JPS63200458A - 質量分析装置 - Google Patents
質量分析装置Info
- Publication number
- JPS63200458A JPS63200458A JP62032894A JP3289487A JPS63200458A JP S63200458 A JPS63200458 A JP S63200458A JP 62032894 A JP62032894 A JP 62032894A JP 3289487 A JP3289487 A JP 3289487A JP S63200458 A JPS63200458 A JP S63200458A
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- Japan
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- lens
- ions
- magnetic field
- slit
- electric field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁場を先行配置し、電場を後側に配置する逆
配置の光学系を有する二重収束質量分析装置に係り、特
に通常の二重収束質量分析に加えて、磁場を単一の分析
計として前駆イオンの分析をした後に、前駆イオンの解
離イオンの分析も行えるようにしたｆＩ量量分製装置関
する。
配置の光学系を有する二重収束質量分析装置に係り、特
に通常の二重収束質量分析に加えて、磁場を単一の分析
計として前駆イオンの分析をした後に、前駆イオンの解
離イオンの分析も行えるようにしたｆＩ量量分製装置関
する。
第３図は、磁場を先行配置し、電場を後側に配置する逆
配置の光学系を有する従来の二重収束質量分析装置を示
す図で、１はイオン源、２はソーススリット、３はイオ
ン流、４は磁石、５は電極、６は検出スリット、７は検
出器、８は検出スリット、９は衝突室である。
配置の光学系を有する従来の二重収束質量分析装置を示
す図で、１はイオン源、２はソーススリット、３はイオ
ン流、４は磁石、５は電極、６は検出スリット、７は検
出器、８は検出スリット、９は衝突室である。
図において、通常の二重収束質量分析を行う場合には、
ソーススリット２を通過したイオン源ｌからのイオン流
３を、磁石４により形成される偏向磁場により質量分散
させると同時に方向収束させ、更に電極５により形成さ
れる電場内での偏向によりエネルギ収束させて検出器７
により検出し、分析を行う。また、磁場を単一の分析計
として利用し、スリット８のところでイオン（前駆イオ
ン）の検出をした後、Ｈｅ等のガスを入れた衝突室９で
イオンを衝突させ、電場によりそのときの前駆イオンの
解離イオン（娘イオン）のエネルギスペクトルをとると
、これがそのままｆｆｆｆ１スペクトルに対応し、所謂
Ｍ Ｉ Ｋ Ｅ Ｓ （Ｍａｓｓ−ａｎａｌｙｚｅｄＩ
ｎ Ｋｉｎｅｔｉｃ ＥｎｅｒｇＶ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｍｅｔｒｙ ）分析を行うことができる。なお、Ｍ［Ｋ
ＥＳとは、磁場を単一の分析計として前駆イオンの分析
をした後に、娘イオンを電場で分析する手法である。
ソーススリット２を通過したイオン源ｌからのイオン流
３を、磁石４により形成される偏向磁場により質量分散
させると同時に方向収束させ、更に電極５により形成さ
れる電場内での偏向によりエネルギ収束させて検出器７
により検出し、分析を行う。また、磁場を単一の分析計
として利用し、スリット８のところでイオン（前駆イオ
ン）の検出をした後、Ｈｅ等のガスを入れた衝突室９で
イオンを衝突させ、電場によりそのときの前駆イオンの
解離イオン（娘イオン）のエネルギスペクトルをとると
、これがそのままｆｆｆｆ１スペクトルに対応し、所謂
Ｍ Ｉ Ｋ Ｅ Ｓ （Ｍａｓｓ−ａｎａｌｙｚｅｄＩ
ｎ Ｋｉｎｅｔｉｃ ＥｎｅｒｇＶ Ｓｐｅｃｔｒｏ
ｍｅｔｒｙ ）分析を行うことができる。なお、Ｍ［Ｋ
ＥＳとは、磁場を単一の分析計として前駆イオンの分析
をした後に、娘イオンを電場で分析する手法である。
ところで、第３図に示す質量分析装置では、磁場強度を
大きくするために磁石４の磁極ギャップを狭くしである
ので、イオン源１から出射するイオンの多くが磁極に衝
突して通過できず、通過率が著しく低下する欠点がある
。
大きくするために磁石４の磁極ギャップを狭くしである
ので、イオン源１から出射するイオンの多くが磁極に衝
突して通過できず、通過率が著しく低下する欠点がある
。
第４図はイオンの磁場通過率を改善した質量分析装置を
示す図、第５図は第４図の装置のレンズとして使用され
ている静電四極レンズの構成を示す図、第６図はイオン
軌道を説明するための図である。なお、第３図と同一番
号は同一内容を示しており、Ｑｌ 、Ｑま、Ｑｌはレン
ズ、１０は電源、１１．１２はポテンシオメータ、１３
〜１６は電極である。
示す図、第５図は第４図の装置のレンズとして使用され
ている静電四極レンズの構成を示す図、第６図はイオン
軌道を説明するための図である。なお、第３図と同一番
号は同一内容を示しており、Ｑｌ 、Ｑま、Ｑｌはレン
ズ、１０は電源、１１．１２はポテンシオメータ、１３
〜１６は電極である。
図において、Ｑｌ レンズ、Ｑ２レンズ、磁場（Ｈ）
、Ｃｈ レンズ、電場（Ｃ）゛で形成されるＱＱＨＱＣ
光学系は、基本的には第３図と同様の逆配置の光学系を
構成している。各Ｑレンズを構成している静電四極レン
ズは、第５図に示すように、中点が接地された電ＴＡ１
０から２個のポテンシオメータ１１１２により各電極１
３〜１６に正負の電圧が印加されており、これにより、
イオン流の動径方向（Ｘ方向）にはイオン流を発散させ
、軌道平面に垂直な方向（Ｘ方向）には収束性を与える
電位分布が得られる。ＱＱＨＱＣ光学系における各Ｑレ
ンズによるイオン流の収束性の様子は、Ｘ方向とＸ方向
とについて第６図に示すようになっている。
、Ｃｈ レンズ、電場（Ｃ）゛で形成されるＱＱＨＱＣ
光学系は、基本的には第３図と同様の逆配置の光学系を
構成している。各Ｑレンズを構成している静電四極レン
ズは、第５図に示すように、中点が接地された電ＴＡ１
０から２個のポテンシオメータ１１１２により各電極１
３〜１６に正負の電圧が印加されており、これにより、
イオン流の動径方向（Ｘ方向）にはイオン流を発散させ
、軌道平面に垂直な方向（Ｘ方向）には収束性を与える
電位分布が得られる。ＱＱＨＱＣ光学系における各Ｑレ
ンズによるイオン流の収束性の様子は、Ｘ方向とＸ方向
とについて第６図に示すようになっている。
次に動作を説明すると、第６図に示すように・Ｘ方向に
中心点から角度θ。で放出されたイオンも、上端ｙ０か
ら平行に放出されたイオンもＱＩ、Ｑｚレンズにより収
束して偏向磁場へ入射するので、磁極間隙が狭くてもこ
こを通過することができる。したがって、θ。、ｙｏが
イオン源スリット２を通過したイオンの角度及び位置に
ついての上限とすると、この範囲内の全てのイオンは磁
極間隙が狭くても、磁極に衝突することなく通過するこ
とができ、有効に利用することができる。
中心点から角度θ。で放出されたイオンも、上端ｙ０か
ら平行に放出されたイオンもＱＩ、Ｑｚレンズにより収
束して偏向磁場へ入射するので、磁極間隙が狭くてもこ
こを通過することができる。したがって、θ。、ｙｏが
イオン源スリット２を通過したイオンの角度及び位置に
ついての上限とすると、この範囲内の全てのイオンは磁
極間隙が狭くても、磁極に衝突することなく通過するこ
とができ、有効に利用することができる。
このように偏向［ｔＢに入射するイオン流を収束させる
と、偏向磁場の出射点からイオン流は次第にＸ方向に発
散することになるので、レンズＱ、により収束させて電
場に入射させ、高い通過率を得るようにしている。この
ように、イオン流は偏向磁場で極めて狭い磁極間隙を通
過した後に無駄なく収束されてイオン検出器で検出され
、二重収束質量分析が行われる。
と、偏向磁場の出射点からイオン流は次第にＸ方向に発
散することになるので、レンズＱ、により収束させて電
場に入射させ、高い通過率を得るようにしている。この
ように、イオン流は偏向磁場で極めて狭い磁極間隙を通
過した後に無駄なく収束されてイオン検出器で検出され
、二重収束質量分析が行われる。
ところで、ＱＱＨＱＣ光学系を単一の質■分析計として
用いる場合は、この光学系の質量分散を大きくとり、さ
らに収差を小さくするために、Ｑ、と電場の中間部付近
（あるいは電場内）に収束点を有するようにＱＩ Ｑｘ
レンズの電圧を設定している。
用いる場合は、この光学系の質量分散を大きくとり、さ
らに収差を小さくするために、Ｑ、と電場の中間部付近
（あるいは電場内）に収束点を有するようにＱＩ Ｑｘ
レンズの電圧を設定している。
この装置でＭＩＫＥＳ分析を行う場合には、収束点と電
場の間に衝突室を設ける必要がある。一般に、衝突室を
小さくし、しかも所定の衝突確率が得られるように、ガ
ス圧力を上げると周囲の真空度を下げてしまい、また衝
突室からのガスの流出を防ぐためにイオン通過孔を小さ
くすると、イオンの通過率が低下してしまうこととなる
。そのため衝突室は、１０−”Ｔｏｒｒ程度の衝突ガス
を入れ、ある程度の大きさがあることが必要であり、そ
れ程小さくはできない。
場の間に衝突室を設ける必要がある。一般に、衝突室を
小さくし、しかも所定の衝突確率が得られるように、ガ
ス圧力を上げると周囲の真空度を下げてしまい、また衝
突室からのガスの流出を防ぐためにイオン通過孔を小さ
くすると、イオンの通過率が低下してしまうこととなる
。そのため衝突室は、１０−”Ｔｏｒｒ程度の衝突ガス
を入れ、ある程度の大きさがあることが必要であり、そ
れ程小さくはできない。
しかしながら、第４図の質量分析装置では、第６図から
も分かるように電場の直前に収束点があり、Ｑ３レンズ
と電場との間は接近しており、ＭＩ ＫＢＳ分析をしよ
うとしても、衝突室を配置するスペースがないという問
題点がある。
も分かるように電場の直前に収束点があり、Ｑ３レンズ
と電場との間は接近しており、ＭＩ ＫＢＳ分析をしよ
うとしても、衝突室を配置するスペースがないという問
題点がある。
本発明は上記問題点を解決するためのものであって、Ｑ
ＱＨＱＣ光学系において、単一の質量分析計としても、
またｔｌＫＥｓ分析計としても容易に切り換えて使用す
ることができる質量分析装置を提供することを目的とす
る。
ＱＨＱＣ光学系において、単一の質量分析計としても、
またｔｌＫＥｓ分析計としても容易に切り換えて使用す
ることができる質量分析装置を提供することを目的とす
る。
そのために本発明の質量分析装置は、加速されたイオン
を放出するイオン源と、イオン源からのイオンが通過す
るスリットと、スリットを通過したイオンに一方向には
発散性を、該一方向に直交する方向には収束性を与える
複数の静電レンズからなる第１のレンズと、第１のレン
ズを通過したイオンを偏向する磁場を発生する磁石と、
偏向磁場を通過したイオンを収束させる第２のレンズと
、第２のレンズを通過したイオンをエネルギ収束させる
電場を形成する電極と、電場を通過したイオンを検出す
るイオン検出器とを備えた質量分析装置であって、さら
に偏向磁場と第２のレンズとの間にスリットと衝突室を
配置し、二重収束質量分析を行う場合と、磁場による前
駆イオンの分析及び電場による前駆イオンの解離イオン
の分析を行う場合とで第１レンズへの印加電圧を切り換
えて収束点をシフトさせることを特徴とする。
を放出するイオン源と、イオン源からのイオンが通過す
るスリットと、スリットを通過したイオンに一方向には
発散性を、該一方向に直交する方向には収束性を与える
複数の静電レンズからなる第１のレンズと、第１のレン
ズを通過したイオンを偏向する磁場を発生する磁石と、
偏向磁場を通過したイオンを収束させる第２のレンズと
、第２のレンズを通過したイオンをエネルギ収束させる
電場を形成する電極と、電場を通過したイオンを検出す
るイオン検出器とを備えた質量分析装置であって、さら
に偏向磁場と第２のレンズとの間にスリットと衝突室を
配置し、二重収束質量分析を行う場合と、磁場による前
駆イオンの分析及び電場による前駆イオンの解離イオン
の分析を行う場合とで第１レンズへの印加電圧を切り換
えて収束点をシフトさせることを特徴とする。
本発明の質量分析装置は、二重収束質量分析を行う場合
と、ＭＩ ＫＥＳ分析を行う場合とで異なったＱ、Ｑ、
レンズ電圧を印加し、それぞれに異なった最適なイオン
軌道をとらせることにより、単一の質量分析計としては
、高いイオン１ｆｆｉ過率と大きな質量分散、さらに小
さな収差係数が得られるようにし、一方ＭＩＫＢＳ分析
では、第１の質量分析計（磁場）の収束点でより効率の
良い衝突室が配置できるようにしている。
と、ＭＩ ＫＥＳ分析を行う場合とで異なったＱ、Ｑ、
レンズ電圧を印加し、それぞれに異なった最適なイオン
軌道をとらせることにより、単一の質量分析計としては
、高いイオン１ｆｆｉ過率と大きな質量分散、さらに小
さな収差係数が得られるようにし、一方ＭＩＫＢＳ分析
では、第１の質量分析計（磁場）の収束点でより効率の
良い衝突室が配置できるようにしている。
（実施例〕
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は本発明によるｆ量分折装置を用いてＭＩ ＫＥ
Ｓ分析を行う場合の一実施例を示す図、第２図は第１図
の装置においてＱ、をオフにする別の実施例を示す図で
、第３図、第４図と同一番号は同一内容を示している。
Ｓ分析を行う場合の一実施例を示す図、第２図は第１図
の装置においてＱ、をオフにする別の実施例を示す図で
、第３図、第４図と同一番号は同一内容を示している。
なお、２０は検出スリット、２１は衝突室、２２はコレ
クタスリットである。
クタスリットである。
第１図において、単一の二重収束ａｔ分析装置として使
用する場合には、従来と同様に０３レンズと電場の中間
部付近、或いは電場内に収束点を有するようにＱ＋ 、
Ｑｚ レンズの電圧を設定する（第４図）。
用する場合には、従来と同様に０３レンズと電場の中間
部付近、或いは電場内に収束点を有するようにＱ＋ 、
Ｑｚ レンズの電圧を設定する（第４図）。
次に、ＭＩ ＫＢＳを行う場合には、レンズＱ１Ｑ２の
電圧を調整して（具体的にはレンズ作用を弱めて）、偏
向磁場とＱ３レンズとの間に収束点をシフトさせる。こ
の収束点の所に検出スリット２０を設けて磁場単一によ
る質量分析を行う。一方、収束点のシフトによりスリッ
ト２０とＱ３レンズとの間に得られたスペースには衝突
室２１を配置して娘イオンを生成させる。衝突室２１か
ら出射する娘イオンを再収束させるためにＱ、レンズに
は、軌道方向にイオンを収束させる様な電圧を印加する
。こうして電場を掃引することにより、娘イオンのエネ
ルギスペクトル即ち質量スペク、トルを得ることができ
る。 なお、娘イオンを収束させる位置は必ずしも元の
コレクタスリット位置ではなく、別の位置にＭ Ｉ Ｋ
ＢＳ用のコレクタスリットを配しても良い。この時Ｑ、
レンズには単一の質量分析計の場合と同じ電圧を印加口
ても良いし、その他の電圧あるいは第２図に示すように
印加しなくてもよい。その場合、Ｑ、Ｃｈ レンズによ
り収束点をシフトさせた分だけ娘イオンの収束点も電場
側にシフトするので、その位置に新たにコレクタスリッ
ト２２を配置すれば良い。
電圧を調整して（具体的にはレンズ作用を弱めて）、偏
向磁場とＱ３レンズとの間に収束点をシフトさせる。こ
の収束点の所に検出スリット２０を設けて磁場単一によ
る質量分析を行う。一方、収束点のシフトによりスリッ
ト２０とＱ３レンズとの間に得られたスペースには衝突
室２１を配置して娘イオンを生成させる。衝突室２１か
ら出射する娘イオンを再収束させるためにＱ、レンズに
は、軌道方向にイオンを収束させる様な電圧を印加する
。こうして電場を掃引することにより、娘イオンのエネ
ルギスペクトル即ち質量スペク、トルを得ることができ
る。 なお、娘イオンを収束させる位置は必ずしも元の
コレクタスリット位置ではなく、別の位置にＭ Ｉ Ｋ
ＢＳ用のコレクタスリットを配しても良い。この時Ｑ、
レンズには単一の質量分析計の場合と同じ電圧を印加口
ても良いし、その他の電圧あるいは第２図に示すように
印加しなくてもよい。その場合、Ｑ、Ｃｈ レンズによ
り収束点をシフトさせた分だけ娘イオンの収束点も電場
側にシフトするので、その位置に新たにコレクタスリッ
ト２２を配置すれば良い。
以上のように本発明によれば、偏向磁場とＱ３レンズの
間に収束点を移動させることにより、衝突室を設けるた
めの広いスペースを確保でき、また、この収束点の移動
のためにはＱ、Ｑ、のレンズ電圧を変えるだけで良く、
単一の質量分析計の条件とＭＩ ＫＢＳ用の条件とを簡
単に切り換えて得ることができる。
間に収束点を移動させることにより、衝突室を設けるた
めの広いスペースを確保でき、また、この収束点の移動
のためにはＱ、Ｑ、のレンズ電圧を変えるだけで良く、
単一の質量分析計の条件とＭＩ ＫＢＳ用の条件とを簡
単に切り換えて得ることができる。
第１図は本発明による質量分析装置の一実施例を示す図
、第２図は第１図の装置において０３をオフにする実施
例を示す図、第３図は逆配置の光学系を有する従来の二
重収束質量分析装置を示す図、第４図はＱＱＨＱＣ光学
系を有する従来の質量分析装置を示す図、第５図は静電
四極レンズの構成を示す図、第６図はイオン軌道を説明
するための図である。 １・・・イオン源、２・・・ソーススリット、３・・・
イオン流、４・・・磁石、５・・・電極、６・・・検出
スリット、７・・・検出器、Ｑ＋ 、Ｑｚ 、Ｑ３・・
・レンズ、２０・・・検出スリット、２１・・・衝突室
、２２・・・コレクタスリット 出 願 人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 蛭 川 昌 信（外２名）第１図 第２図 町１ イＵ
、第２図は第１図の装置において０３をオフにする実施
例を示す図、第３図は逆配置の光学系を有する従来の二
重収束質量分析装置を示す図、第４図はＱＱＨＱＣ光学
系を有する従来の質量分析装置を示す図、第５図は静電
四極レンズの構成を示す図、第６図はイオン軌道を説明
するための図である。 １・・・イオン源、２・・・ソーススリット、３・・・
イオン流、４・・・磁石、５・・・電極、６・・・検出
スリット、７・・・検出器、Ｑ＋ 、Ｑｚ 、Ｑ３・・
・レンズ、２０・・・検出スリット、２１・・・衝突室
、２２・・・コレクタスリット 出 願 人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 蛭 川 昌 信（外２名）第１図 第２図 町１ イＵ
Claims (1)
- 加速されたイオンを放出するイオン源と、イオン源から
のイオンが通過するスリットと、スリットを通過したイ
オンに一方向には発散性を、該一方向に直交する方向に
は収束性を与える複数の静電レンズからなる第１のレン
ズと、第１のレンズを通過したイオンを偏向する磁場を
発生する磁石と、偏向磁場を通過したイオンを収束させ
る第２のレンズと、第２のレンズを通過したイオンをエ
ネルギ収束させる電場を形成する電極と、電場を通過し
たイオンを検出するイオン検出器とを備えた質量分析装
置であって、さらに偏向磁場と第２のレンズとの間にス
リットと衝突室を配置し、二重収束質量分析を行う場合
と、磁場による前駆イオンの分析及び電場による前駆イ
オンの解離イオンの分析を行う場合とで第１レンズへの
印加電圧を切り換えて収束点をシフトさせることを特徴
とする質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032894A JPH0624114B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032894A JPH0624114B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 質量分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200458A true JPS63200458A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH0624114B2 JPH0624114B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=12371595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032894A Expired - Lifetime JPH0624114B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624114B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120565390A (zh) * | 2025-07-25 | 2025-08-29 | 合肥引力波智谱科技有限公司 | 用于三重四极杆质谱中降低质量数干扰的控制方法 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62032894A patent/JPH0624114B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN120565390A (zh) * | 2025-07-25 | 2025-08-29 | 合肥引力波智谱科技有限公司 | 用于三重四极杆质谱中降低质量数干扰的控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0624114B2 (ja) | 1994-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |