JPS6319320Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6319320Y2 JPS6319320Y2 JP1982134455U JP13445582U JPS6319320Y2 JP S6319320 Y2 JPS6319320 Y2 JP S6319320Y2 JP 1982134455 U JP1982134455 U JP 1982134455U JP 13445582 U JP13445582 U JP 13445582U JP S6319320 Y2 JPS6319320 Y2 JP S6319320Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- evaporated
- substance
- evaporation
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、蒸発物質を所定の温度に加熱、蒸発
させて基体上に蒸着するのに用いる蒸発源に関す
るものである。
させて基体上に蒸着するのに用いる蒸発源に関す
るものである。
従来から薄膜の製造技術として、塗布等に比べ
て膜性能の向上、工程の簡易化等の利点を有する
真空蒸着やイオンプレーテイングが知られてい
る。これらの技術は塗布等の技術では製膜し得な
い薄膜も形成できる利点がある。
て膜性能の向上、工程の簡易化等の利点を有する
真空蒸着やイオンプレーテイングが知られてい
る。これらの技術は塗布等の技術では製膜し得な
い薄膜も形成できる利点がある。
真空蒸着とは、ガラス等のベルジヤーの中に被
蒸着物と蒸発物質を置き、10-5Torr以下の真空
の中で蒸発物質を加熱し、溶融させ、蒸発物質を
蒸発させることにより、被蒸発物質の表面に付着
させる技術をいう。ここで蒸発したガスの濃度は
蒸発温度に左右され、蒸発率を安定させ若しくは
所望の濃度プロフアイルを得るには、蒸発物質の
蒸発温度を一定とする必要がある。特に、セレン
ーテルル（Se−Te）のような合金蒸着をすると
きに、蒸発物質の蒸発温度に差があると、蒸発し
たガスの成分が変化し、蒸着したときテルルの含
有量が一定とならず、所望の感度の感光体が得ら
れないといつたような障害が発生する。
蒸着物と蒸発物質を置き、10-5Torr以下の真空
の中で蒸発物質を加熱し、溶融させ、蒸発物質を
蒸発させることにより、被蒸発物質の表面に付着
させる技術をいう。ここで蒸発したガスの濃度は
蒸発温度に左右され、蒸発率を安定させ若しくは
所望の濃度プロフアイルを得るには、蒸発物質の
蒸発温度を一定とする必要がある。特に、セレン
ーテルル（Se−Te）のような合金蒸着をすると
きに、蒸発物質の蒸発温度に差があると、蒸発し
たガスの成分が変化し、蒸着したときテルルの含
有量が一定とならず、所望の感度の感光体が得ら
れないといつたような障害が発生する。
所定の膜厚、所定の感度の感光体を得るには、
蒸発率を安定させ、ガス濃度を一定とするため、
蒸発物質の蒸発温度を一定にする必要がある。
蒸発率を安定させ、ガス濃度を一定とするため、
蒸発物質の蒸発温度を一定にする必要がある。
従来は、蒸発物質を収容した蒸発源内の１箇所
で測温し、この温度により蒸発物質全体に加える
温度を調節していた。又、蒸発物質内の複数の箇
所で測温した場合であつても、実際には１箇所で
測定した温度により蒸発物質全体に加える温度を
調節し、他の箇所の測温した温度は参考にする程
度であつた。
で測温し、この温度により蒸発物質全体に加える
温度を調節していた。又、蒸発物質内の複数の箇
所で測温した場合であつても、実際には１箇所で
測定した温度により蒸発物質全体に加える温度を
調節し、他の箇所の測温した温度は参考にする程
度であつた。
しかし、蒸発物質を収容する容器は、長いもの
で３ｍ以上のものがある。それに従い蒸発物質を
加熱するための加熱源も３ｍ以上のものが必要と
なる。３ｍ以上もの長さのある加熱源の個々の場
所から発生する熱量は、全部が一定であることは
なく、個々の場所により異なるのが普通である。
実際に測温したところ、第１図に示すような温度
差が生じていることが明らかとなつた。
で３ｍ以上のものがある。それに従い蒸発物質を
加熱するための加熱源も３ｍ以上のものが必要と
なる。３ｍ以上もの長さのある加熱源の個々の場
所から発生する熱量は、全部が一定であることは
なく、個々の場所により異なるのが普通である。
実際に測温したところ、第１図に示すような温度
差が生じていることが明らかとなつた。
個々の場所ごとに温度が異なるのに、測温点を
一箇所とし、これにより測温した温度を基準とし
て、蒸発物質全体に加える熱量を制御すること自
体無理がある。例えば測温装置に誤差があつた場
合、あるいは測温点が他の場所と比較し温度が著
しく異なる場所に設けられた場合等は、この測温
した温度により蒸発物質全体に加わる熱量が制御
されることになり、予定された蒸発率、ガス濃度
は達成できず、所望の膜厚あるいは膜性能が得る
ことができない結果となる。
一箇所とし、これにより測温した温度を基準とし
て、蒸発物質全体に加える熱量を制御すること自
体無理がある。例えば測温装置に誤差があつた場
合、あるいは測温点が他の場所と比較し温度が著
しく異なる場所に設けられた場合等は、この測温
した温度により蒸発物質全体に加わる熱量が制御
されることになり、予定された蒸発率、ガス濃度
は達成できず、所望の膜厚あるいは膜性能が得る
ことができない結果となる。
本考案は上記の如き問題点を解消すべくなされ
たものであつて、容器内に収容した蒸発物質を加
熱、蒸発せしめて基体上に蒸着させるように構成
された蒸発源において、前記容器が長く形成さ
れ、この長さに亘つて前記蒸発物質の加熱源が配
されていると共に、前記容器の長さ方向に沿つて
複数の測温素子が所定間隔を置いて設けられ、か
つ前記複数の測温素子と前記加熱源との間に、前
記複数の測温素子により測定された温度情報を演
算してその平均値を出す演算部と、この平均値に
基いて前記加熱源の発熱量を制御する制御部とが
設けられていることを特徴とする蒸発源に係るも
のである。
たものであつて、容器内に収容した蒸発物質を加
熱、蒸発せしめて基体上に蒸着させるように構成
された蒸発源において、前記容器が長く形成さ
れ、この長さに亘つて前記蒸発物質の加熱源が配
されていると共に、前記容器の長さ方向に沿つて
複数の測温素子が所定間隔を置いて設けられ、か
つ前記複数の測温素子と前記加熱源との間に、前
記複数の測温素子により測定された温度情報を演
算してその平均値を出す演算部と、この平均値に
基いて前記加熱源の発熱量を制御する制御部とが
設けられていることを特徴とする蒸発源に係るも
のである。
以下、本考案の実施例を図面により詳細に説明
する。
する。
第２図は、真空蒸着装置を概略的に示すもので
あつて、排気管１を介して10-5〜10-7Torrの真
空圧に引かれたベルジヤー２内には、下方に蒸発
源３が、上方に回転可能な複数個の基体（ドラ
ム）４が列をなして夫々配されている。基体４は
内部からヒーター５によつて所定温度に加熱され
る。蒸発源３の内部には第３図に示すように蒸着
物質６と、これを加熱するためのヒーター７を具
備し、蒸着物質６の温度を測定するための熱電対
８が複数配されている。
あつて、排気管１を介して10-5〜10-7Torrの真
空圧に引かれたベルジヤー２内には、下方に蒸発
源３が、上方に回転可能な複数個の基体（ドラ
ム）４が列をなして夫々配されている。基体４は
内部からヒーター５によつて所定温度に加熱され
る。蒸発源３の内部には第３図に示すように蒸着
物質６と、これを加熱するためのヒーター７を具
備し、蒸着物質６の温度を測定するための熱電対
８が複数配されている。
以上のように構成された真空蒸着装置におい
て、蒸発物質６として揮発度の異なる２種以上の
混合物（例えばSe−Te）を用い、これがヒータ
ー７により加熱される。蒸発物質６の各場所にお
ける温度は、蒸発物質６内に設けられた複数の熱
電対８により電気信号に変換され、第４図の如く
演算部９に入力される。入力された電気信号は、
演算部９で平均値が出され、この値が所望の温度
に相当する値よりも高ければ、制御部１０により
ヒーター７に加わる電圧を低くし、蒸発物質に加
えられる熱量を制限する。又、この反対に、演算
部９により出された平均値が、所望の温度に相当
する値よりも低ければ、制御部によりヒーター７
に加わる電圧を高くし、蒸発物質に加わる熱量を
多くする。なお、演算部９においては、電気信号
値の合計を出し、この合計値が、所望の温度に相
当する電気信号値×熱電対の数の値とを比較する
ことによつても、前記した制御が可能であると考
えられる。
て、蒸発物質６として揮発度の異なる２種以上の
混合物（例えばSe−Te）を用い、これがヒータ
ー７により加熱される。蒸発物質６の各場所にお
ける温度は、蒸発物質６内に設けられた複数の熱
電対８により電気信号に変換され、第４図の如く
演算部９に入力される。入力された電気信号は、
演算部９で平均値が出され、この値が所望の温度
に相当する値よりも高ければ、制御部１０により
ヒーター７に加わる電圧を低くし、蒸発物質に加
えられる熱量を制限する。又、この反対に、演算
部９により出された平均値が、所望の温度に相当
する値よりも低ければ、制御部によりヒーター７
に加わる電圧を高くし、蒸発物質に加わる熱量を
多くする。なお、演算部９においては、電気信号
値の合計を出し、この合計値が、所望の温度に相
当する電気信号値×熱電対の数の値とを比較する
ことによつても、前記した制御が可能であると考
えられる。
なお、測温点を設ける位置は、第３図に示すよ
うに、個々の基体４のほぼ中央に相当する場所に
設置した方が、蒸発物質全体の温度を調節するた
めにより有効である。また、各測温点間の間隔は
基体４間の間隔と同様若しくはそれ以下であるの
がよく、20〜100cm当りに少くとも１つの測温点
を設けるのがよい。複数の測温点を設けても、設
置場所を局在化したのでは、蒸発物質全体の温度
を測温するためとしては、適切ではなく、上記の
ように場所的にみて均一に配するのがよい。
うに、個々の基体４のほぼ中央に相当する場所に
設置した方が、蒸発物質全体の温度を調節するた
めにより有効である。また、各測温点間の間隔は
基体４間の間隔と同様若しくはそれ以下であるの
がよく、20〜100cm当りに少くとも１つの測温点
を設けるのがよい。複数の測温点を設けても、設
置場所を局在化したのでは、蒸発物質全体の温度
を測温するためとしては、適切ではなく、上記の
ように場所的にみて均一に配するのがよい。
以上、本考案を例示したが、上述の例は本考案
の技術的思想に基いて更に変形が可能である。
の技術的思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、上述したヒーターとして抵抗加熱方式
以外のものを使用してもよい。又、蒸発物質は上
述したSe−Te系以外の他の合金、或いはSi等の
単一成分系でもよい。
以外のものを使用してもよい。又、蒸発物質は上
述したSe−Te系以外の他の合金、或いはSi等の
単一成分系でもよい。
本考案は上述した如く、容器の長さ方向に複数
の測温素子を設け、これらの測温素子の測定温度
の平均値により加熱源の発熱量（即ち、蒸発物質
に加える熱量）を制御しているので、蒸発物質が
所望の温度よりも異常に高くなることは少なく、
このため蒸発物質の突沸が防止でき、蒸着膜に異
物が混入するのを防ぐことができる。このことは
特に、容器が長く形成され、この長さ方向に亘つ
て加熱源が配されているために極めて有効であ
る。即ち、加熱源が長いために個々の場所で互い
に温度が異なり易いが、これを一箇所のみでの測
定温度に基づいて制御すると設定温度が所望の温
度から大きくばらつくのに対して、本考案のよう
に複数の測温素子を容器の長さ方向に設けてその
測定温度の平均値で温度制御すると、設定温度は
平均的となつて各場所にとつて所望の温度とのば
らつきが大幅に少なくなるのである。
の測温素子を設け、これらの測温素子の測定温度
の平均値により加熱源の発熱量（即ち、蒸発物質
に加える熱量）を制御しているので、蒸発物質が
所望の温度よりも異常に高くなることは少なく、
このため蒸発物質の突沸が防止でき、蒸着膜に異
物が混入するのを防ぐことができる。このことは
特に、容器が長く形成され、この長さ方向に亘つ
て加熱源が配されているために極めて有効であ
る。即ち、加熱源が長いために個々の場所で互い
に温度が異なり易いが、これを一箇所のみでの測
定温度に基づいて制御すると設定温度が所望の温
度から大きくばらつくのに対して、本考案のよう
に複数の測温素子を容器の長さ方向に設けてその
測定温度の平均値で温度制御すると、設定温度は
平均的となつて各場所にとつて所望の温度とのば
らつきが大幅に少なくなるのである。
また、そうした制御は、複数の測温素子と加熱
源との間に測定温度情報の演算部とその平均値に
基いて加熱源を制御する制御部とを設けたため
に、十二分にかつ正確に行うことができるのであ
る。
源との間に測定温度情報の演算部とその平均値に
基いて加熱源を制御する制御部とを設けたため
に、十二分にかつ正確に行うことができるのであ
る。
第１図は従来例において蒸発物質内の温度が測
温点により異なることを明らかにした図、第２図
は本考案の実施例による真空蒸着装置の概略断面
図、第３図は本例による蒸発源及び基体の配置を
示した図、第４図は本例の蒸発源温度をコントロ
ールする電気ブロツク図である。 なお、図面に用いられている符号において、２
……ベルジヤー、３……蒸発源、４……基体、６
……蒸発物質、７……ヒーター、８……熱電対、
９……演算部、１０……制御部、である。
温点により異なることを明らかにした図、第２図
は本考案の実施例による真空蒸着装置の概略断面
図、第３図は本例による蒸発源及び基体の配置を
示した図、第４図は本例の蒸発源温度をコントロ
ールする電気ブロツク図である。 なお、図面に用いられている符号において、２
……ベルジヤー、３……蒸発源、４……基体、６
……蒸発物質、７……ヒーター、８……熱電対、
９……演算部、１０……制御部、である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 容器内に収容した蒸発物質を加熱、蒸発せし
めて基体上に蒸着させるように構成された蒸発
源において、前記容器が長く形成され、この長
さに亘つて前記蒸発物質の加熱源が配されてい
ると共に、前記容器の長さ方向に沿つて複数の
測温素子が所定間隔を置いて設けられ、かつ前
記複数の測温素子と前記加熱源との間に、前記
複数の測温素子により測定された温度情報を演
算してその平均値を出す演算部と、この平均値
に基いて前記加熱源の発熱量を制御する制御部
とが設けられていることを特徴とする蒸発源。 ２ 一列状に配された複数の被蒸着基体の各ほぼ
中央に対応する位置に、測温素子が夫々設けら
れている、実用新案登録請求の範囲の第１項に
記載した蒸発源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13445582U JPS5940356U (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13445582U JPS5940356U (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940356U JPS5940356U (ja) | 1984-03-15 |
| JPS6319320Y2 true JPS6319320Y2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=30302953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13445582U Granted JPS5940356U (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940356U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55164365U (ja) * | 1979-05-15 | 1980-11-26 | ||
| JPS56138877U (ja) * | 1980-03-19 | 1981-10-20 |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP13445582U patent/JPS5940356U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5940356U (ja) | 1984-03-15 |
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