｉターゲットをスパッタリングすることにより、
２５０〔オングストローム〕厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの光
磁気記録膜を形成する。
【００１９】１次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
して４×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコンター
ゲットを反応性スパッタリングする事により６００〔オ
ングストローム〕厚の第２のＳｉＮ膜を形成した。
して４×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコンター
ゲットを反応性スパッタリングする事により６００〔オ
ングストローム〕厚の第２のＳｉＮ膜を形成した。
【００２０】更に、アルゴンガスを導入して、ＡｌＴｉ
ターゲットをスパッタリングする事により、２００〔オ
ングストローム〕厚のＡｌＴｉ膜を形成した。
ターゲットをスパッタリングする事により、２００〔オ
ングストローム〕厚のＡｌＴｉ膜を形成した。
【００２１】最後に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
して１．５×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングする事により、２０
０〔オングストローム〕厚の第３のＳｉＮ膜を形成し
た。この際に、第３のＳｉＮ膜のバリヤー性を高めるた
めに、低スパッタガス圧を用いると更に耐候性上効果が
あることが判明し、実験的にも確認することができた。
して１．５×１０-3Ｔｏｒｒとし、純度５Ｎのシリコン
ターゲットを反応性スパッタリングする事により、２０
０〔オングストローム〕厚の第３のＳｉＮ膜を形成し
た。この際に、第３のＳｉＮ膜のバリヤー性を高めるた
めに、低スパッタガス圧を用いると更に耐候性上効果が
あることが判明し、実験的にも確認することができた。
【００２２】次に、第３のＳｉＮ膜の上にＵＶオーバー
コートを塗布した。このようにして作製した光磁気記録
媒体の記録再生特性は、Ｃ／Ｎが４７〔ｄＢ〕であり良
好であった。
コートを塗布した。このようにして作製した光磁気記録
媒体の記録再生特性は、Ｃ／Ｎが４７〔ｄＢ〕であり良
好であった。
【００２３】この光磁気記録媒体を、７０〔℃〕，８５
〔％〕の高温高湿環境下で１０００時間保持させる耐候
性試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録
再生特性も良好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜
の代わりに、酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気
記録媒体でも同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に
腐食が見られると共に、媒体反射率の変動が見られるも
のもあった。
〔％〕の高温高湿環境下で１０００時間保持させる耐候
性試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に腐食はなく、記録
再生特性も良好であった。比較のため、第３のＳｉＮ膜
の代わりに、酸化タンタル保護膜を用いた従来の光磁気
記録媒体でも同様の試験を行ったところ、ＡｌＴｉ膜に
腐食が見られると共に、媒体反射率の変動が見られるも
のもあった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、基
板上に、第１のＳｉＮ膜，光磁気記録膜，第２のＳｉＮ
膜，Ａｌ合金膜，第３のＳｉＮ膜を順次積層することに
より、良好な記録再生特性を示し、かつ、劣悪環境に長
期保存しても変質しないという従来にない優れた光磁気
記録媒体を提供することができる。
板上に、第１のＳｉＮ膜，光磁気記録膜，第２のＳｉＮ
膜，Ａｌ合金膜，第３のＳｉＮ膜を順次積層することに
より、良好な記録再生特性を示し、かつ、劣悪環境に長
期保存しても変質しないという従来にない優れた光磁気
記録媒体を提供することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、第１のＳi Ｎ膜，光磁気記
録，第２のＳi Ｎ膜，Ａｌ合金膜および第３のＳi Ｎ膜
が順次積層されていることを特徴とした光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記第３のＳi Ｎ膜には、その上にＵＶ
オーバーコートが塗布されていることを特徴とした請求
項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記各膜厚の形成に際してはスパッタリ
ング法が用いれると共に、前記第３のＳi Ｎ膜の形成に
際しては低スパッタガス圧が用いられていることを特徴
とした請求項１又は２記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16754993A JPH076421A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16754993A JPH076421A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076421A true JPH076421A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15851781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16754993A Pending JPH076421A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076421A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS6374144A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01213849A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH02108253A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0461043A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Home Electron Ltd | 光磁気記録担体 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP16754993A patent/JPH076421A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS6374144A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01213849A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH02108253A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0461043A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nec Home Electron Ltd | 光磁気記録担体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970121 |