JPS63169030A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63169030A JPS63169030A JP66687A JP66687A JPS63169030A JP S63169030 A JPS63169030 A JP S63169030A JP 66687 A JP66687 A JP 66687A JP 66687 A JP66687 A JP 66687A JP S63169030 A JPS63169030 A JP S63169030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- photoresist film
- semiconductor substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に被膜のエツ
チング工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
チング工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程では半導体基板上に形成された絶
縁膜や金属膜を所定のパターンに加工するため各種のエ
ツチング技術が使われている。
縁膜や金属膜を所定のパターンに加工するため各種のエ
ツチング技術が使われている。
第２図は従来の半導体装置の製造の途中工程における半
導体チップの断面図である。
導体チップの断面図である。
第２図に示すように、半導体基板１の一主面に酸化膜２
を形成し、半導体基′板１を洗浄して乾燥させた後、酸
化膜２の表面にホトレジスト膜３を形成しホＩ・レジス
ト膜３を安定させるため熱処理を行う。次に、ホトレジ
スト膜３にパターンを露光し、現像した後、ホトレジス
ト膜３の密着性を良くするための熱処理を行い、ウェッ
ト・エッチング法により酸化膜２の開孔部４を形成し、
ホＩ〜レジスＩ・膜３を除去する。この場合、ホトレジ
スト膜３と酸化膜２との界面にエツチング液がしみ込む
ことによりアンダー・力・ソト５が生ずる。
を形成し、半導体基′板１を洗浄して乾燥させた後、酸
化膜２の表面にホトレジスト膜３を形成しホＩ・レジス
ト膜３を安定させるため熱処理を行う。次に、ホトレジ
スト膜３にパターンを露光し、現像した後、ホトレジス
ト膜３の密着性を良くするための熱処理を行い、ウェッ
ト・エッチング法により酸化膜２の開孔部４を形成し、
ホＩ〜レジスＩ・膜３を除去する。この場合、ホトレジ
スト膜３と酸化膜２との界面にエツチング液がしみ込む
ことによりアンダー・力・ソト５が生ずる。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、ホトレジスト
膜形成前の脱水処理が不足していたり、形成時の雰囲気
が高湿度であったりすると、半導体基板とホトレジスト
膜との密着強度が弱くなりエツチング工程の時に、半導
体基板とホトレジスト膜との界面へエツチング液がしみ
込み、いわゆるアンダー・カットが発生する事がある。
膜形成前の脱水処理が不足していたり、形成時の雰囲気
が高湿度であったりすると、半導体基板とホトレジスト
膜との密着強度が弱くなりエツチング工程の時に、半導
体基板とホトレジスト膜との界面へエツチング液がしみ
込み、いわゆるアンダー・カットが発生する事がある。
又ホトレジスＩ−膜の現像後の熱処理が不足したりにの
熱処理からエツチング工程の間に長時間にわたり材装置
された場合などでは、ホトレジスト膜が水分を吸収し、
半導体基板とホトレジスト膜の密着強度がやはり弱くな
り、アンダー・カットが発生する。
熱処理からエツチング工程の間に長時間にわたり材装置
された場合などでは、ホトレジスト膜が水分を吸収し、
半導体基板とホトレジスト膜の密着強度がやはり弱くな
り、アンダー・カットが発生する。
本発明は、エツチング工程でアンダー・カットを生じな
い半導体装置の製造方法を提供することにある。
い半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成
した被膜を写真蝕刻法により加工することを含む半導体
装置の製造方法において、前記被膜上に選択的に形成し
たホトレジスト膜をマスクとして前記被膜をウニ・ソト
・エツチング法で除去する工程の前に前記被膜と前記ホ
トレジスト膜の密着性を強化させる不活性ガスによるプ
ラズマ処理を含んで構成される。
した被膜を写真蝕刻法により加工することを含む半導体
装置の製造方法において、前記被膜上に選択的に形成し
たホトレジスト膜をマスクとして前記被膜をウニ・ソト
・エツチング法で除去する工程の前に前記被膜と前記ホ
トレジスト膜の密着性を強化させる不活性ガスによるプ
ラズマ処理を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の途中工程における半導体チ
ップの断面図である。
ップの断面図である。
第１図に示すように、半導体基板ｌの一主面に酸化膜２
を形成し、半導体基板１を洗浄して乾燥させた後、酸化
膜２の表面にホトレジストｙｌＡ３を形成し、ホトレジ
スト膜３に残存する溶剤を除くための熱処理を行う。次
に、ホトレジスト膜３にパターンを露光して現像した後
、ホトレジスト膜３に残っている現像時の有機溶剤の除
去およびホトレジスト膜３と酸化ｒ！Ａ２との密着性を
良くするための熱処理を行う０次に、円筒型のプラズマ
・エツチング装置により窒素ガスの流量 数百ＳＣＣＭ
（標準状態に換算した毎分当りの流量（ｃｙａ ３／ｍ
１ｎ））、圧力Ｉ Ｔ ｏ ｒ ｒ以下、電力２００〜
ｓｏｏｗで５〜２０分間の不活性ガスのプラズマ処理を
行った後ウェット・エッチング法により酸化膜３の開孔
部４を形成しホトレジスト膜３を除去する。
を形成し、半導体基板１を洗浄して乾燥させた後、酸化
膜２の表面にホトレジストｙｌＡ３を形成し、ホトレジ
スト膜３に残存する溶剤を除くための熱処理を行う。次
に、ホトレジスト膜３にパターンを露光して現像した後
、ホトレジスト膜３に残っている現像時の有機溶剤の除
去およびホトレジスト膜３と酸化ｒ！Ａ２との密着性を
良くするための熱処理を行う０次に、円筒型のプラズマ
・エツチング装置により窒素ガスの流量 数百ＳＣＣＭ
（標準状態に換算した毎分当りの流量（ｃｙａ ３／ｍ
１ｎ））、圧力Ｉ Ｔ ｏ ｒ ｒ以下、電力２００〜
ｓｏｏｗで５〜２０分間の不活性ガスのプラズマ処理を
行った後ウェット・エッチング法により酸化膜３の開孔
部４を形成しホトレジスト膜３を除去する。
このように、不活性ガスによるプラズマ処理を実施した
ものではアンダー・カットが全く発生しなかっな。
ものではアンダー・カットが全く発生しなかっな。
また、この不活性ガスのプラズマ処理時に酸素ガスを小
量（例えばＩＯ３ＣＣＭ程度）添加するとアンダー−カ
ッＩ・防止に加えてホトレジストの残渣が取除かれ歩留
りを向上させる効果を生ずるが、プラズマ処理時間は短
くする必要がある。
量（例えばＩＯ３ＣＣＭ程度）添加するとアンダー−カ
ッＩ・防止に加えてホトレジストの残渣が取除かれ歩留
りを向上させる効果を生ずるが、プラズマ処理時間は短
くする必要がある。
以上説明したように本発明は、バターニングされたホト
レジスト膜をマスクとしてウェット・エッチングを行う
前に不活性ガスによるプラズマ処理を行うことにより、
ホトレジスト膜とエツチングしようとする被膜との密着
性を良くしてウェット・エッチングによるアンダー・カ
ットを防止し、精度の良い開孔部が得られる効果がある
。
レジスト膜をマスクとしてウェット・エッチングを行う
前に不活性ガスによるプラズマ処理を行うことにより、
ホトレジスト膜とエツチングしようとする被膜との密着
性を良くしてウェット・エッチングによるアンダー・カ
ットを防止し、精度の良い開孔部が得られる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の途中工程における半導体チ
ップの断面図、第２図は従来の半導体装置の製造の途中
工程における半導体チップの断面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・ホトレ
ジスト膜、４・・・開孔部。
ップの断面図、第２図は従来の半導体装置の製造の途中
工程における半導体チップの断面図である。 ■・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・ホトレ
ジスト膜、４・・・開孔部。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に形成した被膜を写真蝕刻法により
加工することを含む半導体装置の製造方法において、前
記被膜上に選択的に形成したホトレジスト膜をマスクと
して前記被膜をウェット・エッチング法で除去する工程
の前に前記被膜と前記ホトレジスト膜の密着性を強化さ
せる不活性ガスによるプラズマ処理を行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - （２）被膜が半導体基板と同じ物質の酸化物からなる特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66687A JPS63169030A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66687A JPS63169030A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169030A true JPS63169030A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11480062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP66687A Pending JPS63169030A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169030A (ja) |
-
1987
- 1987-01-05 JP JP66687A patent/JPS63169030A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62271435A (ja) | レジストの剥離方法 | |
| US3767492A (en) | Semiconductor masking | |
| JPS6115582B2 (ja) | ||
| JPH08316121A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6119133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6309804B1 (en) | Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment | |
| JPS58132927A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH04157723A (ja) | アルミニウム膜のドライエッチング方法 | |
| KR100468824B1 (ko) | 단일전자소자제작을위한감광막제거방법 | |
| JP2002368213A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960013140B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS61114536A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04155816A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100460798B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
| JPS61141125A (ja) | イオン注入方法 | |
| KR970001696B1 (ko) | 폴리머 제거를 위한 반도체 소자 제조 방법 | |
| JPH0263292B2 (ja) | ||
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 | |
| KR100192374B1 (ko) | 반도체 소자 식각 방법 | |
| JP2913987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02219229A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR19980057146A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토레지스트 패턴 형성 방법 | |
| JPS6193629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR980003884A (ko) | 레지스트 패턴 형성방법 | |
| JPS59211232A (ja) | 半導体装置における金属層パタ−ンの形成方法 |