JPS6318327A - プラスチツクス液晶表示素子 - Google Patents
プラスチツクス液晶表示素子Info
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- JPS6318327A JPS6318327A JP16332586A JP16332586A JPS6318327A JP S6318327 A JPS6318327 A JP S6318327A JP 16332586 A JP16332586 A JP 16332586A JP 16332586 A JP16332586 A JP 16332586A JP S6318327 A JPS6318327 A JP S6318327A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/13363—Birefringent elements, e.g. for optical compensation
- G02F1/133634—Birefringent elements, e.g. for optical compensation the refractive index Nz perpendicular to the element surface being different from in-plane refractive indices Nx and Ny, e.g. biaxial or with normal optical axis
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面に透明導電性薄膜を設けてなる透明導電性
プラスチックスフィルムの一対の間に液晶物質を挾持す
る電圧印加型液晶表示素子の改良に関するものである。
プラスチックスフィルムの一対の間に液晶物質を挾持す
る電圧印加型液晶表示素子の改良に関するものである。
（従来技術および問題点）
従来より液晶表示素子電極板には、ガラス基板の表面に
透明導電層を設けたものが用いられている。しかるに液
晶表示素子は、益々軽量、薄型化される方向におり、ガ
ラス基板をプラスチックス基板特にフィルム基板に置き
かえる試みがなされている。置きかえるについての重要
な問題はプラスチックスの複屈折であって、その為例え
ば、二軸延伸ポリエステルフィルムでは消光角の差異が
５°以内の部分を用いそのまま、また−軸延伸ポリエス
テルフィルムを用いるものおよび無配向のポリサルホン
、ポリエーテルサルホンフィルム等を用いるものがある
。
透明導電層を設けたものが用いられている。しかるに液
晶表示素子は、益々軽量、薄型化される方向におり、ガ
ラス基板をプラスチックス基板特にフィルム基板に置き
かえる試みがなされている。置きかえるについての重要
な問題はプラスチックスの複屈折であって、その為例え
ば、二軸延伸ポリエステルフィルムでは消光角の差異が
５°以内の部分を用いそのまま、また−軸延伸ポリエス
テルフィルムを用いるものおよび無配向のポリサルホン
、ポリエーテルサルホンフィルム等を用いるものがある
。
しかしこれらはそれぞれ欠点を有し無配向のポリサルホ
ン、ポリエーテルサルホンフィルムは現在の所厚み均一
なフィルムを得ることが難しくまた着色しているし、致
命的な事は耐薬品性、耐液晶性がそれほど良くなく、限
られた溶剤、液晶のみが使用されるために、その使用条
件が限られており、二軸延伸ポリエステルフィルムは現
在大量に製造されており入手容易であるが基板の切りだ
しの位置決めが難しく、さもないとできあがった液晶表
示素子の表示の均一性が悪く、−軸延伸ポリエステルフ
ィルムでも二軸延伸ポリエステルフィルム程ではないに
しても同様の欠点を有する。
ン、ポリエーテルサルホンフィルムは現在の所厚み均一
なフィルムを得ることが難しくまた着色しているし、致
命的な事は耐薬品性、耐液晶性がそれほど良くなく、限
られた溶剤、液晶のみが使用されるために、その使用条
件が限られており、二軸延伸ポリエステルフィルムは現
在大量に製造されており入手容易であるが基板の切りだ
しの位置決めが難しく、さもないとできあがった液晶表
示素子の表示の均一性が悪く、−軸延伸ポリエステルフ
ィルムでも二軸延伸ポリエステルフィルム程ではないに
しても同様の欠点を有する。
その為これらに代るフィルムの開発が望まれていた。
（問題点を解決するための手段）
本発明はかかる欠点をもたないプラスチックスフィルム
の開発を検討の結果、縦横の延伸倍率比略々１で同時二
軸延伸して製造したフィルムがかかる欠点をもたない事
を見出した。
の開発を検討の結果、縦横の延伸倍率比略々１で同時二
軸延伸して製造したフィルムがかかる欠点をもたない事
を見出した。
即ち本発明は表面に透明導電性薄膜を設けてなる透明導
電性プラスチックスフィルムの一対の間に液晶物質を挾
持する電圧印加型液晶表示素子に於て該プラスチックス
フィルムが縦横の延伸倍率比略々１で同時二軸延伸して
製造した物であることを特徴とするプラスチックス液晶
表示素子で必る。
電性プラスチックスフィルムの一対の間に液晶物質を挾
持する電圧印加型液晶表示素子に於て該プラスチックス
フィルムが縦横の延伸倍率比略々１で同時二軸延伸して
製造した物であることを特徴とするプラスチックス液晶
表示素子で必る。
プラスチックスとしてはポリエチレンテレフタレートが
最も適した材料である。ポリエチレンテレフタレートは
現在大量に作られ品質も安定しており、この様な光学素
子にとって重要な厚みの均一なものが得やすく、最低限
必要な厚みのバラツキ５％以内のポリエチレンテレフタ
レートフィルムも容易に得ることができる利点がおる。
最も適した材料である。ポリエチレンテレフタレートは
現在大量に作られ品質も安定しており、この様な光学素
子にとって重要な厚みの均一なものが得やすく、最低限
必要な厚みのバラツキ５％以内のポリエチレンテレフタ
レートフィルムも容易に得ることができる利点がおる。
本来複屈折率がＯでおることが望ましいが一般的には望
むべくもなく、従来の無配向のポリエーテルサルホン、
ポリサルホンフィルムでも複屈折率Δμが５×１０→以
下の有限値を有する。配向性でありながらこのよう光学
的にすぐれているポリエステルフィルムを得るためには
従来の遂次二軸延伸法ではなく、同時二軸延伸法を行な
い、しかも縦延伸倍率と横延伸倍率との比を１．０にす
る。このような方法で製膜したフィルムは幅方向に対す
る複屈折率を測定すると図１のａのようになり、通常の
遂次２軸延伸法で製膜したフィルムの場合のｂより幅広
く複屈折率が５Ｘ１０″４以下の部分を採取することが
できる。したがって、複屈折率が５×１０４以下の部分
をロールフィルムの長手方向（Ｍ Ｄ方向）に対して採
取し、その部分で液晶表示素子を製作すると、光学的に
すぐれたものができあがる。
むべくもなく、従来の無配向のポリエーテルサルホン、
ポリサルホンフィルムでも複屈折率Δμが５×１０→以
下の有限値を有する。配向性でありながらこのよう光学
的にすぐれているポリエステルフィルムを得るためには
従来の遂次二軸延伸法ではなく、同時二軸延伸法を行な
い、しかも縦延伸倍率と横延伸倍率との比を１．０にす
る。このような方法で製膜したフィルムは幅方向に対す
る複屈折率を測定すると図１のａのようになり、通常の
遂次２軸延伸法で製膜したフィルムの場合のｂより幅広
く複屈折率が５Ｘ１０″４以下の部分を採取することが
できる。したがって、複屈折率が５×１０４以下の部分
をロールフィルムの長手方向（Ｍ Ｄ方向）に対して採
取し、その部分で液晶表示素子を製作すると、光学的に
すぐれたものができあがる。
フィルムの厚みとしては、５０〜５００μ瓦の範囲が好
ましい。特に、電極間隔を一定に保ち、しかも薄型化可
能で且つ透明導電性フィルムの製造上の見地から７５〜
２００μｍの範囲が好ましい。
ましい。特に、電極間隔を一定に保ち、しかも薄型化可
能で且つ透明導電性フィルムの製造上の見地から７５〜
２００μｍの範囲が好ましい。
又、本発明で使用するフィルムは厚みのバラツキが５％
以内であることも好ましい条件である。厚みのバラツキ
は３０ｍ間隔でり略々１ＴｒＬ四方の試料をとりその周
辺の中央部を結ぶ十字の部分について２．５ｃｍ置きに
厚みを測定した時に、それらの数値のバラツキが５％以
内に入ることを意味する。本発明で使用するフィルムの
材質は特に限定はされないが、ポリエチレンテレフタレ
ートが現状では良い。
以内であることも好ましい条件である。厚みのバラツキ
は３０ｍ間隔でり略々１ＴｒＬ四方の試料をとりその周
辺の中央部を結ぶ十字の部分について２．５ｃｍ置きに
厚みを測定した時に、それらの数値のバラツキが５％以
内に入ることを意味する。本発明で使用するフィルムの
材質は特に限定はされないが、ポリエチレンテレフタレ
ートが現状では良い。
該基板上に設ける透明電極は、酸化スズを少量ドープし
た酸化インジウム薄膜、金薄膜が好適でおり、特に酸化
スズを少量ドープした酸化インジウム薄膜が透明性の点
で好ましい。基板上にこれら導電性薄膜を設ける方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法等があげられる。
た酸化インジウム薄膜、金薄膜が好適でおり、特に酸化
スズを少量ドープした酸化インジウム薄膜が透明性の点
で好ましい。基板上にこれら導電性薄膜を設ける方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法等があげられる。
本発明にあける透明導電性薄膜は、通常可視光（５５０
μｍ）の透過率が少くとも７５％以上ありかつ表面抵抗
が１６に０７口以下のものである。
μｍ）の透過率が少くとも７５％以上ありかつ表面抵抗
が１６に０７口以下のものである。
好ましくは該透過率が８０％以上あり、表面抵抗が１０
０〜２００Ω／口のものでおる。
０〜２００Ω／口のものでおる。
（発明の効果）
同倍率同時二軸延伸フィルムはその中央部で複屈折率５
Ｘ１０″′４以下の部分が巾広くあるため、（６真６行
〜８行）従来の遂次二軸延伸法では消光色の差異が５°
以内の部分を用いるとしても小さな部分しか得られない
ので大型の基板が得られないばかりか、小さな基板でも
中央部と端部とで明るさに差のある表示素子しか出来な
い場合があり、製品の小止りが悪いのに対して、本発明
では無歪の相当大きな素子が製造出来る。
Ｘ１０″′４以下の部分が巾広くあるため、（６真６行
〜８行）従来の遂次二軸延伸法では消光色の差異が５°
以内の部分を用いるとしても小さな部分しか得られない
ので大型の基板が得られないばかりか、小さな基板でも
中央部と端部とで明るさに差のある表示素子しか出来な
い場合があり、製品の小止りが悪いのに対して、本発明
では無歪の相当大きな素子が製造出来る。
（実施例１）
複屈折率を５Ｘ１０−５以下を有するポリエステルフィ
ルムに透明導電膜（酸化インジウム−酸化スズ合金）を
施したのち、８の字形状の電極パターンを形成した。こ
の電極パターンにポリアミド系の配向処理膜を施し、ラ
ビングすることにより配向処理した。この２枚のフィル
ムをエポキシ樹脂で張り合わせることにより表示素子を
形成した。
ルムに透明導電膜（酸化インジウム−酸化スズ合金）を
施したのち、８の字形状の電極パターンを形成した。こ
の電極パターンにポリアミド系の配向処理膜を施し、ラ
ビングすることにより配向処理した。この２枚のフィル
ムをエポキシ樹脂で張り合わせることにより表示素子を
形成した。
この液晶表示素子の表示能力を観察したところ、５００
時間経過後であっても充分な能力があることが判明した
。
時間経過後であっても充分な能力があることが判明した
。
しかも、通常の遂次延伸法での二軸延伸ポリエステルフ
ィルムの場合と比べて、１０〜２０倍（５０ｃｍ）広い
幅で採取することが可能となった。
ィルムの場合と比べて、１０〜２０倍（５０ｃｍ）広い
幅で採取することが可能となった。
さらに、複屈折率５Ｘ１０−４以下を有するので、ロー
ルフィルムから切り出す際、任意の角度で切り落として
使用できるので、ロールフィルムを無駄なく利用できる
。その意味からして生産性が一段と向上させることがで
きる。また素子の厚さをガラス基板より薄くできるので
液晶表示素子として軽量、薄型化、更に曲面化という目
的を十分に満足することができる。
ルフィルムから切り出す際、任意の角度で切り落として
使用できるので、ロールフィルムを無駄なく利用できる
。その意味からして生産性が一段と向上させることがで
きる。また素子の厚さをガラス基板より薄くできるので
液晶表示素子として軽量、薄型化、更に曲面化という目
的を十分に満足することができる。
図１は本発明のフィルム（ａ）と従来の二軸延伸フィル
ム（ｂ）の巾方向各部の複屈折率を示すグラフである。
ム（ｂ）の巾方向各部の複屈折率を示すグラフである。
Claims (5)
- （１）表面に透明導電性薄膜を設けてなる透明導電性プ
ラスチックスフィルムの一対の間に液晶物質を挾持する
電圧印加型液晶表示素子に於て該プラスチックスフィル
ムが縦横の延伸倍率比略々１で同時二軸延伸して製造し
た物であることを特徴とするプラスチックス液晶表示素
子。 - （２）プラスチックスがポリエチレンテレフタレートで
ある特許請求の範囲第１項記載のプラスチックス液晶表
示素子。 - （３）プラスチックスフィルムが厚みのバラツキ５％以
内のポリエチレンテレフタレートフィルムであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラスチックス
液晶表示素子。 - （４）該透明導電性薄膜が酸化スズを含有する酸化イン
ジウム又は金の薄膜である特許請求の範囲第１項記載の
プラスチックス液晶表示素子。 - （５）プラスチックスフィルムの複屈折率が５×１０＾
−＾４以下である特許請求の範囲第１項記載のプラスチ
ックス液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16332586A JPS6318327A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | プラスチツクス液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16332586A JPS6318327A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | プラスチツクス液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318327A true JPS6318327A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15771701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16332586A Pending JPS6318327A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | プラスチツクス液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555240A (en) * | 1993-05-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating a liquid crystal display with switching elements formed in a substrate |
| US11163182B2 (en) | 2009-04-07 | 2021-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535325A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-12 | Teijin Ltd | Liquid crystal display body |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16332586A patent/JPS6318327A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535325A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-12 | Teijin Ltd | Liquid crystal display body |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5555240A (en) * | 1993-05-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating a liquid crystal display with switching elements formed in a substrate |
| US11163182B2 (en) | 2009-04-07 | 2021-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US11243420B2 (en) | 2009-04-07 | 2022-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US11906826B2 (en) | 2009-04-07 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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