JPS63170687A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPS63170687A JPS63170687A JP62002738A JP273887A JPS63170687A JP S63170687 A JPS63170687 A JP S63170687A JP 62002738 A JP62002738 A JP 62002738A JP 273887 A JP273887 A JP 273887A JP S63170687 A JPS63170687 A JP S63170687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- row
- scanning
- character
- column
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体記憶装置に関し、特に漢字ＲＯＭのよう
なＭ行Ｎ列で構成される文字／記号フォントを記憶する
半導体記憶装置に関する。
なＭ行Ｎ列で構成される文字／記号フォントを記憶する
半導体記憶装置に関する。
従来、漢字ＲＯＭのような半導体記憶装置（以下、単に
漢字ＲＯＭとする）は、第４図に示すような構成になっ
ており、その動作は、語選択信号４−１を行デコーダ４
−２に入力することによってメモリセル４−３中の１つ
の文字／記号フォントを選択し走査回路４−５に走査信
号４−６を入力することによって、その文字／記号フォ
ントを構成するデータの何行目または何列目かを選択回
路４−４で選択して出力４−７となる。
漢字ＲＯＭとする）は、第４図に示すような構成になっ
ており、その動作は、語選択信号４−１を行デコーダ４
−２に入力することによってメモリセル４−３中の１つ
の文字／記号フォントを選択し走査回路４−５に走査信
号４−６を入力することによって、その文字／記号フォ
ントを構成するデータの何行目または何列目かを選択回
路４−４で選択して出力４−７となる。
また、この漢字ＲＯＭには、走査方式によって行走査方
式と列走査方式の２種類がある。通常、行方向のデータ
を順次必要とするＣＲＴディスプレイ用には行走査方式
の漢字ＲＯＭが用いられ、列方向のデータを順次必要と
するシリアルプリンタ用には列走査方式の漢字ＲＯＭが
用いられている。しかし、ワードプロセッサ等で文字／
記号フォントを回転させて出力する場合は両方の走査方
式が必要とされている。
式と列走査方式の２種類がある。通常、行方向のデータ
を順次必要とするＣＲＴディスプレイ用には行走査方式
の漢字ＲＯＭが用いられ、列方向のデータを順次必要と
するシリアルプリンタ用には列走査方式の漢字ＲＯＭが
用いられている。しかし、ワードプロセッサ等で文字／
記号フォントを回転させて出力する場合は両方の走査方
式が必要とされている。
（発明が解決しようとする問題点）
上述したようにコンピュータシステム構成上ＣＲＴディ
スプレイとシリアルプリンタを出力装置として用いる場
合、基本的に２つの漢字ＲＯＭが必要となり、コンピュ
ータシステムとしてのコストが上昇する。
スプレイとシリアルプリンタを出力装置として用いる場
合、基本的に２つの漢字ＲＯＭが必要となり、コンピュ
ータシステムとしてのコストが上昇する。
また、２つの漢字ＲＯＭの文字／記号フォントの選択信
号のコードが一致していないと、ＣＲＴディスプレイに
表わした文字／記号フォントとシリアルプリンタからプ
リントアウトされた文字／記号フォントが異なるという
欠点がある。
号のコードが一致していないと、ＣＲＴディスプレイに
表わした文字／記号フォントとシリアルプリンタからプ
リントアウトされた文字／記号フォントが異なるという
欠点がある。
しかし、ソフトウェアを用いることによって１つの漢字
ＲＯＭのような半導体記憶装置から１つの文字／記号フ
ォントのデータを取り出して、ＣＲＴディスプレイやシ
リアルプリンタに出力させることができるが、この場合
、ソフトウェアの実行のため、データ変換の時間が必要
となり、見かけ上の漢字ＲＯＭのアクセス時間が遅れ高
速の読出しができないという欠点がある。
ＲＯＭのような半導体記憶装置から１つの文字／記号フ
ォントのデータを取り出して、ＣＲＴディスプレイやシ
リアルプリンタに出力させることができるが、この場合
、ソフトウェアの実行のため、データ変換の時間が必要
となり、見かけ上の漢字ＲＯＭのアクセス時間が遅れ高
速の読出しができないという欠点がある。
本発明の目的は、以上の欠点を解消し、一つでＣＲＴデ
ィスプレイとシリアルプリンタを制御することができ、
また出力される任意の文字を回転させることのできる半
導体記憶装置を提供することにある。
ィスプレイとシリアルプリンタを制御することができ、
また出力される任意の文字を回転させることのできる半
導体記憶装置を提供することにある。
本発明の半導体記憶装置は、文字／記号フォントをＮビ
ット幅Ｍ行で走査・選択する行選択走査回路と、Ｍビッ
ト幅Ｎ列で走査・選択する列選択走査回路と、前記行選
択走査回路および列選択走査回路の出力のいずれかを選
択する行／列走査モード切換回路を有する。
ット幅Ｍ行で走査・選択する行選択走査回路と、Ｍビッ
ト幅Ｎ列で走査・選択する列選択走査回路と、前記行選
択走査回路および列選択走査回路の出力のいずれかを選
択する行／列走査モード切換回路を有する。
したがって、１つの漢字ＲＯＭのような半導体記憶装置
でモード切換信号により行／列の走査が行なえる機能を
有する。
でモード切換信号により行／列の走査が行なえる機能を
有する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体記憶装置の一実施例のブロック
図である。
図である。
語選択信号１−１を行デコーダＩ−２に入力することに
よってメモリセル１−３内のどの文字／記号フォントの
データが必要か指定する。このデータは、行選択走査回
路１−１０内の行選択回路１−５と列選択走査回路１−
１ｌ内の列選択回路１−６にはいる。
よってメモリセル１−３内のどの文字／記号フォントの
データが必要か指定する。このデータは、行選択走査回
路１−１０内の行選択回路１−５と列選択走査回路１−
１ｌ内の列選択回路１−６にはいる。
行選択回路１−５にはいったデータは行走査信号１−８
を行走査回路１−４に入力することによって何行目かを
指定された行のデータのみが行選択回路１−５より出力
されてモード切換回路１−１２にはいる。列選択回路ト
ロにはいったデータは列走査信号！−９を列走査回路１
−７に入力することによって何列目かを指定されたデー
タのみが列選択回路１６より出力されてモード切換回路
１−１２にはいる。このモード切換回路１−１２にはい
った２組のデータは走査方式を選択するモード信号１−
１３によってどちらか１組のデータが選択され出力１−
１４となる。
を行走査回路１−４に入力することによって何行目かを
指定された行のデータのみが行選択回路１−５より出力
されてモード切換回路１−１２にはいる。列選択回路ト
ロにはいったデータは列走査信号！−９を列走査回路１
−７に入力することによって何列目かを指定されたデー
タのみが列選択回路１６より出力されてモード切換回路
１−１２にはいる。このモード切換回路１−１２にはい
った２組のデータは走査方式を選択するモード信号１−
１３によってどちらか１組のデータが選択され出力１−
１４となる。
次に、本発明の一具体例として１文字を４行４列で構成
される漢字ＲＯＭを例にして説明する。
される漢字ＲＯＭを例にして説明する。
第３図は４行４列構成の漢字ＲＯＭの１文字を構成する
ビットデータがＣＲＴディスプレイまたはシリアルプリ
ンタで出力された場合どの位置に出力されるかを示した
図である。また、第２図はこの漢字ＲＯＭの詳細な回路
図である。第２図は本発明の一具体例であり、第１図と
の相違点はあとで説明する。
ビットデータがＣＲＴディスプレイまたはシリアルプリ
ンタで出力された場合どの位置に出力されるかを示した
図である。また、第２図はこの漢字ＲＯＭの詳細な回路
図である。第２図は本発明の一具体例であり、第１図と
の相違点はあとで説明する。
語選択信号２−１２を行デコーダ２−１３に入力するこ
とによってメモリセル２−１１内のどの文字のデータが
必要かを指定する。この指定された１文字を構成するデ
ータ２−１４は行選択回路２−８と列選択回路２−６の
２か所にはいる。この２か所にはいったデータは、それ
ぞれ、走査回路２−７に走査信号２−９．２−１０を入
力することによって行選択回路２−８からは指定された
行のデータのみ出力され、列選択回路２−６からは指定
された列のデータのみ出力される。この２か所から出力
されたデータはモード切換回路２−５にはいり、走査方
式を選択するモード信号２−１５によってその走査方式
に対応したデータのみ出力２−１．２−２．２−３．２
−４となる。
とによってメモリセル２−１１内のどの文字のデータが
必要かを指定する。この指定された１文字を構成するデ
ータ２−１４は行選択回路２−８と列選択回路２−６の
２か所にはいる。この２か所にはいったデータは、それ
ぞれ、走査回路２−７に走査信号２−９．２−１０を入
力することによって行選択回路２−８からは指定された
行のデータのみ出力され、列選択回路２−６からは指定
された列のデータのみ出力される。この２か所から出力
されたデータはモード切換回路２−５にはいり、走査方
式を選択するモード信号２−１５によってその走査方式
に対応したデータのみ出力２−１．２−２．２−３．２
−４となる。
次に、第１図と第２図の相違点について説明する。基本
的に処理は同じであるが、第２図では列と行の走査回路
および走査信号を１つにまとめているという点が違う。
的に処理は同じであるが、第２図では列と行の走査回路
および走査信号を１つにまとめているという点が違う。
以上説明したように本発明は、従来のＭ行Ｎ列で構成さ
れる文字／記号フォントを記憶する半導体記憶装置にも
う１つの選択回路、走査回路およびモード切換回路など
を追加することにより、従来の漢字ＲＯＭではコンピュ
ータシステム構成上基本的に２つ必要で、このためコス
ト高やまたこの２つの漢字ＲＯＭの文字／記号フォント
の選択信号のコードが一致しないと、ＣＲＴディスプレ
イの出力とシリアルプリンタの出力が異なるという欠点
や、この欠点を解消するためにソフトウェアを用いた場
合、漢字ＲＯＭのアクセス時間が遅れ高速の読み出しが
できないという欠点などを解消するばかりでなく、ワー
ドプロセッサー等に応用した場合は簡単な制御でＣＲＴ
ディスプレイおよびシリアルプリンタで回転した１つの
文字毎または１つの記号毎を出力させることができる効
果がある。
れる文字／記号フォントを記憶する半導体記憶装置にも
う１つの選択回路、走査回路およびモード切換回路など
を追加することにより、従来の漢字ＲＯＭではコンピュ
ータシステム構成上基本的に２つ必要で、このためコス
ト高やまたこの２つの漢字ＲＯＭの文字／記号フォント
の選択信号のコードが一致しないと、ＣＲＴディスプレ
イの出力とシリアルプリンタの出力が異なるという欠点
や、この欠点を解消するためにソフトウェアを用いた場
合、漢字ＲＯＭのアクセス時間が遅れ高速の読み出しが
できないという欠点などを解消するばかりでなく、ワー
ドプロセッサー等に応用した場合は簡単な制御でＣＲＴ
ディスプレイおよびシリアルプリンタで回転した１つの
文字毎または１つの記号毎を出力させることができる効
果がある。
第１図は本発明の半導体記憶装置の一実施例のブロック
図、第２図は本発明の一具体例の回路図、第３図は第２
図に示される４行４列で構成される漢字ＲＯＭの１文字
を構成するビットデータがＣＲＴディスプレイまたはシ
リアルプリンタで出力された場合、どの位置に出力され
るかを示した図、第４図は従来のＭ行Ｎ列で構成される
文字／記号フォントを記憶する半導体記憶装置のブロッ
ク図である。 ｌ−１・・・語選択信号、 ｌ−２・・・行デコーダ
、１−３−・・メモリセル、 ｌ−４−・・行走査回
路、］−５−・・行選択回路、 １−６・−列選択回
路。 １−７−・・列走査回路、 １−８・・・行走査信号
、１−９・・・列走査信号、 １−１０−・・行選択走
査回路、１−１１−・列選択走査回路、 ！ −１２−・・モード切換回路、１−１３・・・モー
ド信号、１−１４−・・出力、 ２−１．２−２．２
−３．２−４−・・出力、２−５−・・モード切換回路
、２−６・・・列選択回路、２−７ ・・・走査回路、
２−８・・・行選択回路、２−９．２−１０−・
・走査信号、２−１１・・・メモリセル。 ２−１２−・・語選択信号、 ２−１３−・・行デー
コダ、２−１４−１文字を構成するデータ、 ２−１５−・・モード信号。 第１図 第３図 第４図
図、第２図は本発明の一具体例の回路図、第３図は第２
図に示される４行４列で構成される漢字ＲＯＭの１文字
を構成するビットデータがＣＲＴディスプレイまたはシ
リアルプリンタで出力された場合、どの位置に出力され
るかを示した図、第４図は従来のＭ行Ｎ列で構成される
文字／記号フォントを記憶する半導体記憶装置のブロッ
ク図である。 ｌ−１・・・語選択信号、 ｌ−２・・・行デコーダ
、１−３−・・メモリセル、 ｌ−４−・・行走査回
路、］−５−・・行選択回路、 １−６・−列選択回
路。 １−７−・・列走査回路、 １−８・・・行走査信号
、１−９・・・列走査信号、 １−１０−・・行選択走
査回路、１−１１−・列選択走査回路、 ！ −１２−・・モード切換回路、１−１３・・・モー
ド信号、１−１４−・・出力、 ２−１．２−２．２
−３．２−４−・・出力、２−５−・・モード切換回路
、２−６・・・列選択回路、２−７ ・・・走査回路、
２−８・・・行選択回路、２−９．２−１０−・
・走査信号、２−１１・・・メモリセル。 ２−１２−・・語選択信号、 ２−１３−・・行デー
コダ、２−１４−１文字を構成するデータ、 ２−１５−・・モード信号。 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- Ｍ行Ｎ列で構成される文字／記号フォントを記憶する半
導体記憶装置において、文字／記号フォントをＮビット
幅、Ｍ行で選択・走査する行選択走査回路と、Ｍビット
幅Ｎ列で選択・走査する列選択走査回路と、前記行選択
走査回路および列選択走査回路の出力のいずれかを選択
する行／列走査モード切換回路とを有することを特徴と
する半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62002738A JPS63170687A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62002738A JPS63170687A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170687A true JPS63170687A (ja) | 1988-07-14 |
Family
ID=11537680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62002738A Pending JPS63170687A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170687A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957184A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Hitachi Ltd | シンチレ−シヨン検出器 |
| JPS5972480A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
| JPS59128586A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 縦横両方向読み出し可能メモリアレイ |
| JPS59152484A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | 日本電気株式会社 | 読出専用メモリ |
| JPS601696A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ，ｙ両方向よりアクセス可能のｒｏｍ |
| JPS60113396A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Toshiba Corp | メモリｌｓｉ |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP62002738A patent/JPS63170687A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957184A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Hitachi Ltd | シンチレ−シヨン検出器 |
| JPS5972480A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-24 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
| JPS59128586A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 縦横両方向読み出し可能メモリアレイ |
| JPS59152484A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-31 | 日本電気株式会社 | 読出専用メモリ |
| JPS601696A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Fujitsu Ltd | Ｘ，ｙ両方向よりアクセス可能のｒｏｍ |
| JPS60113396A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-19 | Toshiba Corp | メモリｌｓｉ |
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