JPS63168042A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63168042A JPS63168042A JP1587A JP1587A JPS63168042A JP S63168042 A JPS63168042 A JP S63168042A JP 1587 A JP1587 A JP 1587A JP 1587 A JP1587 A JP 1587A JP S63168042 A JPS63168042 A JP S63168042A
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- JP
- Japan
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- chip
- resin
- sealing
- semiconductor device
- filler
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣカード、ＩＣカートリッジ、時計、ある
いは電卓、その他の各種電子装置に実装される超薄形の
半導体装置に係り、特に、該半導体装置に搭載するＩＣ
チップの強度向上、熱伝導率の低減及び封止樹脂硬化時
間の短縮を図った半導体装置に関する。
いは電卓、その他の各種電子装置に実装される超薄形の
半導体装置に係り、特に、該半導体装置に搭載するＩＣ
チップの強度向上、熱伝導率の低減及び封止樹脂硬化時
間の短縮を図った半導体装置に関する。
この種の半導体装置とその製造方法の従来例を第８図乃
至第１２図により説明する。
至第１２図により説明する。
第８図はＩＣカードに搭載されている従来の半導体装置
の構造を示す断面であって、３１は配線基板、３２はＩ
Ｃチップ、３３は封止枠、３４は封止樹脂を示している
。
の構造を示す断面であって、３１は配線基板、３２はＩ
Ｃチップ、３３は封止枠、３４は封止樹脂を示している
。
配ｙＡ基板３１の片面にはＩＣカードリーグライター（
図示せず）に付設された電極と電気的接続を得るための
接触端子３５がパターニングされており、他方の面には
所定の配線パターン３６及び後に詳述するＩＣチップ３
２を接続するための接合端子３７がパターニングされて
いる。また、この配線基板３１の前記配線パターン３６
及び接合端子３７の形成面には、前記ＩＣチップ３２を
埋設するためのＩＣ埋設部３８が凹設されている。
図示せず）に付設された電極と電気的接続を得るための
接触端子３５がパターニングされており、他方の面には
所定の配線パターン３６及び後に詳述するＩＣチップ３
２を接続するための接合端子３７がパターニングされて
いる。また、この配線基板３１の前記配線パターン３６
及び接合端子３７の形成面には、前記ＩＣチップ３２を
埋設するためのＩＣ埋設部３８が凹設されている。
ＩＣチップ３２の表面の所定の位置に電極３９が形成さ
れている。このＩＣチップ３２は、前記ＩＣ１！！設部
３８の底面３８ａに固定され、前記電極３９と前記配線
基板３１にパターニングされた接合端子３７をす−ド４
０で接続することによって、所要の半導体回路が構成さ
れる。
れている。このＩＣチップ３２は、前記ＩＣ１！！設部
３８の底面３８ａに固定され、前記電極３９と前記配線
基板３１にパターニングされた接合端子３７をす−ド４
０で接続することによって、所要の半導体回路が構成さ
れる。
前記封止枠３３は前記ＩＣ埋設部３８を補強するための
ものであって、例えばステンレス等の硬質金属などによ
って形成され、前記配線基板３１の前記ＩＣ埋設部３８
の周囲に配設される。
ものであって、例えばステンレス等の硬質金属などによ
って形成され、前記配線基板３１の前記ＩＣ埋設部３８
の周囲に配設される。
封止樹脂３４は、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性の
樹脂が用いられ、前記封止枠３３及びＩＣ埋設部３８内
に充填されて、前記配線基Ｆｉ３１、ＩＣチップ３２、
封止枠３３、リード４０を一体に封止する。
樹脂が用いられ、前記封止枠３３及びＩＣ埋設部３８内
に充填されて、前記配線基Ｆｉ３１、ＩＣチップ３２、
封止枠３３、リード４０を一体に封止する。
以下、前記半導体装置の製造方法の一例を第９図の工程
説明図、及び第１０図乃至第１２図に基づいて説明する
。
説明図、及び第１０図乃至第１２図に基づいて説明する
。
まず、第９図及び第１０図に示すように、所要の接触端
子３５、配線パターン３６、接合端子３７がパターニン
グされ、配線パターン３６及び接合端子３７の形成面側
にＩＣ埋設部３８が凹設された配線基板３１０当該ＩＣ
埋設部３８の底面３８ａにＩＣチップ３２を固定し、配
線基板３１の接合端子３７とＩＣチップ３２の電極３９
とをリード４０により接続する。
子３５、配線パターン３６、接合端子３７がパターニン
グされ、配線パターン３６及び接合端子３７の形成面側
にＩＣ埋設部３８が凹設された配線基板３１０当該ＩＣ
埋設部３８の底面３８ａにＩＣチップ３２を固定し、配
線基板３１の接合端子３７とＩＣチップ３２の電極３９
とをリード４０により接続する。
次いで、第１１図及び第１２図に示すように、配線基板
３１に凹設されたＩＣ埋設部３８の周囲に封止枠３３を
固定し、これら封止枠３３及びｒｃ埋設部３８によって
形成される空間内にエポキシ樹脂３４をやや条目にボッ
ティングする。
３１に凹設されたＩＣ埋設部３８の周囲に封止枠３３を
固定し、これら封止枠３３及びｒｃ埋設部３８によって
形成される空間内にエポキシ樹脂３４をやや条目にボッ
ティングする。
エポキシ樹脂３４をキユアリングしたのち、第１２図に
示すように、封止枠３３から膨出したエポキシ樹脂３４
の表面（破線部分）を研磨し、所要の厚さを有する半導
体装置を得る。
示すように、封止枠３３から膨出したエポキシ樹脂３４
の表面（破線部分）を研磨し、所要の厚さを有する半導
体装置を得る。
上記従来技術においては、封止樹脂であるエポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂とＩＣチップとの熱伝導率の違いによ
って該樹脂にクラックが生じるという問題があった。ま
た、熱硬化性樹脂を硬化させるためには長時間、例えば
数十分を必要とし、製造効率が良（ないという問題があ
った。
等の熱硬化性樹脂とＩＣチップとの熱伝導率の違いによ
って該樹脂にクラックが生じるという問題があった。ま
た、熱硬化性樹脂を硬化させるためには長時間、例えば
数十分を必要とし、製造効率が良（ないという問題があ
った。
本発明は、搭載するＩＣチップの強度を向上させるとと
もに、製造時間の短縮を図った半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
もに、製造時間の短縮を図った半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
上記目的は、封止用の樹脂として紫外線硬化性樹脂を用
い、これに紫外線を透過するフィラーを混入して、熱伝
導率を向上させると共に線膨張係数を低減させ、これを
封止部分に注入した後、紫外線を照射して硬化させるこ
とによって達成される。
い、これに紫外線を透過するフィラーを混入して、熱伝
導率を向上させると共に線膨張係数を低減させ、これを
封止部分に注入した後、紫外線を照射して硬化させるこ
とによって達成される。
紫外線硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂に比べて格段に短時
間で硬化できて製造に要する時間が短縮され、また混入
したフィラーにより封止樹脂が強化されると共に熱伝導
率、線膨張係数が低下でき、封止部分の機械的強度が向
上する。
間で硬化できて製造に要する時間が短縮され、また混入
したフィラーにより封止樹脂が強化されると共に熱伝導
率、線膨張係数が低下でき、封止部分の機械的強度が向
上する。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第７図により説明す
る。
る。
第１図は本発明による半導体装置の一例を示す断面図で
あって、１は配線基板、２はＩＣチップ、３は封止枠、
４は封止樹脂、１１は透明フィラーを示す。
あって、１は配線基板、２はＩＣチップ、３は封止枠、
４は封止樹脂、１１は透明フィラーを示す。
配線基板１は、例えばガラスエポキシやポリイミドなど
の絶縁性フィルムによって形成されており、片面にはＩ
Ｃカードリーグライターに付設された電極（図示せず）
と電気的接続を得るための接触端子５がパターニングさ
れ、また、他方の面には所定の配線パターン６及び後に
詳述するＩＣチップ２を接続するための接合端子７がパ
ターニングされている。これら接触端子５、配線パター
ン６及び接合端子７は、前記配線基板ｌ上にラミネート
された銅箔をエツチングすることによって形成される。
の絶縁性フィルムによって形成されており、片面にはＩ
Ｃカードリーグライターに付設された電極（図示せず）
と電気的接続を得るための接触端子５がパターニングさ
れ、また、他方の面には所定の配線パターン６及び後に
詳述するＩＣチップ２を接続するための接合端子７がパ
ターニングされている。これら接触端子５、配線パター
ン６及び接合端子７は、前記配線基板ｌ上にラミネート
された銅箔をエツチングすることによって形成される。
尚、図中の符号８はＩＣチップ２を埋設するためのＩＣ
埋設部を示す。ＩＣチップ２は、その表面の所定の位置
に電極９が形成されている。また、ＩＣチップ２は前記
ＩＣ埋設部８の底面８ａに固定され、前記電極９と前記
配線基板ｌにパターニングされた接合端子７をリード１
０で接続することによって、所要の半導体回路が構成さ
れる。
埋設部を示す。ＩＣチップ２は、その表面の所定の位置
に電極９が形成されている。また、ＩＣチップ２は前記
ＩＣ埋設部８の底面８ａに固定され、前記電極９と前記
配線基板ｌにパターニングされた接合端子７をリード１
０で接続することによって、所要の半導体回路が構成さ
れる。
封止枠３は、第１２図に示した従来の半導体装置のもの
と全く同様であるので、詳細な説明は省略する。封止樹
脂４としては、その中に透明性のフイラー１１を混合し
、紫外線のみで硬化する光硬化性樹脂が用いられる。透
明性のフィラーとしては、紫外線透過率に優れるものを
用いる。例えば光の波長３８０〜４００ｎｍ （紫外
線）に対して透過率がよいものとしては、鉛白（６９％
）、リトポン（５６％）。
と全く同様であるので、詳細な説明は省略する。封止樹
脂４としては、その中に透明性のフイラー１１を混合し
、紫外線のみで硬化する光硬化性樹脂が用いられる。透
明性のフィラーとしては、紫外線透過率に優れるものを
用いる。例えば光の波長３８０〜４００ｎｍ （紫外
線）に対して透過率がよいものとしては、鉛白（６９％
）、リトポン（５６％）。
パライト（６８％）シリカ（８８％）などの粉がある。
前記いずれかの粉を５〜１０μｍに微細化し、封止樹脂
中に５０〜６０重量％混入する。
中に５０〜６０重量％混入する。
第６図、第７図は封止樹脂に混入されたフィラーと紫外
線照射の状態を説明する図であって、第６図はフィラー
が不透明性の場合、第７図は透明性の場合である。
線照射の状態を説明する図であって、第６図はフィラー
が不透明性の場合、第７図は透明性の場合である。
フィラーが不透明性の場合、第６図に示すように、紫外
線１５はフィラー１１の表面で反射し、封止樹脂４中に
透過しなくなり、樹脂が硬化しない。
線１５はフィラー１１の表面で反射し、封止樹脂４中に
透過しなくなり、樹脂が硬化しない。
一方、第７図に示すように、フィラーが透明性の場合、
紫外線１５はフィラー１１中を透過して樹脂４をも照射
し、樹脂４はフィラー１１の混入にもかかわらず紫外線
１５によって硬化されることになる。
紫外線１５はフィラー１１中を透過して樹脂４をも照射
し、樹脂４はフィラー１１の混入にもかかわらず紫外線
１５によって硬化されることになる。
次に、前記半導体装置の製造方法の一例を第５図の製造
工程図、及び第２図乃至第４図に示す断面図に基づいて
説明する。
工程図、及び第２図乃至第４図に示す断面図に基づいて
説明する。
まず、第２図に示すように、所要の接触端子５、配線パ
ターン６、接合端子７がパターニングされ、配線パター
ン６及び接合端子７の形成面側にＩＣ埋設部８が凹設さ
れた配線基板１の当該ＩＣ埋設部８の底面８ａにＩＣチ
ップ２を固定し、配線基板１の接合端子７とＩＣチップ
２の電極９とをリードＩＯにより接続する。
ターン６、接合端子７がパターニングされ、配線パター
ン６及び接合端子７の形成面側にＩＣ埋設部８が凹設さ
れた配線基板１の当該ＩＣ埋設部８の底面８ａにＩＣチ
ップ２を固定し、配線基板１の接合端子７とＩＣチップ
２の電極９とをリードＩＯにより接続する。
次いで、第３図に示すように、配線基板ｌのＩＣ埋設部
８の周囲に封止枠３を固定し、これら封止枠３及びＩＣ
埋設部８によって形成される空間内に紫外線硬化性樹脂
４をボッティングする。
８の周囲に封止枠３を固定し、これら封止枠３及びＩＣ
埋設部８によって形成される空間内に紫外線硬化性樹脂
４をボッティングする。
そして、第３図に示すように、前記封止枠３の上面に平
板状の透明部材１２を押圧し、余剰の樹脂を前記空間内
より排出する。この場合、前記透明部材としてガラス板
を用いても良いし、また、第４図に示すように、当該半
導体装置が搭載されるＩＣカードのカード本体１３を構
成する透明なカードパーツ１６を用いても良い。透明部
材としてカードパーツ１６を用いた場合には、ＩＣチッ
プ２を封止すると同時に、カード本体１３への半導体装
置の埋設を完了することができるので、ＩＣカードの生
産工程が簡略化され、ＩＣカードの生産性を格段に向上
することができる。
板状の透明部材１２を押圧し、余剰の樹脂を前記空間内
より排出する。この場合、前記透明部材としてガラス板
を用いても良いし、また、第４図に示すように、当該半
導体装置が搭載されるＩＣカードのカード本体１３を構
成する透明なカードパーツ１６を用いても良い。透明部
材としてカードパーツ１６を用いた場合には、ＩＣチッ
プ２を封止すると同時に、カード本体１３への半導体装
置の埋設を完了することができるので、ＩＣカードの生
産工程が簡略化され、ＩＣカードの生産性を格段に向上
することができる。
次に、透明性フィラーを混合した紫外線硬化性樹脂を用
いた本発明による半導体装置の製造方法を第５図によっ
て説明する。なお、同図中の符号は第１図乃至第３図の
同一符号部分に対応する。
いた本発明による半導体装置の製造方法を第５図によっ
て説明する。なお、同図中の符号は第１図乃至第３図の
同一符号部分に対応する。
第５図において、−面側に接触端子を形成し、他面に配
線パターンと接合端子及びＩＣ埋設部を形成した配線基
板１の上記ＩＣ埋設部にＩＣチップ２を固定する。固定
したＩＣチップ２の電極と配線基板１の接合端子とをリ
ードにより接続する（第２図参照）。配線基板１の前記
ＩＣチップ２の埋設部を囲って封止枠３を設置する。封
止枠３は前記ＩＣ埋設部を補強するためのものであって
、例えばステンレス等の硬質金属やセラミックスなどに
よって形成される。封止枠３を設置した後、紫外線硬化
性樹脂から成る封止樹脂４に透明性フィラー１１を混合
したものを前記封止枠３で囲んだＩＣ埋設部にボッティ
ングする。紫外線硬化性樹脂４に混入する透明フィラー
１１は、前記したように、鉛白、リトポン、パライト、
シリカなどの粒径が５乃至１０１１ｍの粉末を用い、混
入量は１０〜８０重量％好ましくは２０〜６０重量％さ
らに好ましくは５０乃至６０重量％とするのが好適であ
る。
線パターンと接合端子及びＩＣ埋設部を形成した配線基
板１の上記ＩＣ埋設部にＩＣチップ２を固定する。固定
したＩＣチップ２の電極と配線基板１の接合端子とをリ
ードにより接続する（第２図参照）。配線基板１の前記
ＩＣチップ２の埋設部を囲って封止枠３を設置する。封
止枠３は前記ＩＣ埋設部を補強するためのものであって
、例えばステンレス等の硬質金属やセラミックスなどに
よって形成される。封止枠３を設置した後、紫外線硬化
性樹脂から成る封止樹脂４に透明性フィラー１１を混合
したものを前記封止枠３で囲んだＩＣ埋設部にボッティ
ングする。紫外線硬化性樹脂４に混入する透明フィラー
１１は、前記したように、鉛白、リトポン、パライト、
シリカなどの粒径が５乃至１０１１ｍの粉末を用い、混
入量は１０〜８０重量％好ましくは２０〜６０重量％さ
らに好ましくは５０乃至６０重量％とするのが好適であ
る。
封止樹脂をボッティングした後、該封止枠３の上面を覆
ってガラス板等の透明部材１２を設置し、この透明部材
を介して紫外線１５を照射する。
ってガラス板等の透明部材１２を設置し、この透明部材
を介して紫外線１５を照射する。
このとき、上記透明部材１２の上に前記封止枠３の開口
部の大きさと略等しい大きさの開口部を形成した紫外線
に対して不透明なマスク１４を設置して紫外線を照射し
、該封止樹脂を硬化する。これにより、前記封止枠から
浴出した封止樹脂の硬化を阻止する。
部の大きさと略等しい大きさの開口部を形成した紫外線
に対して不透明なマスク１４を設置して紫外線を照射し
、該封止樹脂を硬化する。これにより、前記封止枠から
浴出した封止樹脂の硬化を阻止する。
なお、マスク１４を用いる代りに透明部材１２自体に上
記マスク相当の不透明領域を形成したものを用いてもよ
い。
記マスク相当の不透明領域を形成したものを用いてもよ
い。
最後に、上記透明部材１２とマスク１４を取り去ること
により、第１図に示したような半導体装置を得る。
により、第１図に示したような半導体装置を得る。
以上により、ＩＣチップ２は配線基板のＩＣ埋設部に強
固に固定される。
固に固定される。
以上説明したように本発明によれば、ＩＣチップの封止
に、紫外線透過率に優れるシリカ、パライト、リトポン
、鉛白等の透明性のフィラーを紫外線硬化性樹脂に混合
した樹脂を用いたから、紫外線照射のみで、該樹脂には
紫外線が到達しない部分はなくなり、封止樹脂は数分内
の短時間で硬化し、作業性の向上、作業の簡略化を図る
ことができる。さらに、透明体のフィラーによって封止
樹脂の線膨張係数を低減することができ、硬化時にほと
んど膨張、収縮することはなく、樹脂及びＩＣチップに
クラックが生じることもなくなり、上記従来技術の欠点
を除いて優れた半導体装置を製造することができる。
に、紫外線透過率に優れるシリカ、パライト、リトポン
、鉛白等の透明性のフィラーを紫外線硬化性樹脂に混合
した樹脂を用いたから、紫外線照射のみで、該樹脂には
紫外線が到達しない部分はなくなり、封止樹脂は数分内
の短時間で硬化し、作業性の向上、作業の簡略化を図る
ことができる。さらに、透明体のフィラーによって封止
樹脂の線膨張係数を低減することができ、硬化時にほと
んど膨張、収縮することはなく、樹脂及びＩＣチップに
クラックが生じることもなくなり、上記従来技術の欠点
を除いて優れた半導体装置を製造することができる。
第１図は本発明により製造した半導体装置の一例を示す
断面図、第２図、第３図及び第４図は本発明による半導
体装置の製造を説明するための断面図、第５図は本発明
の半導体装置の製造方法の一実施例を説明する工程図、
第６図及び第７図は封止樹脂に混入されたフィラーと紫
外線照射の状態説明図、第８図は従来技術による半導体
装置の断面図、第９図は従来技術による半導体装置の製
造方法を説明する工程図、第１Ｏ図、第１１図及び第１
２図は従来技術による半導体装置の製造を説明するため
の断面図である。 ｌ・・・−配線基板、２−・・・ＩＣチップ、３−・−
・−・・封止枠、４−−−−−一封止樹脂、５−・−−
−−一接触端子、６−・−・−配線パターン、７−・−
接合端子、８−・−・・ＩＣ埋設部、９・−・−・−電
極、１０−・・−リード、１ ｔ−−−−−一透明性フ
イラー。 第１因 第２図 第３図 １ １ ｉ ｊ ｈ１５ ８８ａ８５ 第５図 第６図 第７図 第８図 ３’：） ３８ ３Ｚ３８ａ ３８第９図
断面図、第２図、第３図及び第４図は本発明による半導
体装置の製造を説明するための断面図、第５図は本発明
の半導体装置の製造方法の一実施例を説明する工程図、
第６図及び第７図は封止樹脂に混入されたフィラーと紫
外線照射の状態説明図、第８図は従来技術による半導体
装置の断面図、第９図は従来技術による半導体装置の製
造方法を説明する工程図、第１Ｏ図、第１１図及び第１
２図は従来技術による半導体装置の製造を説明するため
の断面図である。 ｌ・・・−配線基板、２−・・・ＩＣチップ、３−・−
・−・・封止枠、４−−−−−一封止樹脂、５−・−−
−−一接触端子、６−・−・−配線パターン、７−・−
接合端子、８−・−・・ＩＣ埋設部、９・−・−・−電
極、１０−・・−リード、１ ｔ−−−−−一透明性フ
イラー。 第１因 第２図 第３図 １ １ ｉ ｊ ｈ１５ ８８ａ８５ 第５図 第６図 第７図 第８図 ３’：） ３８ ３Ｚ３８ａ ３８第９図
Claims (1)
- （１）配線基板にＩＣチップを搭載し、この配線基板及
びＩＣチップ、並びに上記配線基板の接合端子と上記Ｉ
Ｃチップの電極とを接続するリードとを一体に樹脂封止
して成る半導体装置において、前記樹脂封止を行う樹脂
として紫外線透過可能なフィラーを混合した紫外線硬化
性樹脂を用い、紫外線を照射して硬化させたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1587A JPS63168042A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1587A JPS63168042A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168042A true JPS63168042A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=11462605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1587A Pending JPS63168042A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63168042A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861680A (en) * | 1995-09-29 | 1999-01-19 | Sony Corporation | Photonic device and process for fabricating the same |
| JP2007289804A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Nakayama Iron Works Ltd | ロール破砕機 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213457A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の封止方法 |
| JPS5971303A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 光硬化性材料 |
-
1987
- 1987-01-05 JP JP1587A patent/JPS63168042A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213457A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の封止方法 |
| JPS5971303A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 光硬化性材料 |
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| JP2007289804A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Nakayama Iron Works Ltd | ロール破砕機 |
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