JPS63170946A - セラミツク基板の気密接合構造 - Google Patents
セラミツク基板の気密接合構造Info
- Publication number
- JPS63170946A JPS63170946A JP233287A JP233287A JPS63170946A JP S63170946 A JPS63170946 A JP S63170946A JP 233287 A JP233287 A JP 233287A JP 233287 A JP233287 A JP 233287A JP S63170946 A JPS63170946 A JP S63170946A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- ceramic substrate
- damper
- flange
- bonded
- Prior art date
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- Granted
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は電子機器の浸漬液冷方法、詳しくは高密度の電
子機器を収納する容器の内外部の電気的接続に使用する
セラミ”Ｉり基板の容器への気！接合を行う方法及び構
造に関する。
子機器を収納する容器の内外部の電気的接続に使用する
セラミ”Ｉり基板の容器への気！接合を行う方法及び構
造に関する。
回路基板に実装された電子機器を冷却するために回路基
板を密封容器内に収納し、容器に沸騰性の冷媒を導入し
て回路基板を浸漬液冷する技術が開発されている。
板を密封容器内に収納し、容器に沸騰性の冷媒を導入し
て回路基板を浸漬液冷する技術が開発されている。
気密端子の接合にはガラス端子板またはセラミック端子
板が用いられる。
板が用いられる。
第３図の実施例において、２１は気密容器、２２はセラ
ミック端子板、２２ａは端子、２３はダンパ２４はメタ
ライズ層、２５はＮｉめっき層、２６は回路基板、２７
は内部接続ケーブル、２８は冷却液、２９はコールドプ
レート、３０は冷却水の出入口を示す。
ミック端子板、２２ａは端子、２３はダンパ２４はメタ
ライズ層、２５はＮｉめっき層、２６は回路基板、２７
は内部接続ケーブル、２８は冷却液、２９はコールドプ
レート、３０は冷却水の出入口を示す。
浸漬液冷用容器２１にセラミ噌り端子板２２をダンパ２
３を介して気密封止する。ダンパ２３は例えばばね性の
あるばね用ステンレスの’ｌｌＯキＦｅ系合金で作ると
よい。第４図の部分的拡大図に示される如くセラミック
端子板２２には接合部にメタライズ処理２４を施し、こ
の上にＢ−Ｎｉ無電解めっき層２５を形成する。容器２
１はセラミタフ端子板２２を直接接合する場合熱膨張係
数の近い値をもつコバールや４２チＮｉ合金にすると装
置の温度上昇・下降によね発生する熱膨張係数のミスマ
噌チが小さく、界面での応力か低くなる。
３を介して気密封止する。ダンパ２３は例えばばね性の
あるばね用ステンレスの’ｌｌＯキＦｅ系合金で作ると
よい。第４図の部分的拡大図に示される如くセラミック
端子板２２には接合部にメタライズ処理２４を施し、こ
の上にＢ−Ｎｉ無電解めっき層２５を形成する。容器２
１はセラミタフ端子板２２を直接接合する場合熱膨張係
数の近い値をもつコバールや４２チＮｉ合金にすると装
置の温度上昇・下降によね発生する熱膨張係数のミスマ
噌チが小さく、界面での応力か低くなる。
しかし装置の＠普化のためＡ１合金を使用すると熱膨張
係数の差が大きくなり、ミスマツチによる応力が増大し
、この繰返し応力によるクラークに、 より気密の低下
がある。そこでダンパ２３を用い、容器２１とセラミ噌
り端子板２２の間の応力を緩和する。この時ダンパ２３
とセラミ雫り端子板２２の間のはんだ接合部３１は高温
はんだまたは５ｎ−Ｐｂ系共晶はんだを、容器２１とダ
ンパ２３の間のはんだ接合３２に５ｎ−Ｐｂ共晶はんだ
または低温はんだを用いるなど２段はんだ付けでなす。
係数の差が大きくなり、ミスマツチによる応力が増大し
、この繰返し応力によるクラークに、 より気密の低下
がある。そこでダンパ２３を用い、容器２１とセラミ噌
り端子板２２の間の応力を緩和する。この時ダンパ２３
とセラミ雫り端子板２２の間のはんだ接合部３１は高温
はんだまたは５ｎ−Ｐｂ系共晶はんだを、容器２１とダ
ンパ２３の間のはんだ接合３２に５ｎ−Ｐｂ共晶はんだ
または低温はんだを用いるなど２段はんだ付けでなす。
これは接合の寸法精度を保持するに有効である。
セラミタフ端子板の接合方法はメタライズ処理、したセ
ラミック基板２２を容器２１にはんだ付けしたダンパ２
３にはんだ付けする方法であ）、容器２１とセラミック
基板２２の熱膨張係数の不整合によって発生する接合界
面の応力を容易に変形Ｌ５るダンパ２３によって緩和す
る。
ラミック基板２２を容器２１にはんだ付けしたダンパ２
３にはんだ付けする方法であ）、容器２１とセラミック
基板２２の熱膨張係数の不整合によって発生する接合界
面の応力を容易に変形Ｌ５るダンパ２３によって緩和す
る。
しかし、この方法でははんだ付け３１．３２による接合
するために、補修などをなす除に容器からセラミック基
板を取外すことが困難であるという欠点がある。
するために、補修などをなす除に容器からセラミック基
板を取外すことが困難であるという欠点がある。
本発明は前記従来の問題に鑑み、前記ダンパ忙平面度の
高いフランジを溶接あるいはろう付けにより接合し、容
器とダンパの気密接合方法として取外しが容易な０リン
グまたはＣリングを用いることができる構造ｅ方法を提
供することを目的とする。
高いフランジを溶接あるいはろう付けにより接合し、容
器とダンパの気密接合方法として取外しが容易な０リン
グまたはＣリングを用いることができる構造ｅ方法を提
供することを目的とする。
本発明は、板厚が薄く、プレス成形で作成することから
、高い平面度が出ないダンパに平面度の高い板材から作
成したフランジを接合し、高い平面度が要求される０リ
ングやＣリングによる気密接合方法を可能とし、堆外し
が容易に行える気密接合方法を提供するようにしたもの
である。
、高い平面度が出ないダンパに平面度の高い板材から作
成したフランジを接合し、高い平面度が要求される０リ
ングやＣリングによる気密接合方法を可能とし、堆外し
が容易に行える気密接合方法を提供するようにしたもの
である。
浸漬液冷用容器１にセラミック基板２を平面度の高いフ
ランジ１０ｆレーザ溶接したダンパ３を介して気密封止
する。この時、セラｉ啼り基Ｗには接合部にメタライズ
処理９を施す。容器ＩＫは軽量化のためＡ／金合金使用
するが、ＡＩ金合金セラミ９り基板との熱膨張差が大き
いことからオスマ噌チによる応力をダンパにより緩和す
る必要がある。ダンパとセラミ噌り基板は高温はんだ又
は５ｎ−Ｐｂ系共晶はんだを用いて接合する。フランジ
と容器はＯリング１１を介してポル）１３をしめること
により気密刺止する。フランジとダンパのレーザ溶接は
、治具によりすき間がないように両者を密着させた後、
パルス幅３〜４ ｍ Ｓ ｓパルスレート６０ｐｐ８ｅ
平均出力２００Ｗ、焦点はずし量−０，５〜＋０．５ｍ
ｍ 、溶接速度８．４ｍｍ／ｓ 、溶接雰囲気Ａｒ、の
レーザ溶接条件でパルスＹＡＧレーザ溶接機を用いて行
りた。フランジとダンパにはセラミック基板と熱膨張係
数が近−４２７０イを用いた。
ランジ１０ｆレーザ溶接したダンパ３を介して気密封止
する。この時、セラｉ啼り基Ｗには接合部にメタライズ
処理９を施す。容器ＩＫは軽量化のためＡ／金合金使用
するが、ＡＩ金合金セラミ９り基板との熱膨張差が大き
いことからオスマ噌チによる応力をダンパにより緩和す
る必要がある。ダンパとセラミ噌り基板は高温はんだ又
は５ｎ−Ｐｂ系共晶はんだを用いて接合する。フランジ
と容器はＯリング１１を介してポル）１３をしめること
により気密刺止する。フランジとダンパのレーザ溶接は
、治具によりすき間がないように両者を密着させた後、
パルス幅３〜４ ｍ Ｓ ｓパルスレート６０ｐｐ８ｅ
平均出力２００Ｗ、焦点はずし量−０，５〜＋０．５ｍ
ｍ 、溶接速度８．４ｍｍ／ｓ 、溶接雰囲気Ａｒ、の
レーザ溶接条件でパルスＹＡＧレーザ溶接機を用いて行
りた。フランジとダンパにはセラミック基板と熱膨張係
数が近−４２７０イを用いた。
本発明によれば、気密性ＦｉＩＸＩＯａｔｍ−ｃｃ／ｓ
以下であり、高い気密度を有する接合部が脱層容易のう
ちに得ることが可能である。
以下であり、高い気密度を有する接合部が脱層容易のう
ちに得ることが可能である。
本発明は、浸漬液冷方式の他Ｋ、Ｈｅガスなどを充てん
する冷却方式など、気密性を要求される容器に応用する
ことができる。
する冷却方式など、気密性を要求される容器に応用する
ことができる。
本発明によれば、セラミック基板と容器を取外し容易に
気密封止することができるので、補＃１などの作業が容
易に行える。
気密封止することができるので、補＃１などの作業が容
易に行える。
第１図は本発明の接合方法を説明する図、第２図は第１
図の接合部の拡大図、第３図は従来のセラミック基板の
接合方法を説明する図、第４図は第３図の接合部の拡大
図である。 図忙おいて、１・・・気密容器、２・・・セラミヴク基
叛、３・・・ダンパ、４・・・端子、５・・・回路基板
、６・・・冷却水出入口、７・・・冷却液、８・・・は
んだ接合部、９・・・メタライズ層、１０・・・２ラン
ジ、１１・・・０リング、１２・・・溶接部、１３・・
・ボルト第 ２ 閃
図の接合部の拡大図、第３図は従来のセラミック基板の
接合方法を説明する図、第４図は第３図の接合部の拡大
図である。 図忙おいて、１・・・気密容器、２・・・セラミヴク基
叛、３・・・ダンパ、４・・・端子、５・・・回路基板
、６・・・冷却水出入口、７・・・冷却液、８・・・は
んだ接合部、９・・・メタライズ層、１０・・・２ラン
ジ、１１・・・０リング、１２・・・溶接部、１３・・
・ボルト第 ２ 閃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 セラミック基板と、一端が該セラミック基板にメタライ
ズ接合され他端が平面度の高いフランジに溶接されたダ
ンパと、 該セラミック基板に搭載される回路素子を液冷浸漬する
容器と、 該フランジ部を該容器にＯリングを介して押圧密閉せし
める容器への固着機構とを有することを特徴とするセラ
ミック基板の気密接合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP233287A JPS63170946A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | セラミツク基板の気密接合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP233287A JPS63170946A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | セラミツク基板の気密接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170946A true JPS63170946A (ja) | 1988-07-14 |
| JPH0558666B2 JPH0558666B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11526353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP233287A Granted JPS63170946A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | セラミツク基板の気密接合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170946A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332437U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-29 |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP233287A patent/JPS63170946A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332437U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558666B2 (ja) | 1993-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |