JPS63171494A - アドレス選択回路 - Google Patents

アドレス選択回路

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JPS63171494A
JPS63171494A JP62036975A JP3697587A JPS63171494A JP S63171494 A JPS63171494 A JP S63171494A JP 62036975 A JP62036975 A JP 62036975A JP 3697587 A JP3697587 A JP 3697587A JP S63171494 A JPS63171494 A JP S63171494A
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JP
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circuit
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decoder circuit
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JP62036975A
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Masamichi Asano
正通 浅野
Hiroshi Iwahashi
岩橋 弘
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(MOSト
ランジスタも含む)を使用した半導体メモリーのアドレ
ス選択用として適するアドレス選択回路に関する。
(従来の技術) 従来、半導体メモリー用アドレス選択回路として第1の
デコーダ回路と第2のデコーダ回路及びこれらの第1、
第2のデコーダ回路と接続されたバッファ回路を設け、
装置の微細化を計る技術が知られている。
例えば、1977年2月10日に開催された国際会議r
 I E E E  International 5
olid−9tateC1rcuits Conf’e
rence Jの予稿集rDIGIEsT 0PTEC
IINICAL PAPER8J 13項に所載された
回路図を第1図に示す。
このアドレス選択回路は、5ビツトのアドレス信号(3
)が入力される第1のデコーダ回路(1)と、2ビツト
のアドレス信号(4)が入力される第2のデコーダ回路
と、これら第1、第2のデコーダ回路と接続されたバッ
ファ回路とから構成されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、この様な行選択回路では、副デコーダ<
 1 0F 48ELECTION)が非選択状態の場
合トランジスタT6は非導通状態となり、行線(ROW
 5ELECT)は接地されていないフローティング状
態となってしまう。この様なフローティング状態では、
行線は電源(接地)端子と続されていないため一定電位
を保つことが非常に困難である。
特に、行線の付近に設けた他の配線の電位が変化すると
、行線の電位も容量結合により変化しやすく、そのため
行線非選択の際誤動作を起こすという問題が生じる。
上記問題点に対し、本願発明はアドレス非選択の際の誤
動作を防止することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) この発明のアドレス選択回路は、i個のアドレス信号を
入力する第1のデコーダ回路と、n −1個のアドレス
信号を入力する第2のデコーダ回路と、第1のデコーダ
回路が非選択状態の場合及び第1のデコーダ回路が選択
状態でかつ第2のデコーダ回路が非選択状態の場合アド
レス選択回路出力端を接地レベルとする接地手段とを具
備したものである。
(作 用) この発明の半導体記憶装置では、i個のアドレスを入力
する第1のデコーダ回路と、n−i個のアドレスを入力
する第2のデコーダ回路とを設け、アドレス入力A1〜
A で2n個以内のアドレス選択を行なうアドレス選択
回路において、アドレス非選択の際、そのアドレス選択
回路出力端を確実に接地電位とする。
(実施例) 以下第2図を参照して本発明の一実施例を説明する。図
中21は第1のデコーダ回路、22は第2のデコーダ回
路、23はバッファ回路である。
更に、バッファ回路23には、第1のデコーダ回路が非
選択状態の場合及び第1のデコーダ回路が選択状態でか
つ前記第2のデコーダ回路が非選択状態の場合アドレス
選択回路出力端を接地レベルとする接地手段とが含まれ
る。バッファ回路−23では、電源VCと出力端32と
の間にl型トランジスタ33、D型トランジスタ34を
直列接続し、出力端31.32間にはE型トランジスタ
35を接続する。また電源VCと出力端3Bとの間には
■型トランジスタ37.p型トランジスタ38を直列接
続し、出力端36と接地間にはE型トランジスタ39を
接続する。トランジスタ35.37のゲートは出力端2
5に接続し、トランジスタ38のゲートは出力端28に
接続し、トランジスタ39のゲートは出力端32に接続
する。出力端36は例えばセルアレイの一つの行線に接
続される。
次に第2図の回路動作を説明する。この回路ではデコー
ダ21.22の選択/非選択の組み合わせにより、バッ
ファ23の選ばれ方は以下に示すように4通りできる。
(1)  デコーダ21.22共に選択された場合:端
子25.28共に“1′、端子31は“θ″となるため
、端子32は“0”となる。従って出力36はトランジ
スタ37.38を介して電源VCと接続されてa 、1
 eとなり、選択状態となる。
(2)デコーダ21が選択、デコーダ22が非選択の場
合:端子25は1”であるが端子28は“Q 11、端
子31は“1”となり、トランジスタ35はカットオフ
するため、端子32は°1°となり、出力端36は“0
゛となって非選択状態となる。
(3)デコーダ21が非選択、デコーダ22が選択され
た場合:端子25が“O”、端子28が“1”、端子3
1が“0”となり、トランジスタ35はカットオフする
ため、端子32は“1”、従って出力端36は“Ooと
なり、非選択状態となる。
(4)デコーダ21.22が共に非選択の場合:端子2
5.28が共に°0”、端子31は“1”となり、端子
32が“1”、トランジスタ37゜38がオフとなるた
め、出力端36は“0″となり、非選択状態となる。
以上の動作をまとめると次表のようになる。
しかしてパワーダウン時(チップ非選択時でパワーを極
小化する時)には、すべてのアドレス入力A1〜A (
正信号、反転信号を含む)を“0°、信号CLを“0”
とすれば、端子25゜28は共に“1”、端子31は“
01となり、端子32は0°、従って出力端36は01
1となり、この選択回路の消費電流は、l型トランジス
タ33のリーク分と、D型トランジスタ29で流れる電
流のみである。このトランジスタ29においてもパワー
ダウンしたい場合には、該トランジスタ29のドレイン
と電源VCとの間にトランジスタ33のような■型トラ
ンジスタを介挿すればよい。
第3図は、第2図のアドレス数nm6、im4とした場
合の具体例である。この場合節1のデコーダ21の数は
2’−16個、第2のデコーダ22の数は22−4個、
バッファ回路23及びその出力端子(行線)は26−6
4個となるが、第3図では第1のデコーダ221個分に
ついて示しである。ここでデコーダ22とバッファ23
は複数個用いるが、それぞれ構成は対応するので、対応
個所には同一符号をを用い、適宜添付のみ変えて重複す
る説明は省略する。第2図の場合の相異するのは、バッ
ファ231〜234のトランジスタ341〜344のド
レインをすべてトランジスタ33のソースに共通接続し
ていることであるが、この方がレイアウト上好都合であ
り、意味は全く同じである。またこの回路における動作
波形図の一例を第4図に示す。この回路の場合、アドレ
ス入力A1+ λ1〜A、、A、とAファ231.23
2.・・・を選択するものである。
一般に微細高密度化されたメモリーでは、デコーダ部で
多くのパワーを消費し、またパターンレイアウトも困難
となるが、本実施例の如き構成とすれば、アドレス選択
回路の出力端子64個に対し、第1のデコーダ数は16
個と個数が1/4となり、パワーを低減できると共に、
素子数の減少でパターンレイアウト上も都合が良くなる
。また第2のデコーダ221〜224は適宜セルアレイ
外の周辺部のすき間にレイアウトできるため、デコーダ
ブロックを小さく形成でき、チップサイズの縮少化に役
立つ。なお本実施例では第2のデコーダ数を4個のみと
したが、これはパワー及びレイアウトの都合で決まるも
ので、特に上記個数に制限されるものではない。
第5図は本発明の他の実施例であり、これは、第2のデ
コーダ22の正出力、反転出力はこの図の如く別々のN
OR回路で得ても意味は全く同じであることを示したも
のである。
第6図は本発明の更に他の実施例を示すものであり、こ
れはパワーダウン時に出力端子(行線)36が“0”と
なる場合の例である。即ち第1のデコーダ21′の負荷
トランジスタ24゛のドレインと電源VCとの間に、信
号CLをゲート入力するl型トランジスタ51を介挿し
、バッファ23″のインバータの負荷トランジスタ34
′のドレインを直接電源VCに接続したものである。
この回路の読み出し動作時は、第2図の場合と全く同様
である。パワーダウン時アドレスAt〜A、のすべてを
1”に、A、  〜A のすl           
  t+1   nべてを“0”に、信号CLを“0”
とすれば、端子25は“O”、端子32.28は“1°
、出力端子36はmO”となる。但しこの場合は、第2
図の場合と比較すると、スピードは着干遅くなるもので
ある。
なお本発明は上記実施例のみに限定されるものではなく
、例えば第1、第2のデコーダでバッフアロ路を選択し
たのを、2個以上のデコーダで選択するようにしてもよ
い。また実施例ではアドレス入力A1〜A、を用いた側
を第1のデコーダ、A、  〜A を用いた側を第2の
デコーダとしt+1   n たが、その逆の関係としてもよい。またアドレス選択時
A1%A  で2n個のアドレスを全て選択するように
したが、アドレス数が丁度2n個でない場合(2°個に
満たない)でも本発明を適用できる。また回路素子例え
ば負荷素子り型トランジスタのみでなく、E型トランジ
スタ、■型トランジスタで構成してもよい等、種々の応
用が可能である。
[発明の効果] −以上説明した如く本発明によれば、i個のアドレスを
入力する第1のデコーダ回路と、n−L個のアドレスを
入力する第2のデコーダ回路とを設け、アドレス入力A
1〜A で2n個以内のアドレス選択を行なうアドレス
選択回路において、アドレス非選択の際、それに対応す
るワード線の電位の不安定さにより誤動作を生じること
がない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のアドレス選択回路図、第2図は本発明の
一実施例の回路図、第3図は同回路を実際の使用に供し
た場合の具体例を示す回路図、第4図は同回路の動作を
示す信号波形図、第5図、第6図は本発明の他の実施例
を示す回路図である。 11・・・接地手段、21・・・第1のデコーダ回路、
22・・・第2のデコーダ回路、23・・・バッファ回
路、36・・・アドレス選択回路出力端。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アドレス入力A_1〜A_nで2^n個以内のア
    ドレス選択を行なうアドレス選択回路において、i(i
    は自然数でi<n)個のアドレス入力に基づいて出力論
    理レベルを選択する第1のデコーダ回路と、n−i個の
    アドレス入力に基づいて出力論理レベルを選択する第2
    のデコーダ回路と、前記第1のデコーダ回路が非選択状
    態の場合及び前記第1のデコーダ回路が選択状態でかつ
    前記第2のデコーダ回路が非選択状態の場合アドレス選
    択回路出力端を接地レベルとする接地手段とを具備した
    ことを特徴とするアドレス選択回路。
  2. (2)前記接地手段は、前記第1のデコーダ回路の出力
    により前記第2のデコーダ回路の出力を制御するスイッ
    チングトランジスタを含む特許請求の範囲第1項記載の
    アドレス選択回路。
  3. (3)前記接地手段がバッファ回路に含まれる前記特許
    請求の範囲第1項及び第2項記載のアドレス選択回路。
JP62036975A 1987-02-20 1987-02-20 アドレス選択回路 Granted JPS63171494A (ja)

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JPS63171494A true JPS63171494A (ja) 1988-07-15
JPH0522319B2 JPH0522319B2 (ja) 1993-03-29

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4968631A (ja) * 1972-11-06 1974-07-03
JPS5458321A (en) * 1977-10-19 1979-05-11 Hitachi Ltd Ram semiconductor integrated circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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