JPS6320001B2 - - Google Patents
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- JPS6320001B2 JPS6320001B2 JP55029039A JP2903980A JPS6320001B2 JP S6320001 B2 JPS6320001 B2 JP S6320001B2 JP 55029039 A JP55029039 A JP 55029039A JP 2903980 A JP2903980 A JP 2903980A JP S6320001 B2 JPS6320001 B2 JP S6320001B2
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
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- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/021—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed with two or more layers
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
-
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
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- Glass Compositions (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
本発明は永久バインダー、一時バインダー、お
よび抵抗決定成分として金属ロジウム酸塩を有す
る混合物からなる抵抗材料に関するもので、ま
た、該抵抗材料を担持する基体を一時バインダー
を除去するように加熱して製造した抵抗体本体を
有する抵抗体に関する。 UK特許明細書1535139（US特許明細書
4107387）は、この種の抵抗材料について記載し
ており、抵抗決定成分は一般式M3′Rh7O15（式中
M′はPbまたはSrが好ましい。）で示される組成
を有する金属ロジウム酸塩である。 抵抗材料において抵抗決定化合物として使用さ
れた従来の多くの酸化物と比較して、この化合物
は永久バインダーおよび必要ならば異なる抵抗温
度係数を有する他の抵抗決定成分との完全反応生
成物であり、この化合物は適当な基体に簡単な方
法で加工処理して抵抗体本体を形成することがで
きる利点を有する。GB特許明細書第1535139号
の抵抗材料の開発以前においては抵抗ペーストが
一般に利用されており、この場合抵抗決定成分
は、このペーストが基体上で燃焼するまで得られ
ず、貴金属酸化物は熱焼プロセス中にガラス状バ
インダー、例えば酸化鉛ガラスと反応し、この貴
金属酸化物とガラス状バインダーは、ペースト中
に存在する。この反応では比較的高温（約800℃）
で、むしろ長い熱焼時間（例えば30分）を必要と
した。 前記のM3′Rh7O15材料の利点は、さらに、これ
らの材料の抵抗温度係数（TCR）が小さな負の
値を示し、前記温度挙動が小さいことである。こ
れらの材料の１種を直線性の正の抵抗温度係数を
もつ材料（この材料は負のTCR材料より一般的
な材料である）と合わせる場合、−100〜＋200℃
の温度範囲で極めて低いTCR（／TCR／＜100×
10-6／℃）を有する抵抗体を製造することが可能
となる。 本発明は直線性の正のTCRを有するロジウム
酸塩型の抵抗決定材料を提供し、直線性の負の
TCRを有する材料と結合させて低いTCR（／
TCR／＜100×10-6／℃）を有する抵抗体を形成
することができる。また、本発明は直線性の負の
TCRを有する同一の結晶構造を備えた材料を提
供し、変更可能な数を広げることができる。 本発明の抵抗材料は抵抗決定成分が一般式Mx
Sr1-xRh2O4-4.5（式中ＭはPbまたはBiを示し、ｘ
は１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少なくとも １種の化合物を主成分とすることに特徴がある。 PbおよびBiの両化合物は20.2Åのａ軸と3.1Å
のｃ軸を備えた六方晶系構造を有する。この六方
晶系構造と基本セルはM3′Rh7O15化合物のものと
は全く異なる。 化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の酸素含量は、それぞ
れ異なる原子価を示すPb：SrおよびBi：Srの比
により依存するが、１分子当り４〜4.5原子であ
る。 好ましくは上に述べた一般式においてｘは0.45
＞ｘ＞0.05を満足させる。 Pb−Sr−ロジウム酸塩は上に述べた既知の金
属ロジウム酸塩とは完全に異なる結晶構造と完全
に異なる基本セルとを有する。驚くべきことに
は、このPb−Sr−ロジウム酸塩は正の直線性
TCRを有するのに対し、Bi−Sr−ロジウム酸塩
は負の直線性TCRを有することを見出した。 上に述べた抵抗決定化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の
利点はまた、長い針状結晶を形成する点にある。
抵抗体本体をこのロジウム化合物から形成する場
合、これらの針状結晶は不規則に分布する。かか
る構造をもつ材料に接触する面積は、例えば不規
則な分布状態で、六方晶系の軸寸法を有する結晶
のへりを備えた立方体構造を有する粒子よりもず
つと小さい。抵抗体本体における抵抗決定成分の
全体の接触はその抵抗値を決定する。このためこ
の場合抵抗値は低くなるが、この事は比較的少量
のロジウム酸塩MxSr1-xRh2O4-4.5が一定の抵抗値
を有する抵抗体本体を製造するために必要である
ことを意味する。 上に述べたように、負の直線性TCRを有する
成分と共に正のTCRを有する抵抗決定成分とし
て上に定義したPb−Sr−ロジウム化合物を用い
て、小さなTCR値を有する抵抗体本体を形成す
ることができる。 本発明の一実施例において、上に述べた明細書
に記載されたような金属ロジウム化合物
M3′Rh7O15（式中M′はPbまたはSrが好ましい。）
を、負のTCRを有する抵抗決定成分として使用
する。 抵抗本体を本発明の抵抗材料から一時バインダ
ーを除去し凝集性の抵抗層を形成するように抵抗
材料を担持する基体を加熱して製造する。一時バ
インダーを加熱によつて揮発および／または分解
し、永久バインダーは溶融、軟化または焼結によ
る結果として本体を凝集する。永久バインダー
は、好ましくは低融点ガラスであるが、合成樹脂
材料であつてもよい。 次に本発明を実施例につき詳細に説明する。 鉛−ストロンチウム ロジウム酸塩PbxSr1-x
Rh2O4-4.5をPbo、Sr（NO3）2およびRh2O3の混合
物をモル比１：１：１において、空気中900℃の
温度にて２時間加熱して生成した。過剰のPbOと
SrOをHNO3に溶解した。得られた反応生成物
は、約10μｍの長さおよび0.1μｍの厚さの針状粒
子から成る。この反応生成物の特定の表面積は約
８m2／ｇであつた。この組成物に対する式中のｘ
値は0.20であつた。モル比３：９：２における
Bi2O3、SrCl2およびRh2O3の混合物を空気中1050
℃の温度にて３時間加熱して針状のBi−Sr−ロ
ジウム酸塩（ａ＝20.2Åおよびｃ＝3.1Å）を得
た。冷却後、過剰な未反応のBiおよびSr化合物
のHNO3に溶解して除去した。Bi−Sr−ロジウ
ム化合物の一般式中のｘ値は0.30であつた。 この粉末を平均粒径1μｍのガラス粉末と異な
る割合で混合した後、ベンジルベンゾエートおよ
びエチルセルロースによつてペースト状にした。 使用したガラス粉末は第１表に定義した（重量
％で示した）組成を有していた。 ペーストを空気乾燥した焼結アルミナプレート
に広げた後、このプレートを空気中第２表に示し
た温度にて15分間焼いた。得られた層の厚さは約
20μｍであつた。 第２表は幾つかの混合化およびそれにより得ら
れた結果を示すものである。ここでｍは、一時バ
インダーを有しない全酸化混合物中のPbxSr1-x
Rh2O4-4.5の含量を示している。
よび抵抗決定成分として金属ロジウム酸塩を有す
る混合物からなる抵抗材料に関するもので、ま
た、該抵抗材料を担持する基体を一時バインダー
を除去するように加熱して製造した抵抗体本体を
有する抵抗体に関する。 UK特許明細書1535139（US特許明細書
4107387）は、この種の抵抗材料について記載し
ており、抵抗決定成分は一般式M3′Rh7O15（式中
M′はPbまたはSrが好ましい。）で示される組成
を有する金属ロジウム酸塩である。 抵抗材料において抵抗決定化合物として使用さ
れた従来の多くの酸化物と比較して、この化合物
は永久バインダーおよび必要ならば異なる抵抗温
度係数を有する他の抵抗決定成分との完全反応生
成物であり、この化合物は適当な基体に簡単な方
法で加工処理して抵抗体本体を形成することがで
きる利点を有する。GB特許明細書第1535139号
の抵抗材料の開発以前においては抵抗ペーストが
一般に利用されており、この場合抵抗決定成分
は、このペーストが基体上で燃焼するまで得られ
ず、貴金属酸化物は熱焼プロセス中にガラス状バ
インダー、例えば酸化鉛ガラスと反応し、この貴
金属酸化物とガラス状バインダーは、ペースト中
に存在する。この反応では比較的高温（約800℃）
で、むしろ長い熱焼時間（例えば30分）を必要と
した。 前記のM3′Rh7O15材料の利点は、さらに、これ
らの材料の抵抗温度係数（TCR）が小さな負の
値を示し、前記温度挙動が小さいことである。こ
れらの材料の１種を直線性の正の抵抗温度係数を
もつ材料（この材料は負のTCR材料より一般的
な材料である）と合わせる場合、−100〜＋200℃
の温度範囲で極めて低いTCR（／TCR／＜100×
10-6／℃）を有する抵抗体を製造することが可能
となる。 本発明は直線性の正のTCRを有するロジウム
酸塩型の抵抗決定材料を提供し、直線性の負の
TCRを有する材料と結合させて低いTCR（／
TCR／＜100×10-6／℃）を有する抵抗体を形成
することができる。また、本発明は直線性の負の
TCRを有する同一の結晶構造を備えた材料を提
供し、変更可能な数を広げることができる。 本発明の抵抗材料は抵抗決定成分が一般式Mx
Sr1-xRh2O4-4.5（式中ＭはPbまたはBiを示し、ｘ
は１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少なくとも １種の化合物を主成分とすることに特徴がある。 PbおよびBiの両化合物は20.2Åのａ軸と3.1Å
のｃ軸を備えた六方晶系構造を有する。この六方
晶系構造と基本セルはM3′Rh7O15化合物のものと
は全く異なる。 化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の酸素含量は、それぞ
れ異なる原子価を示すPb：SrおよびBi：Srの比
により依存するが、１分子当り４〜4.5原子であ
る。 好ましくは上に述べた一般式においてｘは0.45
＞ｘ＞0.05を満足させる。 Pb−Sr−ロジウム酸塩は上に述べた既知の金
属ロジウム酸塩とは完全に異なる結晶構造と完全
に異なる基本セルとを有する。驚くべきことに
は、このPb−Sr−ロジウム酸塩は正の直線性
TCRを有するのに対し、Bi−Sr−ロジウム酸塩
は負の直線性TCRを有することを見出した。 上に述べた抵抗決定化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の
利点はまた、長い針状結晶を形成する点にある。
抵抗体本体をこのロジウム化合物から形成する場
合、これらの針状結晶は不規則に分布する。かか
る構造をもつ材料に接触する面積は、例えば不規
則な分布状態で、六方晶系の軸寸法を有する結晶
のへりを備えた立方体構造を有する粒子よりもず
つと小さい。抵抗体本体における抵抗決定成分の
全体の接触はその抵抗値を決定する。このためこ
の場合抵抗値は低くなるが、この事は比較的少量
のロジウム酸塩MxSr1-xRh2O4-4.5が一定の抵抗値
を有する抵抗体本体を製造するために必要である
ことを意味する。 上に述べたように、負の直線性TCRを有する
成分と共に正のTCRを有する抵抗決定成分とし
て上に定義したPb−Sr−ロジウム化合物を用い
て、小さなTCR値を有する抵抗体本体を形成す
ることができる。 本発明の一実施例において、上に述べた明細書
に記載されたような金属ロジウム化合物
M3′Rh7O15（式中M′はPbまたはSrが好ましい。）
を、負のTCRを有する抵抗決定成分として使用
する。 抵抗本体を本発明の抵抗材料から一時バインダ
ーを除去し凝集性の抵抗層を形成するように抵抗
材料を担持する基体を加熱して製造する。一時バ
インダーを加熱によつて揮発および／または分解
し、永久バインダーは溶融、軟化または焼結によ
る結果として本体を凝集する。永久バインダー
は、好ましくは低融点ガラスであるが、合成樹脂
材料であつてもよい。 次に本発明を実施例につき詳細に説明する。 鉛−ストロンチウム ロジウム酸塩PbxSr1-x
Rh2O4-4.5をPbo、Sr（NO3）2およびRh2O3の混合
物をモル比１：１：１において、空気中900℃の
温度にて２時間加熱して生成した。過剰のPbOと
SrOをHNO3に溶解した。得られた反応生成物
は、約10μｍの長さおよび0.1μｍの厚さの針状粒
子から成る。この反応生成物の特定の表面積は約
８m2／ｇであつた。この組成物に対する式中のｘ
値は0.20であつた。モル比３：９：２における
Bi2O3、SrCl2およびRh2O3の混合物を空気中1050
℃の温度にて３時間加熱して針状のBi−Sr−ロ
ジウム酸塩（ａ＝20.2Åおよびｃ＝3.1Å）を得
た。冷却後、過剰な未反応のBiおよびSr化合物
のHNO3に溶解して除去した。Bi−Sr−ロジウ
ム化合物の一般式中のｘ値は0.30であつた。 この粉末を平均粒径1μｍのガラス粉末と異な
る割合で混合した後、ベンジルベンゾエートおよ
びエチルセルロースによつてペースト状にした。 使用したガラス粉末は第１表に定義した（重量
％で示した）組成を有していた。 ペーストを空気乾燥した焼結アルミナプレート
に広げた後、このプレートを空気中第２表に示し
た温度にて15分間焼いた。得られた層の厚さは約
20μｍであつた。 第２表は幾つかの混合化およびそれにより得ら
れた結果を示すものである。ここでｍは、一時バ
インダーを有しない全酸化混合物中のPbxSr1-x
Rh2O4-4.5の含量を示している。
【表】
【表】
第３表は抵抗材料から作られた３個の抵抗体本
体に関するもので、各本体は、正のTCR抵抗決
定成分を有する／有しない負のTCR抵抗決定成
分を含む。
体に関するもので、各本体は、正のTCR抵抗決
定成分を有する／有しない負のTCR抵抗決定成
分を含む。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 永久バインダー、一時バインダー、および一
般式MxSr1-xRh2O4-4.5（式中、ＭはPbまたはBiを
示し、ｘは１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少 なくとも１種の化合物を主成分とする抵抗決定成
分を有する混合物から成る抵抗材料。 ２ 化合物の一般式のｘは0.45＞ｘ＞0.05である
特許請求の範囲第１項記載の抵抗材料。 ３ 負の抵抗温度係数を有する成分を望ましい水
準のTCRを得るような比において、正のTCRを
有する成分と混合する特許請求の範囲第１または
２項記載の抵抗材料。 ４ 負のTCRを有する成分が一般式M3′Rh7O15
（式中M′はPbまたはSrを示す）で表わされる組
成を有する金属ロジウム酸塩であり、抵抗決定成
分の主成分が一般式PbxSr1-xRh2O4-4.5で示され
る組成を有する特許請求の範囲第３項記載の抵抗
材料。 ５ 永久バインダー、一時バインダー、および一
般式MxSr1-xRh2O4-4.5（式中ＭはPbまたはBiを示
し、ｘは１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少な くとも１種の化合物を主成分とする抵抗決定成分
を有する混合物から成る抵抗材料を担持する基体
を、一時バインダーを除去し凝集性の抵抗層を形
成するように加熱して製造した抵抗体本体を有す
る抵抗体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7901863A NL7901863A (nl) | 1979-03-08 | 1979-03-08 | Weerstandsmateriaal. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55124201A JPS55124201A (en) | 1980-09-25 |
| JPS6320001B2 true JPS6320001B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=19832770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2903980A Granted JPS55124201A (en) | 1979-03-08 | 1980-03-07 | Resistive material and resistor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4303742A (ja) |
| JP (1) | JPS55124201A (ja) |
| DE (1) | DE3008607A1 (ja) |
| FR (1) | FR2451089A1 (ja) |
| GB (1) | GB2044547B (ja) |
| NL (1) | NL7901863A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485101U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8301631A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Weerstandspasta voor een weerstandslichaam. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3553109A (en) * | 1969-10-24 | 1971-01-05 | Du Pont | Resistor compositions containing pyrochlore-related oxides and noble metal |
| US3681262A (en) * | 1970-10-01 | 1972-08-01 | Du Pont | Compositions for making electrical elements containing pyrochlore-related oxides |
| NL7602663A (nl) * | 1976-03-15 | 1977-09-19 | Philips Nv | Weerstandsmateriaal. |
-
1979
- 1979-03-08 NL NL7901863A patent/NL7901863A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-03-03 FR FR8004709A patent/FR2451089A1/fr active Granted
- 1980-03-05 GB GB8007559A patent/GB2044547B/en not_active Expired
- 1980-03-05 US US06/127,347 patent/US4303742A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-06 DE DE19803008607 patent/DE3008607A1/de not_active Ceased
- 1980-03-07 JP JP2903980A patent/JPS55124201A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485101U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2451089B1 (ja) | 1983-12-30 |
| US4303742A (en) | 1981-12-01 |
| GB2044547B (en) | 1983-04-20 |
| JPS55124201A (en) | 1980-09-25 |
| DE3008607A1 (de) | 1980-09-11 |
| NL7901863A (nl) | 1980-09-10 |
| GB2044547A (en) | 1980-10-15 |
| FR2451089A1 (fr) | 1980-10-03 |
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