JPS61123131A - 液相エピタキシヤル結晶成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS61123131A JPS61123131A JP59246805A JP24680584A JPS61123131A JP S61123131 A JPS61123131 A JP S61123131A JP 59246805 A JP59246805 A JP 59246805A JP 24680584 A JP24680584 A JP 24680584A JP S61123131 A JPS61123131 A JP S61123131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- slider
- crystal growth
- pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液相エピタキシャル結晶成長装置の改良に関
するものである。
するものである。
瓜−マ族化合物半導体を用いた半導体装置において、液
相エピタキシャル成長結晶層の量産は重要な技術である
。第４図はこのような用途に用いる従来の液相エピタキ
シャル結晶成長装置の構成を示す平面図、ｇ５図はその
マーＹＭでの断面図である。図において、（１）はボー
ト本体で上段の室（２）、中段の室（３）及び下段の室
（４）からなる３段構造である。（５）は下段の呈（４
）に挿入されたひき出し容器、（６）は上段の室（２）
と中段のＮ（３）とを仕切る第１のスライダ、（７）は
中段の室（３）と下段の宣（４）とを仕切る第２のスラ
イダ、（８）は上段の室（２）に収容され九飽ｙＫＪＧ
ａ （ガリクムン融液、（９ンは中段の！ （３） Ｋ
配設されその上にエピタキシャル結晶成Ｊｌせるべき基
板、αＱは第１のスライダ（６）り設けられた開孔、α
りは第２のスライダ（７）に設けられた開孔、（２）は
第１のスライダ（６）に設けられ、第１のスライダ（６
）を図示矢印方向へ移動させたときに時間遅れをもって
第２のスライダ（７）を移動させるＬ字形板である。
相エピタキシャル成長結晶層の量産は重要な技術である
。第４図はこのような用途に用いる従来の液相エピタキ
シャル結晶成長装置の構成を示す平面図、ｇ５図はその
マーＹＭでの断面図である。図において、（１）はボー
ト本体で上段の室（２）、中段の室（３）及び下段の室
（４）からなる３段構造である。（５）は下段の呈（４
）に挿入されたひき出し容器、（６）は上段の室（２）
と中段のＮ（３）とを仕切る第１のスライダ、（７）は
中段の室（３）と下段の宣（４）とを仕切る第２のスラ
イダ、（８）は上段の室（２）に収容され九飽ｙＫＪＧ
ａ （ガリクムン融液、（９ンは中段の！ （３） Ｋ
配設されその上にエピタキシャル結晶成Ｊｌせるべき基
板、αＱは第１のスライダ（６）り設けられた開孔、α
りは第２のスライダ（７）に設けられた開孔、（２）は
第１のスライダ（６）に設けられ、第１のスライダ（６
）を図示矢印方向へ移動させたときに時間遅れをもって
第２のスライダ（７）を移動させるＬ字形板である。
以上の部品は全てカーボンで構成されている。
この従来の装置では％ｇ４ＦｚＪ、第４ＦｚＪ、た状態
で中段の室（３）に基板（９）を配役し、上段の室（２
）に飽和Ｇ＆融液（８）を収容したボートを成長炉に入
れ昇温する。ボートが所定の温度で平衡に達した後第１
のスライダ（６）を矢印方向に移動させると開孔α０が
上段の１！ （２）と中段の憲（３）との間を連通する
ようｌＩＣ７１−シ、飽和Ｇ＆融液（８膜よ中段の室（
３）に流入し基板（９）を浸す。
で中段の室（３）に基板（９）を配役し、上段の室（２
）に飽和Ｇ＆融液（８）を収容したボートを成長炉に入
れ昇温する。ボートが所定の温度で平衡に達した後第１
のスライダ（６）を矢印方向に移動させると開孔α０が
上段の１！ （２）と中段の憲（３）との間を連通する
ようｌＩＣ７１−シ、飽和Ｇ＆融液（８膜よ中段の室（
３）に流入し基板（９）を浸す。
この状態で成長炉を徐冷することによって基板（９）ニ
エビタキシャル結晶成長を行う。エピタキシャル成長終
了後は第１のスライダ（６）をさらに矢印方向に移動さ
せＬ字形板＠で第２のスライダ（７）を移動させ、開孔
αＤで中段の室（３）と下段の室（４）との間を連通さ
せて飽和Ｇ＆融液（３）を下段の室（４）Ｋ収容してい
る引出し容器（５） Ｋ Ｋ入貯溜する。
エビタキシャル結晶成長を行う。エピタキシャル成長終
了後は第１のスライダ（６）をさらに矢印方向に移動さ
せＬ字形板＠で第２のスライダ（７）を移動させ、開孔
αＤで中段の室（３）と下段の室（４）との間を連通さ
せて飽和Ｇ＆融液（３）を下段の室（４）Ｋ収容してい
る引出し容器（５） Ｋ Ｋ入貯溜する。
このような従来の装置で量産する場合、第１のスライダ
（６）の開孔σＱ及び第２のスライダ（７）の開孔（ロ
）をゲート本体（１）でカバーｔ、ｓｇｘのスライダ（
６）。
（６）の開孔σＱ及び第２のスライダ（７）の開孔（ロ
）をゲート本体（１）でカバーｔ、ｓｇｘのスライダ（
６）。
第２のスライダ（７）を移動する途中で飽和Ｇ＆融液（
８）がボート本体（１）の外側への流出を防ぎ、開孔叫
。
８）がボート本体（１）の外側への流出を防ぎ、開孔叫
。
（ロ）がボート本体（１）で完全にカバーされた時点で
開く構造にする必要がある。従って、開孔α０．圓をカ
バーするだけの領域がエピタキシャル成長させるための
基板を配置することが不可能となり処理能力が減少する
という問題点があった。
開く構造にする必要がある。従って、開孔α０．圓をカ
バーするだけの領域がエピタキシャル成長させるための
基板を配置することが不可能となり処理能力が減少する
という問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、同じ大きさで処理能力の大きい液相エピタキシャル
結晶成長装置ｔ−提供することを目的としている。
で、同じ大きさで処理能力の大きい液相エピタキシャル
結晶成長装置ｔ−提供することを目的としている。
この発明に係る液相エピタキシャル結晶成長装置では、
スライダは中段の室と下段の富との間にのみ設け、結晶
成長用飽和融液は中段の室に準備し、結晶成長させるべ
き基板は収容治具に配列して上段の室にピンで保持され
、ピンを抜けば収容治具と、ともに中段の室へ移動し、
飽和融液に浸されるようＫなっている。
スライダは中段の室と下段の富との間にのみ設け、結晶
成長用飽和融液は中段の室に準備し、結晶成長させるべ
き基板は収容治具に配列して上段の室にピンで保持され
、ピンを抜けば収容治具と、ともに中段の室へ移動し、
飽和融液に浸されるようＫなっている。
〔作用〕 ゛
上述のように、中段の室に結晶成長用融液を準偏し、上
段の室にピン保持された収容治具に基板を配列したのち
、王妃ピンを抜くと、収容治具は中段へ移動し、基板は
飽和融液に浸され、温度拠作によってエピタキシャル結
晶成長が行われ、結晶成長後は中段の室と下段の室との
間のスライダを開けは飽和融液は下段の室へ流入し貯溜
される。
段の室にピン保持された収容治具に基板を配列したのち
、王妃ピンを抜くと、収容治具は中段へ移動し、基板は
飽和融液に浸され、温度拠作によってエピタキシャル結
晶成長が行われ、結晶成長後は中段の室と下段の室との
間のスライダを開けは飽和融液は下段の室へ流入し貯溜
される。
このようにスライダが１個のみで、しかも、開孔を必要
としないので、ボート本体の壁１−凰くする必要がない
。
としないので、ボート本体の壁１−凰くする必要がない
。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す平面図、第２
図はＷｃ１図の■−■線での断面図で１．第４図、に５
図の従来例と同一符号は同等部分を示し、重複説明は避
ける。この実箆例におけるボート本体（ｌａ）では上段
の宣（２）に基板収容治具０が、ボート本体（１Ａ）の
壁に挿込まれたピア６４によって保持され、その中には
表面に結晶を成長させるべき基板（９）が配列されてい
る。第３図はこのピンαるの構造を示す斜視図で、Ｌ字
形板の下端に突起（ト）を有している。また、この実施
例では中段の憲（３）と下段の宣（４）とを仕切るスラ
イダαａｔ−有し、これが唯一のスライダである。この
スライダαＱには長円形の孔（ロ）が設けられており、
上述のピンＣＪ４の突起（２）がこの孔ａＱに挿入され
ている。
図はＷｃ１図の■−■線での断面図で１．第４図、に５
図の従来例と同一符号は同等部分を示し、重複説明は避
ける。この実箆例におけるボート本体（ｌａ）では上段
の宣（２）に基板収容治具０が、ボート本体（１Ａ）の
壁に挿込まれたピア６４によって保持され、その中には
表面に結晶を成長させるべき基板（９）が配列されてい
る。第３図はこのピンαるの構造を示す斜視図で、Ｌ字
形板の下端に突起（ト）を有している。また、この実施
例では中段の憲（３）と下段の宣（４）とを仕切るスラ
イダαａｔ−有し、これが唯一のスライダである。この
スライダαＱには長円形の孔（ロ）が設けられており、
上述のピンＣＪ４の突起（２）がこの孔ａＱに挿入され
ている。
第１図、ｇｚ図の状態で上段の室（２）Ｋ上述のように
基板収容治具に配列した基板（９）を、中段の室（３）
には飽和Ｇａ融液（８）を収容する。これを成長炉内で
所定温度に安定させた状態で、ピ／α◆を矢印方向く引
き抜く。ピ／α→の先端が中段の呈（３）の内壁面から
突出しなくなると、基板収容治具（至）は中段の呈（３
）に移動し、基板（９）は飽和Ｇａ融液（８） Ｋ ＆
される。このときには、ピン０４の突起（至）が挿入さ
れているスライダ０・の孔αηは長円形であるので、ピ
ンαくの移動はスライダα（ｌ Ｋは影響を与えない。
基板収容治具に配列した基板（９）を、中段の室（３）
には飽和Ｇａ融液（８）を収容する。これを成長炉内で
所定温度に安定させた状態で、ピ／α◆を矢印方向く引
き抜く。ピ／α→の先端が中段の呈（３）の内壁面から
突出しなくなると、基板収容治具（至）は中段の呈（３
）に移動し、基板（９）は飽和Ｇａ融液（８） Ｋ ＆
される。このときには、ピン０４の突起（至）が挿入さ
れているスライダ０・の孔αηは長円形であるので、ピ
ンαくの移動はスライダα（ｌ Ｋは影響を与えない。
この状態で、上記成長炉の温度を徐冷することによって
、基板（９）の表面上に結晶のエピタキシャル成長が得
られる。結晶成長が完了すると、ピンα◆を更に矢印方
向に移動させると、その突起α＄がスライ〆０１を連動
させるに至シ、中段の室（３）と下段の室（４）とが図
の左端部において連通し、飽和Ｇａ融液（８）は下段の
室（４）の引出し容器（５）へ流出貯溜される。
、基板（９）の表面上に結晶のエピタキシャル成長が得
られる。結晶成長が完了すると、ピンα◆を更に矢印方
向に移動させると、その突起α＄がスライ〆０１を連動
させるに至シ、中段の室（３）と下段の室（４）とが図
の左端部において連通し、飽和Ｇａ融液（８）は下段の
室（４）の引出し容器（５）へ流出貯溜される。
この実施例の装置では従来例の装置のようにスライダＱ
ｌに中段の室（３）と下段の宸（４）とを連通させる孔
を有せず、ボート本体（１ａ）でカバーする必要がなく
、その分だけ収容基板枚数を増加させることが可能とな
る。従って、同一の大きさでは処理能力が増加する。ｉ
た、スライダ部分を成長炉の均熱帯に入れる必要がなく
なシ、その分たけポート長を均熱帯内で十分長くするこ
とが出来るので、処理能力が飛躍的に増加する。
ｌに中段の室（３）と下段の宸（４）とを連通させる孔
を有せず、ボート本体（１ａ）でカバーする必要がなく
、その分だけ収容基板枚数を増加させることが可能とな
る。従って、同一の大きさでは処理能力が増加する。ｉ
た、スライダ部分を成長炉の均熱帯に入れる必要がなく
なシ、その分たけポート長を均熱帯内で十分長くするこ
とが出来るので、処理能力が飛躍的に増加する。
なお、上記実施例ではＧａ融液を用いたエピタキシャル
結晶成長を例示したが、他の結晶の成長にも用い得るこ
とは言うまでもない。
結晶成長を例示したが、他の結晶の成長にも用い得るこ
とは言うまでもない。
以上説明したように、この発明による液相エピタキシャ
ル結晶成長装置では上段の室と中段の室を仕切るスライ
ダをなくし中段の室と下段の室を仕切るスライダの連通
用開孔をなくしたので、ボート本体のカバ一部分がなく
なシ、装置の小形化が可能で、同一大きさでは処理能力
を大きくすることができる。
ル結晶成長装置では上段の室と中段の室を仕切るスライ
ダをなくし中段の室と下段の室を仕切るスライダの連通
用開孔をなくしたので、ボート本体のカバ一部分がなく
なシ、装置の小形化が可能で、同一大きさでは処理能力
を大きくすることができる。
第１図はこの発明の実施例の構成を示す平面図、菓２図
は第１図のｎ−１１Ｍでの断面図、第３図はこれに用い
るピンの斜視図、Ｋ４図は従来の液相エピタキシャル結
晶成長装置の構成を示す平面図、第５図は第４図のｖ−
ｖ線での断面図である。 図において、（ｌａ）はボート本体、（２）は上段の室
、（３）は中段の室、（４）は下段の室、（５）は容器
（ひき出し容器）、（８）は飽和ＣＧ＆）融液、（９）
は基板、（至）は基板収容治具、ａ◆はピン、Ｑ・はス
ライダである０なお、各図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
は第１図のｎ−１１Ｍでの断面図、第３図はこれに用い
るピンの斜視図、Ｋ４図は従来の液相エピタキシャル結
晶成長装置の構成を示す平面図、第５図は第４図のｖ−
ｖ線での断面図である。 図において、（ｌａ）はボート本体、（２）は上段の室
、（３）は中段の室、（４）は下段の室、（５）は容器
（ひき出し容器）、（８）は飽和ＣＧ＆）融液、（９）
は基板、（至）は基板収容治具、ａ◆はピン、Ｑ・はス
ライダである０なお、各図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (2)
- （１）上段の室、中段の室及び下段の室を有するボート
本体の上記上段の室内に、表面に結晶を成長させるべき
基板が配列された基板収容治具をその底面を上記ボート
本体の壁面を貫通して挿入されたピンによつて支承保持
し、上記下段の室との間を摺動開閉可能なスライダで閉
鎖した状態で、上記中段の室には結晶成長させるべき物
質の飽和融液を収容し、上記下段の室には結晶成長に用
いた上記飽和融液を流入貯溜させる容器を収容し、所要
の温度操作に伴つて、上記ピンによる上記基板収容治具
の支承を解除して、上記基板を上記収容治具とともに上
記中段の室の飽和融液内に浸し、上記基板上に所望のエ
ピタキシャル結晶成長を得るとともに、結晶成長後は上
記スライダを摺動させ上記下段の室と連通させられた上
記中段の室から上記飽和融液を上記下段の室の上記容器
内へ流入貯溜させ得るようにしたことを特徴とする液相
エピタキシャル結晶成長装置。 - （２）スライダの摺動をピンの再度駆動に連動するよう
にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液
相エピタキシャル結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246805A JPS61123131A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246805A JPS61123131A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123131A true JPS61123131A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17153941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59246805A Pending JPS61123131A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 液相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61123131A (ja) |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59246805A patent/JPS61123131A/ja active Pending
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