JPH02306207A - 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 - Google Patents
装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器Info
- Publication number
- JPH02306207A JPH02306207A JP12755989A JP12755989A JPH02306207A JP H02306207 A JPH02306207 A JP H02306207A JP 12755989 A JP12755989 A JP 12755989A JP 12755989 A JP12755989 A JP 12755989A JP H02306207 A JPH02306207 A JP H02306207A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、装荷型グレーティング、特に、薄膜型光ピッ
クアップなどの光集積回路を形成するのに用いられる装
荷型グレーティングに関するものである。
クアップなどの光集積回路を形成するのに用いられる装
荷型グレーティングに関するものである。
従来の装荷型グレーティングは、第５図に示すように、
例えば、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏａ結晶よりなる基板１の表
面に１例えば、Ｔｉを拡散して形成された先導波路２上
に、例えば、バッファ層３を介して形成した、例えば、
５ｉＯｚからなる装荷層４がらなっており、装荷層４の
外部は空気層（屈折率＝１．０）となっていた。
例えば、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏａ結晶よりなる基板１の表
面に１例えば、Ｔｉを拡散して形成された先導波路２上
に、例えば、バッファ層３を介して形成した、例えば、
５ｉＯｚからなる装荷層４がらなっており、装荷層４の
外部は空気層（屈折率＝１．０）となっていた。
なお、関連する技術は、例えば、裏 升吾他、光集積デ
ィスクピックアップ用集光グレーティング、電子通信学
会論文誌’８５／１０ ＶｏＱ。
ィスクピックアップ用集光グレーティング、電子通信学
会論文誌’８５／１０ ＶｏＱ。
Ｊ６８−ＣＮα１０ ８０３〜８１１ｐ、に開示されて
いる。
いる。
装荷型グレーティングの特性を決める１つの条件が装荷
層４とそれをとりまく層（クラッド層と称する）の屈折
率差であり、装荷型グレーティングが正常に機能するた
めには両者の屈折率が高い精度で常に一定である必要が
ある。しかしながらクラッド層が空気層である場合は、
湿度変化や大気中のほこり等により屈折率は一定でない
。そればかりでなく、従来の装荷型グレーティングは第
４図にＥで示す如き電界分布をもち、空気層への光のし
み出しが無視できないため、はこりが付着した場合は散
乱などにより素子が充分機能しないことが問題であった
。また装荷層としてＴ ｉ Ｏｚを用いる場合、水の吸
収による屈折率の変化を無視できないという問題があっ
た。
層４とそれをとりまく層（クラッド層と称する）の屈折
率差であり、装荷型グレーティングが正常に機能するた
めには両者の屈折率が高い精度で常に一定である必要が
ある。しかしながらクラッド層が空気層である場合は、
湿度変化や大気中のほこり等により屈折率は一定でない
。そればかりでなく、従来の装荷型グレーティングは第
４図にＥで示す如き電界分布をもち、空気層への光のし
み出しが無視できないため、はこりが付着した場合は散
乱などにより素子が充分機能しないことが問題であった
。また装荷層としてＴ ｉ Ｏｚを用いる場合、水の吸
収による屈折率の変化を無視できないという問題があっ
た。
本発明の主なる目的は、装荷層とクラッド層とよりなる
層（以下グレーテイング層と称する）の屈折率が一定で
、外部の影響に関係なく、安定した特性を持つ装荷型グ
レーティングを得ることにある。
層（以下グレーテイング層と称する）の屈折率が一定で
、外部の影響に関係なく、安定した特性を持つ装荷型グ
レーティングを得ることにある。
上述の課題を解決するためにとられた本発明の主なる構
成は、薄膜光導波路上に装荷層が形成される装荷型グレ
ーティングにおいて、前記薄膜光導波路が前記装荷層の
厚さより厚いクラッド層でおおわれ、該クラッド層の屈
折率ｎｃが、１ ＜ ｎ ｃ ＜ ｎ
・・・（１）ここで、 ａは装荷層により形成されるグレーティング格子の占め
る体積が、装荷層を含むクラッド層の厚さを高さとし薄
膜光導波路を底面とする体積に占め体積比 ｎｆは薄膜光導波路の屈折率 ｆｌｇは装荷層の屈折率 であることを特徴とするものである。
成は、薄膜光導波路上に装荷層が形成される装荷型グレ
ーティングにおいて、前記薄膜光導波路が前記装荷層の
厚さより厚いクラッド層でおおわれ、該クラッド層の屈
折率ｎｃが、１ ＜ ｎ ｃ ＜ ｎ
・・・（１）ここで、 ａは装荷層により形成されるグレーティング格子の占め
る体積が、装荷層を含むクラッド層の厚さを高さとし薄
膜光導波路を底面とする体積に占め体積比 ｎｆは薄膜光導波路の屈折率 ｆｌｇは装荷層の屈折率 であることを特徴とするものである。
本発明の装荷型グレーティングは、屈折率が（１）式の
ｎＣ未満の物質をクラッド層として装荷層よりも厚く形
成しであるので、クラッド層の屈折率は常に一定となる
。
ｎＣ未満の物質をクラッド層として装荷層よりも厚く形
成しであるので、クラッド層の屈折率は常に一定となる
。
（１）式は、グレーテイング層の屈折率、すなわち装荷
層（屈折率ｒ＋＋ｔ）とクラッド層（屈折率ｎ。）の平
均屈折率（ｎ−ｃ）が導波路の屈折率ｎｇよりも小さく
なるという条件を満たす。導波路中の光線は通常上下の
境界面でθｔｃｔ θｓくθく９０゜の全反射条件（θ
ｇｃ ＝ ５ｉｎ−” （ｎ ＪＴＣ／ ｎ□）、（θ
３＝ｓｉｎ−１（ｎ ｓ／ ｎ １））を満たす角度θ
で全反射をくり返しながらジグザグに伝搬していくが、
もしグレーテイング層の屈折率ｎ＆ｃが導波路の屈折率
ｎ□よりも大きくなるとグレーテイング層側へ光が漏れ
ていく。そのためクラッド層の屈折率はｎｃよりも小さ
い必要がある。
層（屈折率ｒ＋＋ｔ）とクラッド層（屈折率ｎ。）の平
均屈折率（ｎ−ｃ）が導波路の屈折率ｎｇよりも小さく
なるという条件を満たす。導波路中の光線は通常上下の
境界面でθｔｃｔ θｓくθく９０゜の全反射条件（θ
ｇｃ ＝ ５ｉｎ−” （ｎ ＪＴＣ／ ｎ□）、（θ
３＝ｓｉｎ−１（ｎ ｓ／ ｎ １））を満たす角度θ
で全反射をくり返しながらジグザグに伝搬していくが、
もしグレーテイング層の屈折率ｎ＆ｃが導波路の屈折率
ｎ□よりも大きくなるとグレーテイング層側へ光が漏れ
ていく。そのためクラッド層の屈折率はｎｃよりも小さ
い必要がある。
また、例えば、Ｔｉ０ｚからなる装荷層はクラッド層の
形成により直接空気にふれないため水分の吸収による屈
折率変化を防ぐことができる。さらに、クラッド層を厚
くすることにより、後述の如く、伝搬する光の電界は第
３図のＥに示すようにクラッド層の外へはほとんどしみ
出さないためほこり等が付着しても散乱はおこらない。
形成により直接空気にふれないため水分の吸収による屈
折率変化を防ぐことができる。さらに、クラッド層を厚
くすることにより、後述の如く、伝搬する光の電界は第
３図のＥに示すようにクラッド層の外へはほとんどしみ
出さないためほこり等が付着しても散乱はおこらない。
つまり適当な屈折率と厚さをもつクラッド層の形成によ
り、グレーテイング層の屈折率は常に一定となり、また
、外部の影響に関係なく安定した特性を有する装荷型グ
レーティングを得ることができる。
り、グレーテイング層の屈折率は常に一定となり、また
、外部の影響に関係なく安定した特性を有する装荷型グ
レーティングを得ることができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例である集光グレ−テイン
グカッフラ６の斜視図で、第２図は、その集光グレーテ
ィングの断面図であり、これらの図で、１，２，３．４
は、それぞれ、基板、先導波路、バッファ層、装荷層を
示し、５はクラッド層を示している。基板１にはＬｉＮ
ｂＯ３結晶を用い、先導波路２は基板１上にスパッタリ
ングにより２４ｎｍ堆積したＴｉを熱拡散することによ
り作製する。Ｔｉのスパッタリングは高周波パワー３０
０Ｗ、アルゴンガス圧０．３５Ｐａ 、スパッタ速度
Ｑ 、４ ｎｍ／ｓｅｅの条件で行った。熱拡散は。
グカッフラ６の斜視図で、第２図は、その集光グレーテ
ィングの断面図であり、これらの図で、１，２，３．４
は、それぞれ、基板、先導波路、バッファ層、装荷層を
示し、５はクラッド層を示している。基板１にはＬｉＮ
ｂＯ３結晶を用い、先導波路２は基板１上にスパッタリ
ングにより２４ｎｍ堆積したＴｉを熱拡散することによ
り作製する。Ｔｉのスパッタリングは高周波パワー３０
０Ｗ、アルゴンガス圧０．３５Ｐａ 、スパッタ速度
Ｑ 、４ ｎｍ／ｓｅｅの条件で行った。熱拡散は。
電気炉を用いて、１０００℃に加熱しアルゴンガス雰囲
気中で２時間、続いて酸素ガスを０．５時間流して行っ
た。ここで光導波路２の表面屈折率はｎ ｔ ＝ ２
、２２となり等側屈折率Ｎ＝２．２０９のＴＥ単一モー
ド導波路であった。先導波路２上に形成するバッファ層
３はコーニング社製＃ ７０５９ガラスをスパッタリン
グにより０．０１μｍ形成した。
気中で２時間、続いて酸素ガスを０．５時間流して行っ
た。ここで光導波路２の表面屈折率はｎ ｔ ＝ ２
、２２となり等側屈折率Ｎ＝２．２０９のＴＥ単一モー
ド導波路であった。先導波路２上に形成するバッファ層
３はコーニング社製＃ ７０５９ガラスをスパッタリン
グにより０．０１μｍ形成した。
スパッタ条件は高周波パワー１００Ｗ、アルゴンガス圧
０．３５Ｐａ、スパッタ速度０．２ｎｍ／ｓｅｅである
。バッファＷＩＩ３上に形成する装荷層４は厚さ０．１
μｍのＴｉＯ２をスパッタリングで作製した。スパッタ
条件は、Ｔ ｉ Ｏ２ターゲツトを用いてスパッタガス
としてアルゴンと酸素を用い、５ｚ／Ａｒ分圧比０．７
．スパッタガス圧力０．４２Ｐａ 、高周波パワー５
００Ｗ、スパッタ速度０ 、１ ｎ ｍ／ｓｅｅである
。次に装荷層４及びバッファ層３を所定のグレーティン
グ形状に加工するために、電子線レジストであるクロル
メチル化ポリスチレン（ＣＭＳ−ＥＸＲ；東洋ソーダ製
）を回転塗布し、電子ビームにより所定のパターンを露
光、現像してレジスト製のマスクを装荷層４の上に作製
した。その後ＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエツチン
グにより装荷層４及びバッファＦｆＪ３にレジストパタ
ーンを微細加工した。レジストを除去し最後にクラッド
層５としてスパッタリングによりＳｉＯ２を１μｍ成膜
した。スパッタ条件はアルコンガス圧力０．３５Ｐａ
、高周波パワー５００Ｗ、スパッタ速度４０ ｎ ｍ
／ｓｅｃである。
０．３５Ｐａ、スパッタ速度０．２ｎｍ／ｓｅｅである
。バッファＷＩＩ３上に形成する装荷層４は厚さ０．１
μｍのＴｉＯ２をスパッタリングで作製した。スパッタ
条件は、Ｔ ｉ Ｏ２ターゲツトを用いてスパッタガス
としてアルゴンと酸素を用い、５ｚ／Ａｒ分圧比０．７
．スパッタガス圧力０．４２Ｐａ 、高周波パワー５
００Ｗ、スパッタ速度０ 、１ ｎ ｍ／ｓｅｅである
。次に装荷層４及びバッファ層３を所定のグレーティン
グ形状に加工するために、電子線レジストであるクロル
メチル化ポリスチレン（ＣＭＳ−ＥＸＲ；東洋ソーダ製
）を回転塗布し、電子ビームにより所定のパターンを露
光、現像してレジスト製のマスクを装荷層４の上に作製
した。その後ＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエツチン
グにより装荷層４及びバッファＦｆＪ３にレジストパタ
ーンを微細加工した。レジストを除去し最後にクラッド
層５としてスパッタリングによりＳｉＯ２を１μｍ成膜
した。スパッタ条件はアルコンガス圧力０．３５Ｐａ
、高周波パワー５００Ｗ、スパッタ速度４０ ｎ ｍ
／ｓｅｃである。
このとき集光グレーテイングカッフラと外部の空気層と
の境界での電界振幅は導波路内における電界振幅の最大
値を１とするとほとんどゼロとなった。
の境界での電界振幅は導波路内における電界振幅の最大
値を１とするとほとんどゼロとなった。
このようにして製作された集光グレーティングカップラ
での、入射光に対する出射光のパワーの比を測定したと
ころ６０％であった。
での、入射光に対する出射光のパワーの比を測定したと
ころ６０％であった。
なお、グレーティングの形成については前述の第１実施
例と同様におこないクラッド層を形成しなかった第５図
の場合は空気層での電界振幅は導波路内での最大値１に
対し０．１５程度であった。
例と同様におこないクラッド層を形成しなかった第５図
の場合は空気層での電界振幅は導波路内での最大値１に
対し０．１５程度であった。
また集光グレーティングカップラにおける入射光に対す
る出射光のパワーの比は４０％と第１実施例に比べ低い
値であった。
る出射光のパワーの比は４０％と第１実施例に比べ低い
値であった。
第６図は本発明の第２実施例で、光学素子として形成し
た導波路形光偏向器１１を示したものである。この図で
、ｌ、２，３，４，５．６はそれぞれ、基板、先導波路
、バッファ層、装荷層、クラッド層を示し、６は集光グ
レーティングカップラ、７は入力グレーティングカップ
ラ、８は入射光、９は出射光（回折光）、１ｏはトラン
スデユーサを示している。
た導波路形光偏向器１１を示したものである。この図で
、ｌ、２，３，４，５．６はそれぞれ、基板、先導波路
、バッファ層、装荷層、クラッド層を示し、６は集光グ
レーティングカップラ、７は入力グレーティングカップ
ラ、８は入射光、９は出射光（回折光）、１ｏはトラン
スデユーサを示している。
この実施例も第１実施例の場合と同様に、基板１として
ＬｉＮｂＯ３結晶を用い、Ｔｉの熱拡散によって先導波
路２を形成し、スパッタリング法によりガラス製のバッ
ファ層３及びＴ ｉ Ｏｚ製の装荷層４を形成した。つ
ぎに、これらの装荷層４およびバッファ層３を加工し、
入力グレーテイングカツプラ７．集光グレーティングカ
ップラ６とするために、レジスト塗布、露光、現像、イ
オンエツチングを第１実施例の場合と同様の方法で行っ
たのちＳｉＯ２よりなるクラッド層５を１μｍ形成した
。ここで入力グレーティングカップラ７は入射光８を先
導波路２へ導波させるものであり、格子間隔３μｍ、格
子寸法３Ｘ３＋ｍ＋である。一方。
ＬｉＮｂＯ３結晶を用い、Ｔｉの熱拡散によって先導波
路２を形成し、スパッタリング法によりガラス製のバッ
ファ層３及びＴ ｉ Ｏｚ製の装荷層４を形成した。つ
ぎに、これらの装荷層４およびバッファ層３を加工し、
入力グレーテイングカツプラ７．集光グレーティングカ
ップラ６とするために、レジスト塗布、露光、現像、イ
オンエツチングを第１実施例の場合と同様の方法で行っ
たのちＳｉＯ２よりなるクラッド層５を１μｍ形成した
。ここで入力グレーティングカップラ７は入射光８を先
導波路２へ導波させるものであり、格子間隔３μｍ、格
子寸法３Ｘ３＋ｍ＋である。一方。
集光グレーティングカップラ６は、光導波路２を伝搬す
る導波光を外部へ放射させ、かつ一点に集光させる機能
を有するものであり、中心部分の格子間隔３μｍの不等
間隔曲線群で構成され、開口２Ｘ２＋１１１１１焦点距
離５０ｍｍである１次に光導波路２表面に表面弾性波（
Ｓ Ａ Ｗ ： ５ｕｒｆａｃｅ ＡｃｏｕｓｔｉｃＷ
ａｖｅ）を励振するトランスデユーサ（ＴＤＴ：Ｉｎｔ
ｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ） １０
を形成する。形成方法は、リフトオフ法を用いてΔα製
パターンを真空蒸着法により形成した。トランスデユー
サ１０の仕様は中心波長１４μｍ、中心周波数２５０Ｍ
Ｉ−１ｚ、対数２である。
る導波光を外部へ放射させ、かつ一点に集光させる機能
を有するものであり、中心部分の格子間隔３μｍの不等
間隔曲線群で構成され、開口２Ｘ２＋１１１１１焦点距
離５０ｍｍである１次に光導波路２表面に表面弾性波（
Ｓ Ａ Ｗ ： ５ｕｒｆａｃｅ ＡｃｏｕｓｔｉｃＷ
ａｖｅ）を励振するトランスデユーサ（ＴＤＴ：Ｉｎｔ
ｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ） １０
を形成する。形成方法は、リフトオフ法を用いてΔα製
パターンを真空蒸着法により形成した。トランスデユー
サ１０の仕様は中心波長１４μｍ、中心周波数２５０Ｍ
Ｉ−１ｚ、対数２である。
このようにして構成された導波路形光偏向器１１の特性
を確認するため、Ｈａ −Ｎ ｅレーザ光を人力グレー
ティングカップラ７に入射させ集光グレーティングカッ
プラ６で出射させた結果、集光スポット径は回折限界値
１４μｍに対して２０μｍ、全効率４０％と良好な結果
を得た。また、高周波電力をトランスデユーサ１０に供
給し、発生したＳＡＷによる光偏向実験を行った結果、
導波光はＳＡＷによりブラッグ回折し、所定の偏向角で
ある±１０ｍｒａｄにて出射光（回折光）９が得られた
。この場合、偏向効率は８０％であり、スポット怪につ
いても顕著な劣化がないことを確認した。
を確認するため、Ｈａ −Ｎ ｅレーザ光を人力グレー
ティングカップラ７に入射させ集光グレーティングカッ
プラ６で出射させた結果、集光スポット径は回折限界値
１４μｍに対して２０μｍ、全効率４０％と良好な結果
を得た。また、高周波電力をトランスデユーサ１０に供
給し、発生したＳＡＷによる光偏向実験を行った結果、
導波光はＳＡＷによりブラッグ回折し、所定の偏向角で
ある±１０ｍｒａｄにて出射光（回折光）９が得られた
。この場合、偏向効率は８０％であり、スポット怪につ
いても顕著な劣化がないことを確認した。
本発明によれば、屈折率が常に一定であり、はこりや水
のような外部の影響をうけないためグレーティングの特
性が全く変化しないという効果がある装荷型グレーティ
ングを提供可能とするもので、産業上の効果の大なるも
のである。
のような外部の影響をうけないためグレーティングの特
性が全く変化しないという効果がある装荷型グレーティ
ングを提供可能とするもので、産業上の効果の大なるも
のである。
第１図は本発明の装荷型グレーティングの一実施例の集
光グレーティングカップラの斜視図、第２図は第１図の
断面図、第３図は第１図の集光グレーティングカップラ
の中を伝搬する光の電界分布の説明図、第４図は同じく
他の実施例の導波路形光偏向器の斜視図、第５図は従来
の集光グレーティングカップラの斜視図、第６図は第５
ｒＭの集光グレーティングカップラの中を伝搬する光の
電界分布の説明図である。 １・・・基板、２・・・光導波層、３・・・バッファ層
、４・・・装荷層、５・・・クラッド層、６・・・集光
グレーティングカップラ、７・・・入力グレーティング
カップラ、８・・入射光、９・・・出射光、１０・・・
トランスデユー第１図 第２図 ζ １・・・基板 ４・・・装荷層２・・・光導波
路 ５・・・クラッド層３・・・バッファ層 ６
・・・集光グレーティングヵソフラ第３図 第４図 ６・・・集光グレーティ／グカノプラ ７・・・入力グレーティングカップラ １１・・・導波路形光偏向器
光グレーティングカップラの斜視図、第２図は第１図の
断面図、第３図は第１図の集光グレーティングカップラ
の中を伝搬する光の電界分布の説明図、第４図は同じく
他の実施例の導波路形光偏向器の斜視図、第５図は従来
の集光グレーティングカップラの斜視図、第６図は第５
ｒＭの集光グレーティングカップラの中を伝搬する光の
電界分布の説明図である。 １・・・基板、２・・・光導波層、３・・・バッファ層
、４・・・装荷層、５・・・クラッド層、６・・・集光
グレーティングカップラ、７・・・入力グレーティング
カップラ、８・・入射光、９・・・出射光、１０・・・
トランスデユー第１図 第２図 ζ １・・・基板 ４・・・装荷層２・・・光導波
路 ５・・・クラッド層３・・・バッファ層 ６
・・・集光グレーティングヵソフラ第３図 第４図 ６・・・集光グレーティ／グカノプラ ７・・・入力グレーティングカップラ １１・・・導波路形光偏向器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、薄膜光導波路上に装荷層が形成される装荷型グレー
テイングにおいて、前記薄膜光導波路が前記装荷層の厚
さより厚いクラッド層でおおわれ、該クラッド層の屈折
率ｎ＿ｃが、 １＜ｎ＿ｃ＜ｎ ここで、 ｎ＝〔（ｎ＿ｆ＾２−ａｎ＿ｇ＾２）／１−ａ〕＾１＾
／＾２ａは装荷層により形成されるグレーテイン グ格子の占める体積が、装荷層を含むクラッド層の厚さ
を高さとし薄膜光導波路を底面とする体積に占める体積
比 ｎ＿ｆは薄膜光導波路の屈折率 ｎ＿ｇは装荷層の屈折率 であることを特徴とする装荷型グレーテイング。 ２、Ｔｉを拡散したＬｉＮｂＯ＿３よりなる薄膜光導波
路上に、ガラスよりなるバッファ層を介してＴｉＯ＿２
よりなる装荷層が形成され、ＳｉＯ＿２よりなるクラッ
ド層が前記装荷層の厚さより厚く被着してなることを特
徴とする装荷型グレーテイング。 ３、請求項１又は２の装荷型グレーテイングよりなるこ
とを特徴とする集光グレーテイングカツプラ。 ４、請求項１又は２の装荷型グレーテイングが入力グレ
ーテイングカツプラ及び集光グレーテイングカツプラと
して光導波路の両端部に設けられていることを特徴とす
る導波路形光偏向器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127559A JP2605139B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127559A JP2605139B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306207A true JPH02306207A (ja) | 1990-12-19 |
| JP2605139B2 JP2605139B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=14963018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127559A Expired - Lifetime JP2605139B2 (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 装荷型グレーテイング，集光グレーテイングカツプラ，導波路形光偏向器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605139B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192004A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-09 | Hitachi Ltd | 導波路形光学素子およびその製造方法 |
| JPS63279204A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP1127559A patent/JP2605139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63192004A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-09 | Hitachi Ltd | 導波路形光学素子およびその製造方法 |
| JPS63279204A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605139B2 (ja) | 1997-04-30 |
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