JPS63166777A - セラミツクス前駆体成形体の製造方法 - Google Patents
セラミツクス前駆体成形体の製造方法Info
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- JPS63166777A JPS63166777A JP61311621A JP31162186A JPS63166777A JP S63166777 A JPS63166777 A JP S63166777A JP 61311621 A JP61311621 A JP 61311621A JP 31162186 A JP31162186 A JP 31162186A JP S63166777 A JPS63166777 A JP S63166777A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、セラミックス前駆体成形体の製造方法に関す
るものである。詳しく述べると、光フアイバー母材の原
料、フィルター、触媒担持体等に好適な気孔の制御され
たセラミックス成形体を得るのに好適なセラミックス前
駆体成形体の製造方法に関するものである。
るものである。詳しく述べると、光フアイバー母材の原
料、フィルター、触媒担持体等に好適な気孔の制御され
たセラミックス成形体を得るのに好適なセラミックス前
駆体成形体の製造方法に関するものである。
(従来の技術)
各種金属アルコキシドを加水分解し、金属酸化物や水酸
化物を得る方法は、数多く知られている(例えば工業材
料神、Nα5,85〜89;同η、NO,6゜101〜
110;エレクトロニクス・セラミクス1986年3月
号;特開昭58−2.205号;特開昭56−9.42
7号等)。また、緻密かつ透明な塊状物を作製するため
に、特に酸系、例えば塩酸等の触媒を用いて金属アルコ
キシドを加水分解してゲル状物を作製したのち、徐々に
加熱することも行なわれている。
化物を得る方法は、数多く知られている(例えば工業材
料神、Nα5,85〜89;同η、NO,6゜101〜
110;エレクトロニクス・セラミクス1986年3月
号;特開昭58−2.205号;特開昭56−9.42
7号等)。また、緻密かつ透明な塊状物を作製するため
に、特に酸系、例えば塩酸等の触媒を用いて金属アルコ
キシドを加水分解してゲル状物を作製したのち、徐々に
加熱することも行なわれている。
一方、超臨界ガス抽出技術をファインセラミックス製造
プロセスの脱脂工程へ適用した例[ケミカル・エンジニ
ャリング 31. NO5,45(1986)コは知ら
れているが、超臨界条件下でのセラミックス前駆体成形
物の製造方法は知られていない。
プロセスの脱脂工程へ適用した例[ケミカル・エンジニ
ャリング 31. NO5,45(1986)コは知ら
れているが、超臨界条件下でのセラミックス前駆体成形
物の製造方法は知られていない。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、金属アルコキシドを原料として成形物を
得る試みは、その形状イ1与が容易であるためにガラス
系組成物を中心に盛んに行なわれているとはいえ、成形
時の収縮が大きく、それに伴なうひび割れ等の問題があ
り、大きな問題をかがえている。一方、多孔質成形体を
得る方法としては、金属酸化物のスラリーに樹脂を配合
して溶解させ、成形後該成形物を焼成することにより樹
脂を燃焼させ、これにより多孔質な状態にする方法が行
なわれているが、このような方法によっては純度の高い
成形体、均一性の高い成形体および細孔径の制御された
多孔質成形体を得ることは極めて困難であった。
得る試みは、その形状イ1与が容易であるためにガラス
系組成物を中心に盛んに行なわれているとはいえ、成形
時の収縮が大きく、それに伴なうひび割れ等の問題があ
り、大きな問題をかがえている。一方、多孔質成形体を
得る方法としては、金属酸化物のスラリーに樹脂を配合
して溶解させ、成形後該成形物を焼成することにより樹
脂を燃焼させ、これにより多孔質な状態にする方法が行
なわれているが、このような方法によっては純度の高い
成形体、均一性の高い成形体および細孔径の制御された
多孔質成形体を得ることは極めて困難であった。
したがって、本発明の目的は、セラミックス前駆体成形
体の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、純度および均一性が高くかつ細孔径の制御された金
属酸化物系の多孔質成形体を得るに好適な前駆体成形物
を提供することにある。
体の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、純度および均一性が高くかつ細孔径の制御された金
属酸化物系の多孔質成形体を得るに好適な前駆体成形物
を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
これらの諸口的は、金属化合物からゾルを形成し、該ゾ
ルを成形用型に注入し、そのままあるいはゲル化したの
ち、超臨界条件下で超臨界流体により脱溶媒および脱水
を行なうことにより成形体を得ることを特徴とするセラ
ミックス前駆体成形体の製造方法により達成される。
ルを成形用型に注入し、そのままあるいはゲル化したの
ち、超臨界条件下で超臨界流体により脱溶媒および脱水
を行なうことにより成形体を得ることを特徴とするセラ
ミックス前駆体成形体の製造方法により達成される。
また、本発明は、好ましくは金属化合物から得られるゾ
ルが金属アル」キシド系組成物からなるゾルであるセラ
ミックス前駆体成形体の製造方法である。さらに、本発
明は、より好ましくは金属酸化物から得られるゾルが金
属水酸化物および金属酸化物よりなる群から選ばれた少
なくとも1種の化合物と金属アル」キシド系組成物から
なるゾルであるセラミックス前駆体成形体の製造方法で
ある。
ルが金属アル」キシド系組成物からなるゾルであるセラ
ミックス前駆体成形体の製造方法である。さらに、本発
明は、より好ましくは金属酸化物から得られるゾルが金
属水酸化物および金属酸化物よりなる群から選ばれた少
なくとも1種の化合物と金属アル」キシド系組成物から
なるゾルであるセラミックス前駆体成形体の製造方法で
ある。
(作用)
本発明によるセラミックス前駆体成形体は、金属化合物
からゾルを形成し、該ゲルを成形用型に注入し、そのま
まあるいはゲル化したのち、該成形用型内で超臨界条件
下で超臨界流体により脱溶媒みよび脱水を行なって成形
体を得ることにより製造される。
からゾルを形成し、該ゲルを成形用型に注入し、そのま
まあるいはゲル化したのち、該成形用型内で超臨界条件
下で超臨界流体により脱溶媒みよび脱水を行なって成形
体を得ることにより製造される。
本発明で用いられる金属化合物としては、ゾルを形成す
るものであればいずれでもよく、例えば塩化物、硝酸塩
、硫酸塩、リン酸塩、有機酸塩、有機キレート化合物、
アルコキシド等が挙げられるが、好ましくは金属アルコ
キシドである。
るものであればいずれでもよく、例えば塩化物、硝酸塩
、硫酸塩、リン酸塩、有機酸塩、有機キレート化合物、
アルコキシド等が挙げられるが、好ましくは金属アルコ
キシドである。
金属アルコキシド化合物としては、例えば一般式Iで表
わされる単一金属アルコキシド、一般式IIで表わされ
る複合金属アルコキシド等が挙げられる。
わされる単一金属アルコキシド、一般式IIで表わされ
る複合金属アルコキシド等が挙げられる。
Ma(OR)。Xll1−o (■)Ma[M
b(OR) rl]m−n (II>(ただし、式
中、MaおよびMbはアルコキシドを形成し得る金属、
mは金属MaまたはMbがアル」キシ基を形成し得る最
大原子価、nは1〜mの整数、Xは酸素原子、ハロゲン
原子、水酸基または有機残基であり、またRはアルキル
基である。
b(OR) rl]m−n (II>(ただし、式
中、MaおよびMbはアルコキシドを形成し得る金属、
mは金属MaまたはMbがアル」キシ基を形成し得る最
大原子価、nは1〜mの整数、Xは酸素原子、ハロゲン
原子、水酸基または有機残基であり、またRはアルキル
基である。
〉で表わされるものである。Rは、例えば炭素原子数1
〜20.好ましくは1〜7、より好ましくは1〜4のア
ルキル基、Xは酸素原子、ハロゲン原子、好ましくは塩
素原子、水酸基または有機残基、例えば炭素原子数1〜
20、好ましくは1〜7、より好ましくは1〜4のアル
キル基、炭素原子数6〜20、好ましくは6〜8のアリ
ール基、より好ましくはフェニル基、炭素原子数3〜5
のアリル基、炭素原子数2のビニル基、炭素原子数2〜
10のβ−ジケトンや有機カルボン酸等のアルミニウム
とキレートを形成する有機化合物の残基等である。
〜20.好ましくは1〜7、より好ましくは1〜4のア
ルキル基、Xは酸素原子、ハロゲン原子、好ましくは塩
素原子、水酸基または有機残基、例えば炭素原子数1〜
20、好ましくは1〜7、より好ましくは1〜4のアル
キル基、炭素原子数6〜20、好ましくは6〜8のアリ
ール基、より好ましくはフェニル基、炭素原子数3〜5
のアリル基、炭素原子数2のビニル基、炭素原子数2〜
10のβ−ジケトンや有機カルボン酸等のアルミニウム
とキレートを形成する有機化合物の残基等である。
MaおよびMbとしては、例えば四価の金属としてケイ
素、チタン、ジルコニウム、錫、ゲルマニウム、ハフニ
ウム等、好ましくはケイ素、チタン、ジルコニウム、錫
、ゲルマニウム等、最も好ましくはケイ素、チタンおよ
びジルコニウム、三価の金属としてアルミニウム、イツ
トリウム、ホウ素、鉄、ガリウム、インジウム、タリウ
ムおよびスカンジウム等、好ましくはアルミニウムおよ
びイツトリウム、二価の金属としてマグネシウム、亜鉛
、バリウム、ベリリウム、カルシウム鉛等、好ましくは
バリウム、マグネシウム、亜鉛等、−価の金属としてナ
トリウム、リチウム等がある。
素、チタン、ジルコニウム、錫、ゲルマニウム、ハフニ
ウム等、好ましくはケイ素、チタン、ジルコニウム、錫
、ゲルマニウム等、最も好ましくはケイ素、チタンおよ
びジルコニウム、三価の金属としてアルミニウム、イツ
トリウム、ホウ素、鉄、ガリウム、インジウム、タリウ
ムおよびスカンジウム等、好ましくはアルミニウムおよ
びイツトリウム、二価の金属としてマグネシウム、亜鉛
、バリウム、ベリリウム、カルシウム鉛等、好ましくは
バリウム、マグネシウム、亜鉛等、−価の金属としてナ
トリウム、リチウム等がある。
上記金属のうら二価、三価、四価の金属がより好ましい
。最も好ましいのは一般式M a (OR> 3X、M
a(OR>2 X2 おJl:びMb(OR)2 X(
ただし、Maは四価の金属、Mbは三価の金属である。
。最も好ましいのは一般式M a (OR> 3X、M
a(OR>2 X2 おJl:びMb(OR)2 X(
ただし、Maは四価の金属、Mbは三価の金属である。
)で表わされる化合物を少なくとも1種含むことである
。
。
シリコンアルコキシド系化合物としては、テトラメトキ
シシラン、テトラエトキシシラン、テトラn−プロポキ
シシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキ
シシラン類等の4官能アルコキシド化合物、トリメトキ
シメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメト
キシn−プロピルシラン、トリメトキシイソプロピルシ
ラン、トリメトキシn−ブチルシラン、トリメトキシイ
ソブチルシラン、トリメトキシt−ブチルシラン、トリ
メトキシアリルシラン、トリメトキシビニルシラン、ト
リメトキシフェニルシラン、トリメトキシ(アセチルア
セ1−ナート)シラン、トリエトキシメチルシラン、ト
リエトキシエチルチタン、トリエトキシn−プロピルシ
ラン、トリエトキシイソプロピルシラン、トリエトキシ
ブチルシラン類、トリエトキシビニルシラン、トリエト
キシクロロシラン、トリエトキシ(アセチルアセ[〜ナ
ート)シラン、トリーn−プロポキシメチルシラン、ト
リーn−プロポキシエチルシラン、トリー〇−プロポキ
シn−プロピルシラン、トリーn−プロポキシブチルシ
ラン類、トリイソプロポキシメチルシラン、トリイソプ
ロポキシエチルシラン、トリイソプロポキシフェニルシ
ラン類、トリイソプロポキシ(アセチルアセト太−ト)
シラン、トリブトキシメチルシラン類、トリブトキシエ
チルシラン類、トリブトキシ(エチル7セチルアセテー
ト)シラン類、トリス(2−メトキシエトキシ)ビニル
シラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、1〜
リメトキシクロロシラン、トリエトキシクロロシラン、
1〜リイソプロポキシクロロシラン、トリメトキシ(ヒ
ドロキシ)シラン等の3官能シラン化合物、ジメトキシ
ジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキ
シジイソプロピルシラン、ジメトキシジ−ハーブチルシ
ラン、ジメトキシジイソブチルシラン、ジメトキシジ−
t−ブチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメ
トキシン(アセチルアセトナート)シラン、ジェトキシ
ジメチルシラン、ジェトキシジエチルシラン、ジェトキ
シジイソプロピルシラン、ジェトキシジブチルシラン類
、ジエトキシジ(アセチル)7セトナート)シラン、ジ
−n−プロポキシジメチルシラン、ジ−n−プロポキシ
ジエチルシラン、ジ−n−プロポキシジフェニルシラン
類、ジ−n−プロポキシン(アセチルアセトナート)シ
ラン、ジイソプロポキシジメチルシラン、ジイソプロポ
キシジエチルシラン、ジインプロポキシジプロピルシラ
ン類、ジイソプロポキシジブチルシラン類、ジイソプロ
ポキシジエチルシラン類、シイソプロポキシジ(アセチ
ルアセトデート)シラン、ジブトキシジメチルシラン類
、ジブトキシジエチルシラン類、ジブトキシジプロピル
シラン類、ジブ1〜キシジブチルシラン類、ジブトキシ
ジフェニルシラン類、ジメトキシジクロロシラン、ジェ
トキシジクロロシラン、ジイソプロポキシジクロロシラ
ン、ジメトキシ(ジヒドロキシ)シラン、ジェトキシ〈
ジヒドロキシ〉シラン等の2官能シラン化合物等がある
。
シシラン、テトラエトキシシラン、テトラn−プロポキ
シシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキ
シシラン類等の4官能アルコキシド化合物、トリメトキ
シメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメト
キシn−プロピルシラン、トリメトキシイソプロピルシ
ラン、トリメトキシn−ブチルシラン、トリメトキシイ
ソブチルシラン、トリメトキシt−ブチルシラン、トリ
メトキシアリルシラン、トリメトキシビニルシラン、ト
リメトキシフェニルシラン、トリメトキシ(アセチルア
セ1−ナート)シラン、トリエトキシメチルシラン、ト
リエトキシエチルチタン、トリエトキシn−プロピルシ
ラン、トリエトキシイソプロピルシラン、トリエトキシ
ブチルシラン類、トリエトキシビニルシラン、トリエト
キシクロロシラン、トリエトキシ(アセチルアセ[〜ナ
ート)シラン、トリーn−プロポキシメチルシラン、ト
リーn−プロポキシエチルシラン、トリー〇−プロポキ
シn−プロピルシラン、トリーn−プロポキシブチルシ
ラン類、トリイソプロポキシメチルシラン、トリイソプ
ロポキシエチルシラン、トリイソプロポキシフェニルシ
ラン類、トリイソプロポキシ(アセチルアセト太−ト)
シラン、トリブトキシメチルシラン類、トリブトキシエ
チルシラン類、トリブトキシ(エチル7セチルアセテー
ト)シラン類、トリス(2−メトキシエトキシ)ビニル
シラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、1〜
リメトキシクロロシラン、トリエトキシクロロシラン、
1〜リイソプロポキシクロロシラン、トリメトキシ(ヒ
ドロキシ)シラン等の3官能シラン化合物、ジメトキシ
ジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキ
シジイソプロピルシラン、ジメトキシジ−ハーブチルシ
ラン、ジメトキシジイソブチルシラン、ジメトキシジ−
t−ブチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメ
トキシン(アセチルアセトナート)シラン、ジェトキシ
ジメチルシラン、ジェトキシジエチルシラン、ジェトキ
シジイソプロピルシラン、ジェトキシジブチルシラン類
、ジエトキシジ(アセチル)7セトナート)シラン、ジ
−n−プロポキシジメチルシラン、ジ−n−プロポキシ
ジエチルシラン、ジ−n−プロポキシジフェニルシラン
類、ジ−n−プロポキシン(アセチルアセトナート)シ
ラン、ジイソプロポキシジメチルシラン、ジイソプロポ
キシジエチルシラン、ジインプロポキシジプロピルシラ
ン類、ジイソプロポキシジブチルシラン類、ジイソプロ
ポキシジエチルシラン類、シイソプロポキシジ(アセチ
ルアセトデート)シラン、ジブトキシジメチルシラン類
、ジブトキシジエチルシラン類、ジブトキシジプロピル
シラン類、ジブ1〜キシジブチルシラン類、ジブトキシ
ジフェニルシラン類、ジメトキシジクロロシラン、ジェ
トキシジクロロシラン、ジイソプロポキシジクロロシラ
ン、ジメトキシ(ジヒドロキシ)シラン、ジェトキシ〈
ジヒドロキシ〉シラン等の2官能シラン化合物等がある
。
チタンアルコキシド系化合物としては、テトラメトキシ
チタン、テトラエトキシチタン、テトラn−プロポキシ
チタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシ
チタン、トリメトキシメチルチタン、トリメトキシエチ
ルチタン、トリメトキシプロピルチタン類、トリメトキ
シアリルチタン類、トリメトキシフェニルチタン類、ト
リメトキシ(アセチルアセテート)チタン、トリエトキ
シメチルチタン、トリエトキシエチルチタン、トリエト
キシプロピルチタン類、トリメトキシビニルチタン、ト
リエトキシフェニルチタン類、トリプロポキシメチルチ
タン類、トリプロポキシエチルチタン類、トリプロポキ
シブチルチタン類、i〜リプロポキシフェニルチタン類
、トリメトキシメチルチタン類、トリブトキシ(アセチ
ルアセトナート)チタン類、ジメトキシジメチルチタン
、ジメトキシジエチルチタン、ジメトキシジプロピルチ
タン類、ジメトキシジブチルチタン類、ジメトキシン(
アセチルアセトナート)チタン、ジェトキシジメチルチ
タン、ジェトキシジメチルチタン、ジェトキシジプロピ
ルチタン類、ジプロポキシジメチルチタン類、ジプロポ
キシジエチルチタン類、ジブトキシジメチルチタン類、
ジブトキシジエチルチタン類、ジェトキシド(アセチル
アセトナート)チタン類、ジイソプロポキシビス(アセ
チルアセトナート)チタン、イソプロポキシ(2−エチ
ルへキナンジオラート)チタン、ジ−n−ブトキシビス
(トリエタノールアミナト)チタン等がある。
チタン、テトラエトキシチタン、テトラn−プロポキシ
チタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシ
チタン、トリメトキシメチルチタン、トリメトキシエチ
ルチタン、トリメトキシプロピルチタン類、トリメトキ
シアリルチタン類、トリメトキシフェニルチタン類、ト
リメトキシ(アセチルアセテート)チタン、トリエトキ
シメチルチタン、トリエトキシエチルチタン、トリエト
キシプロピルチタン類、トリメトキシビニルチタン、ト
リエトキシフェニルチタン類、トリプロポキシメチルチ
タン類、トリプロポキシエチルチタン類、トリプロポキ
シブチルチタン類、i〜リプロポキシフェニルチタン類
、トリメトキシメチルチタン類、トリブトキシ(アセチ
ルアセトナート)チタン類、ジメトキシジメチルチタン
、ジメトキシジエチルチタン、ジメトキシジプロピルチ
タン類、ジメトキシジブチルチタン類、ジメトキシン(
アセチルアセトナート)チタン、ジェトキシジメチルチ
タン、ジェトキシジメチルチタン、ジェトキシジプロピ
ルチタン類、ジプロポキシジメチルチタン類、ジプロポ
キシジエチルチタン類、ジブトキシジメチルチタン類、
ジブトキシジエチルチタン類、ジェトキシド(アセチル
アセトナート)チタン類、ジイソプロポキシビス(アセ
チルアセトナート)チタン、イソプロポキシ(2−エチ
ルへキナンジオラート)チタン、ジ−n−ブトキシビス
(トリエタノールアミナト)チタン等がある。
ジルコニウム系アルコキシド化合物としては、テトラメ
トキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テ
トライソプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジル
コニウム、トリメトキシメチルジルコニウム、トリメト
キシエチルジルコニラム、トリメトキシプロピルジルコ
ニウム類、1〜リメトキシブチルジルコニウム類、トリ
メトキシアリルジルコニウム、トリエトキシビニルジル
コニウム、トリメトキシ(アセチルアセト太−ト)ジル
コニウム、トリエトキシメチルジルコニウム、トリエト
キシエチルジル」ニウム、トリエトキシプロピルジルコ
ニウム類、トリエトキシビニルジルコニウム、トリエト
キシフェニルジルコニウム、トリプロポキシメチルジル
コニウム類、トリプロポキシプロビルジルコニウム類、
トリブトキシメチルジルコニウム類、ジメトキシジメチ
ルジルコニウム、ジメトキシジエチルジル」ニウム、ジ
メトキシジプロピルジルコニウム類、ジメトキシジフェ
ニルジルコニウム、ジメトキシン(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、ジェトキシジメチルジルコニウム、
ジェトキシジエチルジルコニウム、ジェトキシジプロピ
ルジルコニウム類、ジプロポキシジメチルジルコニウム
類、ジプロポキシジプロピルジルコニウム類、ジブトキ
シジメチルジルコニウム、ジブトキシジブチルジルコニ
ウム類、等がある。
トキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テ
トライソプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジル
コニウム、トリメトキシメチルジルコニウム、トリメト
キシエチルジルコニラム、トリメトキシプロピルジルコ
ニウム類、1〜リメトキシブチルジルコニウム類、トリ
メトキシアリルジルコニウム、トリエトキシビニルジル
コニウム、トリメトキシ(アセチルアセト太−ト)ジル
コニウム、トリエトキシメチルジルコニウム、トリエト
キシエチルジル」ニウム、トリエトキシプロピルジルコ
ニウム類、トリエトキシビニルジルコニウム、トリエト
キシフェニルジルコニウム、トリプロポキシメチルジル
コニウム類、トリプロポキシプロビルジルコニウム類、
トリブトキシメチルジルコニウム類、ジメトキシジメチ
ルジルコニウム、ジメトキシジエチルジル」ニウム、ジ
メトキシジプロピルジルコニウム類、ジメトキシジフェ
ニルジルコニウム、ジメトキシン(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、ジェトキシジメチルジルコニウム、
ジェトキシジエチルジルコニウム、ジェトキシジプロピ
ルジルコニウム類、ジプロポキシジメチルジルコニウム
類、ジプロポキシジプロピルジルコニウム類、ジブトキ
シジメチルジルコニウム、ジブトキシジブチルジルコニ
ウム類、等がある。
錫系アルコキシド化合物としては、テトラメトキシ錫、
テトラエトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラブ
トキシ錫類、トリメトキシエチル錫、トリメトキシエチ
ル錫、トリメトキシインプロピル錫、トリメトキシブチ
ル錫類、トリエトキシメチル錫、トリエトキシイソプロ
ピル錫、トリイソプロポキシメチル錫、トリイソプロポ
キシブチル錫類、トリイソプロポキシフェニル錫、ジメ
トキシジメチル錫、ジメトキシジイソプロピル錫、ジェ
トキシジエチル錫、ジェトキシジブチル錫類等がある。
テトラエトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラブ
トキシ錫類、トリメトキシエチル錫、トリメトキシエチ
ル錫、トリメトキシインプロピル錫、トリメトキシブチ
ル錫類、トリエトキシメチル錫、トリエトキシイソプロ
ピル錫、トリイソプロポキシメチル錫、トリイソプロポ
キシブチル錫類、トリイソプロポキシフェニル錫、ジメ
トキシジメチル錫、ジメトキシジイソプロピル錫、ジェ
トキシジエチル錫、ジェトキシジブチル錫類等がある。
ゲルマニウム系アルコキシド化合物としては、テトラメ
トキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テ
トライソプロポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲル
マニウム、トリメトキシメチルゲルマニウム、トリメト
キシエチルゲルマニウム、トリメトキシイソプロピルゲ
ルマニウム、トリエトキシメチルゲルマニウム類、トリ
エトキシメチルゲルマニウム、トリエトキシイソプロピ
ルゲルマニウム、トリイソプロポキシメチルゲルマニウ
ム、ジメトキシジメチルゲルマニウム、ジメトキシジイ
ソプロピルゲルマニウム、ジェトキシジエチルゲルマニ
ウム、ジェトキシジブチルゲルマニウム類等がある。
トキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テ
トライソプロポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲル
マニウム、トリメトキシメチルゲルマニウム、トリメト
キシエチルゲルマニウム、トリメトキシイソプロピルゲ
ルマニウム、トリエトキシメチルゲルマニウム類、トリ
エトキシメチルゲルマニウム、トリエトキシイソプロピ
ルゲルマニウム、トリイソプロポキシメチルゲルマニウ
ム、ジメトキシジメチルゲルマニウム、ジメトキシジイ
ソプロピルゲルマニウム、ジェトキシジエチルゲルマニ
ウム、ジェトキシジブチルゲルマニウム類等がある。
アルミニウムアルコキシド系化合物としては、例えばア
ルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリエトキシ
ド、アルミニウム1〜リ−n−プロポキシド、アルミニ
ウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリーn−ブ
トキシド、モノメトキシアルミニウムジェトキシド、モ
ノエトキシアルミニウムジイソプロポキシド、モノイソ
プロポキシアルミニウムジー5ec−ブトキシド、ジメ
トキシアルミニウムモノエトキシド、ジエ1〜キシアル
ミニウムモノイソプロポキシド等の3官能アルコキシド
化合物、アルミニウムエチルアセトアセテートジェトキ
シド、アルミニウムエチルアセトアセテートジェトキシ
ド、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロポ
キシド、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロポキ
シド、メチルアー 14 −’ ルミニウムジメトキシド、メチルアルミニウムジェトキ
シド、メチルアルミニウムジイソプロポキシド、エチル
アルミニウムジイソプロポキシド、ジメトキシアルミニ
ウムクロリド、ジェトキシアルミニウムクロリド、ジイ
ンプロポキシアルミニウムクロリド、シイソプロポキシ
アルミニウムブロミド、ジメトキシアルミニウムヒドロ
キシド、ジイソプロポキシアルミニウムヒドロキシド等
2官能アル」キシド化合物、 イツトリウムアル」キシド系化合物としては、トリメト
キシイツトリウム、トリエトキシイツトリウム、トリイ
ソプロポキシイツトリウム、トリブトキシイツトリウム
類、ジメトキシメチルイツトリウム、ジメトキシエチル
イツトリウム、ジメトキシイソプロピルイツトリウム、
ジェトキシエチルイツトリウム、ジメトキシ(アセトア
セテート)イツトリウム、ジェトキシメチルイツトリウ
ム、ジェトキシエチルイツトリウム、ジェトキシイソプ
ロピルイツトリウム、ジェトキシフェニルイツトリウム
類、ジェトキシ(アセトアセテ−ト)イツトリウム、ジ
イソプロポキシメチルイツトリウム、ジイソプロポキシ
エチルイツトリウム、ジイソプロポキシ(アセトアセテ
ート)イツトリウム、ジェトキシエチルイツトリウム類
等がある。
ルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリエトキシ
ド、アルミニウム1〜リ−n−プロポキシド、アルミニ
ウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリーn−ブ
トキシド、モノメトキシアルミニウムジェトキシド、モ
ノエトキシアルミニウムジイソプロポキシド、モノイソ
プロポキシアルミニウムジー5ec−ブトキシド、ジメ
トキシアルミニウムモノエトキシド、ジエ1〜キシアル
ミニウムモノイソプロポキシド等の3官能アルコキシド
化合物、アルミニウムエチルアセトアセテートジェトキ
シド、アルミニウムエチルアセトアセテートジェトキシ
ド、アルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロポ
キシド、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロポキ
シド、メチルアー 14 −’ ルミニウムジメトキシド、メチルアルミニウムジェトキ
シド、メチルアルミニウムジイソプロポキシド、エチル
アルミニウムジイソプロポキシド、ジメトキシアルミニ
ウムクロリド、ジェトキシアルミニウムクロリド、ジイ
ンプロポキシアルミニウムクロリド、シイソプロポキシ
アルミニウムブロミド、ジメトキシアルミニウムヒドロ
キシド、ジイソプロポキシアルミニウムヒドロキシド等
2官能アル」キシド化合物、 イツトリウムアル」キシド系化合物としては、トリメト
キシイツトリウム、トリエトキシイツトリウム、トリイ
ソプロポキシイツトリウム、トリブトキシイツトリウム
類、ジメトキシメチルイツトリウム、ジメトキシエチル
イツトリウム、ジメトキシイソプロピルイツトリウム、
ジェトキシエチルイツトリウム、ジメトキシ(アセトア
セテート)イツトリウム、ジェトキシメチルイツトリウ
ム、ジェトキシエチルイツトリウム、ジェトキシイソプ
ロピルイツトリウム、ジェトキシフェニルイツトリウム
類、ジェトキシ(アセトアセテ−ト)イツトリウム、ジ
イソプロポキシメチルイツトリウム、ジイソプロポキシ
エチルイツトリウム、ジイソプロポキシ(アセトアセテ
ート)イツトリウム、ジェトキシエチルイツトリウム類
等がある。
鉄アルコキシド系化合物としては、トリメトキシ鉄、ト
リエトキシ鉄、トリイソプロポキシ鉄、ジメトキシメチ
ル鉄、ジェトキシイソプロピル鉄等、ホウ素アルコキシ
ド系化合物としては、トリメトキシボラン、トリエトキ
シボラン、トリイソプロポキシボラン、ジメトキシメチ
ルボラン、ジェトキシイソプロピルボラン、ジメトキシ
フェニルボラン等、鉛アルコキシド系化合物としては、
ジメトキシ鉛、ジェトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛等、
マグネシウムアルコキシド系化合物としては、ジメトキ
シマグネシウム、ジェトキシマグネシウムくジイソプロ
ポキシマグネシウム等、亜鉛アルコキシド系化合物とし
ては、ジメトキシ亜鉛、ジェトキシ亜鉛、ジイソプロポ
キシ亜鉛等、バリウムアルコキシド系化合物としては、
ジメトキシバリウム、ジェトキシバリウム、ジイソプロ
ポキー 16 = シバリウム等がある。
リエトキシ鉄、トリイソプロポキシ鉄、ジメトキシメチ
ル鉄、ジェトキシイソプロピル鉄等、ホウ素アルコキシ
ド系化合物としては、トリメトキシボラン、トリエトキ
シボラン、トリイソプロポキシボラン、ジメトキシメチ
ルボラン、ジェトキシイソプロピルボラン、ジメトキシ
フェニルボラン等、鉛アルコキシド系化合物としては、
ジメトキシ鉛、ジェトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛等、
マグネシウムアルコキシド系化合物としては、ジメトキ
シマグネシウム、ジェトキシマグネシウムくジイソプロ
ポキシマグネシウム等、亜鉛アルコキシド系化合物とし
ては、ジメトキシ亜鉛、ジェトキシ亜鉛、ジイソプロポ
キシ亜鉛等、バリウムアルコキシド系化合物としては、
ジメトキシバリウム、ジェトキシバリウム、ジイソプロ
ポキー 16 = シバリウム等がある。
これらのアルコキシド系化合物は単独でもまた混合物で
も使用できるが全体としては1〜4官能、好ましくは2
〜4官能、最も好ましくは2〜3官能となるように配合
してゾルを形成することが好ましい。
も使用できるが全体としては1〜4官能、好ましくは2
〜4官能、最も好ましくは2〜3官能となるように配合
してゾルを形成することが好ましい。
より好ましくは上記金属アルコキシドからなるゾルと、
金属水酸化物および金属酸化物よりなる群から選ばれた
少なくとも1種の化合物とを併用したゾルを用いるとざ
らに優れた効果が得られる。
金属水酸化物および金属酸化物よりなる群から選ばれた
少なくとも1種の化合物とを併用したゾルを用いるとざ
らに優れた効果が得られる。
金属化合物、例えば金属アルコキシドがゾルを形成させ
る方法としては、加水分解条件下で重合させる方法があ
る。
る方法としては、加水分解条件下で重合させる方法があ
る。
加水分解条件下で重合させる方法としては、水および酸
またはアルカリの存在下で行なわれる。
またはアルカリの存在下で行なわれる。
酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、炭酸、ホウ酸
等の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ
酸、マレイン酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機酸
等水溶性酸が使用できる。また、アルカリとしては、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ア
ンモニア、メチルアミン、エチルアミン、エタノールア
ミン等が使用できる。
等の無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ
酸、マレイン酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸等の有機酸
等水溶性酸が使用できる。また、アルカリとしては、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ア
ンモニア、メチルアミン、エチルアミン、エタノールア
ミン等が使用できる。
加水分解に使用される水の量は、有機金属化合物中のア
ルコキシ基のモル故に対して0.3〜50倍モルが好ま
しく、特に0.5〜40倍モルが好ましい。また、酸の
邑は、水のモル数に対して0−0.5倍モルが好ましく
、特に0−0.2倍モルが好ましい。酸の代りにアルカ
リを使用する場合には、その量は、水のモル数に対して
0−0゜8倍モルが好ましく、特にO〜0.5倍モルが
好ましい。
ルコキシ基のモル故に対して0.3〜50倍モルが好ま
しく、特に0.5〜40倍モルが好ましい。また、酸の
邑は、水のモル数に対して0−0.5倍モルが好ましく
、特に0−0.2倍モルが好ましい。酸の代りにアルカ
リを使用する場合には、その量は、水のモル数に対して
0−0゜8倍モルが好ましく、特にO〜0.5倍モルが
好ましい。
加水分解条件下での重合は、O〜100’C1好ましく
は20〜ao’cの温度で撹拌下に行なわれる。反応は
、減圧下、常圧下または加圧下のいずれでも行なうこと
ができる。この場合、水は反応混合液中に直接添加して
もよいが、水−不活性ガス(例えば窒素、アルゴン、ヘ
リウム、メタン、エタン、プロパン等)混合気体として
使用してもよく、これにより加水分解の制御を容易にす
ることができる。酸、アルカリにおいても例えば塩化水
素、炭酸ガス、アンモニア等は水溶液にして添加しても
よいが、ガス状で連続的に反応媒体中に吹き込んで使用
してもよく、この場合不活性ガスとして上記不活性ガス
が使用でき、これにより加水分解の制御を容易にするこ
とができる。また、該反応は無溶媒下に行なうこともで
きるが、有機溶媒中で行なうことが望ましい。特に金属
アルコキシドを溶解し得る有機溶媒がより好ましい。有
機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n−
プロパツール、イソプロパツール、n−ブタノール、イ
ソブタノール、5ec−ブタノール、ヘキナノール、オ
クタツール等のアルコール類、n−ヘキナン、n−へブ
タン、n−オクタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素
類、シクロヘキサン、シクロへブタン等の脂環式炭化水
素類、酢酸エチル、酢酸インプロピル等のエステル類、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロへキナノン等のケトン類、ジエチルエーテル
、ジオキサン等のエーテル類、メチルセロツルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が
ある。
は20〜ao’cの温度で撹拌下に行なわれる。反応は
、減圧下、常圧下または加圧下のいずれでも行なうこと
ができる。この場合、水は反応混合液中に直接添加して
もよいが、水−不活性ガス(例えば窒素、アルゴン、ヘ
リウム、メタン、エタン、プロパン等)混合気体として
使用してもよく、これにより加水分解の制御を容易にす
ることができる。酸、アルカリにおいても例えば塩化水
素、炭酸ガス、アンモニア等は水溶液にして添加しても
よいが、ガス状で連続的に反応媒体中に吹き込んで使用
してもよく、この場合不活性ガスとして上記不活性ガス
が使用でき、これにより加水分解の制御を容易にするこ
とができる。また、該反応は無溶媒下に行なうこともで
きるが、有機溶媒中で行なうことが望ましい。特に金属
アルコキシドを溶解し得る有機溶媒がより好ましい。有
機溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n−
プロパツール、イソプロパツール、n−ブタノール、イ
ソブタノール、5ec−ブタノール、ヘキナノール、オ
クタツール等のアルコール類、n−ヘキナン、n−へブ
タン、n−オクタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素
類、シクロヘキサン、シクロへブタン等の脂環式炭化水
素類、酢酸エチル、酢酸インプロピル等のエステル類、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロへキナノン等のケトン類、ジエチルエーテル
、ジオキサン等のエーテル類、メチルセロツルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が
ある。
これらの金属アルコキシドに金属水酸化物および/また
は金属酸化物を併用する場合には、ゾル形成後にこれら
の化合物を均一に配合することもできるが、好ましくは
該水酸化物および/または酸化物の存在下にゾルおよび
/またはゲル形成反応を行なうことである。
は金属酸化物を併用する場合には、ゾル形成後にこれら
の化合物を均一に配合することもできるが、好ましくは
該水酸化物および/または酸化物の存在下にゾルおよび
/またはゲル形成反応を行なうことである。
このようにして形成されたゾルおよび/またはゲルは所
定の形状を有する成形用型に注入されたのち、そのまま
あるいはゲル化したのち、超臨界条件下で超臨界流体に
より弱溶媒および脱水を行なうことによりセラミックス
前駆体成形体が得られる。
定の形状を有する成形用型に注入されたのち、そのまま
あるいはゲル化したのち、超臨界条件下で超臨界流体に
より弱溶媒および脱水を行なうことによりセラミックス
前駆体成形体が得られる。
超臨界状態とは、物質の気液臨界点(臨界温度、臨界圧
力)を越えた状態であり、ここでは臨界温度とは気体を
液化し得る最高の温度であり、これ以上の温度では圧力
をいくら上げても液化が起らない状態である。本発明方
法において超臨界条件の形成に使用される媒体、すなわ
ち超臨界流体としては、二酸化炭素、アンモニア、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン、トルエン、フロン、
水、アルコール(例えばメタノール、エタノール、イソ
プロパツール等〉等がある。該超臨界処理を行なうため
のプロセスとしては種々あるが、−例を挙げると、例え
ば、まず抽出槽に前記ゾルを注入した成形用型を投入し
、超臨界状態に加圧された流体を所定の温度で供給する
ことにより、ゾルおよび/またはゲル中の溶媒および水
分の除去を行なう。ついで、該抽出槽は定温下に減圧さ
れ、溶媒および水分を含む流体は該抽出槽より排出され
て分離槽へ送られ、該流体の密度低下により溶媒および
水分に対する溶解力を失い、該分離槽において超臨界流
体と溶媒および水分とに分離され、該流体は再度使用さ
れる。なお、超臨界流体槽の分離方法には、この他にも
温度変化による分離法、吸着剤を用いた分離法等がある
。
力)を越えた状態であり、ここでは臨界温度とは気体を
液化し得る最高の温度であり、これ以上の温度では圧力
をいくら上げても液化が起らない状態である。本発明方
法において超臨界条件の形成に使用される媒体、すなわ
ち超臨界流体としては、二酸化炭素、アンモニア、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン、トルエン、フロン、
水、アルコール(例えばメタノール、エタノール、イソ
プロパツール等〉等がある。該超臨界処理を行なうため
のプロセスとしては種々あるが、−例を挙げると、例え
ば、まず抽出槽に前記ゾルを注入した成形用型を投入し
、超臨界状態に加圧された流体を所定の温度で供給する
ことにより、ゾルおよび/またはゲル中の溶媒および水
分の除去を行なう。ついで、該抽出槽は定温下に減圧さ
れ、溶媒および水分を含む流体は該抽出槽より排出され
て分離槽へ送られ、該流体の密度低下により溶媒および
水分に対する溶解力を失い、該分離槽において超臨界流
体と溶媒および水分とに分離され、該流体は再度使用さ
れる。なお、超臨界流体槽の分離方法には、この他にも
温度変化による分離法、吸着剤を用いた分離法等がある
。
このようにして得られるセラミックス前駆体成形体は、
600〜1.800’C1好ましくは80O〜1,50
0°Cの温度で焼成することによりセラミックス成形体
か得られる。
600〜1.800’C1好ましくは80O〜1,50
0°Cの温度で焼成することによりセラミックス成形体
か得られる。
(実施例)
つぎに、実施例を挙げて本発明方法をさらに詳細に説明
する。
する。
実施例1
トリエトキシメチルシラン38重量部をエタノール39
重量部に溶解し、これに水10重量部および28%アン
モニア水5重蟻部を添加し、60°Cで3時間反応を行
なってゾル92重量部を得た。
重量部に溶解し、これに水10重量部および28%アン
モニア水5重蟻部を添加し、60°Cで3時間反応を行
なってゾル92重量部を得た。
得られたゾルをセルロースからなる円筒状容器に注入し
、抽出媒体(超臨界流体)として二酸化炭素を用い、4
5°Cの温度および200に’j/criの圧力の超臨
界圧条件下で該ゾル中の溶媒および水分の除去を2時間
行なったところ、均一な細孔径を有する多孔質成形体が
得られた。この多孔質成形体を空気雰囲気中1.000
℃で5時間焼成したところ、均一な細孔径を有する気孔
率45%のシリカ焼結成形体が得られた。
、抽出媒体(超臨界流体)として二酸化炭素を用い、4
5°Cの温度および200に’j/criの圧力の超臨
界圧条件下で該ゾル中の溶媒および水分の除去を2時間
行なったところ、均一な細孔径を有する多孔質成形体が
得られた。この多孔質成形体を空気雰囲気中1.000
℃で5時間焼成したところ、均一な細孔径を有する気孔
率45%のシリカ焼結成形体が得られた。
実施例2
アルミニウムトリイソプロポキシド1モルに対して80
℃の水100モルを加え、さらに硝酸0゜07モルを添
加したのち、撹拌しなから90’Cで3日間解膠処理を
行なってほぼ透明なアルミナゾル(ベーマイトゾル)を
得た。このアルミナゾルを加熱により濃縮して粘度5ボ
イズのゾルを得た。
℃の水100モルを加え、さらに硝酸0゜07モルを添
加したのち、撹拌しなから90’Cで3日間解膠処理を
行なってほぼ透明なアルミナゾル(ベーマイトゾル)を
得た。このアルミナゾルを加熱により濃縮して粘度5ボ
イズのゾルを得た。
このゾルを開口したステンレス鋼製角型容器に流し込み
、超臨界ガス抽出装置に入れ、エタノールを用い300
’Cの温度および200 Kg/ cmの圧力の超臨
界圧条件下で5時間処理し、はぼ完全に水およびアル」
−ルを抽出除去した。得られた成形物にはクラックは全
く認められなかった。この成形物を電気炉中で徐々に加
熱し、1200℃の温度で3時間保持したところ、気孔
率50%のアルミナ焼結成形体が得られた。
、超臨界ガス抽出装置に入れ、エタノールを用い300
’Cの温度および200 Kg/ cmの圧力の超臨
界圧条件下で5時間処理し、はぼ完全に水およびアル」
−ルを抽出除去した。得られた成形物にはクラックは全
く認められなかった。この成形物を電気炉中で徐々に加
熱し、1200℃の温度で3時間保持したところ、気孔
率50%のアルミナ焼結成形体が得られた。
比較例1
実施例1と同様の方法でゾルを調製し、開口したステン
レス鋼製角型容器に注入し、開口部をアルミニウム箔で
覆い、ピンホールを数個あけ、45°Cの温度で乾燥し
たところ、5日後ゲルに亀裂を生じ、その後側れてゲル
片となった。
レス鋼製角型容器に注入し、開口部をアルミニウム箔で
覆い、ピンホールを数個あけ、45°Cの温度で乾燥し
たところ、5日後ゲルに亀裂を生じ、その後側れてゲル
片となった。
比較例2
実施例2と同様の方法でアルミナ前駆体ゾルを調製し、
該ゾルを開口したステンレス鋼製角型容器に注入し、開
口部をアルミニウム箔で覆い、ピンホールを数個あけ、
室温で穏やかに乾燥したところ、5日目に該ゲルに亀裂
を生じ、10日後には割れて数個のゲル片に分離した。
該ゾルを開口したステンレス鋼製角型容器に注入し、開
口部をアルミニウム箔で覆い、ピンホールを数個あけ、
室温で穏やかに乾燥したところ、5日目に該ゲルに亀裂
を生じ、10日後には割れて数個のゲル片に分離した。
実施例3
テトラエトキシチタン38置部部をエタノール39重量
部に溶解し、これに水8重帳部および35%塩酸1重量
部を添加し、60’Cで3時間反応を行なってゾル86
重量部を得た。得られたゾルをセルロースからなる円筒
状容器に注入し、抽出媒体(超臨界流体)として二酸化
炭素を用い、45°Cの温度および200に’j/cm
の圧力の超臨界圧条件下で該ゾル中の溶媒および水分の
除去を5時間行なったところ、均一な細孔径を有する多
孔質成形体が得られた。この多孔質成形体を空気雰囲気
中で1,200’C5時間焼成したところ、気孔率48
%のチタニア焼結成形体が得られた。
部に溶解し、これに水8重帳部および35%塩酸1重量
部を添加し、60’Cで3時間反応を行なってゾル86
重量部を得た。得られたゾルをセルロースからなる円筒
状容器に注入し、抽出媒体(超臨界流体)として二酸化
炭素を用い、45°Cの温度および200に’j/cm
の圧力の超臨界圧条件下で該ゾル中の溶媒および水分の
除去を5時間行なったところ、均一な細孔径を有する多
孔質成形体が得られた。この多孔質成形体を空気雰囲気
中で1,200’C5時間焼成したところ、気孔率48
%のチタニア焼結成形体が得られた。
実施例4
トリエトキシメチルジルコニウム38重量部をエタノー
ル39重量部に溶解し、これに水6重量部および35%
塩酸1重量部を添加し、60°Cで5時間反応を行なっ
てゾル84重量部を得た。得られたゾルをセルロースか
らなる円筒状容器に注入し、抽出媒体(超臨界流体)と
して二酸化炭素を用い、45°Cの温度および200K
g/aaの圧力の超臨界圧条件下で該ゾル中の溶媒およ
び水分の除去を5時間行なったところ、均一な細孔径を
有する多孔質成形体が得られた。この多孔質成形体を空
気雰囲気中で1,500’C5時間焼成したところ、均
一な細孔径を有する気孔率45%のジルコニア焼結成形
体が得られた。
ル39重量部に溶解し、これに水6重量部および35%
塩酸1重量部を添加し、60°Cで5時間反応を行なっ
てゾル84重量部を得た。得られたゾルをセルロースか
らなる円筒状容器に注入し、抽出媒体(超臨界流体)と
して二酸化炭素を用い、45°Cの温度および200K
g/aaの圧力の超臨界圧条件下で該ゾル中の溶媒およ
び水分の除去を5時間行なったところ、均一な細孔径を
有する多孔質成形体が得られた。この多孔質成形体を空
気雰囲気中で1,500’C5時間焼成したところ、均
一な細孔径を有する気孔率45%のジルコニア焼結成形
体が得られた。
実施例5
トリエトキシメチルシラン3重量部およびアルミニウム
トリイソプロポキシド7重量部をイソプロパツール10
重量部に溶解し、これに水2重量部および35%塩酸1
重量部を添加し、60’Cで3時間反応を行なってゾル
23重量部を得た。得られたゾルをセルロースからなる
円筒状容器に注入し、抽出媒体(超臨界流体)として二
酸化炭素を用い、45℃の温度および200 Kl/
CIjの圧力の超臨界圧条件下で該ゾル中の溶媒および
水分の除去を5時間行なったところ、均一な細孔径を有
する多孔質成形体が得られた。この多孔質成形体を空気
雰囲気中で1.200’Cで5時間焼成したところ、均
一な細孔径を有する気孔率35%のアルミナ−シリカ焼
結成形体が得られた。
トリイソプロポキシド7重量部をイソプロパツール10
重量部に溶解し、これに水2重量部および35%塩酸1
重量部を添加し、60’Cで3時間反応を行なってゾル
23重量部を得た。得られたゾルをセルロースからなる
円筒状容器に注入し、抽出媒体(超臨界流体)として二
酸化炭素を用い、45℃の温度および200 Kl/
CIjの圧力の超臨界圧条件下で該ゾル中の溶媒および
水分の除去を5時間行なったところ、均一な細孔径を有
する多孔質成形体が得られた。この多孔質成形体を空気
雰囲気中で1.200’Cで5時間焼成したところ、均
一な細孔径を有する気孔率35%のアルミナ−シリカ焼
結成形体が得られた。
実施例6
トリメトキシエチルシラン5重量部およびシリカ粉末5
重量部をメタノール10重量部に溶解し、これに水1重
量部および35%塩酸0.5重量部を添加し、60’C
で5時間反応を行なってゾル21.5重量部を得た。得
られたゾルをセルロースからなる円筒状容器に注入し、
抽出媒体(超臨界流体)として二酸化炭素を用い、45
°Cの温度および200Kg/aaの圧力の超臨界圧条
件下で該ゾル中の溶媒および水分の除去を2時間行なっ
たところ、均一な細孔径を有する多孔質成形体が得られ
た。この多孔質成形体を空気雰囲気中で1.Ooo’c
で5時間焼成したところ、均一な細孔径を有する気孔率
35%のシリカ焼結成形体が得られた。
重量部をメタノール10重量部に溶解し、これに水1重
量部および35%塩酸0.5重量部を添加し、60’C
で5時間反応を行なってゾル21.5重量部を得た。得
られたゾルをセルロースからなる円筒状容器に注入し、
抽出媒体(超臨界流体)として二酸化炭素を用い、45
°Cの温度および200Kg/aaの圧力の超臨界圧条
件下で該ゾル中の溶媒および水分の除去を2時間行なっ
たところ、均一な細孔径を有する多孔質成形体が得られ
た。この多孔質成形体を空気雰囲気中で1.Ooo’c
で5時間焼成したところ、均一な細孔径を有する気孔率
35%のシリカ焼結成形体が得られた。
実施例7
アルミニウムトリエトキシド1モルに対してアルミナ粉
末5モルおよび80°Cの水100モルを加え、ざらに
硝酸0.07モルを添加したのち、撹拌しながら90°
Cで3日間解膠処理をおこなってアルミナゾルを得た。
末5モルおよび80°Cの水100モルを加え、ざらに
硝酸0.07モルを添加したのち、撹拌しながら90°
Cで3日間解膠処理をおこなってアルミナゾルを得た。
このアルミナゾルを加熱により濃縮して粘度5ポイズの
ゾルを得た。このゾルを開口したステンレス鋼製角型容
器に流し込み、超臨界ガス抽出装置に入れ、炭酸ガスを
用い45°Cの温度および200Kg/Cmの圧力の超
臨界圧条件下で5時間処理し、はぼ完全に水およびアル
コールを抽出除去した。得られた成形物にはクラックは
全く認められなかった。この成形物を電気炉中で徐々に
加熱し、1.200°Cの温度で5時間保持したところ
、気孔率42%のアルミナ焼結成形体が得られた。
ゾルを得た。このゾルを開口したステンレス鋼製角型容
器に流し込み、超臨界ガス抽出装置に入れ、炭酸ガスを
用い45°Cの温度および200Kg/Cmの圧力の超
臨界圧条件下で5時間処理し、はぼ完全に水およびアル
コールを抽出除去した。得られた成形物にはクラックは
全く認められなかった。この成形物を電気炉中で徐々に
加熱し、1.200°Cの温度で5時間保持したところ
、気孔率42%のアルミナ焼結成形体が得られた。
(発明の効果)
以上述べたように、本発明によるセラミックス前駆体成
形体の製造方法は、金属化合物からゾルを形成し、該ゾ
ルを成形用型に注入し、そのままあるいはゲル化したの
ち、超臨界条件下で超臨界流体により弱溶媒および脱水
を行なうことにより成形体を得るものであるから、溶媒
および水等が該成形体の内部から超臨界流体中へ徐々に
拡散して均一に除去される。このため、従来から行なわ
れている通常の乾燥法に比べて細孔径が均一に制御され
た多孔質なものが得られ、またその後の緻密化処理およ
び焼成を行なうことによりひび割れのない大型の緻密な
セラミックス焼結体を得ることも可能である。また、超
臨界流体による脱溶媒、脱水の結果、得られるセラミッ
クス前駆体には開気孔が形成され、最終的にセラミック
スとして使用される光ファイバー、フィルター等にとっ
て有害な水酸基、その他の官能基を充分に除去すること
ができるため、性能の向上が著しい。
形体の製造方法は、金属化合物からゾルを形成し、該ゾ
ルを成形用型に注入し、そのままあるいはゲル化したの
ち、超臨界条件下で超臨界流体により弱溶媒および脱水
を行なうことにより成形体を得るものであるから、溶媒
および水等が該成形体の内部から超臨界流体中へ徐々に
拡散して均一に除去される。このため、従来から行なわ
れている通常の乾燥法に比べて細孔径が均一に制御され
た多孔質なものが得られ、またその後の緻密化処理およ
び焼成を行なうことによりひび割れのない大型の緻密な
セラミックス焼結体を得ることも可能である。また、超
臨界流体による脱溶媒、脱水の結果、得られるセラミッ
クス前駆体には開気孔が形成され、最終的にセラミック
スとして使用される光ファイバー、フィルター等にとっ
て有害な水酸基、その他の官能基を充分に除去すること
ができるため、性能の向上が著しい。
Claims (3)
- (1)金属化合物からゾルを形成し、該ゾルを成形用型
に注入し、そのままあるいはゲル化したのち、超臨界条
件下で超臨界流体により脱溶媒および脱水を行なうこと
により成形体を得ることを特徴とするセラミックス前駆
体成形体の製造方法。 - (2)金属化合物から形成されるゾルが金属アルコキシ
ド系組成物からなるゾルである特許請求の範囲第1項に
記載の製造方法。 - (3)金属化合物から形成されるゾルが金属水酸化物お
よび金属酸化物よりなる群から選ばれた少なくとも1種
の化合物と金属アルコキシド系組成物からなるゾルであ
る特許請求の範囲第1項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311621A JPH085729B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | セラミツクス前駆体成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311621A JPH085729B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | セラミツクス前駆体成形体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166777A true JPS63166777A (ja) | 1988-07-09 |
| JPH085729B2 JPH085729B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=18019456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61311621A Expired - Lifetime JPH085729B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | セラミツクス前駆体成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085729B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297471A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高純度シリカ質多孔体の製造方法 |
| JPH02145489A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 無機多孔体 |
| FR2665699A1 (fr) * | 1990-08-07 | 1992-02-14 | Thomson Csf | Ceramique piezoelectrique a porosite controlee. |
| JP2003527277A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-09-16 | 矢崎総業株式会社 | 制御された多孔度を有するモノリシックアルファ−アルミナ物品およびそれら物品を製造するゾル−ゲル法 |
| KR20170001671A (ko) | 2016-11-17 | 2017-01-04 | (주)파마오넥스 | 바이러스 억제를 위한 조성물 제조방법 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP61311621A patent/JPH085729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297471A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高純度シリカ質多孔体の製造方法 |
| JPH02145489A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 無機多孔体 |
| FR2665699A1 (fr) * | 1990-08-07 | 1992-02-14 | Thomson Csf | Ceramique piezoelectrique a porosite controlee. |
| JP2003527277A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-09-16 | 矢崎総業株式会社 | 制御された多孔度を有するモノリシックアルファ−アルミナ物品およびそれら物品を製造するゾル−ゲル法 |
| KR20170001671A (ko) | 2016-11-17 | 2017-01-04 | (주)파마오넥스 | 바이러스 억제를 위한 조성물 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH085729B2 (ja) | 1996-01-24 |
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