JPS63192004A - 導波路形光学素子およびその製造方法 - Google Patents
導波路形光学素子およびその製造方法Info
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- JPS63192004A JPS63192004A JP62023607A JP2360787A JPS63192004A JP S63192004 A JPS63192004 A JP S63192004A JP 62023607 A JP62023607 A JP 62023607A JP 2360787 A JP2360787 A JP 2360787A JP S63192004 A JPS63192004 A JP S63192004A
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- waveguide
- optical element
- layer
- optical
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に光波制御効率が高いレンズやグレーティ
ングなどを形成した集積化光学素子としての導波路形光
学素子およびその製造方法に関するものである。
ングなどを形成した集積化光学素子としての導波路形光
学素子およびその製造方法に関するものである。
光通信システムや光情報処理などの分野に使用される光
部品は、従来、レンズ、プリズム、グレーティングなど
のバルク部品を１機械的に組合わせることによって構成
していた。したがって、上記光部品は外形寸法が大きく
て小形化の要請に適応できず、コストが高価であり、あ
るいはまた、機械的な結合により組合わせているため、
長時間の使用に対する安定性に欠け、信頼性が劣るとい
う種々の問題がある。そのため、近年、１つの基板上に
複数個の素子を集積化した光ＩＣの概念が導入され、光
部品の大幅な小形化および低コスト化が検討されている
。すなわち、１つの基板上に受・発光素子や導波路形（
薄膜形）のレンズやグレーティングなどを集積化して光
部品を構成するものである。
部品は、従来、レンズ、プリズム、グレーティングなど
のバルク部品を１機械的に組合わせることによって構成
していた。したがって、上記光部品は外形寸法が大きく
て小形化の要請に適応できず、コストが高価であり、あ
るいはまた、機械的な結合により組合わせているため、
長時間の使用に対する安定性に欠け、信頼性が劣るとい
う種々の問題がある。そのため、近年、１つの基板上に
複数個の素子を集積化した光ＩＣの概念が導入され、光
部品の大幅な小形化および低コスト化が検討されている
。すなわち、１つの基板上に受・発光素子や導波路形（
薄膜形）のレンズやグレーティングなどを集積化して光
部品を構成するものである。
上記の導波路形レンズやグレーティングなどの光学素子
を形成するのに、従来、２つの手段が用いられている。
を形成するのに、従来、２つの手段が用いられている。
第１の手段としては、特開昭５８−１１３９０３号公報
に記載されているように、イオン打込みをはじめとして
、熱拡散、プロトン交換などの方法によって、先導波路
より屈折率が高い領域を設ける方法が行われていた。第
２の手段としては、アール、ウルリッチ他のジオメトリ
カル・オプティクス・イン・シン・フィルム・ライト・
ガイド・アプライド・オプティクス、１０．９．１９７
１年（Ｒ，Ｕｌｒｉｃｈ、 ａｔ ａｌ、 Ｇｅｏａ＋
ｅｔｒｉｃａｌ ０ｐｔｉｃｓ １ｎＴｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｌｉｇｈｔ Ｇｕｉｄｅｓ、 Ａｐｐｌｉｅｄ ０
ｐｔｉｃｓ、 １０゜９ （１９７１））に論じられて
いるように、光導波路上に、屈折率が異なる装荷層を形
成する方法がある。
に記載されているように、イオン打込みをはじめとして
、熱拡散、プロトン交換などの方法によって、先導波路
より屈折率が高い領域を設ける方法が行われていた。第
２の手段としては、アール、ウルリッチ他のジオメトリ
カル・オプティクス・イン・シン・フィルム・ライト・
ガイド・アプライド・オプティクス、１０．９．１９７
１年（Ｒ，Ｕｌｒｉｃｈ、 ａｔ ａｌ、 Ｇｅｏａ＋
ｅｔｒｉｃａｌ ０ｐｔｉｃｓ １ｎＴｈｉｎ Ｆｉｌ
ｍ Ｌｉｇｈｔ Ｇｕｉｄｅｓ、 Ａｐｐｌｉｅｄ ０
ｐｔｉｃｓ、 １０゜９ （１９７１））に論じられて
いるように、光導波路上に、屈折率が異なる装荷層を形
成する方法がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術において、第１の手段は、屈折率変化領域
を拡散あるいはイオン打込みなどで形成しているため、
屈折率分布の制御が困難であり、熱安定性に欠け、光波
の制御効率が低いという問題があった。また、第２の手
段は、光導波路と、該光導波路上に形成する光波制御用
装荷層との熱的・機械的特性の相違については十分に配
慮されておらず、上記光導波路に直接装荷層を形成した
場合は、成膜時において物性の相違に基づく内部応力が
発生し、上記装荷層にクラックや剥離などの欠陥を生じ
るという問題があった。
を拡散あるいはイオン打込みなどで形成しているため、
屈折率分布の制御が困難であり、熱安定性に欠け、光波
の制御効率が低いという問題があった。また、第２の手
段は、光導波路と、該光導波路上に形成する光波制御用
装荷層との熱的・機械的特性の相違については十分に配
慮されておらず、上記光導波路に直接装荷層を形成した
場合は、成膜時において物性の相違に基づく内部応力が
発生し、上記装荷層にクラックや剥離などの欠陥を生じ
るという問題があった。
本発明の目的は、上記の屈折率の分布を高精度に制御す
るとともに、クラックや剥離などの欠陥をなくし、光波
の制御効率が高く、しかも安定性にすぐれた導波路形光
学素子を能率よく生産することにある。
るとともに、クラックや剥離などの欠陥をなくし、光波
の制御効率が高く、しかも安定性にすぐれた導波路形光
学素子を能率よく生産することにある。
上記目的を達成するために、、電気光学効果、音響光学
効果を有する基板の表面付近に光導波路を形成し、該光
導波路上に誘電体からなるバッファ層を形成したのち、
光波制御用装荷層を形成する。
効果を有する基板の表面付近に光導波路を形成し、該光
導波路上に誘電体からなるバッファ層を形成したのち、
光波制御用装荷層を形成する。
つぎに、上記の装荷層およびバッファ層を所定の光学素
子形状に微細加工することにより、光波制御効率が高く
、安定性にすぐれた導波路形光学素子を能率よく生産で
きる。
子形状に微細加工することにより、光波制御効率が高く
、安定性にすぐれた導波路形光学素子を能率よく生産で
きる。
本発明の導波路形光学素子に用いる基板は、（ａ）Ｌｉ
Ｎｂ０３．ＬｉＴａ０ａ、ＺｎＯ，ＺｎＳ。
Ｎｂ０３．ＬｉＴａ０ａ、ＺｎＯ，ＺｎＳ。
ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、Ｔｅａ、、ＹＩ
Ｇなどの結晶材料、または（ｂ）Ａ８．Ｓ、、 Ａｓ、
Ｓｅ。
Ｇなどの結晶材料、または（ｂ）Ａ８．Ｓ、、 Ａｓ、
Ｓｅ。
などの非晶質材料を用いるが、上記材料はいずれも電気
光学効果もしくは音響光学効果を有するものである。上
記基板の表面付近に形成する光導波路は、ＧａＡｓ、Ｚ
ｎＯ，Ｃｄ、Ｓｓ、Ｔｉなどの導波路拡散源を拡散、イ
オン注入などの方法により、２次元もしくは３次元に成
長させる手段を用いる。
光学効果もしくは音響光学効果を有するものである。上
記基板の表面付近に形成する光導波路は、ＧａＡｓ、Ｚ
ｎＯ，Ｃｄ、Ｓｓ、Ｔｉなどの導波路拡散源を拡散、イ
オン注入などの方法により、２次元もしくは３次元に成
長させる手段を用いる。
上記導波路上にバッファ層を形成するが、上記バッファ
層は１石英ガラス、パイレックスガラス、クラウンガラ
スなどのシリカ系ガラスを用いる。
層は１石英ガラス、パイレックスガラス、クラウンガラ
スなどのシリカ系ガラスを用いる。
バッファ層の形成手段としては、電子ビーム蒸着あるい
はスパッタリングなどの公知である任意の薄膜形成手段
を用いることができる。上記薄膜形成手段のうち、スパ
ッタリング法は成膜操作が簡単であるという点で特に望
ましい。スパッタリングの条件としては、基板温度２０
〜３５０℃、スパッタガス（Ａｒ）圧力１．０Ｘ１０−
３〜２．０Ｘ１０−”ｍｍＨｇ、パワーは３００〜９０
０Ｗである。
はスパッタリングなどの公知である任意の薄膜形成手段
を用いることができる。上記薄膜形成手段のうち、スパ
ッタリング法は成膜操作が簡単であるという点で特に望
ましい。スパッタリングの条件としては、基板温度２０
〜３５０℃、スパッタガス（Ａｒ）圧力１．０Ｘ１０−
３〜２．０Ｘ１０−”ｍｍＨｇ、パワーは３００〜９０
０Ｗである。
バッファ層上に形成する光波制御用装荷層は、光波制御
効率を高めるため、光導波路との屈折率差を大きくする
ことが望ましい、したがって、装荷層としてはＴｉＯ２
、Ｓ ｉ３ Ｎ ４． Ｇ ａ Ａ ｓ、 Ｇ ａ Ｐ
などを用いる。これらの中でＴｉＯ２は屈折率が高く安
定性が良好な点で特に望ましいｓ Ｔ １０２の成膜方
法は、上記のシリカ系ガラスと同様にスパッタリング法
を用いる。
効率を高めるため、光導波路との屈折率差を大きくする
ことが望ましい、したがって、装荷層としてはＴｉＯ２
、Ｓ ｉ３ Ｎ ４． Ｇ ａ Ａ ｓ、 Ｇ ａ Ｐ
などを用いる。これらの中でＴｉＯ２は屈折率が高く安
定性が良好な点で特に望ましいｓ Ｔ １０２の成膜方
法は、上記のシリカ系ガラスと同様にスパッタリング法
を用いる。
上記のように装荷層と光導波層との間にバッファ層を介
在させることによって、上記装荷層に発生する内部応力
を低減させ、クラックや剥離などの欠陥を未然に防止す
ることができる。
在させることによって、上記装荷層に発生する内部応力
を低減させ、クラックや剥離などの欠陥を未然に防止す
ることができる。
つぎに上記の装荷層およびバッファ層を１通常のリング
ラフィ技術およびドライエツチング技術により、所定の
導波路形光学素子の形状に微細加エするが、上記方法に
よる加工では、サブミクロンの高精度で加工することが
できる。
ラフィ技術およびドライエツチング技術により、所定の
導波路形光学素子の形状に微細加エするが、上記方法に
よる加工では、サブミクロンの高精度で加工することが
できる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による導波路層光学素子の第１実施例を
示す正面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ
上記実施例の形成工程を示す正面図、第３図は比較例と
して示す従来の導波路層光学素子の正面図、第４図は本
発明の第２実施例を示す導波路形グレーティングの斜視
図、第５図は本発明の第３実施例を示す導波路形レンズ
の斜視図である。
示す正面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ
上記実施例の形成工程を示す正面図、第３図は比較例と
して示す従来の導波路層光学素子の正面図、第４図は本
発明の第２実施例を示す導波路形グレーティングの斜視
図、第５図は本発明の第３実施例を示す導波路形レンズ
の斜視図である。
第１実施例
第１図において、基板１には光学研磨したＬｉＮｂ０□
結晶を用い、上記基板１上にＴｉをスパッタリングによ
り２００人堆積させ、熱拡散を行って先導波路２を形成
した。上記スパッタリングの条件は、ＲＦパワー１００
Ｗ、Ａｒガス圧３Ｘ１０−’ｍｍＨｇ、スパッタ速度４
人／速度４マ／ｓｅｅ拡散条件は電気炉を用いて１００
０℃に加熱し、Ａｒガス雰囲気中で６時間、さらＯオガ
ス雰囲気中で１時間熱拡散した。上記光導波路２上に形
成するバッファ層３は、コーニング社の＆ ７０５９ガ
ラスをスパッタリングにより膜厚３００人形成した。形
成条件はＲＦパワー１００Ｗ、Ａ−ガス圧３×１０１■
ｍＨｇ、スパッタ速度２人／ｓｅｃである。バッファ層
３上に形成する装荷層４は、厚さ０．２μのＴｉｅ、を
上記同様にスパッタリングで形成した。形成条件はター
ゲットに金属Ｔｉを用いて、ＲＦパワー５００Ｗ、ス
゛バッタガスとして０□およびＡｒを用い、ガス組成（
Ｏｘ／ Ａｒ） ０，７、ガス圧５．０ＸｆＯ−３＋ｍ
Ｈｇ、スパッタ速度１人／ｓｅｃである。
結晶を用い、上記基板１上にＴｉをスパッタリングによ
り２００人堆積させ、熱拡散を行って先導波路２を形成
した。上記スパッタリングの条件は、ＲＦパワー１００
Ｗ、Ａｒガス圧３Ｘ１０−’ｍｍＨｇ、スパッタ速度４
人／速度４マ／ｓｅｅ拡散条件は電気炉を用いて１００
０℃に加熱し、Ａｒガス雰囲気中で６時間、さらＯオガ
ス雰囲気中で１時間熱拡散した。上記光導波路２上に形
成するバッファ層３は、コーニング社の＆ ７０５９ガ
ラスをスパッタリングにより膜厚３００人形成した。形
成条件はＲＦパワー１００Ｗ、Ａ−ガス圧３×１０１■
ｍＨｇ、スパッタ速度２人／ｓｅｃである。バッファ層
３上に形成する装荷層４は、厚さ０．２μのＴｉｅ、を
上記同様にスパッタリングで形成した。形成条件はター
ゲットに金属Ｔｉを用いて、ＲＦパワー５００Ｗ、ス
゛バッタガスとして０□およびＡｒを用い、ガス組成（
Ｏｘ／ Ａｒ） ０，７、ガス圧５．０ＸｆＯ−３＋ｍ
Ｈｇ、スパッタ速度１人／ｓｅｃである。
つぎに上記装荷層４およびバッファ層３を所定の導波路
層光学素子の形状に微細加工するための、リソグラフィ
およびエツチングの工程を第２図によって説明する。第
２図（ａ）に示すように、装荷層４上にレジスト６を回
転塗布法により形成する。ここではレジスト６として、
電子線レジストであるクロルメチル化ポリスチレン（Ｃ
ＭＳ−ＥＸＲ：東洋ソーダ製）を用い、厚さ０．５μｍ
とした。上記レジスト６を１３０℃で２０分間プリベー
クしたのち、電子ビーム７を所定の装荷層形状に照射す
る。照射条件は、電子ビーム径０．１＃ｌＩ、照射量１
６μＣ／ｃ＋ｍ”とした。電子ビーム露光後に現像を行
い、第２図（ｂ）に示すようなレジスト製のマスク６を
作製した。
層光学素子の形状に微細加工するための、リソグラフィ
およびエツチングの工程を第２図によって説明する。第
２図（ａ）に示すように、装荷層４上にレジスト６を回
転塗布法により形成する。ここではレジスト６として、
電子線レジストであるクロルメチル化ポリスチレン（Ｃ
ＭＳ−ＥＸＲ：東洋ソーダ製）を用い、厚さ０．５μｍ
とした。上記レジスト６を１３０℃で２０分間プリベー
クしたのち、電子ビーム７を所定の装荷層形状に照射す
る。照射条件は、電子ビーム径０．１＃ｌＩ、照射量１
６μＣ／ｃ＋ｍ”とした。電子ビーム露光後に現像を行
い、第２図（ｂ）に示すようなレジスト製のマスク６を
作製した。
その後、イオンエツチングにより装荷層４およびバッフ
ァ層３を微細加工する。イオンエツチングの条件は、エ
ツチングガスとしてＣＦ、を用い。
ァ層３を微細加工する。イオンエツチングの条件は、エ
ツチングガスとしてＣＦ、を用い。
圧力３８ Ｘ １０−”＋ａｍｌ（ｇ、ＲＦパワー２０
０Ｗ、エツチング時間１５ｍ１ｎとし、第２図（Ｑ）に
示すようにエツチングを行ったのち、レジスト製マスク
６を除去して第１図に示した導波路層光学素子５が形成
できた。
０Ｗ、エツチング時間１５ｍ１ｎとし、第２図（Ｑ）に
示すようにエツチングを行ったのち、レジスト製マスク
６を除去して第１図に示した導波路層光学素子５が形成
できた。
比較例
上記第１実施例に対する比較例として、第３図に示すよ
うに、基板１にＬｉＮｂ０．結晶を用い、光導波路２を
Ｔｉの熱拡散により形成した。形成条件は上記第１実施
例と同様である。つぎに、装荷層４を光導波路２に直接
スパッタリング法で第■実施例と同様の条件で形成した
。その結果、上記装荷層４にクラックおよび剥離が発生
し、導波路層光学素子を形成することが不可能であった
。
うに、基板１にＬｉＮｂ０．結晶を用い、光導波路２を
Ｔｉの熱拡散により形成した。形成条件は上記第１実施
例と同様である。つぎに、装荷層４を光導波路２に直接
スパッタリング法で第■実施例と同様の条件で形成した
。その結果、上記装荷層４にクラックおよび剥離が発生
し、導波路層光学素子を形成することが不可能であった
。
第２実施例
第４図に示す第２実施例は、光学素子として形成した導
波路形グレーティングの概略を示す斜視図である。上記
第１実施例と同様に基板１としてＬｉＮｂＯ３結晶を用
い、Ｔｉの熱拡散により光導波路２を形成する。つぎに
、スパッタリング法によりガラス製のバッファ層３およ
びＴｉＯ□製の装荷層４を形成し、その後、装荷層４お
よびバッファ層３を格子間隔１−１格子幅１ｍｍ、格子
本数１００本の装荷形ブラッググレーティングとなるよ
うに。
波路形グレーティングの概略を示す斜視図である。上記
第１実施例と同様に基板１としてＬｉＮｂＯ３結晶を用
い、Ｔｉの熱拡散により光導波路２を形成する。つぎに
、スパッタリング法によりガラス製のバッファ層３およ
びＴｉＯ□製の装荷層４を形成し、その後、装荷層４お
よびバッファ層３を格子間隔１−１格子幅１ｍｍ、格子
本数１００本の装荷形ブラッググレーティングとなるよ
うに。
レジスト塗布、露光、ｉｌ像、イオンエツチングを第１
実施例と同様に行い、導波路形グレーティング８を形成
した。
実施例と同様に行い、導波路形グレーティング８を形成
した。
上記導波路形グレーティング８の特性を確認するため、
Ｈｅ−Ｎｏレーザ光（波長６３３ｎ−）をプリズムカッ
プラ法でＴｉ拡散Ｌ ｘ Ｎ ｂ Ｏａ光導波路２に導
波させ、ブラッグ角で装荷層４に入射させた。
Ｈｅ−Ｎｏレーザ光（波長６３３ｎ−）をプリズムカッ
プラ法でＴｉ拡散Ｌ ｘ Ｎ ｂ Ｏａ光導波路２に導
波させ、ブラッグ角で装荷層４に入射させた。
その結果１回折効率７０％と比較的良好な結果を得た。
また、上記導波路グレーティングを１５０℃で５００ｈ
高温放置し１回折効率の変化を測定したところ１回折効
率の変化は１％以下と良好な結果を得た。
高温放置し１回折効率の変化を測定したところ１回折効
率の変化は１％以下と良好な結果を得た。
第３実施例
第５図に示す本発明の第３実施例は、光学素子として形
成した導波路形レンズ９を示したものである。上記第１
実施例と同様に、基板１としてＬｉＮｂ○、結晶を用い
、Ｔｉの熱拡散によって光導波路２を形成し、スパッタ
リング法によりガラス製のバッファ層３およびＴｉＯ２
製の装荷層４を形成する。つぎに、装荷層４およびバッ
ファ層３を。
成した導波路形レンズ９を示したものである。上記第１
実施例と同様に、基板１としてＬｉＮｂ○、結晶を用い
、Ｔｉの熱拡散によって光導波路２を形成し、スパッタ
リング法によりガラス製のバッファ層３およびＴｉＯ２
製の装荷層４を形成する。つぎに、装荷層４およびバッ
ファ層３を。
レンズの厚さの分布式である（１）式を満足するように
、レジスト塗布、露光、現像、イオンエツチングを第１
実施例と同様の方法で行った。
、レジスト塗布、露光、現像、イオンエツチングを第１
実施例と同様の方法で行った。
Ｔ （ｘ） ＝ ＴＩｍａｘ（ΦＸ／２π＋１） −−
（１）Φｗ＝ （ｋｅｎ／２ｆ）ｘ”＋２ｍπ −−
（２）ＴＩ、１ａＸ＝２π／ｋａΔｎ ・・・・・・
・・・・・・・・・（３）ｋ０＝２π／λ ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（４）二こ
で、ｎ：光導波路の実効屈折率、ｆ：焦点距離、Δｎ：
光導波路と装荷層との屈折率差、λ：波長、ｍ＝ｏ、１
．２、・・・・・・である。
（１）Φｗ＝ （ｋｅｎ／２ｆ）ｘ”＋２ｍπ −−
（２）ＴＩ、１ａＸ＝２π／ｋａΔｎ ・・・・・・
・・・・・・・・・（３）ｋ０＝２π／λ ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（４）二こ
で、ｎ：光導波路の実効屈折率、ｆ：焦点距離、Δｎ：
光導波路と装荷層との屈折率差、λ：波長、ｍ＝ｏ、１
．２、・・・・・・である。
上記導波路形レンズ９の特性を確認するため。
第２実施例と同様にＨｅ−Ｎｅレーザ光を上記導波路形
レンズ９に入射した結果、集光効率７０％と良好なレン
ズ特性を得ることができた。しかも。
レンズ９に入射した結果、集光効率７０％と良好なレン
ズ特性を得ることができた。しかも。
１５０℃で５００ｈの高温試験による集光効率の変化は
２％以下と良好な結果が得られた。
２％以下と良好な結果が得られた。
上記のように本発明による導波路形光学素子およびその
製造方法は、電気光学効果もしくは音響光学効果を有す
る基板の表面付近に形成した光導波路上に、光波制御用
の装荷層を設けた導波路形光学素子において、上記先導
波路と装荷層との間に、誘電体からなるバッファ層を形
成したことにより、従来品に較べてクラックや剥離など
の欠陥がなく、光波制御効率が高く、シかも熱安定性に
すぐれた導波路形光学素子を、能率よく製作することが
でき、光集積回路の形成に効果がある。
製造方法は、電気光学効果もしくは音響光学効果を有す
る基板の表面付近に形成した光導波路上に、光波制御用
の装荷層を設けた導波路形光学素子において、上記先導
波路と装荷層との間に、誘電体からなるバッファ層を形
成したことにより、従来品に較べてクラックや剥離など
の欠陥がなく、光波制御効率が高く、シかも熱安定性に
すぐれた導波路形光学素子を、能率よく製作することが
でき、光集積回路の形成に効果がある。
第１図は本発明による導波路形光学素子の第１実施例を
示す正面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ
上記実施例の形成工程を示す正面図、第３図は比較例と
して示す従来の導波路形光学素子の正面図、第４図は本
発明の第２実施例を示す導波路形グレーティングの斜視
図、第５図は本発明の第３実施例を示す導波路形レンズ
の斜視図である。
示す正面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ
上記実施例の形成工程を示す正面図、第３図は比較例と
して示す従来の導波路形光学素子の正面図、第４図は本
発明の第２実施例を示す導波路形グレーティングの斜視
図、第５図は本発明の第３実施例を示す導波路形レンズ
の斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気光学効果または音響光学効果を有する基板の表
面付近に形成した光導波路上に、光波制御用の装荷層を
設けた導波路形光学素子において、上記光導波路と装荷
層との間に、誘電体からなるバッファ層を形成したこと
を特徴とする導波路形光学素子。 ２、電気光学効果または音響光学効果を有する基板の表
面付近に形成した光導波路上に、光波制御用の装荷層を
設けた導波路形光学素子の製造方法において、上記基板
の表面付近に光導波路を形成する工程と、上記光導波路
上に誘電体からなるバッファ層を形成する工程と、上記
バッファ層上に光波制御用装荷層を形成する工程と、上
記バッファ層および装荷層を、所定の光波制御用素子に
加工する工程とを備えたことを特徴とする導波路形光学
素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023607A JPS63192004A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 導波路形光学素子およびその製造方法 |
| US07/150,204 US4906063A (en) | 1987-02-05 | 1988-01-29 | Wave guide type optical device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023607A JPS63192004A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 導波路形光学素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192004A true JPS63192004A (ja) | 1988-08-09 |
Family
ID=12115298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023607A Pending JPS63192004A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 導波路形光学素子およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4906063A (ja) |
| JP (1) | JPS63192004A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306207A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Hitachi Ltd | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02188729A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-24 | Sharp Corp | 光学素子の回析格子製造方法 |
| GB9616839D0 (en) * | 1996-08-10 | 1996-09-25 | Northern Telecom Ltd | Optical waveguide bragg reflection gratings |
| JP3836950B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2006-10-25 | 富士通株式会社 | 音響光学デバイス |
| US5946128A (en) * | 1997-08-15 | 1999-08-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Grating assisted acousto-optic tunable filter and method |
| EP0969297A1 (en) * | 1998-06-04 | 2000-01-05 | PIRELLI CAVI E SISTEMI S.p.A. | Method of manufacturing indiffused optical waveguide structures in a substrate |
| CA2273646A1 (en) | 1998-06-04 | 1999-12-04 | Carlo Carmannini | Method of manufacturing indiffused optical waveguide structures in a substrate |
| US6282332B1 (en) | 1998-06-04 | 2001-08-28 | Pirelli Cavi E Sistemi S.P.A. | Waveguide structures in particular for use in acousto-optical mode converters and method for making same |
| TW200422682A (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-01 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Method for fabricating Bragg Grating optical elements and planar light circuits made thereof |
| US10884315B2 (en) * | 2018-03-20 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Integrated optical transmission element |
| US20240111092A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Intel Corporation | Pillar structures on an optical waveguide |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165122A (en) * | 1980-05-24 | 1981-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Direct current drift preventing method in optical modulator and optical deflecting device |
-
1987
- 1987-02-05 JP JP62023607A patent/JPS63192004A/ja active Pending
-
1988
- 1988-01-29 US US07/150,204 patent/US4906063A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306207A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Hitachi Ltd | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4906063A (en) | 1990-03-06 |
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