JPS6320001B2 - - Google Patents
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- JPS6320001B2 JPS6320001B2 JP55029039A JP2903980A JPS6320001B2 JP S6320001 B2 JPS6320001 B2 JP S6320001B2 JP 55029039 A JP55029039 A JP 55029039A JP 2903980 A JP2903980 A JP 2903980A JP S6320001 B2 JPS6320001 B2 JP S6320001B2
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- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
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- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/021—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed with two or more layers
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本発明は永久バインダー、一時バインダー、お
よび抵抗決定成分として金属ロジウム酸塩を有す
る混合物からなる抵抗材料に関するもので、ま
た、該抵抗材料を担持する基体を一時バインダー
を除去するように加熱して製造した抵抗体本体を
有する抵抗体に関する。 UK特許明細書1535139（US特許明細書
4107387）は、この種の抵抗材料について記載し
ており、抵抗決定成分は一般式M3′Rh7O15（式中
M′はPbまたはSrが好ましい。）で示される組成
を有する金属ロジウム酸塩である。 抵抗材料において抵抗決定化合物として使用さ
れた従来の多くの酸化物と比較して、この化合物
は永久バインダーおよび必要ならば異なる抵抗温
度係数を有する他の抵抗決定成分との完全反応生
成物であり、この化合物は適当な基体に簡単な方
法で加工処理して抵抗体本体を形成することがで
きる利点を有する。GB特許明細書第1535139号
の抵抗材料の開発以前においては抵抗ペーストが
一般に利用されており、この場合抵抗決定成分
は、このペーストが基体上で燃焼するまで得られ
ず、貴金属酸化物は熱焼プロセス中にガラス状バ
インダー、例えば酸化鉛ガラスと反応し、この貴
金属酸化物とガラス状バインダーは、ペースト中
に存在する。この反応では比較的高温（約800℃）
で、むしろ長い熱焼時間（例えば30分）を必要と
した。 前記のM3′Rh7O15材料の利点は、さらに、これ
らの材料の抵抗温度係数（TCR）が小さな負の
値を示し、前記温度挙動が小さいことである。こ
れらの材料の１種を直線性の正の抵抗温度係数を
もつ材料（この材料は負のTCR材料より一般的
な材料である）と合わせる場合、−100〜＋200℃
の温度範囲で極めて低いTCR（／TCR／＜100×
10-6／℃）を有する抵抗体を製造することが可能
となる。 本発明は直線性の正のTCRを有するロジウム
酸塩型の抵抗決定材料を提供し、直線性の負の
TCRを有する材料と結合させて低いTCR（／
TCR／＜100×10-6／℃）を有する抵抗体を形成
することができる。また、本発明は直線性の負の
TCRを有する同一の結晶構造を備えた材料を提
供し、変更可能な数を広げることができる。 本発明の抵抗材料は抵抗決定成分が一般式Mx
Sr1-xRh2O4-4.5（式中ＭはPbまたはBiを示し、ｘ
は１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少なくとも １種の化合物を主成分とすることに特徴がある。 PbおよびBiの両化合物は20.2Åのａ軸と3.1Å
のｃ軸を備えた六方晶系構造を有する。この六方
晶系構造と基本セルはM3′Rh7O15化合物のものと
は全く異なる。 化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の酸素含量は、それぞ
れ異なる原子価を示すPb：SrおよびBi：Srの比
により依存するが、１分子当り４〜4.5原子であ
る。 好ましくは上に述べた一般式においてｘは0.45
＞ｘ＞0.05を満足させる。 Pb−Sr−ロジウム酸塩は上に述べた既知の金
属ロジウム酸塩とは完全に異なる結晶構造と完全
に異なる基本セルとを有する。驚くべきことに
は、このPb−Sr−ロジウム酸塩は正の直線性
TCRを有するのに対し、Bi−Sr−ロジウム酸塩
は負の直線性TCRを有することを見出した。 上に述べた抵抗決定化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の
利点はまた、長い針状結晶を形成する点にある。
抵抗体本体をこのロジウム化合物から形成する場
合、これらの針状結晶は不規則に分布する。かか
る構造をもつ材料に接触する面積は、例えば不規
則な分布状態で、六方晶系の軸寸法を有する結晶
のへりを備えた立方体構造を有する粒子よりもず
つと小さい。抵抗体本体における抵抗決定成分の
全体の接触はその抵抗値を決定する。このためこ
の場合抵抗値は低くなるが、この事は比較的少量
のロジウム酸塩MxSr1-xRh2O4-4.5が一定の抵抗値
を有する抵抗体本体を製造するために必要である
ことを意味する。 上に述べたように、負の直線性TCRを有する
成分と共に正のTCRを有する抵抗決定成分とし
て上に定義したPb−Sr−ロジウム化合物を用い
て、小さなTCR値を有する抵抗体本体を形成す
ることができる。 本発明の一実施例において、上に述べた明細書
に記載されたような金属ロジウム化合物
M3′Rh7O15（式中M′はPbまたはSrが好ましい。）
を、負のTCRを有する抵抗決定成分として使用
する。 抵抗本体を本発明の抵抗材料から一時バインダ
ーを除去し凝集性の抵抗層を形成するように抵抗
材料を担持する基体を加熱して製造する。一時バ
インダーを加熱によつて揮発および／または分解
し、永久バインダーは溶融、軟化または焼結によ
る結果として本体を凝集する。永久バインダー
は、好ましくは低融点ガラスであるが、合成樹脂
材料であつてもよい。 次に本発明を実施例につき詳細に説明する。 鉛−ストロンチウム ロジウム酸塩PbxSr1-x
Rh2O4-4.5をPbo、Sr（NO3）2およびRh2O3の混合
物をモル比１：１：１において、空気中900℃の
温度にて２時間加熱して生成した。過剰のPbOと
SrOをHNO3に溶解した。得られた反応生成物
は、約10μｍの長さおよび0.1μｍの厚さの針状粒
子から成る。この反応生成物の特定の表面積は約
８m2／ｇであつた。この組成物に対する式中のｘ
値は0.20であつた。モル比３：９：２における
Bi2O3、SrCl2およびRh2O3の混合物を空気中1050
℃の温度にて３時間加熱して針状のBi−Sr−ロ
ジウム酸塩（ａ＝20.2Åおよびｃ＝3.1Å）を得
た。冷却後、過剰な未反応のBiおよびSr化合物
のHNO3に溶解して除去した。Bi−Sr−ロジウ
ム化合物の一般式中のｘ値は0.30であつた。 この粉末を平均粒径1μｍのガラス粉末と異な
る割合で混合した後、ベンジルベンゾエートおよ
びエチルセルロースによつてペースト状にした。 使用したガラス粉末は第１表に定義した（重量
％で示した）組成を有していた。 ペーストを空気乾燥した焼結アルミナプレート
に広げた後、このプレートを空気中第２表に示し
た温度にて15分間焼いた。得られた層の厚さは約
20μｍであつた。 第２表は幾つかの混合化およびそれにより得ら
れた結果を示すものである。ここでｍは、一時バ
インダーを有しない全酸化混合物中のPbxSr1-x
Rh2O4-4.5の含量を示している。
よび抵抗決定成分として金属ロジウム酸塩を有す
る混合物からなる抵抗材料に関するもので、ま
た、該抵抗材料を担持する基体を一時バインダー
を除去するように加熱して製造した抵抗体本体を
有する抵抗体に関する。 UK特許明細書1535139（US特許明細書
4107387）は、この種の抵抗材料について記載し
ており、抵抗決定成分は一般式M3′Rh7O15（式中
M′はPbまたはSrが好ましい。）で示される組成
を有する金属ロジウム酸塩である。 抵抗材料において抵抗決定化合物として使用さ
れた従来の多くの酸化物と比較して、この化合物
は永久バインダーおよび必要ならば異なる抵抗温
度係数を有する他の抵抗決定成分との完全反応生
成物であり、この化合物は適当な基体に簡単な方
法で加工処理して抵抗体本体を形成することがで
きる利点を有する。GB特許明細書第1535139号
の抵抗材料の開発以前においては抵抗ペーストが
一般に利用されており、この場合抵抗決定成分
は、このペーストが基体上で燃焼するまで得られ
ず、貴金属酸化物は熱焼プロセス中にガラス状バ
インダー、例えば酸化鉛ガラスと反応し、この貴
金属酸化物とガラス状バインダーは、ペースト中
に存在する。この反応では比較的高温（約800℃）
で、むしろ長い熱焼時間（例えば30分）を必要と
した。 前記のM3′Rh7O15材料の利点は、さらに、これ
らの材料の抵抗温度係数（TCR）が小さな負の
値を示し、前記温度挙動が小さいことである。こ
れらの材料の１種を直線性の正の抵抗温度係数を
もつ材料（この材料は負のTCR材料より一般的
な材料である）と合わせる場合、−100〜＋200℃
の温度範囲で極めて低いTCR（／TCR／＜100×
10-6／℃）を有する抵抗体を製造することが可能
となる。 本発明は直線性の正のTCRを有するロジウム
酸塩型の抵抗決定材料を提供し、直線性の負の
TCRを有する材料と結合させて低いTCR（／
TCR／＜100×10-6／℃）を有する抵抗体を形成
することができる。また、本発明は直線性の負の
TCRを有する同一の結晶構造を備えた材料を提
供し、変更可能な数を広げることができる。 本発明の抵抗材料は抵抗決定成分が一般式Mx
Sr1-xRh2O4-4.5（式中ＭはPbまたはBiを示し、ｘ
は１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少なくとも １種の化合物を主成分とすることに特徴がある。 PbおよびBiの両化合物は20.2Åのａ軸と3.1Å
のｃ軸を備えた六方晶系構造を有する。この六方
晶系構造と基本セルはM3′Rh7O15化合物のものと
は全く異なる。 化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の酸素含量は、それぞ
れ異なる原子価を示すPb：SrおよびBi：Srの比
により依存するが、１分子当り４〜4.5原子であ
る。 好ましくは上に述べた一般式においてｘは0.45
＞ｘ＞0.05を満足させる。 Pb−Sr−ロジウム酸塩は上に述べた既知の金
属ロジウム酸塩とは完全に異なる結晶構造と完全
に異なる基本セルとを有する。驚くべきことに
は、このPb−Sr−ロジウム酸塩は正の直線性
TCRを有するのに対し、Bi−Sr−ロジウム酸塩
は負の直線性TCRを有することを見出した。 上に述べた抵抗決定化合物MxSr1-xRh2O4-4.5の
利点はまた、長い針状結晶を形成する点にある。
抵抗体本体をこのロジウム化合物から形成する場
合、これらの針状結晶は不規則に分布する。かか
る構造をもつ材料に接触する面積は、例えば不規
則な分布状態で、六方晶系の軸寸法を有する結晶
のへりを備えた立方体構造を有する粒子よりもず
つと小さい。抵抗体本体における抵抗決定成分の
全体の接触はその抵抗値を決定する。このためこ
の場合抵抗値は低くなるが、この事は比較的少量
のロジウム酸塩MxSr1-xRh2O4-4.5が一定の抵抗値
を有する抵抗体本体を製造するために必要である
ことを意味する。 上に述べたように、負の直線性TCRを有する
成分と共に正のTCRを有する抵抗決定成分とし
て上に定義したPb−Sr−ロジウム化合物を用い
て、小さなTCR値を有する抵抗体本体を形成す
ることができる。 本発明の一実施例において、上に述べた明細書
に記載されたような金属ロジウム化合物
M3′Rh7O15（式中M′はPbまたはSrが好ましい。）
を、負のTCRを有する抵抗決定成分として使用
する。 抵抗本体を本発明の抵抗材料から一時バインダ
ーを除去し凝集性の抵抗層を形成するように抵抗
材料を担持する基体を加熱して製造する。一時バ
インダーを加熱によつて揮発および／または分解
し、永久バインダーは溶融、軟化または焼結によ
る結果として本体を凝集する。永久バインダー
は、好ましくは低融点ガラスであるが、合成樹脂
材料であつてもよい。 次に本発明を実施例につき詳細に説明する。 鉛−ストロンチウム ロジウム酸塩PbxSr1-x
Rh2O4-4.5をPbo、Sr（NO3）2およびRh2O3の混合
物をモル比１：１：１において、空気中900℃の
温度にて２時間加熱して生成した。過剰のPbOと
SrOをHNO3に溶解した。得られた反応生成物
は、約10μｍの長さおよび0.1μｍの厚さの針状粒
子から成る。この反応生成物の特定の表面積は約
８m2／ｇであつた。この組成物に対する式中のｘ
値は0.20であつた。モル比３：９：２における
Bi2O3、SrCl2およびRh2O3の混合物を空気中1050
℃の温度にて３時間加熱して針状のBi−Sr−ロ
ジウム酸塩（ａ＝20.2Åおよびｃ＝3.1Å）を得
た。冷却後、過剰な未反応のBiおよびSr化合物
のHNO3に溶解して除去した。Bi−Sr−ロジウ
ム化合物の一般式中のｘ値は0.30であつた。 この粉末を平均粒径1μｍのガラス粉末と異な
る割合で混合した後、ベンジルベンゾエートおよ
びエチルセルロースによつてペースト状にした。 使用したガラス粉末は第１表に定義した（重量
％で示した）組成を有していた。 ペーストを空気乾燥した焼結アルミナプレート
に広げた後、このプレートを空気中第２表に示し
た温度にて15分間焼いた。得られた層の厚さは約
20μｍであつた。 第２表は幾つかの混合化およびそれにより得ら
れた結果を示すものである。ここでｍは、一時バ
インダーを有しない全酸化混合物中のPbxSr1-x
Rh2O4-4.5の含量を示している。
【表】
【表】
第３表は抵抗材料から作られた３個の抵抗体本
体に関するもので、各本体は、正のTCR抵抗決
定成分を有する／有しない負のTCR抵抗決定成
分を含む。
体に関するもので、各本体は、正のTCR抵抗決
定成分を有する／有しない負のTCR抵抗決定成
分を含む。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 永久バインダー、一時バインダー、および一
般式MxSr1-xRh2O4-4.5（式中、ＭはPbまたはBiを
示し、ｘは１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少 なくとも１種の化合物を主成分とする抵抗決定成
分を有する混合物から成る抵抗材料。 ２ 化合物の一般式のｘは0.45＞ｘ＞0.05である
特許請求の範囲第１項記載の抵抗材料。 ３ 負の抵抗温度係数を有する成分を望ましい水
準のTCRを得るような比において、正のTCRを
有する成分と混合する特許請求の範囲第１または
２項記載の抵抗材料。 ４ 負のTCRを有する成分が一般式M3′Rh7O15
（式中M′はPbまたはSrを示す）で表わされる組
成を有する金属ロジウム酸塩であり、抵抗決定成
分の主成分が一般式PbxSr1-xRh2O4-4.5で示され
る組成を有する特許請求の範囲第３項記載の抵抗
材料。 ５ 永久バインダー、一時バインダー、および一
般式MxSr1-xRh2O4-4.5（式中ＭはPbまたはBiを示
し、ｘは１／２＞ｘ＞０である）で表わされる少な くとも１種の化合物を主成分とする抵抗決定成分
を有する混合物から成る抵抗材料を担持する基体
を、一時バインダーを除去し凝集性の抵抗層を形
成するように加熱して製造した抵抗体本体を有す
る抵抗体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7901863A NL7901863A (nl) | 1979-03-08 | 1979-03-08 | Weerstandsmateriaal. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55124201A JPS55124201A (en) | 1980-09-25 |
| JPS6320001B2 true JPS6320001B2 (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=19832770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2903980A Granted JPS55124201A (en) | 1979-03-08 | 1980-03-07 | Resistive material and resistor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4303742A (ja) |
| JP (1) | JPS55124201A (ja) |
| DE (1) | DE3008607A1 (ja) |
| FR (1) | FR2451089A1 (ja) |
| GB (1) | GB2044547B (ja) |
| NL (1) | NL7901863A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485101U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8301631A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Weerstandspasta voor een weerstandslichaam. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3553109A (en) * | 1969-10-24 | 1971-01-05 | Du Pont | Resistor compositions containing pyrochlore-related oxides and noble metal |
| US3681262A (en) * | 1970-10-01 | 1972-08-01 | Du Pont | Compositions for making electrical elements containing pyrochlore-related oxides |
| NL7602663A (nl) * | 1976-03-15 | 1977-09-19 | Philips Nv | Weerstandsmateriaal. |
-
1979
- 1979-03-08 NL NL7901863A patent/NL7901863A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-03-03 FR FR8004709A patent/FR2451089A1/fr active Granted
- 1980-03-05 US US06/127,347 patent/US4303742A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-05 GB GB8007559A patent/GB2044547B/en not_active Expired
- 1980-03-06 DE DE19803008607 patent/DE3008607A1/de not_active Ceased
- 1980-03-07 JP JP2903980A patent/JPS55124201A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485101U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2044547A (en) | 1980-10-15 |
| FR2451089A1 (fr) | 1980-10-03 |
| FR2451089B1 (ja) | 1983-12-30 |
| GB2044547B (en) | 1983-04-20 |
| DE3008607A1 (de) | 1980-09-11 |
| US4303742A (en) | 1981-12-01 |
| JPS55124201A (en) | 1980-09-25 |
| NL7901863A (nl) | 1980-09-10 |
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