JPS63198351A - 半導体ウエハ貼付け方法 - Google Patents

半導体ウエハ貼付け方法

Info

Publication number
JPS63198351A
JPS63198351A JP62032020A JP3202087A JPS63198351A JP S63198351 A JPS63198351 A JP S63198351A JP 62032020 A JP62032020 A JP 62032020A JP 3202087 A JP3202087 A JP 3202087A JP S63198351 A JPS63198351 A JP S63198351A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
substrate
wax
bonding
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62032020A
Other languages
English (en)
Inventor
Manabu Watase
渡瀬　学
Kazuaki Segawa
和明 瀬川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62032020A priority Critical patent/JPS63198351A/ja
Publication of JPS63198351A publication Critical patent/JPS63198351A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ワックスを用いて半導体ウェハを他の基板
に貼り付ける半導体ウェハ貼付は方法に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
半導体ウェハをワックスを介し、他の基板に所定荷重で
圧着する半導体ウェハ貼付は方法においては、半導体ウ
ェハと基板との貼付は精度を高めること、およびワック
ス中の気泡を除去することがウェハプロセス上の歩留り
を向上するうえて重要となる。
第２図は従来のこの種の半導体ウェハ貼付は方法の一例
を示す概略構成図である。
第２図において、１は半導体ウェハ、２はこの半導体ウ
ェハ１が貼り付けられる基板、３は前記半導体基板１を
基板２を貼り付けるために塗布されたワックス、４は前
記半導体ウェハ１を所定荷重で圧接できるウェハ貼付は
装置の加圧部を示す。
この装置の場合、半導体ウェハ１の表面の凹凸の影響を
受け、ワックス３の表面に凹凸が存在すると一般的には
圧着後ワックス３面と基板２との間に部分的に気泡が存
在する乙とになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このため、この装置においては、気泡が存在する部分お
よびその周縁部において、半導体ウェハ１と基板２との
接着性が極端に低下する。そのため、この被処理体にお
いては、例えば半導体ウェハ１部分を薄膜化した後、こ
の被処理体全体に対し加熱およ′び除熱の繰り返しや真
空排気等の処理を加えろと基板２と接着していない半導
体ウエハ１部分が剥離してしまい、ウェハプロセスでの
素子の収率を低下させる大きな原因となっていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体ウェハと基板との気泡を低減させ、
接着強度の向上を図った半導体ウェハ貼付は方法を（す
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体ウェハ貼付は方法は、基板に半導
体ウェハをワックスを介して圧着する工程を真空中で行
うようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、基板に半導体ウェハをワックスを
用いて貼り付ける場合、真空中で圧着するようにしたこ
とから、半導体ウェハと基板との間に介在するワックス
中の気泡が除去できろ。
〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例を示す半導体ウェハ貼付は
方法の概略構成を示す断面図である。
この図において、５は真空容器で、半導体ウェハ１の基
板２への圧着時には、この真空容器５の内部を真空に排
気して圧着を行う。その他の符号は第２図と同じものを
示す。
このような方法をとることによって、ワックス３中の気
泡が除去でき、半導体ウェハ１を薄膜化しても半導体ウ
ェハ１と基板３との接着力が高まり、部分剥離等の問題
が解決できるとともに、素子の収率の向上が図られる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、ワックスを介して半導
体ウェハを基板に圧着する圧着工程を真空中で行うよう
にしたので、半導体ウェハ貼付は時、ワックス中の気泡
が除去でき、したがって、半導体ウェハと基板との接着
力が増大する乙とから貼付は精度が向上し、半導体ウェ
ハを薄膜化しても部分剥離等の問題が発生せず、素子収
率の向上が図られる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体ウェハ貼付は方法の一実施例
の概略構成を示す断面図、第２図は従来の半導体ウェハ
貼付は方法の構成を示す断面図である。 図において、１は半導体ウェハ、２は基板、３はワック
ス、４はウェハ貼付は装置の加圧部、５は真空容器であ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２！′７１

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　所定荷重のもとで、半導体基板を他の基板にワックス
    を介して圧着する半導体ウェハ貼付け方法において、前
    記基板への半導体基板の圧着を真空中で行うことを特徴
    とする半導体ウェハ貼付け方法。
JP62032020A 1987-02-13 1987-02-13 半導体ウエハ貼付け方法 Pending JPS63198351A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62032020A JPS63198351A (ja) 1987-02-13 1987-02-13 半導体ウエハ貼付け方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62032020A JPS63198351A (ja) 1987-02-13 1987-02-13 半導体ウエハ貼付け方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63198351A true JPS63198351A (ja) 1988-08-17

Family

ID=12347179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62032020A Pending JPS63198351A (ja) 1987-02-13 1987-02-13 半導体ウエハ貼付け方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63198351A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0600392A3 (en) * 1992-11-26 1994-08-24 Sumitomo Electric Industries Process for reinforcing a semiconductor wafer and a reinforced semiconductor wafer.
EP0660377A1 (en) * 1993-12-21 1995-06-28 Enya Systems Limited Method for applying a wafer to a mount plate
CN104332432A (zh) * 2014-10-15 2015-02-04 易德福 一种新型贴蜡装置及其加工方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0600392A3 (en) * 1992-11-26 1994-08-24 Sumitomo Electric Industries Process for reinforcing a semiconductor wafer and a reinforced semiconductor wafer.
US5445692A (en) * 1992-11-26 1995-08-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for reinforcing a semiconductor wafer
EP0660377A1 (en) * 1993-12-21 1995-06-28 Enya Systems Limited Method for applying a wafer to a mount plate
CN104332432A (zh) * 2014-10-15 2015-02-04 易德福 一种新型贴蜡装置及其加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3197788B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3553551B2 (ja) 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法
CN101657890A (zh) 带粘接剂芯片的制造方法
JPH01270327A (ja) 可撓膜電子デバイス・キャリアの取付方法及びその分離方法
JPS63198351A (ja) 半導体ウエハ貼付け方法
JPS63155731A (ja) 半導体装置
JPH09293823A (ja) 半導体チップへのリード取付方法
JP4342340B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2589994B2 (ja) ウェーハの接着方法
JPH08274286A (ja) Ｓｏｉ基板の製造方法
JPS61210650A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04247640A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2971349B2 (ja) シ−ト状回路材のワイヤ−ボンディング方法
JPH0519306B2 (ja)
JPS61222146A (ja) 半導体ウエハ支持装置
JP4011178B2 (ja) 半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープ
JPS644339B2 (ja)
JP2587533B2 (ja) リードフレーム
JPS63284551A (ja) フォトマスクペリクル装着方法
JPS5972139A (ja) 薄板材の加工方法
JPH04124847A (ja) ベアチップ実装方法
JPS6334946A (ja) 半導体ウエハ貼付板
JPH02303128A (ja) 半導体素子の製造方法
JPS63251203A (ja) 半導体ウエハの分割方法
JPH0653194A (ja) 半導体ウェーハ加工方法