JPH0558666B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0558666B2 JPH0558666B2 JP233287A JP233287A JPH0558666B2 JP H0558666 B2 JPH0558666 B2 JP H0558666B2 JP 233287 A JP233287 A JP 233287A JP 233287 A JP233287 A JP 233287A JP H0558666 B2 JPH0558666 B2 JP H0558666B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- damper
- ceramic substrate
- ceramic
- flange
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は電子機器の浸漬液冷方法、詳しくは高
密度の電子機器を収納する容器の内外部の電気的
接続に使用するセラミツク基板の容器への気密接
合を行う方法及び構造に関する。
密度の電子機器を収納する容器の内外部の電気的
接続に使用するセラミツク基板の容器への気密接
合を行う方法及び構造に関する。
回路基板に実装された電子機器を冷却するため
に回路基板を密封容器内に収納し、容器に沸騰性
の冷媒を導入して回路基板を浸漬液冷する技術が
開発されている。
に回路基板を密封容器内に収納し、容器に沸騰性
の冷媒を導入して回路基板を浸漬液冷する技術が
開発されている。
気密端子の接合にはガラス端子板またはセラミ
ツク端子板が用いられる。
ツク端子板が用いられる。
第３図の実施例において、２１は気密容器、２
２はセラミツク端子板、２２ａは端子、２３はダ
ンパ２４はメタライズ層、２５はNiめつき層、
２６は回路基板、２７は内部接続ケーブル、２８
は冷却液、２９はコールドプレート、３０は冷却
水の出入口を示す。
２はセラミツク端子板、２２ａは端子、２３はダ
ンパ２４はメタライズ層、２５はNiめつき層、
２６は回路基板、２７は内部接続ケーブル、２８
は冷却液、２９はコールドプレート、３０は冷却
水の出入口を示す。
浸漬液冷用容器２１にセラミツク端子板２２を
ダンパ２３を介して気密封止する。ダンパ２３は
例えばばね性のあるばね用ステンレスの如きFe
系合金で作るとよい。第４図の部分的拡大図に示
される如くセラミツク端子板２２には接合部にメ
タライズ処理２４を施し、この上にＢ−Ni無電
解めつき層２５を形成する。容器２１はセラミツ
ク端子板２２を直接接合する場合熱膨張係数の近
い値をもつコバールや42％Ni合金にすると装置
の温度上昇・下降により発生する熱膨張係数のミ
スマツチが小さく、界面での応力が低くなる。し
かし装置の軽量化のためAl合金を使用すると熱
膨張係数の差が大きくなり、ミスマツチによる応
力が増大し、この繰返し応力によるクラツクによ
り気密の低下がある。そこでダンパ２３を用い、
容器２１とセラミツク端子板２２の間の応力を緩
和する。この時ダンパ２３とセラミツク端子板２
２の間のはんだ接合部３１は高温はんだまたは
Sn−Pb系共晶はんだを、容器２１とダンパ２３
の間のはんだ接合３２にSn−Pb共晶はんだまた
は低温はんだを用いるなど２段はんだ付けでな
す。これは接合の寸法精度を保持するに有効であ
る。
ダンパ２３を介して気密封止する。ダンパ２３は
例えばばね性のあるばね用ステンレスの如きFe
系合金で作るとよい。第４図の部分的拡大図に示
される如くセラミツク端子板２２には接合部にメ
タライズ処理２４を施し、この上にＢ−Ni無電
解めつき層２５を形成する。容器２１はセラミツ
ク端子板２２を直接接合する場合熱膨張係数の近
い値をもつコバールや42％Ni合金にすると装置
の温度上昇・下降により発生する熱膨張係数のミ
スマツチが小さく、界面での応力が低くなる。し
かし装置の軽量化のためAl合金を使用すると熱
膨張係数の差が大きくなり、ミスマツチによる応
力が増大し、この繰返し応力によるクラツクによ
り気密の低下がある。そこでダンパ２３を用い、
容器２１とセラミツク端子板２２の間の応力を緩
和する。この時ダンパ２３とセラミツク端子板２
２の間のはんだ接合部３１は高温はんだまたは
Sn−Pb系共晶はんだを、容器２１とダンパ２３
の間のはんだ接合３２にSn−Pb共晶はんだまた
は低温はんだを用いるなど２段はんだ付けでな
す。これは接合の寸法精度を保持するに有効であ
る。
セラミツク端子板の接合方法はメタライズ処理
したセラミツク基板２２を容器２１にはんだ付け
したダンパ２３にはんだ付けする方法であり、容
器２１とセラミツク基板２２の熱膨張係数の不整
合によつて発生する接合界面の応力を容易に変形
しうるダンパ２３によつて緩和する。
したセラミツク基板２２を容器２１にはんだ付け
したダンパ２３にはんだ付けする方法であり、容
器２１とセラミツク基板２２の熱膨張係数の不整
合によつて発生する接合界面の応力を容易に変形
しうるダンパ２３によつて緩和する。
しかし、この方法でははんだ付け３１，３２に
よる接合するために、補修などをなす際に容器か
らセラミツク基板を取外すことが困難であるとい
う欠点がある。
よる接合するために、補修などをなす際に容器か
らセラミツク基板を取外すことが困難であるとい
う欠点がある。
本発明は前記従来の問題に鑑み、前記ダンパに
平面度の高いフランジを溶接あるいはろう付けに
より接合し、容器とダンパの気密接合方法として
取外しが容易なＯリングまたはＣリングを用いる
ことができる構造・方法を提供することを目的と
する。
平面度の高いフランジを溶接あるいはろう付けに
より接合し、容器とダンパの気密接合方法として
取外しが容易なＯリングまたはＣリングを用いる
ことができる構造・方法を提供することを目的と
する。
本発明は、板厚が薄く、プレス成形で作成する
ことから、高い平面度が出ないダンパに平面度の
高い板材から作成したフランジを接合し、高い平
面度が要求されるＯリングやＣリングによる気密
接合方法を可能とし、取外しが容易に行える気密
接合方法を提供するようにしたものである。
ことから、高い平面度が出ないダンパに平面度の
高い板材から作成したフランジを接合し、高い平
面度が要求されるＯリングやＣリングによる気密
接合方法を可能とし、取外しが容易に行える気密
接合方法を提供するようにしたものである。
浸漬液冷用容器１にセラミツク基板２を平面度
の高いフランジ１０をレーザ溶接したダンパ３を
介して気密封止する。この時、セラミツク基板に
は接合部にメタライズ処理９を施す。容器１には
軽量化のためAl合金を使用するが、Al合金はセ
ラミツク基板との熱膨張差が大きいことからミス
マツチによる応力をダンパにより緩和する必要が
ある。ダンパとセラミツク基板は高温はんだ又は
Sn−Pb系共晶はんだを用いて接合する。フラン
ジと容器はＯリング１１を介してボルト１３をし
めることにより気密封止する。フランジとダンパ
のレーザ溶接は、治具によりすき間がないように
両者を密着させた後、パルス幅３〜４ｍＳ、パル
スレート60pps、平均出力200W、焦点はずし量
−0.5〜＋0.5mm、溶接速度8.4mm／ｓ、溶接雰囲気
Ar、のレーザ溶接条件でパルスYAGレーザ溶接
機を用いて行つた。フランジとダンパにはセラミ
ツク基板と熱膨張係数が近い42アロイを用いた。
の高いフランジ１０をレーザ溶接したダンパ３を
介して気密封止する。この時、セラミツク基板に
は接合部にメタライズ処理９を施す。容器１には
軽量化のためAl合金を使用するが、Al合金はセ
ラミツク基板との熱膨張差が大きいことからミス
マツチによる応力をダンパにより緩和する必要が
ある。ダンパとセラミツク基板は高温はんだ又は
Sn−Pb系共晶はんだを用いて接合する。フラン
ジと容器はＯリング１１を介してボルト１３をし
めることにより気密封止する。フランジとダンパ
のレーザ溶接は、治具によりすき間がないように
両者を密着させた後、パルス幅３〜４ｍＳ、パル
スレート60pps、平均出力200W、焦点はずし量
−0.5〜＋0.5mm、溶接速度8.4mm／ｓ、溶接雰囲気
Ar、のレーザ溶接条件でパルスYAGレーザ溶接
機を用いて行つた。フランジとダンパにはセラミ
ツク基板と熱膨張係数が近い42アロイを用いた。
本発明によれば、気密性は１×10-8atm・c.c.／
ｓ以下であり、高い気密度を有する接合部が脱着
容易のうちに得ることが可能である。
ｓ以下であり、高い気密度を有する接合部が脱着
容易のうちに得ることが可能である。
本発明は、浸漬液冷方式の他に、Heガスなど
を充てんする冷却方式など、気密性を要求される
容器に応用することができる。
を充てんする冷却方式など、気密性を要求される
容器に応用することができる。
本発明によれば、セラミツク基板と容器を取外
し容易に気密封止することができるので、補修な
どの作業が容易に行える。
し容易に気密封止することができるので、補修な
どの作業が容易に行える。
第１図は本発明の接合方法を説明する図、第２
図は第１図の接合部の拡大図、第３図は従来のセ
ラミツク基板の接合方法を説明する図、第４図は
第３図の接合部の拡大図である。 図において、１……気密容器、２……セラミツ
ク基板、３……ダンパ、４……端子、５……回路
基板、６……冷却水出入口、７……冷却液、８…
…はんだ接合部、９……メタライズ層、１０……
フランジ、１１……Ｏリング、１２……溶接部、
１３……ボルト。
図は第１図の接合部の拡大図、第３図は従来のセ
ラミツク基板の接合方法を説明する図、第４図は
第３図の接合部の拡大図である。 図において、１……気密容器、２……セラミツ
ク基板、３……ダンパ、４……端子、５……回路
基板、６……冷却水出入口、７……冷却液、８…
…はんだ接合部、９……メタライズ層、１０……
フランジ、１１……Ｏリング、１２……溶接部、
１３……ボルト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板と、一端が該セラミツク基板
にメタライズ接合され他端が平面度の高いフラン
ジに溶接されたダンパと、 該セラミツク基板に搭載される回路素子を液冷
浸漬する容器と、 該フランジ部を該容器にＯリングを介して押圧
密閉せしめる容器への固着機構とを有することを
特徴とするセラミツク基板の気密接合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP233287A JPS63170946A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | セラミツク基板の気密接合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP233287A JPS63170946A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | セラミツク基板の気密接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170946A JPS63170946A (ja) | 1988-07-14 |
| JPH0558666B2 true JPH0558666B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11526353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP233287A Granted JPS63170946A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | セラミツク基板の気密接合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170946A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332437U (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-29 |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP233287A patent/JPS63170946A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63170946A (ja) | 1988-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |