JPS6319063B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6319063B2 JPS6319063B2 JP55168259A JP16825980A JPS6319063B2 JP S6319063 B2 JPS6319063 B2 JP S6319063B2 JP 55168259 A JP55168259 A JP 55168259A JP 16825980 A JP16825980 A JP 16825980A JP S6319063 B2 JPS6319063 B2 JP S6319063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- sealing member
- sealing
- electrode group
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス放電を利用した表示パネル、特に
面放電形ガス放電パネルの製造方法の改良に関す
るものである。
面放電形ガス放電パネルの製造方法の改良に関す
るものである。
既に周知のように面放電形ガス放電パネルは、
１対の絶縁基板つまり電極支持基板とガラスから
なるカバー板とを放電ガス空間を介して対面配置
し、それらの封止領域を封止部材で封着し、かつ
電極支持基版の内側面上に線状の第１電極群を並
設し、さらにその第１電極群上に第１の誘電体層
を介して線状の第２電極群を前記第１電極群と直
交する関係で並設するとともに、その第２電極群
上に第２の誘電体層を形成してある。そして第１
電極群および第２電極群は気密領域内つまり放電
ガス空間内から電極支持基板上に露出して導出し
ており、それら導出した第１および第２電極群の
各電極端末部に駆動回路を接続して第１および第
２の各電極間に選択的に電圧を印加することによ
り、それら電極の各交点部に画定される放電点の
放電発光を利用して所望の形象を表示するように
なつている。
１対の絶縁基板つまり電極支持基板とガラスから
なるカバー板とを放電ガス空間を介して対面配置
し、それらの封止領域を封止部材で封着し、かつ
電極支持基版の内側面上に線状の第１電極群を並
設し、さらにその第１電極群上に第１の誘電体層
を介して線状の第２電極群を前記第１電極群と直
交する関係で並設するとともに、その第２電極群
上に第２の誘電体層を形成してある。そして第１
電極群および第２電極群は気密領域内つまり放電
ガス空間内から電極支持基板上に露出して導出し
ており、それら導出した第１および第２電極群の
各電極端末部に駆動回路を接続して第１および第
２の各電極間に選択的に電圧を印加することによ
り、それら電極の各交点部に画定される放電点の
放電発光を利用して所望の形象を表示するように
なつている。
このようなガス放電パネルの組立ては、前記電
極支持基板とカバー板との各封止対応領域に例え
ば低融点ガラスからなる封止部材を配設し、それ
らを位置合せして封着する方法が採られている。
極支持基板とカバー板との各封止対応領域に例え
ば低融点ガラスからなる封止部材を配設し、それ
らを位置合せして封着する方法が採られている。
ところで電極支持基板に封止部材を配設するに
は封止対応領域に低融点ガラスペーストを印刷
し、それを大気中で焼成する方法が採られてい
る。そしてその低融点ガラスからなる封止部材を
大気中で軟化して電極支持基板とカバー板とを封
着するのが通常である。この際、低融点ガラスペ
ーストの焼成時ならびに封着時において、露出し
て導出した電極表面が酸化されるのを防止すべく
電極の表示部を覆う誘電体層の延長部で電極導出
領域をあらかじめ覆つた状態で焼成および封着を
行い、しかる後、その電極導出領域の誘電体層を
除去して電極端末部を露出せしめる方法が採られ
ている。このような方法では誘電体層の形成工程
が複雑となつてパネルの低価格化の障害の一要因
となつていた。
は封止対応領域に低融点ガラスペーストを印刷
し、それを大気中で焼成する方法が採られてい
る。そしてその低融点ガラスからなる封止部材を
大気中で軟化して電極支持基板とカバー板とを封
着するのが通常である。この際、低融点ガラスペ
ーストの焼成時ならびに封着時において、露出し
て導出した電極表面が酸化されるのを防止すべく
電極の表示部を覆う誘電体層の延長部で電極導出
領域をあらかじめ覆つた状態で焼成および封着を
行い、しかる後、その電極導出領域の誘電体層を
除去して電極端末部を露出せしめる方法が採られ
ている。このような方法では誘電体層の形成工程
が複雑となつてパネルの低価格化の障害の一要因
となつていた。
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、その
目的は製造工程を簡易化し、もつて低価格化を図
つたガス放電パネルの製造方法を提供することで
あり、その特徴は放電ガス空間を介して対面配置
した１対の絶縁基板の封止領域を封止部材で気密
封止し、かつ前記絶縁基板の対向面の少なくとも
一方に、気密領域内から外部に導出する電極をそ
なえたガス放電パネルの製造方法において、前記
電極をそなえた絶縁基板の封止領域と電極導出領
域とに封止部材を配設した後、封止部材で前記１
対の絶縁基板を封着し、しかる後、前記電極導出
領域の封止部材を除去して電極の端末部を露出せ
しめるようにしたところにある。
目的は製造工程を簡易化し、もつて低価格化を図
つたガス放電パネルの製造方法を提供することで
あり、その特徴は放電ガス空間を介して対面配置
した１対の絶縁基板の封止領域を封止部材で気密
封止し、かつ前記絶縁基板の対向面の少なくとも
一方に、気密領域内から外部に導出する電極をそ
なえたガス放電パネルの製造方法において、前記
電極をそなえた絶縁基板の封止領域と電極導出領
域とに封止部材を配設した後、封止部材で前記１
対の絶縁基板を封着し、しかる後、前記電極導出
領域の封止部材を除去して電極の端末部を露出せ
しめるようにしたところにある。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
第１図および第２図は本発明の１実施例を説明
するための要部模型断面図で順次に示した工程図
である。第１図において１は例えばガラスからな
る電極支持基板であつて、その電極支持基板１上
に線状の第１電極群２が並設してある。そしてそ
の第１電極群２を含む基板１上の気密領域となる
べき領域には例えば層厚0.5μm程度のAl2O3から
なる電極保護層３が被覆してあり、さらにその電
極保護層３上には例えば層厚４〜10μm程度の硼
硅酸ガラスからなる第１の誘電体層４が形成して
ある。なお前記第１電極群２の外部に露出して導
出される導出部２′はCr―Cu―Crの三層構造から
なり、かつ気密領域部（電極保護層３形成部）の
第１電極はCr―Cu（下地層がCr）の二層構造で構
成されている。このように二層構造にしたのは第
１電極群２の端縁部にテーパを形成して、その上
の誘電体層４を亀裂なく形成するためになされた
処理である。また電極保護層３を形成したのは第
１電極群２のCr―Cu部のCu表面が第１の誘電体
層４として形成した硼硅酸ガラスによつて酸化浸
蝕されるのを防止するためである。
するための要部模型断面図で順次に示した工程図
である。第１図において１は例えばガラスからな
る電極支持基板であつて、その電極支持基板１上
に線状の第１電極群２が並設してある。そしてそ
の第１電極群２を含む基板１上の気密領域となる
べき領域には例えば層厚0.5μm程度のAl2O3から
なる電極保護層３が被覆してあり、さらにその電
極保護層３上には例えば層厚４〜10μm程度の硼
硅酸ガラスからなる第１の誘電体層４が形成して
ある。なお前記第１電極群２の外部に露出して導
出される導出部２′はCr―Cu―Crの三層構造から
なり、かつ気密領域部（電極保護層３形成部）の
第１電極はCr―Cu（下地層がCr）の二層構造で構
成されている。このように二層構造にしたのは第
１電極群２の端縁部にテーパを形成して、その上
の誘電体層４を亀裂なく形成するためになされた
処理である。また電極保護層３を形成したのは第
１電極群２のCr―Cu部のCu表面が第１の誘電体
層４として形成した硼硅酸ガラスによつて酸化浸
蝕されるのを防止するためである。
ところで従来の製造方法では前記のような第１
電極群２を配設した電極支持基板１上の全面に、
まずAl2O3（層厚約0.5μm）を蒸着して第１電極群
の全面をAl2O3で被覆し、その基板を蒸着槽から
取り出してマスキングを施した後、再び蒸着槽内
に入れて硼硅酸ガラスからなる第１の誘電体層４
（層厚４〜10μm）を蒸着していた。それに対し、
本発明によれば同一蒸着槽内で蒸発源を切替える
だけで電極保護層３および第１の誘電体層４を蒸
着することができ、この段階で蒸着工程の簡易化
が図れる。
電極群２を配設した電極支持基板１上の全面に、
まずAl2O3（層厚約0.5μm）を蒸着して第１電極群
の全面をAl2O3で被覆し、その基板を蒸着槽から
取り出してマスキングを施した後、再び蒸着槽内
に入れて硼硅酸ガラスからなる第１の誘電体層４
（層厚４〜10μm）を蒸着していた。それに対し、
本発明によれば同一蒸着槽内で蒸発源を切替える
だけで電極保護層３および第１の誘電体層４を蒸
着することができ、この段階で蒸着工程の簡易化
が図れる。
しかる後、前記第１電極群２と直交する関係で
第１の誘電体層４上に第２電極群５を並設する。
そしてその第２電極群５上の気密領域となるべき
領域に、同じく層厚0.5μm程度のAl2O3からなる
電極保護層３′が蒸着され、さらにその電極保護
層３′上に層厚４〜10μm程度の硼硅酸ガラスから
なる第２の誘電体層４′を蒸着する。なお前記第
２電極群５の導出部（図示を省略）も第１電極群
２と同様に電極支持基板１上に露出して導出して
いる。またその第２電極群５の構造も第１電極群
２と同様に前述のようなCr―Cu―Crの三層構造
とCr―Cuの二層構造とで構成してある。
第１の誘電体層４上に第２電極群５を並設する。
そしてその第２電極群５上の気密領域となるべき
領域に、同じく層厚0.5μm程度のAl2O3からなる
電極保護層３′が蒸着され、さらにその電極保護
層３′上に層厚４〜10μm程度の硼硅酸ガラスから
なる第２の誘電体層４′を蒸着する。なお前記第
２電極群５の導出部（図示を省略）も第１電極群
２と同様に電極支持基板１上に露出して導出して
いる。またその第２電極群５の構造も第１電極群
２と同様に前述のようなCr―Cu―Crの三層構造
とCr―Cuの二層構造とで構成してある。
ところでこの際の従来の製造方法を述べると、
第２電極群５を配設後、まず前記第１電極群２の
導出部２′をマスキングした状態でAl2O3（層厚約
0.5μm）を蒸着して第２電極群５の全面をAl2O3
で被覆し、その基板を取り出して再びマスキング
を施した後、蒸着槽内で硼硅酸ガラスからなる第
２の誘電体層４′を蒸着していた。しかるに本発
明によれば、この工程においても同一蒸着槽内で
蒸発源を切替えるだけで電極保護層３′と第２の
誘電体層４′とを蒸着することができ、従来法に
比べて、この段階でも蒸着工程の簡易化ができ
る。
第２電極群５を配設後、まず前記第１電極群２の
導出部２′をマスキングした状態でAl2O3（層厚約
0.5μm）を蒸着して第２電極群５の全面をAl2O3
で被覆し、その基板を取り出して再びマスキング
を施した後、蒸着槽内で硼硅酸ガラスからなる第
２の誘電体層４′を蒸着していた。しかるに本発
明によれば、この工程においても同一蒸着槽内で
蒸発源を切替えるだけで電極保護層３′と第２の
誘電体層４′とを蒸着することができ、従来法に
比べて、この段階でも蒸着工程の簡易化ができ
る。
次に、前記のように第１電極群２、電極保護層
３、第１の誘電体層４、第２電極群５、電極保護
層３′および第２の誘電体層４′を順次形成した電
極支持基板１の封止対応領域と電極導出領域とに
低融点ガラスペーストを印刷し、それを焼成して
封止部材６を配設する。そしてさらに第２の誘電
体層４′上に図示を省略したがMgOからなる表面
層を蒸着する点は従来と変わらない。
３、第１の誘電体層４、第２電極群５、電極保護
層３′および第２の誘電体層４′を順次形成した電
極支持基板１の封止対応領域と電極導出領域とに
低融点ガラスペーストを印刷し、それを焼成して
封止部材６を配設する。そしてさらに第２の誘電
体層４′上に図示を省略したがMgOからなる表面
層を蒸着する点は従来と変わらない。
引続いて、このような電極支持基板１の封止部
材６と、別に用意したガラスからなるカバー板７
の封止対応領域に配設した低融点ガラスからなる
封止部材８とを位置合せし、それら封止部材６お
よび８を軟化して電極支持基板１とカバー板７と
を封着する。この際第１および第２電極群２およ
び５の表面は封止部材６あるいは第２の誘電体層
４′のいずれかで完全に被覆されているので、そ
れら電極群の表面が大気中における加熱によつて
酸化されることはない。
材６と、別に用意したガラスからなるカバー板７
の封止対応領域に配設した低融点ガラスからなる
封止部材８とを位置合せし、それら封止部材６お
よび８を軟化して電極支持基板１とカバー板７と
を封着する。この際第１および第２電極群２およ
び５の表面は封止部材６あるいは第２の誘電体層
４′のいずれかで完全に被覆されているので、そ
れら電極群の表面が大気中における加熱によつて
酸化されることはない。
そして放電ガス空間９内に易放電ガスを封入
し、しかる後、電極導出領域の封止部材６ｂを
HNO3（硝酸）溶液でエツチングして除去し、電
極端末部を露出せしめて第２図に示すような面放
電型ガス放電パネルが完成する。なお第１図にお
いては封止部材６および８の幅と厚みとをほぼ同
程度の寸法で図示しているが、実際には封止部材
６および８を含めた厚みは100μm程度であるのに
対し、その幅は10〜20mmと非常に大きいので、前
述の封止部材のエツチングの際、封止領域に封止
部材６ａおよび８を残して、不要な封止部材６ｂ
を容易に除去することができる。
し、しかる後、電極導出領域の封止部材６ｂを
HNO3（硝酸）溶液でエツチングして除去し、電
極端末部を露出せしめて第２図に示すような面放
電型ガス放電パネルが完成する。なお第１図にお
いては封止部材６および８の幅と厚みとをほぼ同
程度の寸法で図示しているが、実際には封止部材
６および８を含めた厚みは100μm程度であるのに
対し、その幅は10〜20mmと非常に大きいので、前
述の封止部材のエツチングの際、封止領域に封止
部材６ａおよび８を残して、不要な封止部材６ｂ
を容易に除去することができる。
さて前述の実施例では面放電形ガス放電パネル
について説明したが、それに限らず放電ガス空間
を介して対面配置した１対の絶縁基板の各対向面
に電極をそなえたような、いわゆるAC駆動形の
対向放電形ガス放電パネルに適用しても同様の効
果を得ることができる。
について説明したが、それに限らず放電ガス空間
を介して対面配置した１対の絶縁基板の各対向面
に電極をそなえたような、いわゆるAC駆動形の
対向放電形ガス放電パネルに適用しても同様の効
果を得ることができる。
以上の説明から明らかなように本発明は要する
に、放電ガス空間を介して対面配置した１対の絶
縁基板の封止領域を封止部材で気密封止し、かつ
前記絶縁基板の対向面の少なくとも一方に、気密
領域内から外部に導出する電極をそなえたガス放
電パネルの製造方法において、前記電極をそなえ
た絶縁基板の封止領域と電極導出領域とに封止部
材を配設した後、封止部材で前記１対の絶縁基板
を封着し、しかる後、前記電極導出領域の封止部
材を除去して電極端末部を露出せしめるようにし
たもので、結果として誘電体層の形成工程を極め
て簡易化することができ、ガス放電パネルの製造
に適用して製造工程の簡易化によるパネルのコス
トダウンができる利点を有する。
に、放電ガス空間を介して対面配置した１対の絶
縁基板の封止領域を封止部材で気密封止し、かつ
前記絶縁基板の対向面の少なくとも一方に、気密
領域内から外部に導出する電極をそなえたガス放
電パネルの製造方法において、前記電極をそなえ
た絶縁基板の封止領域と電極導出領域とに封止部
材を配設した後、封止部材で前記１対の絶縁基板
を封着し、しかる後、前記電極導出領域の封止部
材を除去して電極端末部を露出せしめるようにし
たもので、結果として誘電体層の形成工程を極め
て簡易化することができ、ガス放電パネルの製造
に適用して製造工程の簡易化によるパネルのコス
トダウンができる利点を有する。
第１図および第２図は本発明の１実施例を説明
するための要部模型断面図で順次に示した工程図
である。 １：電極支持基板（絶縁基板）、２：第１電極
群、２′：導出電極、３，３′：電極保護層、４：
第１の誘電体層、４′：第２の誘電体層、５：第
２電極群、６ａ：封止領域の封止部材、６ｂ：電
極導出領域の封止部材、７：カバー板（絶縁基
板）、８：カバー板に配設した封止部材、９：放
電ガス空間。
するための要部模型断面図で順次に示した工程図
である。 １：電極支持基板（絶縁基板）、２：第１電極
群、２′：導出電極、３，３′：電極保護層、４：
第１の誘電体層、４′：第２の誘電体層、５：第
２電極群、６ａ：封止領域の封止部材、６ｂ：電
極導出領域の封止部材、７：カバー板（絶縁基
板）、８：カバー板に配設した封止部材、９：放
電ガス空間。
Claims (1)
- １ 放電ガス空間を介して対面配置した１対の絶
縁基板の封止領域を封止部材で気密封止し、かつ
前記絶縁基板の対向面の少なくとも一方に、気密
領域内から外部に導出する電極をそなえたガス放
電パネルの製造方法において、前記電極をそなえ
た絶縁基板の封止領域と電極導出領域とに封止部
材を配設した後、封止部材で前記１対の絶縁基板
を封着し、しかる後、前記電極導出領域の封止部
材を除去して電極の端末部を露出せしめるように
したことを特徴とするガス放電パネルの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55168259A JPS5792737A (en) | 1980-11-28 | 1980-11-28 | Manufacture of gas electric-discharge panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55168259A JPS5792737A (en) | 1980-11-28 | 1980-11-28 | Manufacture of gas electric-discharge panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5792737A JPS5792737A (en) | 1982-06-09 |
| JPS6319063B2 true JPS6319063B2 (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=15864686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55168259A Granted JPS5792737A (en) | 1980-11-28 | 1980-11-28 | Manufacture of gas electric-discharge panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5792737A (ja) |
-
1980
- 1980-11-28 JP JP55168259A patent/JPS5792737A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5792737A (en) | 1982-06-09 |
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