JPS63201664A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視
光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関
する。

〔従来技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を構成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔光電流（Ｉｐ）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を
有すること、使用時において人体に対して無公害である
こと等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフィ
スで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用
光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性
は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルファスシリコン（以後Ａ−５ｉと表記す）があ
り、例えば独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報等には電子写真用光受容部材としての
応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−３ｉで構成された先受用層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値。

光感度、光応答性などの電気的、光学的、光導電的特性
および使用環境特性の点、更には経時的安定性および耐
久性の点において、各々個々には特性の向上が計られて
いるが、総合的な特性向上を計る上で更に改良される余
地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって残像が生ず
る、いわゆるゴースト現象を発するようになる等の不都
合な点が少な（なかった。

また、Ａ−３ｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
（Ｈ）あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子
（Ｘ）、および電気的伝導型の制御のために硼素原子や
燐原子などが、あるいはその他の特性改良のために他の
原子が各々構成原子として光導電層中に含有されるが、
これらの構成原子の含有の仕方如何によっては、形成し
た層の電気的あるいは光導電的特性や電気的耐圧性に問
題が生ずる場合があった。

すなわち、例えば、形成した光導電層中に光照射によっ
て発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でな
いことや、あるいは転写紙に転写された画像に俗に「白
ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思わ
れる画像欠陥や、クリーニング手段にブレードを用いる
と、その摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云わ
れている画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰囲
気中で使用したり、あるいは多湿雰囲気中に長時間放置
した直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合
が少なくなかった。

従ってＡ−５ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したような問題の総
てが解決されるように層構成、各層の化学的組成１作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きシリコン原子を母体とする材料で
構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部
材における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することな（実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全くかまたは殆んど観測されないシリコン原子を
母体とする材料で構成された光受容層を有する電子写真
用光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高いシリコ
ン原子を母体とする材料で構成された光受容層を有する
電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用光受容部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、シリコン
原子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電
子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や画
像のボケが全（な（、濃度が高（、／％−フトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容
易にできる、シリコン原子を母体とする材料で構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性お
よび高電気的耐圧性を有する、シリコン原子を母体とす
る材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容
部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
上に長波長光吸収層（以後、ｒｌＲ吸収層」と略記する
）、電荷注入阻止層、電荷輸送層（以後、ｒｃＴＬＪと
略記する）、電荷発生層（以後、ｒＣＧＬＪと略記する
）とがこの順で前記支持体側より積層された層構成を有
する光受容層とを有し、前記ＣＴＬと前記ＣＧＬとがシ
リコン原子を母体とし、少なくとも水素原子、およびハ
ロゲン原子のいずれか一方を含有する非単結晶材料（以
後［Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）ｊと略記する）で構成さ
れ、且つ前記ＣＴＬが炭素原子、窒素原子および酸素原
子のうちの少なくとも一種を含有すると共に、伝導性を
制御する物質として周期律表第Ｖ族に属する原子を層厚
方向に不均一な分布状態で含有している部分を少なくと
も有する事を特徴としている。

〔作　用〕

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的。

光学的、光導電的特性、耐久性および使用環境特性を示
す。

殊に、画像形成への残留電位の影響が実用的には実質上
な（、その電気的特性が安定しており、高感度、高ＳＮ
比を有するものであって、耐光疲労。

繰返し使用特性、耐湿性、電気的耐圧性に長ける為に、
濃度が高くハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の電子写真用光受容部材は、全可視光域に
おいて光感度が高く、且つ光応答が速い。

その為に、高解像度で高品質の画像を安定した状態で高
速で繰返し多数枚得ることが出来るように、デジタル信
号に基づ（画像の形成に適している。加えて、光受容層
としてＣＴＬとＣＧＬを用いた機能分離型の構成とする
ことにより、電荷（フォトキャリア）の発生と該発生し
た電荷の輸送という電子写真用光受容部材にとっての重
要な機能を各々別々の層に持たせることによって、一つ
の層で両方の機能をもたせるより層設計の自由度が大き
く、特性の優れたものが出来る。また、ＣＴＬに炭素原
子、窒素原子および酸素原子のうち少な（とも一種が含
有されていることによりＣＴＬの比誘電率を小さくする
ことが出来るために、層厚当りの容量を減少させること
が出来、帯電能や感度の向上を計ることが出来、さらに
高電圧に対する耐圧性も向上し、耐久性も向上する。加
えてＣＴＬには伝導性を制御する物質を層°厚方向に不
均一な分布状態で含有させることにより、所望に従って
最適な電荷輸送能力を有するＣＴＬを設計出来る。

更に、ＣＴＬとＣＧＬの界面における電荷の注入性も改
善されるため、帯電能、感度、残留電位。

ゴースト、感度ムラ、耐久性、解像度等を飛躍的に向上
させることができる。

更に、ＩＲ吸収層を支持体とＣＴＬとの間に設けること
によって、電子写真装置の露光光源として半導体レーザ
等の長波長光を用いても、入射表面側から支持体までの
間で吸収し切れない分の長波長光も該ＩＲ吸収層で高効
率で吸収されるので、支持体表面での長波長光の反射に
よる干渉現象の現出を顕著に防止出来、画質が飛躍的に
向上する。

また、支持体としてＣＴＬとの間に電荷注入阻止層が設
けられであるために、帯電処理を受けた際に、前記支持
体側からＣＧＬ中に電荷が注入されるのを効果的に阻止
することができ、帯電能が飛躍的に向上する。

〔発明の詳細な説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材に就
で具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した模式的構成図である
。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としての支持体ｌｏｔの上にＩＲ吸収層
１０３と、伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｏ）を全層領域
に均一または不均一に含有するＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ
）　（以後ｒＮｏｎ−３ｉＭｏ）　（Ｈ，Ｘ）と略記す
る）で構成される電荷注入阻止層１０４と、Ｎｏｎ−８
ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されると共に、炭素原子。

窒素原子および酸素原子の中の少なくとも一種を含有し
、且つ伝導性を制御する物質として周期律表第Ｖ族に属
する原子（Ｍ）を層厚方向に不均一な分布状態で含有し
ている部分を少な（とも有しているＣＴＬ１０５とＮｏ
ｎ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬ１０６とから
成る層構成を有する光受容層１０２とを有する。ＣＧＬ
１０６は自由表面１０７を有する。

支」１停一 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ。

Ｃｒ、　Ｍｏ、　　Ａｕ、　　Ｎｂ、　Ｔａ、　　Ｖ、
　Ｔｉ、　　Ｐｔ、　　Ｐｂ等の金属またはこれ等の合
金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、Ｎ　ｔ　Ｃｒ　ｒ
Ａｎ！、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋Ｓｎ）等
から成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、あ
るいはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、ＮｉＣｒ、　Ａｊ’、　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、
　Ｎｉ。

Ａｕ、　Ｃｒ、　　Ｍｏ、　　Ｉｒ、　　Ｎｂ、　Ｔａ
、　　Ｖ、　　ＴＩ、　　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸
着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、または前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の板
状無端ベルト状または円筒状等であることができ、その
厚さは所望通りの電子写真用光受容部材を形成しうるよ
うに適宜決定するが、電子写真用光受容部材としての可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内で可能な限り薄くすることができる。

しかしながら、支持体の製造上および取り扱い上、機械
的強度等の点から通常は１０μ以上とされる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う
場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞
模様による画像不良を解消するために支持体表面に凹凸
を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、例えば円筒状支持体をあらかじめ所望に従
って設計されたプログラムに従って回転させながら規則
的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を正
確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深さ
で形成される。この様な切削加工法によって形成される
凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体の
中心軸を中心にした螺線構造を有する。

逆■字形突起部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構
造、または交叉螺線構造とされても差支えない。

あるいは、螺線構造に加えて中心軸に沿った平行線構造
を導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内における層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間に良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第２図に（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）で示されるように実質的に二等辺三角形、直
角三角形あるいは不等辺三角形とされるのが望ましい。

これらの形状の中、殊に二等辺三角形、直角三角形が望
ましい。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来るように設定さ
れる。

すなわち、第１は光受容層を構成するＮｏｎ−３ｉ（Ｈ
、Ｘ　）層は、層形成される表面の状態に構造敏感であ
って、表面状態に応じて層品質は太き（変化する。従っ
て、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）光受容層の層品質の低下
を招来しないように支持体表面に設けられる凹凸のディ
メンジョンを設定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングにおいてクリーニングを完全に
行うことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早（なるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点、および干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍｘ
０．３μｍ１より好ましくは２００μｍ〜１μｍ１最適
には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μ
ｍ１より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．
６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。

支持体表面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、凹部（または線上突起部）の傾斜面の傾きは好
ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、
最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

また、このような支持体上に堆積される各層の層厚の不
均一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは
０．１μｍ〜２μｍ１より好ましくは０．１　ｐ　ｍＮ
１．５　ｐ　ｍｓ最適には０．２６　ｍＮｌ　ｐ　ｍと
されるのが望ましい。

また、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支持
体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けても
よい。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求さ
れる解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、
複数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状およびその好適な製造例を第３図および第
４図により説明するが、本発明の光受容部材における支
持体の形状およびその製造法は、これによって限定され
るものではない。

第３図は本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部
分的に拡大して模式的に示すものである。

第３図において３０１は支持体、３０２は支持体表面、
３０３は剛体真珠、３０４は球状痕跡窪みを示している
。

さらに第３図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。すなわち、剛体真
球３０３を支持体表面３０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面３０２に衝突させることにより
、球状窪み３０４を形成しうることを示している。そし
て、はぼ同一径ＲＯの剛体真球３０３を複数個用い、そ
れらを略々同一の高さｈより、同時にあるいは逐時的に
落下させることにより、支持体表面３０２にほぼ同一曲
率半径Ｒおよび同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み３
０４を形成することができる。

前述のごと（して、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第４図に示す。

第４図において、４０１は支持体、４０２は凹凸部の凸
部位置、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを表
わす。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒおよび幅り
は、こうした本発明の電子写真用光受容部材における干
渉縞の発生を防止する作用効果を効率的に達成するため
には重要な要因である。本発明者らは、各種実験を重ね
た結果、以下のところを究明した。すなわち、曲率半径
Ｒおよび幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、電子写真用光受容部材の全体に発生
する干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、電子写
真用光受容部材における干渉縞り の発生を防止するためには、前記−を０．０３５以上、
好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。

第４図の例においては、略々同一半径Ｒｏの剛体真球を
使用した例を示しであるが、本発明における支持体とし
ては、これに限定されることはなく、本発明の目的を達
成する範囲において個数と種類が管理された状態で、半
径Ｒｏの異なる複数種の剛体真球を使用しても良い。

第５図は、上記方法で作成した支持体５０１上に、ＩＲ
吸収層５０２．電荷注入阻止層５０３．　ＣＴＬ５０４
゜ＣＧＬ５０５とからなる光受容層５００を形成した例
が示される。ＣＧＬ５０５は自由表面５０６を有する。

１又１」Ｌｌ 本発明におけるＩＲ吸収層（１０３，５０２）は、構成
要素としてゲルマニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（
８口）のうちの少な（ともいずれか一方と、水素原子（
Ｈ）およびハロゲン原子（Ｘ）のうちの少なくともいず
れか一方と、好ましくはシリコン原子（Ｓｉ）も含有す
る非単結晶材料（以後［Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）
　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成される。

該ＩＲ吸収層に含有されるゲルマニウム原子および／ま
たはスズ原子は、該ＩＲ吸収層中に万偏無（均一に分布
されても良いし、あるいは該ＩＲ吸収層の全層領域に万
偏無く含有されてはいるか層厚方向の分布濃度が不均一
であっても良い。しかしながら、いずれの場合にも支持
体の表面と平行な面内方向においては、均一な分布で万
偏無（含有されることが、面内方向における特性の均一
化を計る点からも必要である。すなわち、ＩＲ吸収層の
層厚方向には万偏無く含有されていて、且つ前記支持体
の設けられである側とは　反対の側（光受容層の自由表
面側）の方に対して前記支持体側の方に多（分布した状
態となるようにするか、あるいはこの逆の分布状態とな
るように前記ＩＲ吸収層中に含有される。

本発明の電子写真用光受容部材においては、前記したよ
うにＩＲ吸収層中に含有されるゲルマニウム原子および
／またはスズ原子の分布状態は、層厚方向においては前
記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平行な面内方
向には均一な分布状態とされるのが望ましい。

また、好ましい実施態様例の１つにおいては、ＩＲ吸収
層中におけるゲルマニウム原子および／またはスズ原子
の分布状態は全層領域にゲルマニウム原子および／また
はスズ原子が連続的に万偏無く分布し、ゲルマニウム原
子および／またはスズ原子の層厚方向の分布濃度が支持
体側よりＣＧＬに向って減少する変化が与えられている
ので、ＩＲ吸収層とＣＧＬとの間における親和性に優れ
、且つ後述するように、支持体側端部においてゲルマニ
ウム原子の分布濃度を極端に太き（することにより、半
導体レーザ等を使用した場合のＣＴＬからＣＧＬまでに
吸収し切れない長波長側の光をＩＲ吸収層において、実
質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射
により干渉を防止することが出来る。

第６図乃至第１１図には、本発明における光受容部材の
ＩＲ吸収層中に含有されるゲルマニウム原子および／ま
たはスズ原子の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典
型的例が示される。

第６図乃至第１１図において、横軸はゲルマニウム原子
および／またはスズ原子（以後「原子（ＧＳ）Ｊと略記
する）の分布濃度Ｃを、縦軸は！Ｒ吸収層の層厚を示し
、ｔＢは支持体側のＩＲ吸収層の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側の！Ｒ吸収層の端面の位置を示す。

すなわち、原子（ＧＳ）の含有されるＩＲ吸収層はｔＢ
側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第６図には、ＩＲ吸収層中に含有される原子（ＧＳ）の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第６図に示される例では、原子（ＧＳ）の含有されるＩ
Ｒ吸収層が形成される表面と該ＩＲ吸収層の表面とが接
する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、原子（ＧＳ）
の分布濃度ＣがＣ３なる一定の値を取り乍ら原子（ＧＳ
）が形成されるＩＲ吸収層に含有され、位置ｔ１よりは
濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位ｆｔ１ｔｒにおいては原子（ＧＳ
）の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第７図に示される例においては、含有される原子（ＧＳ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位ｆｆ１ｔｒにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第８図の場合には、位置ｔＢより位置′ｒ２までは原子
（ＧＳ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある、以後の「実質的に零」の意味も同様である。）。

第９図の場合には、原子（ＧＳ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々
に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている
。

第１０図に示す例においては、原子（ＧＳ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と一
定値であり、位置ｔｒにおいては濃度Ｃ＋ｏ　ｋされる
。位ｆｆ１ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１１図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔｒに
至るまで、原子（ＧＳ）の分布濃度Ｃは濃度０１位置よ
り実質的に零に至るように一次関数的に減少している。

以上、第６図乃至第１１図によりＩＲ吸収層中に含有さ
れる原子（ＧＳ）の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明したように、本発明においては支持体側におい
てシリコン原子を含み、且つ原子（ＧＳ）の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃
度Ｃは支持体側に比べてかなり低くされた部分を有する
原子（ＧＳ）の分布状態がＩＲ吸収層に設けられている
場合は、好適な例の１つとして挙げられる。この場合、
原子（ＧＳ）の層厚方向の分布状態として原子（ＧＳ）
の分布濃度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対
して、好ましくは１０００原子ｐｐｍ以上、より好適に
は５０００原子ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ　ｌ　Ｏ’
原子ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得るように
層形成されるのが望ましい。

本発明において、ＩＲ吸収層中に含有される原子（ＧＳ
）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成され
るように所望に従って適宜法められるが好ましくは１〜
１ｏｘｌｏ’原子ｐｐｍ５より好ましくは１００〜９．
５Ｘ１０’原子ｐ　ｐ　ｍ　、最適には５００〜８　Ｘ
　１０’原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

前記、ＩＲ吸収層はさらに伝導性を制御する物質（Ｍ　
Ｒ）　、酸素原子（０）、窒素原子（Ｎｌ）、炭素原子
（Ｃ）のうち少なくとも１つを含有してもよい。

また、前記の伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｒ）としては
、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることが
でき、本発明においては、ｐ型伝導特性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下「第■族原子」という。）
、またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する
原子（以下「第Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族
原子としては、具体的にはＢ（硼素）、　Ａｌ　（アル
ミニウム）、　Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、　Ｔｌ　（タリウム）等があり、特にＢ、Ｇａが好適
である。第Ｖ族原子としては、具体的にはＰ（燐）、Ａ
ｓ（砒素）、　Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）
等があり、特にＰ。

Ａｓが好適である。

本発明において、ＩＲ吸収層中に含有される伝導特性を
制御する物質（Ｍ　Ｒ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５ＸｌＯ’原子ｐｐｍ、より好ましく〜は０
．５〜ｌＸｌ０’原子ｐ　ｐ　ｍ　、最適には１〜５×
ｌｏ３原子ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明において、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ
，Ｘ）で構成されるＩＲ吸収層は、例えば後述されるＣ
ＧＬ。

ＣＴＬと同様の真空堆積膜形成法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメータの数値条件が設定さ
れて作成される。具体的には、例えばグロー放電法（低
周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤ等の
交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶＤ等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、非単結晶材料の原料ガスを分解
することにより生成される活性種（Ａ）と、該活性種（
Ａ）と化学的相互作用をする成膜用の化学物質より生成
される活性種（Ｂ）とを、各々別々に堆積膜を形成する
ための成膜空間内に導入し、これらを化学反応させるこ
とによって非単結晶材料を形成する方法（以下ｒＨＲＣ
ＶＤ法」と略記す）、非単結晶材料の原料ガスと、該原
料ガスに酸化作用をする性質を有するハロゲン系の酸化
ガスを各々別々に堆積膜を形成するための成膜空間内に
導入し、これらを化学反応させることによって非単結晶
材料を形成する方法（以下、ｒＦＯｃＶＤ法」と略記す
）などの種々の薄膜堆積膜法によって成形することがで
きる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模１作成される光受容部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての
条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共にハ
ロゲン原子および水素原子の導入を容易に行い得る等の
ことからして、グロー放電法、スパッタリング法。

イオンブレーティグ法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法が
好適である。そして、これらの方法を同一装置系内で併
用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、Ｎｏｎ−８ｉ　（Ｇｅ
。

５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成されるＩＲ吸収層を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと、および／またはスズ原子
（Ｓｎ）を供給し得るＳｎ供給用の原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスまたは／および
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを内部が減圧にし
得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室
内グロー放電を生起させ、あらかじめ所定位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、
５ｎ）（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成すれば良い。またゲルマニウム原
子および／またはスズ原子を不均一な分布状態で含有さ
せるには、Ｇｅ供給用および／またはＳｎ供給用の原料
ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御しなが
らＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。また、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで
構成されたターゲット、あるいは該ターゲットとＧｅお
よび／またはＳｎで構成されたターゲットの二枚または
三枚を使用して、またはＳｉとＧｅおよび／またはＳｎ
の混合されたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ
、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用および／ま
たはＳｎ供給用の原料ガスを必要に応じて、水素原子（
Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）　導入用のガス
をスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによって成される。ゲルマ
ニウム原子および／またはスズ原子の分布を不均一にす
る場合には、前記Ｇｅ供給用および／またはＳｎ供給用
の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御
しながら、前記のターゲットをスパッタリングしてやれ
ば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コンまたは単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウムまたは
単結晶ゲルマニウムおよび／また多結晶スズまたは単結
晶スズとを、それぞれ蒸発源として蒸着ボードに収容し
、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパ
ッタリング法の場合と同様にする事で行うことができる
。

ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−５ｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成されるＩＲ吸収層を形成するには、例え
ばＳｉ供給用の原料ガスとＧｅ供給用の原料ガスおよび
／またはＳｎ供給用の原料ガスを必要に応じて別々に、
あるいはいっしょに内部が減圧にし得る堆積室内の前段
に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して、該
活性化空間内にグロー放電を生起させたり、または加熱
したりすることにより活性種（Ａ）を生成し、水素原子
（■（）導入用の原料ガスおよびまたはハロゲン原子（
Ｘ）導入用の原料ガスを同様に別の活性化空間に導入し
て活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活性種（Ｂ）
を各々別に前記堆積室内に導入してあらかじめ所定位置
に設置されである所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　
（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれば良
い。また、ゲルマニウム原子および／またはスズ原子を
不均一な分布状態で含有させるには、Ｇｅ供給用および
／またはＳｎ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化
率曲線に従って制御しながらＮｏｎ−５ｉ　（Ｇｅ、５
ｎ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。

ＦＯＣＶＤ法によってＮｏｎ−Ｓｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（
Ｈ，Ｘ）で構成されるＩＲ吸収層を形成するには、例え
ばＳｉ供給用の原料ガスとＧｅ供給用の原料ガスおよび
／またはＳｎ供給用の原料ガスを必要に応じて別々にあ
るいは一緒に内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス
圧状態で導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガス
とは別に前記堆積室内に所望の　ガス圧状態で導入し、
堆積室内でこれらのガスを化学反応させて、あらかじめ
所定の位置に設置されである所定の支持体表面上にＮｏ
ｎ−３ｉ　（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
すれば良い。またゲルマニウム原子および／またはスズ
原子を不均一な分布状態で含有させるにはＧｅ供給用お
よび／またはＳｎ供給用の原料ガスのガス流量を所望の
変化率曲線に従って制御しながらＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ
、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させればよい。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６゜５ｉ３Ｈ＠
、５ｉ４Ｈ１（１等のガス状態の、またはガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２　Ｈ６が好ましいも
のとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３ｌｇ、Ｇｅ４Ｈ，（、。

Ｇｅ５　Ｈ１２＋　Ｇｅ　６　Ｈ１４＋　Ｇｅ　７　Ｈ
１６＋　Ｇｅ８　Ｈ１８＋ＧｅｇＨ２ｏなどのガス状態
のまたはガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用
されるものとして挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い
易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２
ｌ−１６゜Ｇｅ　３　ＨＢが好ましいものとして挙げら
れる。

Ｓｎ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＳｎＨ
４，５ｎ２Ｈ６，ＳＳｎ３Ｈ，５ｎ４Ｈ＋０＋Ｓｎ５　
Ｈ１２＋　Ｓｎ６　Ｈ１４＋　Ｓｎ　７　Ｈ１６＋　Ｓ
ｎ８　［ＩＩＩＩ＋ＳｎｇＨ２０などのガス状態のまた
はガス化し得る水素化スズが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給
効率の良さ等の点でＳｎＨ４，５ｎ２Ｈ６，５ｎ３ＨＢ
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

また、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態のまたはガス化し得るハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的にはフッ素塩素臭素、ヨウ素のハロゲンガス
、　　ＢｒＦ、　ＣＩ　Ｆ、　ＣＩ　Ｆ３．　　ＢｒＦ
５．　　ｌ３ｒＦ３．　　ＩＦ３．　ＩＦ７．　Ｉｃｅ
、　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることができる
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例え
ばＳｉＦ４．　Ｓｉ　２　Ｆ６＋　５ｉ（１４゜ＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受容
部材を形成する場合には、Ｇｅ供給用および／またはＳ
ｎ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−３ｉ　（Ｇｅ、Ｓｎ）
　（Ｈ，Ｘ）から成るＩＲ吸収層を形成することができ
る。

グロー放電法にしたがってハロゲン原子を含むＩＲ吸収
層を製造する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスと
なる水素化ゲルマニウムおよび／またはＳｎ供給用の原
料ガスとなる水素化スズを所定の混合比とガス流量にな
るようにしてＩＲ吸収層を形成する堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所望の支持体上にＩＲ吸収層を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一
層容易になるように図る為にこれ等のガスに更に水素ガ
スまたは水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。

また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＩＩ　ＲＣＶ　Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法の何れの場合にも形
成される層中にハロゲン原子を導入するには、前記のハ
ロゲン化合物または前記のハロゲン原子を含む硅素化合
物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気
を形成してやれば良いものである。

また、水素原子を導入する場合には水素原子導入用の原
料ガス、例えばＦ２、あるいは前記したシラン類または
／および水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリン
グ用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ。

ＨＣＩ！、　ＨＢｒ、　Ｈｌ等のハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２　。

５ｔＨ２１２，５ＩＨ２Ｃ１２、５ｔＨＣＡ’　２　、
　ＳｉＨ２Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ２等のハロゲン置換水素化硅素、およびＧｅ
ＨＦ３．　　ＧｅＦ２　Ｆ２．　　ＧｅＨ３Ｆ、　　Ｇ
ｅＨＢｒ３゜ＧｅＦ２（１２，ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨＢ
ｒ３．ＧｅＦ２Ｂｒ２゜ＧｅＨ３Ｂｒ、　ＧｅＨＩ３　
、　ＧｅＦ２１２　、ＧｅＨ３ｒ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化物、　ＧｅＦ４゜ＧｅＣｌ４．ＧｅＢｒ４．Ｇｅ
１４．ＧｅＦ２．ＧｅＣ１２゜ＧｅＢｒ２　、　　Ｇｅ
１２等のハロゲン化ゲルマニウム、または／および５ｎ
ＨＦ３，５ｎＨ２Ｆ２，５ｎＨ３Ｆ。

５ｎＨＣｊ７３．５ｎＨ２Ｃｊ？２．５ｎＨ３ＣＪ７．
５ｎＨＩ３ｒ３゜５ｎＨ２Ｂｒ２．５ｎＨ３Ｂｒ、　５
ｎＨＩ３．５ｎＨ２１２゜５ｎＨ３１等の水素化ハロゲ
ン化スズ等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、５ｎＦ４゜５ｎＣｊ’　４．ＳｎＢｒ４，５ｎ１
４．ＳｎＦ２，５ｎＣｊ！２゜ＳｎＢｒ２　、５ｎ１２
等のハロゲン化スズ等々のガス状態のあるいはガス化し
得る物質も有効なＩＲ吸収層形成用の出発物質として挙
げる事ができる。これ等の物質の中、水素原子を含むハ
ロゲン化物は、ＩＲ吸収層形成の際に層中にハロゲン原
子の導入と同時に電気的あるいは光電的特性の制御に極
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明において
は好適なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子をＩＲ吸収層中に構造的に導入するには、上記
の他にＦ２あるいはＳｉＨ４，Ｓｉ　２　Ｈ６゜Ｓｉ３
Ｈｇ、５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧｅを供給するた
めのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合物と、あるい
はＧｅＨ４，Ｇｅ　２　Ｈ６，Ｇｅ　３　ＨＢ。

Ｇｅ４ＩＩ、０．Ｇｅ５Ｈ，２，Ｇｅａ　”＋４＋　Ｇ
ｅ７　Ｆ１６゜Ｇｅ　ｇ　Ｈ１８＋　　Ｇｅ　ｇ　Ｆ２
０等の水素化ゲルマニウムおよび／またはＳｎを供給す
るためのスズまたはスズ化合物と、あるいはＳｎＨ４，
Ｓｎ　２１１１５＋Ｓｎ３　ＨＢｒ　Ｓｎ４　ＨＩｏｎ
　Ｓｎ５　Ｈ１２＋　Ｓｎ６　Ｈ１４＋Ｓｎ７　’　＋
６＋　　Ｓ０８　Ｆ１１８＋　　Ｓ１９　”２０等の水
素化スズとＳｉを供給するためのシリコンまたはシリコ
ン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行うことができる。

本発明の好ましい例において、形成される電子写真用光
受容部材のＩＲ吸収層中に含有される水素原子（■１）
の量またはハロゲン原子（Ｘ）の量または水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ＋　Ｘ　）は、好ましくは０．
０１〜４０原子％、より好ましくは０．０５〜３０原子
％、最適には０．１〜２５原子％とされるのが望ましい
。

ＩＲ吸収層中に含有される水素原子（Ｈ）または／およ
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば
良い。

本発明において、ＩＲ吸収層に窒素原子および／または
炭素原子および／または酸素原子を含有させるには、Ｉ
Ｒ吸収層の形成の際に窒素原子および／または炭素原子
および／または酸素原子導入用の出発物質を前記したＩ
Ｒ吸収層形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＩ
Ｒ吸収層を形成するには窒素原子導入用の出発物質とし
ては、少な（とも窒素原子を構成原子とするガス状の物
質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（■］）またはおよびハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）および水素原子（
■１）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいは、シリコン原子（Ｓｉ
）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）
、窒素原子（Ｎ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原
子とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮと■］とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）
、アンモニア（ＮＨ３）、　　ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ
２）、アジ化水素（ＨＮ　３）、アジ化アンモニウム（
ＮＨ４Ｎ３）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒
化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げることができ
る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲ
ン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素
（Ｆ　３　Ｎ）。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＩ
Ｒ吸収層を形成するには炭素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物
質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子（
■］）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
炭素原子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（■］）
とを構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｃと１■とを構成原子と
する。

例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＩ（４
）　、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３１（８）。

ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃ４Ｈ＋ｏ）、ペンタン（Ｃ５１−
１１２）、エチレン系炭化水素としてはエチレン（Ｃ２
Ｈ４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）。

ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（ｃ　４　ＨＢ
　）＋ペンテン（Ｃ３Ｈ１１））、アセチレン系炭化水
素としてはアセチレン（ｃ　２　Ｈ２）、メチルアセチ
レン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（ｃ　ａ　Ｈａ　）等が挙げ
られる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨ３）、ｓ、Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４゜ＣＣＩ　
４＋　　ＣＨ３ＣＦ　３等のハロゲン化炭素ガスを挙げ
ることが出来る。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＩ
Ｒ吸収層を形成するには、酸素原子導入用の出発物質と
しては、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の
物質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えば、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）および水素原子（
Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望の
混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を
構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸
素原子（０）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（１−（
）とを構成原子とする原料ガスに、酸素原子（０）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、例えば酸素（０２）、オ
ゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（Ｎｏ　２　＞、−二酸化窒素（Ｎ　２　ｏ
）。

三二酸化窒素（Ｎ２０３）、　四三酸化窒素（Ｎ２０４
）。

三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、三酸化窒素（ＮＯ２）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（■
１）と構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｆ■３
ＳｉＯ８ｉ■］３）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉ
１１２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げること
ができる。

スパッタリング法によってＩＲ吸収層を形成するには、
■Ｒ吸収層形成の際、単結晶または多結晶のＳｉウェー
ハーまたはＳｉ　３　Ｎ　４ウエーハー、またはＳｉと
Ｓｉ３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーおよ
び／またはＳｉＯ２ウェーハー、またはＳｉと５ｉ０２
が混合されて含有されているウェーハーおよび／または
ＳｉＣウェーハーまたはＳｉとＳｉＣが混合されて含有
されているウェーハーをターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
えば良い。

例えば、窒素原子を含有させるにはＳｉウェーハーをタ
ーゲットとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて水
素原子または／およびハロゲン原子を導入するための原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッタ
用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマを
形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。

また、別には、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４とは別々のター
ゲットとしてまたはＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４の混合した
一枚のターゲットを使用することによって、スパッタ用
のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少な（とも
水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子として含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中の
窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスがスパ
ッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明において、ＩＲ吸収層の形成の際に、該層に含有
される窒素原子および／または炭素原子および／または
酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）お
よび／またはＣ（０）を層厚方向に変化させて、所望の
層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有
する層を形成するには、グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、
ＦＯＣＶＤ法の場合ニハ、分布濃度Ｃ（Ｎ）および／ま
たはＣ（Ｃ）および／またはＣ（０）を変化させるべき
窒素原子および／または炭素原子および７／または酸素
原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望の
変化率曲線にしたがって適宜変化させ乍ら、堆積室内に
導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操作を
行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、窒素原子およ
び／または炭素原子および／または酸素原子の層厚方向
の分布濃度Ｃ（Ｎ）および／またはＣ（Ｃ）および／ま
たはＣ（０）を層厚方向で変化させて、窒素原子および
／または炭素原子および／または酸素原子の層厚方向の
所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ　　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形
成するには、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、窒素原子および／または炭素原子および／または酸
素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し該ガスを堆
積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化
させることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｉとＳｉ　３　Ｎ　４との混合されたターゲットを使用
するのであれば、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４との混合比を
、ターゲットの層厚方向において、あらかじめ変化させ
ておくことによって成される。

ＳｉＣかＳ＋０２を用いる場合も、Ｓｉ　３　Ｎ　４と
同様に行えばよい。

ＩＲ吸収層中に含有される窒素原子（Ｎ）の量、または
酸素原子（０）の量、または炭素原子（Ｃ）の量、また
は窒素原子と酸素原子の量の和（Ｎ＋０）、または窒素
原子と炭素原子の量の和（Ｎ＋Ｃ）、または炭素原子と
酸素原子の量の和（Ｃ＋Ｏ）、または窒素原子と炭素原
子と酸素原子の量の和（Ｎ＋Ｃ十〇）は、好ましくは０
．０１〜４０原子％、より好ましくは０．０５〜３０原
子％、最適には０．１〜２５原子％とされるのが望まし
い。

ＩＲ吸収層中に、伝導特性を制御する物質（Ｍ　Ｒ）、
例えば、第■族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質あ
るいは第Ｖ族導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に
、ＩＲ吸収層を形成するための他の出発物質と共に導入
してやれば良い。このような第■族原子導入用に出発物
質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい。そのような第■族原子導入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、
Ｂ２　■４６＋　８４　”’ＩＯ＋　Ｂ５　”■１１＋
　　Ｂ５　■（ｌＩ＋Ｂ　６　Ｉ］１０　、　　Ｂ　６
　Ｈ１２、Ｂ　７　ＩＩ　１４等の水素化硼素、ＢＦ　
３．ＢＣｌ２．ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、ＡｌＣｌ　３．Ｇａ　　Ｃ１３，Ｇａ（
Ｃ）１３）３　、　ＩｎＣｌ！２　、　ＴＩ　Ｃ１３等
も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４１゜ＰＦ３．　ＰＦ５．
　ＰＣｆ３．　ＰＣＩ！５．　ＰＢｒ３．　ＰＢｒ３゜
ＰＩ３等のハロゲン比隣が挙げられる。この他、Ａｓ１
１３、　　ＡｓＦ３．　　ＡｓＣｊ’　　３．　　Ａｓ
Ｂｒ３．　　ＡｓＦ５゜ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．　　Ｓｂ
Ｆ、、　　５ｂＣｊ７３．　５ｂＣ１５゜ＢｉＨ３、Ｂ
ｉＣｊ’　３　、　Ｂ１Ｂｒ　３等も第Ｖ族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。

更に本発明におけるＩＲ吸収層の層厚は、所望の電子写
真特性が得られることおよび経済的効果等の点から０．
０５〜２５　μ、好ましくは０．０７〜２０μ、最適に
は０．１−１５μとするのが望ましい。

ｌ亙ま入ユニ１ 電荷注入阻止層は（１０４，５０３）、前記したように
ＮｏＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される。本発明に
おける電荷注入阻止層は、ある一方極性の帯電処理を光
受容層の表面に受けた際、支持体側よりＣＴＬ中に電荷
が注入されるのを阻止する機能を有し、他方の極性の帯
電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、
所謂整流性を有している。そのような機能を付与するた
めに、電荷注入阻止層には一方の伝導型を与える伝導性
を制御する物質（Ｍｏ）を比較的多く含有させる。

伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｏ）は、電荷注入阻止層の
層界面方向には万偏無く均一に含有されるが、層厚方向
には、その分布濃度Ｃ（ＭＯ）は均一であっても不均一
であっても良い。しかしながら、いずれにしても電荷注
入阻止層の全層領域に含有される。

分布濃度Ｃ（ＭＯ）が不均一な場合には、支持体側に多
（分布するように含有させるのが好適である。

電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する物質（
ＭＯ）は、後述されるＣＴＬ中に含有される周期律表第
Ｖ族に属する原子（Ｍ）と同一極性であっても良く、ま
た異なる極性であっても良く、更には同一物質であって
も異なる物質であっても良い。

これらのことは、光受容層の層設計の際に目的に合せて
充分考慮されて適宜決定される。電荷注入阻止層中に含
有される伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｏ）としては具体
的には、前述した伝導性を制御する物質（Ｍ　Ｒ）や後
記される周期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）と同じもの
を挙げることが出来る。

第１２図乃至第１６図には電荷注入阻止層に層厚方向に
は不均一な分布濃度で含有される場合の伝導性を制御す
る物質（ＭＯ）の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。

第１２図乃至第１６図の例において、横軸は物質（Ｍｏ
）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）を、縦軸は電荷注入阻止層の層
厚ｔを示し、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支持
体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、電荷注入阻
止層はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１２図には電荷注入阻止層中に含有される物質（Ｍ　
Ｏ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１２図に示される例では界面位置ｔＢ側よりＩ４の位
置までは、物質（Ｍ　ｏ　）の含有濃度Ｃ（ＭＯ）がＣ
Ｉ２なる一定の値を取りながら含有され位置ｔ４より分
布濃度Ｃ（ＭＯ）は界面位置ｔＴに至るまでＣＩ３より
徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいて
は分布濃度ＣはＣＩ４とされる。

第１３図に示される例においては、含有される物質（Ｍ
　Ｏ）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）は位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまでＣＩ５から徐々に連続的に減少して位置ｔＴに
おいてＣＩ８となるような分布状態を形成している。

第１４図に示す例においては、物質（ＭＯ）の分布濃度
Ｃ（Ｍｏ）は、位置ｔＢと位置Ｉ５間においてはＣ１□
と一定値であり、位置ｔＴにおいてはＣＩ８とされる。

位置ｔ５と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃ（ＭＯ）は
−次間数的に位置ｔ５より位置ｔＴに至るまで減少され
ている。

第１５図に示される例においては、分布濃度Ｃ（ＭＯ）
は位置１Ｂより位置ｔ６まではＣＩ９の一定値を取り、
位置ｔ６より位置ｔＴまではＣ２ＩｌｌよりＣ２１まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃ（ＭＯ）
は位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ２２の一定値を取る。

本発明において電荷注入阻止層が伝導性を制御する物質
（Ｍ　Ｏ）を支持体側において多（分布する分布状態で
含有する場合、物質（ＭＯ）の分布濃度Ｃ（ＭＯ）の最
大値が好ましくは５０原子ｐｐｍ以上、より好適には８
０原子ｐｐｍ以上、最適には１００原子ｐｐｍ以上とさ
れるような分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

本発明において電荷注入阻止層中に含有される物質（Ｍ
（１）の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは
３０〜５ＸＩＯ４原子ｐｐｍ。

より妬ましくは５０〜ｌＸｌ０’原子ｐ　ｐ　ｍ　、最
適にはｌＸｌ０”〜５Ｘ１０３原子ｐｐｍとされるのが
望ましいものである。

電荷注入阻止層は炭素原子および／または窒素原子およ
び／または酸素原子の含有によって、重点的に支持体と
電荷注入阻止層との間の密着性の向上および電荷注入阻
止層とＣＴＬとの間の密着性の向上が図られる。

第１７図乃至第２３図には電荷注入阻止層に含有される
炭素原子または／および酸素原子または／および窒素原
子（これらを総称して「原子（Ｚ）」と記す）の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。

第１７図乃至第２３図の例において、横軸は原子（Ｚ）
の分布濃度Ｃｚを、縦軸は電荷注入阻止層の層厚ｔを示
し、ｔＢは支持体側の界面位置を、ｔＴは支持体側とは
反対側の界面の位置を示す。すなわち、電荷注入阻止層
はｔＢ側よりｔＴに向って層形成が　なされる。

第１７図には電荷注入阻止層中に含有される原子（Ｚ）
の層厚方向の分布状態の第一の典型例が示される。

第１７図に示される例では界面位置ｔＢよりｔ７の位置
までは原子（Ｚ）の分布濃度ＣｚがＣ２３なる一定の値
を取りながら含有され、位置ｔ７より分布濃度Ｃは界面
位置ｔＴに至るまでＣ２４より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔＴにおいては分布濃度ＣはＣ２５と
される。

第１８図に示される例においては、含有される原子（Ｚ
）の分布濃度Ｃｚは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ
２６から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいてＣ２
□となるような分布状態を形成している。

第１９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ８までは原子
（Ｚ）の分布濃度ＣｚはＣ，と一定値とされ、位置ｔ８
と位置ｔＴとの間において徐々に連続的に減少され、位
ｔｉｆｔＴにおいて実質的に零とされている。

第２０図の場合には原子（Ｚ）は位置ｔＢより位置ｔＴ
に至るまで、分布濃度ＣｚはＣ３０より連続的に徐々に
減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第２１図に示す例においては、原子（Ｚ）の分布濃度Ｃ
ｚは、位置ｔａと位置１８間においてはＣ３１と一定値
であり、位置ｔＴにおいてはＣ３２とされる。

位ｆｉｔ　ｔ　ｓと位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃｚ
は一次関数的に位置ｔ９より位置ｔＴに至るまで減少さ
れている。

第２２図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃｚは位置１Ｂより位置ｔ　１０まではＣ３３の一定
値を取り、位置ｔ　１０より位置ｔＴまではＣ３４より
Ｃｊまで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２３図に示される例においては、原子（Ｚ）の分布濃
度Ｃｚは位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ３８の一定値を取
る。

本発明において電荷注入阻止層が原子（Ｚ）を支持体側
において多く分布する分布状態で含有する場合、原子（
Ｚ）の分布濃度Ｃｚの最大値が好ましくは５００原子ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００原子ｐｐｍ以上、最適に
は１０００原子ｐｐｍ以上とされるような分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。

本発明において、電荷注入阻止層中に含有される原子（
Ｚ）の含有量としては本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．
００１〜５０原子％、より好ましくは０．００２〜４０
原子％、最適には０．００３〜３ｏ原子％とされるのが
望ましい。

本発明における電荷注入阻止層に含有する水素原子また
は／およびハロゲン原子は、Ｎｏｎ−３１Ｍ。

（Ｈ、Ｘ　）内に存在する未結合手を補償し、層品質の
向上を計ることが出来る。

水素原子またはハロゲン原子、または水素原子とハロゲ
ン原子の和の含有量は、好適には１〜５゜原子％、より
好適には５〜４０原子％、最適には１０〜３０原子％で
ある。

本発明において電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真
特性が得られること、および経済的効果等の点から、好
ま・しくは０．Ｏｆ　〜ｌＯμ、より好ましくは０．０
５〜８μ、最適には０．１〜５μとされるのが望ましい
。

電荷注入阻止層は、後述されるＣＧＬ、ＣＴＬと同様の
真空堆積膜形成法によって、所望特性が得られるように
適宜成膜パラメータの数値条件が設定されて作成される
。

ＣＧＬ 本発明におけるＣＧＬ　（１０６，５０５）は、Ｎｏｎ
−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され、所望の光導電特性、特
に電荷発生特性を有する。

本発明におけるＣＧＬ中には、伝導性を制御する物質、
炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（０）
のいずれも実質的には含有されない。

また、本発明におけるＣＧＬに含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補
償し層品質の向上、特に光導電特性の向上に効果を奏す
る。

水素原子またはハロゲン原子または水素原子とハロゲン
原子の和の含有量は、好適には１〜４０原子９６．より
好適には５〜３０原子％、最適には１０〜２０原子％と
されるのが望ましい。

本発明において、ＣＧＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られることおよび経済的効果、特に充分な電荷発生能
が得られるように電子写真画像形成装置に使用する光源
の光の吸収係数に応じて適宜所望に従って決められ、好
適には０．０１〜３０μｍ１より好適には０．１〜２０
μｍ１最適には１−１０μｍとされるのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
るＣＧＬを形成するには、例えば前記のＩＲ吸収層の場
合と同様にグロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤ
またはマイクロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ。

あるいは直流放電ＣＶＤ等）、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法
等の種々の薄膜堆積法によって形成することが出来る。

これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投下の負荷
程度、製造規模１作製される光受容部材に所望される特
性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望
の特性を有する電子写真用の光受容部材を製造するに当
っての条件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と
共にハロゲン原子および水素原子の導入を容易に行い得
る等のことからして、グロー放電法、スパッタリング法
。

イオンブレーティング法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、ＨＲＣＶ
Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法が好適である。場合によっては、こ
れらの方法を同一装置系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によってＮｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成されるＣＧＬを形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと
水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスまたは／およびハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、あらかじめ所定位置に設置され
である所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成すれば良い。また、スパッタリング法
で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス
またはこれ等のガスをべｍ４とした混合ガスの雰囲気中
でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必要に応じ
て、水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所
望のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって成さ
れる。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コンまたは単結晶シリコンを、蒸発源として蒸着ボード
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とができる。ＨＲＣＶ　Ｄ法によってＮｏｎ−３ｉ　（
Ｈ，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形成するには、例えばＳ
ｉ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内の
前段に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して
、該活性化空間内にグロー放電を生起させた゛す、また
は過熱したりすることにより活性種（Ａ）を生成し、水
素原子（）（）導入用の原料ガスおよび／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、同様に別の活性化空
間に導入して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活
性種（Ｂ）を各々別々に前記堆積室内に導入して、あら
かじめ所定位置に設置されである所定の支持体表面上に
Ｎ’ｏｎ−８ｉ　（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成すれば良い。ＦＯＣＶＤ法によっ
て、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣ　Ｇ　Ｌ
を形成するには、例えばＳｉ供給用の原料ガスを内部が
減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、さ
らにハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガスとは別に前記堆積室
内に所望のガス圧状態で導入し、堆積室内でこれらのガ
スを化学反応させて、あらかじめ所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面上にＮ　ｏ　ｎ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ
、Ｘ　）からなる層を形成すれば良い。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ、、ｌ−１６，５ｉ
３ＨＢ、５Ｉ４Ｈ１゜等のガス状態のまたはガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点で５ｉｌ（４゜５ｉ２Ｈ６が好ま
しいものとして挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に
おいては挙げる事が出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ｌ３ｒＦ、ＣＩ！Ｆ、ＣｌＦ３
゜ＢｒＦ５．　　ＢｒＦ３．ＨＦ３．ＩＦ７．ＩＣＩ、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げる事が出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ　４．　Ｓｉ　２　Ｆ　６．　　ＳｉＣｌ　４゜
５ｉＩ３ｒ　４等のハロゲン化硅素が好ましいものとし
て挙げることが出来る。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受容
部材を形成する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）から
成るＣＧＬを形成する事ができる。

グロー放電法にしたがって、ハロゲン原子を含むＣＧＬ
を製造する場合、基本的には例えばＳｉ供給用の原料ガ
スとなるハロゲン化硅素を所定のガス流量になるように
してＣＧＬを形成する堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体上にＣＧＬを形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になるよう
に図る為に、これ等のガスに更に水素ガスまたは水素原
子を含む硅素化合物のガスも所望貴混合して層形成して
良い。

また、各ガスは単独種のみでな（所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法の何れの場合にも形成され
る層中にハロゲン原子を導入するには、前記のハロゲン
化合物または前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガ
スを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成
してやれば良いものである。

ま−た、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用
の原料ガス、例えば、Ｈ２、あるいは前記したシラン類
のガス類をスパッタリング用の体積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、　　ＬＩＣ１。

ＨＢ　ｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｊｊｌ　２
　Ｆ　２　、　５ｉ）１２１２　、　ＳｉＨ２Ｃ１２、
５ｉＨＣ１２、５ｉ）１２　Ｂｒ２　。

５ｉＨＢｒ　２等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガ
ス状態のあるいはガス化し得る物質も有効なＣＧＬ形成
用の出発物質として挙げる事ができる。これ等の物質の
中、水素原子を含むハロゲン化物は、ＣＧＬ形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電
的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので
、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料として
使用される。

水素原子をＣＧＬ中に構造的に導入するには、上記の他
にＨ２、あるいはＳｉＨ４，Ｓｉ。Ｈ６゜Ｓｉ３Ｈ８，
５ｉ４Ｈ，ｏ等の水素化硅素とＳｉを供給するためのシ
リコンまたはシリコン化合物とを堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行うことができる。

ＣＧＬ中に含有される水素原子（Ｈ）または／およびハ
ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温
度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い
。

ＣＴＬ 本発明におけるＣＴＬ　（１０５，５０４）は、構成要
素としてシリコン原子と炭素原子、窒素原子および酸素
原子のうち少なくとも一種と、伝導性を制御する物質と
して周期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）とを含有するＮ
ｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）　（以後ｒＮｏｎ−３ｉＭ（Ｃ
，Ｎ、Ｏ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、所
望の電子写真特性を満足する電荷輸送特性を有する。該
ＣＴＬに含有される炭素原子、窒素原子または酸素原子
は該ＣＴＬ中に万偏無（均一に分布した状態で含有され
ても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で
含有している部分があっても良いように含有されても良
い。周期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）は層厚方向には
不均一に分布する状態で含有される。いずれにしても、
周期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）、炭素原子、窒素原
子および酸素原子のいずれも含有される場合には、ＣＴ
Ｌの全層領域に含有される。周期律表第Ｖ族に属する原
子（Ｍ）のＣＴＬの層厚方向の分布濃度がＣＴＬの少な
（とも一部の層領域において、不均一になるように、物
質（Ｍ）はＣＴＬ中に含有される。

炭素原子、窒素原子および酸素原子のＣＴＬにおける層
厚方向の分布濃度は、均一であっても良（、あるいは周
期律表第Ｖ族に属する原子（Ｍ）と同様にＣＴＬの少な
（とも一部の層領域で不均一となるように含有されても
良い。

第２４図乃至第３９図にはＣＴＬに含有される周期律表
第Ｖ族に属する原子（Ｍ）の層厚方向の分布状態の典型
的例が示されている。

第２４図乃至第３９図において、横軸は含有する原子（
Ｍ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＴＬの層厚を示し、ｔＢ
は支持体側のＣＴＬの端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側のＣＴＬの端面の位置を示す。

すなわち、原子（Ｍ）の含有されるＣＴＬはｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２４図には、ＣＴＬ中に含有される原子（Ｍ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２４図に示される例では、電荷注入阻止層とＣＴＬと
が接する界面位置ｔＢよりｔ　１６の位置までは、原子
（Ｍ）の分布濃度Ｃが値Ｃ５７なる一定の値を取り乍ら
原子（Ｍ）が形成されるＣＴＬに含有され、位置　ｔ　
１６よりは濃度Ｃ５８より界面位置ｔＴに至るまで徐々
に連続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては原
子（Ｍ）の分布濃度Ｃは値Ｃ５９とされる。

第２５図に示される例においては、含有される原子（Ｍ
）の分布濃度Ｃは位置ｔｏより位置ｔＴに至るまで濃度
Ｃ６ｏから徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃
度Ｃ６１となる様な分布状態を形成している。

第２６図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ　Ｉ７までは
原子（Ｍ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６２と一定値とされ、
位置ｔ　１７と位置ｔＴとの間において、Ｃ６３より徐
々に連続的に減少され、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは
実質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限
界量未満の場合であり、以後の「実質的に零」の意味も
同様である。）。

第２７図の場合には、原子（Ｍ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６４より連続的に徐
々に減少され、位置ｔｒにおいて実質的に零とされてい
る。

第２８図に示す例においては、原子（Ｍ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔＢと位置ｔ　１１１間においては、濃度Ｃ６
５と一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ６６とさ
れる。位置【、８と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置ｔ　＋ａより位置ｔＴに至るまで減少
されている。

第２９図に示す例においては、位置ｔｏより位置ｔＴに
至るまで、原子（Ｍ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６７より実
質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第３０図に示される例においては、含有される原子（Ｍ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ６
８から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいてＣ６９
となる様な分布状態を形成している。

第３１図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ　１９までは値Ｃ７０の一定
値を取り、位置ｔ　１９より位置ｔＴまではＣ７１より
値Ｃ７２まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。

第３２図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置１Ｂより位置ｔ２ｏに至るまで値Ｃ７５から
Ｃ７４まで徐々に連続的に増加し、位置ｔ２ｏよりはＣ
７３の一定値を取り、位置ｔＴに至る様な分布状態を形
成している。

第３３図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ７７からＣ７
６まで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成して
いる。

第３４図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｏより位置ｔ　２１に至るまで実質的に零
からＣ７９まで徐々に連続的に増加し、位置【２１より
はＣ７８の一定値を取り、位置ｔＴに至る様な分布状態
を形成している。

第３５図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔａより位ｆａｔｒに至るまで実質的に零か
らＣｓｏまで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形
成している。

第３６図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ２□に至るまでＣ８２からＣ
ｓ＋まで一次関数的に増加し、位置ｔ２□よりはＣｓ＋
の一定値を取り位置ｔＴに至る様な分布状態を形成して
いる。

第３７図に示される例においては原子（Ｍ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、実質的に零から
Ｃ８３まで一次関数的に増加する様な分布状態を形成し
ている。

第３８図に示される例においては、原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ８５からＣ３
Ａまで徐々に連続的に増加する様な分布状態を形成して
いる。

第３９図に示される例においては、原子（Ｍ　）の分布
濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ２３に至るまでＣ８８から
Ｃ８７まで一次関数的に増加し、位置ｔ２３よりはＣ８
６の一定値を取り、位置ｔＴに至る様な分布状態を形成
している。

第４０図乃至第４９図にはＣＴＬに含有される炭素原子
または／および窒素原子または／および酸素原子（以後
、これ等を総称して、「原子（Ｙ）」と略記する）の層
厚方向の分布状態の典型的例が示されている。

第４０図乃至第４９図において、横軸は含有する原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＴＬの層厚を示し、ｔＢ
は支持体側のＣＴＬの端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側のＣＴＬの端面の位置を示す。

すなわち、原子（Ｙ）の含有されるＣＴＬはｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。

第４０図には、ＣＴＬ中に含有される原子（Ｙ）の層厚
方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第４０図に示される例では、電荷注入阻止層とＣＴＬと
が接する界面位置ｔＢよりｔ　２４の位置までは、原子
（Ｙ）の分布濃度ＣがＣ８９なる一定の値を取り乍ら原
子（Ｙ）が形成されるＣＴＬに含有され、位置ｔ　２４
ｉりは濃度Ｃ９０より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置ｔＴにおいては原子（
Ｙ）の分布濃度ＣはＣ９１とされる。

第４１図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位１ｉｔＢより位置ｔＴに至るまで濃
度Ｃ９２から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ９３となる様な分布状態を形成している。

第４２図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ３までは原子
（Ｙ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ９４と一定値とされ、位置
ｔ２５と位置ｔＴとの間においてＣ９５から徐々に連続
的に減少され、位ｔａｆｆｉ【Ｔにおいて分布濃度Ｃは
実質的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限
界量未満の場合である）。

第４３図の場合には、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔｒに至るまで、濃度Ｃ９６より連続的に徐
々に減少され、位ｇｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第４４図に示す例においては、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃ
は、位置１０と位置ｔ　ｚｅ間においては、濃度Ｃ９７
と一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ９８とされ
る。位ｆｔ　ｔ　２６と位置ｔＴとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置ｔ２Ｉ］より位置ｔｒに至るまで
減少されている。

第４５図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに
至るまで、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ９９より
実質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第４６図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまでＣ＋
ｏｏから徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいてＣ＋
ｏ＋となる様な分布状態を形成している。

第４７図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｏより位置ｔ　２７まではＣ１０２の一定
値・を取り、位置ｔ２□より位置を丁まではＣｌＯ３よ
りＣＩＯ２まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。

第４８図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴまでＣ１ｏ５の一定値を取
る。

第４０図乃至第４８図において示した例は、いずれもｔ
Ｔ側よりｔＢ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多い
例を示したが、ｔＴ側とｔＢ側をまったく逆にして、ｔ
Ｂ側よりｔＴ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多く
てもよ（、例えば第４９図に示される例では第４０図に
おいて、ｔＴ側とｔＢ側を逆にした場合で、界面位置ｔ
Ｂより位置ｔ２Ｉｌに至るまで原子（Ｙ）の分布濃度Ｃ
はＣ＋ｏｓから徐々に連続的に増加して位置ｔ　２８で
Ｃ１０７となり、位置１．から界面位置ｔＴまでＣ＋ｏ
ｓなる一定の値となる。

前記の周期律表第■族に属する原子（Ｍ）としては、Ｉ
Ｒ吸収層の記述の中で挙げた第Ｖ族原子を挙げることが
出来る。

本発明においては、ＣＴＬの全層領域に伝導性を制御す
る物質（Ｍ）として第Ｖ族原子を含有させることによっ
て、主として伝導型および／または伝導率を制御する効
果および／またはＣＧＬとＣＴＬとの間の電荷注入性を
向上させる効果を得ることが出来るが、その含有量は比
較的少量とされる。物質（Ｍ）の含有量としては好適に
はＩ　Ｘ　１０−”〜ｌＸｌ０’原子ｐ　ｐ　ｍ　、よ
り好適には５　Ｘ　１０”　〜ｌ　Ｘ　１０”原子ｐ　
ｐ　ｍ　。

最適にはＩ　Ｘ　１０−”〜５０原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬの全層領域には炭素原子ま
たは／および酸素原子または／および窒素原子が含有さ
れ、主として高暗抵抗化や分光感度の制御と、ＣＧＬと
ＣＴＬとの間の密着性の向上を計ることが出来る。炭素
原子、酸素原子、または窒素原子の含有量は、あるいは
これ等の中受なくとも二種を含有させる場合には、それ
等の総含有滑としては、好適にはｌ　Ｘ　ｌ　Ｏ”〜５
ＸＩＯ原子％、より好適には５ＸＩＯ２〜４×ＩＯ原子
％、最適にはＩ　Ｘ　ｌ　Ｏ−’〜３×１０原子％とさ
れるのが望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬに含有する水素原子または
／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補償
し層品質の向上を計ることが出来る。

ＣＴＬ中に含有される水素原子またはハロゲン原子、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は好適には
１〜７０原子％、より好適には５〜５０原子％、最適に
は１０〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られることおよび経済的効果等の観点から好ましくは
５〜５０μ、より好ましくは１０〜４０μ、最適には２
０〜３０μとされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬ中に原子（Ｙ）を導入するには
、ＣＴＬ形成用の出発物質と共に使用して、形成される
層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成するには、窒素原子導入用の出発物質として
は、少な（とも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または、およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、窒素原料（Ｎ）および水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望
の混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
窒素原子（Ｎ）および水素原子（Ｉ（）の３つを構成原
子とする原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（１１）
とを構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする、たとえば窒素（Ｎ２
）、アンモニア（ＮＨ３）、　　ヒドラジン（Ｈ２ＮＮ
Ｈ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（
ＮＨ４Ｎ３）等のガス状のまたはガス化し得る窒素、窒
化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げることができ
る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えてハロゲン
原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（
Ｆ３　Ｎ）。

四弗化窒素（Ｆ４　Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を
挙げることができる。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法ニヨッてＣ
Ｔ　Ｌを形成するには、炭素原子導入用の出発物質とし
ては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物
質またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子
（Ｈ）を構成とする原料ガスとを、これもまた所望の混
合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素
原子（Ｃ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有・効に使用される出発物質は、ＣとＨとを構成原子と
する、たとえば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２
〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン
系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
　、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）。

ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４１（＋ｏ）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１
２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ
４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４１−１８）
。

ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）。

ペンテン（Ｃ５Ｈ１Ｏ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＩＩ３　）４．　　Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ５）４等の
ケイ化アルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４゜ＣＣｌ４
．ＣＨ３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
出来る。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法ニヨッてＣ
ＴＬを形成する場合の酸素原子導入用の出発物質として
は、少な（とも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（０）および水素原子
（■１　）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた
所望の混合比でａ＝するか、あるいはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ
）、酸素原子（０）および水素原子（１−ｒ　）の３つ
を構成原子とする原料ガスとを混合して使用することが
できる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（０）を構成成
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、たとえば酸素（０゜）、
オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ　）　。

二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）。

三二酸化窒素（Ｎ２０３　）、四三酸化窒素（Ｎ２０４
　）。

三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ　）、三酸化窒素（ＮＯ２）、
シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（
Ｉ（）とを構成原子とする、たとえばジシロキサン（夏
（３Ｓ　ｒ　ＯＳ　ｉＨ３）　＊　　Ｆジシロキサン（
Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等
を挙げることができる。

スパッタリング法によってＣＴＬを形成するには、ＣＴ
Ｌ形成の際、単結晶または多結晶のＳｉウェハーまたは
Ｓｉ　３　Ｎ　４ウエーハー、またはＳｉとＳｉ３Ｎ４
が混合されて含有されているウエーノ１−および／また
はＳｉＯ２ウエーハー、またはＳｉとＳｉＯ２が混合さ
れて含有されているウェーハーおよび／またはＳｉＣウ
ェーハー、またはＳｉとＳｉＣが混合されて含有されて
いるウェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば良
い。

例えば、窒素原子を含有させるにはＳｉウェーハーをタ
ーゲットとして使用すれば、窒素原子と必要に応じて水
素原子または／およびハロゲン原子を導入するための原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッタ
用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマを
形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。

また別には、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４とは別々のターゲ
ットとして、またはＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚の
ターゲットを使用することによって、スパッタ用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原
子（Ｈ）または／およびハロゲン原子（Ｘ）を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって成される。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中の
窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスがスパ
ッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る。

本発明において、ＣＴＬの形成の際に、該層に含有され
る原子（Ｙ）の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向に変化さ
せて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ
ｉｌｅ）を有する層を形成するには、グロー放電法、Ｈ
ＲＣＶＤ法、ＦＤＣＶＤ法（７）場合ｉ：Ｉｔ、分布濃
度ｃ　（ｙ）を変化させるべき原子（Ｙ）導入用の出発
物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にした
がつて適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによ
って成される。

例えば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられ
ている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けら
れた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操作
を行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（Ｙ）の
層厚方向の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向で変化させて
、原子（Ｙ）の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ
　　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一にはグロー
放電法による場合と同様に、原子（Ｙ）導入用の出発物
質をガス状態で使用し該ガスを堆積室中へ導入する際の
ガス流量を所望に従って適宜変化させることによって成
される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｉとＳｉ　３　Ｎ　４との混合されたターゲットを使用
するのであれば、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４との混合比を
ターゲットの層厚方向において、あらかじめ変化させて
おくことによって成される。

ＳｉＣやＳｉＯ２を用いる場合も、Ｓｉ　３　Ｎ　４と
同様に行えばよい。

ＣＴＬ中に伝導性を制御する物質として第Ｖ族原子を構
造的に導入するには、層形成の際に第Ｖ族原子導入用の
出発物質をガス状態で堆積室中にＣＴＬを形成するため
の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第
Ｖ族原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常
温常圧でガス状の、または少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。その
ような第Ｖ族原子導入用の出発物質として具体的には、
燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４等の水素北隣
、ＰＨ４１，ＰＦ３．ＰＦ５．ＰＣｌ３．ＰＣｌ５．Ｐ
Ｂｒ３゜ＰＢｒ３　、　　ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙
げられる。このほか、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　、　　Ａｓ
Ｃｊ’　３　、　　ＡｓＢｒ３　。

ＡｓＦ６．ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．ＳｂＦ６，５ｂＣｊ７
３゜５ｂＣｊ’　５　、　　ＢｉＩ３　、　ＢｉＣｊ！
　３　、　Ｂ１Ｂｒ３等も挙げることができる。

本発明の目的を達成しうる特性を有するＣＧＬ。

ＣＴＬをＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）として水素原子また
は／およびハロゲン原子を含有するＡ−３ｉ　（以後、
ｒＡ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと称する）を選択して構成す
るには、支持体の温度、ガス圧を所望に従って適宜設定
する必要がある。

支持体温度（Ｔｓ）は、層設計に従って適宜最適範囲が
選択されるが、通常の場合５０°Ｃ〜４００°Ｃ１好適
には１００〜３００℃とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も同様に層設計に従って、適宜最適範
囲が選択されるが、通常の場合Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ−’〜１
０Ｔｏｒｒ１好ましくはｌ　Ｘ　１０１〜３Ｔｏｒｒ、
最適にはｌ　Ｘ　１０−２〜１Ｔｏｒｒとするのが望ま
しい。

本発明においては、前記各層を作成するための支持体温
度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙
げられるが、これらの層作成ファクターは、通常は独立
的に別々に決められるものではな（、所望の特性を有す
る各層を形成すべく、相互的且つ有機的関連性に基づい
て、各層作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい
。

ＣＧＬ、ＣＴＬを構成するＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）と
して、水素原子または／およびハロゲン原子を含有する
多結晶シリコン（以後ｒｐｏｌｙ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊ
と呼称する。）を選択して構成する場合、その層を形成
するについては種々の方法があり、例えば次のような方
法があげられる。

その１つの方法は、支持体温度を高温、具体的には４０
０〜６００℃に設定し、該支持体上にプラズマＣＶＤ法
により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち、支持体温度を例えば約２５０℃にした支
持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモル
ファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏｌ
ｙ化する方法である。該アニーリング処理は、支持体を
４００〜６００℃に約５〜３０分間加熱するか、あるい
は、レーザー光を約５〜３０分間照射することにより行
われる。

次に高周波（以下ＲＦと略す）グロー放電分解法によっ
て形成される本発明の電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する。

第５０図にＲＦグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の１０１１．　１０１２．　１０１３．　１０１４
．　１０１５゜１０１６、　１０１７のガスボンベには
、本発明の夫々の層を形成する為の原料ガスが密封され
ており、その−例として、例えば１０１１にはＳ　ｉ　
ＩＩ　４ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１２
にはｌＩ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１
３にはｌＩ２ガスで希釈されたＰＨ３ガス（純度９９．
９９９％、以下ｒＰＩＩ３／Ｈ□と略す」）ボンベ、１
０１４はＮｏガス（純度９９．５％）ボンベ、１０１５
はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１
６はＮＨ３ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１０１
７はＣＨ４ガス（純度９９，９９９％）ボンベである。

基体シリンダー上に本発明の層構成を持つ電子写真用光
受容部材の作成法を具体例に基づいて述べる。

すなわち、ＩＲ吸収層形成用ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ４ガ
ス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス、ＧｅＨ４ガスを、電
荷注入阻止層形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス。

１１２ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガスを、ＣＴＬ形
成用ガスとしてＳ　ｉ　）Ｉ　４ガス、Ｃ１１４ガス、
ＰＨ３／Ｉ（２ガスを、ＣＧＬ形成用ガスとしてＳｉＨ
４ガス。

■（２ガスを用いる場合をとりあげる。

これらのガスを反応室１００１に流入させるにはガスボ
ンベ１０１１−１０１７のバルブ１０５１−１０５７、
反応室１０１１のリークバルブ１００３が閉じられてい
る事を確認し、また、流入バルブ１０３１〜１０３７、
流出バルブ１０４１−１０４７、補助バルブ１０７０が
開かれている事を確認して、先ずメインバルブ１００２
を開いて反応室１００１およびガス配管内を排気する。

次に真空計１００４の読みが約５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ１０７０、流出バルブ１０４１
〜１０４７を閉じる。

その後、ガスボンベ１０１１より５ｉｌ１４ガス、ガス
ボンベ１０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ１０１３より
ＰＨ３／Ｈ２ガス、ガスボンベ１０１４よりＮｏガス、
カスボンベ１０１５よりＧｅＨ４ガス、ガスボンベ１０
１６よりＮＨ３ガス、ガスボンベ１０１７よりＣ）Ｉ４
ガスを、バルブ１０５１〜１０５７を開いて導入し、圧
力調節器１０６１〜１０６７により各ガス圧力を２Ｋｇ
／ｃｒｒｒに調節する。

次に流入バルブ１０３１−１０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー１０２１〜１０
２７内に導入する。

また、反応室１００１内に設置された基体シリンダー１
００７の温度は加熱ヒーター１００８により５０〜３５
０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上にＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、ＣＴＬ
、ＣＧＬの各層の成膜を行う。

ＩＲ吸収層を形成するには流出バルブ１０４１．１０４
３゜１０４４、　１０４５および補助バルブ１０７０を
徐々に開いてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、　　Ｐ　Ｈ３／　Ｈ２
ガス、Ｎｏガス。

Ｇｅ■■４ガスを反応室１００１内に流入させる。この
時、５ｉＦＩ４ガス流量、ＰＨ３／Ｈ２ガス流量、　Ｎ
。

ガス流ｆｆ１．ＧｅＨ４ガス流量が所望の値になるよう
に流出バルブ１０４１．　１０４３．　１０４４．　１
０４５を調節し、また反応室内の圧力が所望の値になる
ように真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２
の開口を調節する。その後、電源１０１０を所望の電力
に設定して反応室１００１内にＲＦグロー放電を生起さ
せ、基体シリンダー上にＩＲ吸収層の形成を開始する。

所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦグロー放電を止め
、また、流出バルブ１０４１．　１０４３゜１０４４．
１０４５を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、ＩＲ
吸収層の形成を終える。

上記のようにして形成されたＩＲ吸収層に電荷注入阻止
層を形成する。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ１０４１．
１０４２，１０４３．１０４４および補助バルブ１０７
０を徐々に開いて、ＳｉＨ４ガス＋Ｈ２ガス。

Ｐ　Ｉ（３／　Ｈ２ガス、Ｎｏガスを反応室１００１内
に流入゛させる。このとき、Ｓｉ　Ｈ４ガス流ｆｉｌＨ
２ガス流量。

ＰＨ３／Ｈｚガス流ｆｉ、　　Ｎｏガス流量が所望の値
になるように流出バルブ１０４１，１０４２，１０４３
゜１０４４を調節し、また反応室内の圧力が所望の値に
なるように真空計１００４を見ながらメインバルブ１０
０２の開口を調節する。その後、電源１０１０を所望の
電力に設定して反応室１００１内にＲＦグロー放電を生
起させ、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形成を開
始する。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦグロー放
電を止め、また、流出バルブ１０４１．１０４２，１０
４３．１０４４を閉じて反応室内へのガスの流入を止め
、電荷注入阻止層の形成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にＣＴＬ
を形成する。

ＣＴＬを形成するには流出バルブ１０４１．　１０４３
゜１０４７および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、
ＳｉＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、ＣＨ４ガスを反応室
１００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流ｆｌ
Ｌ　　ＰＨ３／Ｈ２ガス流ｉ、ＣＨ４ガス流ａｈ＜所望
の値になるように流出バルブ１０４１．　１０４３゜１
０４７を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値にな
るように真空計１００４を見ながらメインバルブ１００
２の開口を調節する。その後、電源１０１Ｏを所望の電
力に設定して反応室内にＲＦグロー放電を生起させ、基
体シリンダー上にＣＴＬの形成を開始する。所望の膜厚
の形成が行われた後、ＲＦグロー放電を止め、また、流
出バルブ１０４１．　１０４３゜１０４７を閉じて反応
室内へのガスの流入を止め、ＣＴＬの形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＴＬ上にＣＧＬを形成す
る。

上記ＣＴＬ上にＣＧＬを形成するには、流出バルブ１０
４１．１０４２　　および補助バルブ１０７０を徐々に
開いて、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスを反応室１００１内に
流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量、Ｈ２ガス流量
が所望の値になるように、流出バルブ１０４１゜１０４
２を調節し、また反応室の圧力が所望の値になるように
、真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２の開
口を調節する。その後、電源１ｏｔｏを所望の電力に設
定して反応室内にＲＦグロー放電を生起させ、基体シリ
ンダー上にＣＧＩ、の形成を開始する。所望の膜厚の形
成が行われた後、ＲＦグロー放電をＩＥめ、また、流出
バルブ１０４１．　１０４２を閉じて反応室内へのガス
の流入を止め、ＣＧＬの形成を終える。

夫々の層を形成する際に、必要なガス以外の流出バルブ
は全て閉じられている事は言うまでもなく、また夫々の
ガスが反応室１００１内、流出バルブ１０４１−１０４
７から反応室１００１に至る配管内に残留する事を避け
る為に、流出バルブ１０４１−１０４７を閉じ、補助バ
ルブ１０７０を開き、さらにメインバルブ１００２を全
開にして、系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
、基体シリンダー１００７は、モーター１００９によっ
て所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にマイクロ波（以下μＷと略す）グロー放電分解法に
よって形成される電子写真用光受容部材の製造方法につ
いて説明する。

第５１図にμＷグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の２０１１．・２０１２．２０１３．２０１４．２
０１５゜２０１６、　２０１７のガスボンベには、本発
明の夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されており
、その−例として例えば２０１１にはＳｉＨ４ガス（純
度９９．９９９％）ボンベ、２０１２にはＨ２ガス（純
度９９゜９９９％）ボンベ、２０１３にはＨ２ガスで稀
釈されたＰＩＩ３ガス（純度９９．９９９％、以下１’
−ＰＨ３／Ｈ２Ｊと略す）ボンベ、２０１４はＮｏガス
（純度９９．５％）ボンベ、２０１５はＧｅＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、２０１６はＮＨ３ガス（
純度９９，９９９％）ボンベ、２０１７はＣＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベである。

第５１図に示す装置で電子写真用光受容部材を形成する
場合の一例として、ＩＲ吸収層形成用ガスとしてＳ　ｉ
　Ｉ−１４ガス、　　ＰＨ３／Ｈ，、ガス、Ｎｏガス。

ＧｅＨ４ガスを、電荷注入阻止層形成用ガスとして、Ｓ
　ｉ　Ｈ４ガス、Ｈ２ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガ
スを、ＣＴＬ形成用ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、　　
ＣＨ４ガス、Ｐ１１３／Ｈ２ガスを、ＣＧＬ形成用ガス
としてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｈ２ガスを用いる場合をとり
あげる。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２０１１〜２０１７のバルブ２０５１〜２０５７、
反応室２０１１のリークバルブ２００３が閉じられてい
る事を確認し、また流入バルブ２０３１〜２０３７、流
出バルブ２０４１〜２０４７、補助バルブ２０７０が開
かれている事を確認して先ずメインバルブ２００２を開
いて反応室２００１およびガス配管内を排気する。

次に真空計２００４の読みが約５８１０−’Ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ２０７０．流出バルブ２０４１
〜２０４６を閉じる。

その後、ガスボンベ２０１１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ２０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ２０１３よりＰ
Ｈ３／［■２ガス、ガスボンベ２０１４よりＮｏガス、
ガスボンベ２０１５よりＧ　ｅ　Ｈ４ガス、ガスボンベ
２０１６よりＮＨ３ガス、ガスボンベ２０１７よりＣＨ
４ガスをバルブ２０５１〜２０５７を開いて導入し、圧
力調節器２０６１〜２０６７により各ガス圧力を２　Ｋ
　ｇ／ｃｒｄに調節する。

次に流入バルブ２０３１〜２０３７を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー２０２１〜２０
２７内に導入する。

また、反応室２００１内に設置された基体シリンダー２
００６の温度は加熱ヒーター２００５により５０〜３５
０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上にＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、ＣＴＬ
、ＣＧＬの各層の成膜を行う。

ＩＲ吸収層を形成するには、流出バルブ２０４１゜２０
４３．２０４４．２０４５および補助バルブ２０７０を
徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｐ１１３／Ｈ２ガス、Ｎｏ
ガス、ＧｅＨ４ガスを反応室２００１内に流入させる。

この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量、ＰＨ３／Ｈ２ガス流量
、　Ｎ。

カス流量、ＧｅＨ４ガスの流量が所望の値になるように
流出バルブ２０４１．２０４３．２０４４．２０４５を
調節し、また反応室内の圧力が所望の値になるように真
空計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を
調節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電
力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１Ｏを
通して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリ
ンダー上にＩＲ吸収層の形成を開始する。所望の膜厚の
形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、また流出バ
ルブ２０４１．２０４３゜２０４４、２０４５を閉じて
反応室内へのガスの流入を止め、ＩＲ吸収層の形成を終
える。

上記のようにして形成されたＩＲ吸収層上に電荷注入阻
止層を形成する。

電荷注入阻止層を形成するには、流出バルブ２０４］、
２０４２，２０４３．２０４４および補助バルブ２０７
０を徐々に開いて、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス＋Ｈ２ガス。

ＰＩ（３／Ｈ。ガス、Ｎｏガスを反応室２００１内に流
入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量、）Ｉ２ガス流量
。

Ｐ■Ｉ３／Ｈ２ガス流ｆｉ、　Ｎｏガス流量が所望の値
になるように流出バルブ２０４１．２０４２．２０４３
．２０４４を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値
になるように真空計２００４を見ながらメインバルブ２
００２の開口を調節する。その後、マイクロ波電源２０
０８を所望の電力に設定し、導波管２００９および誘電
体窓２０１Ｏを通して反応室２００１内にμＷグロー放
電を生起させ、基体シリンダー上に電荷注入阻止層の形
成を開始する。所望の膜厚の形成が行われた後、μＷグ
ロー放電を止め、また、流出バルブ２０４１．　２０４
２．　２０４３．２０４４を閉じて反応室２００１内へ
のガスの流入を止め、電荷注入阻止層の形成を終える。

上記のようにして形成された電荷注入阻止層上にＣＴＬ
を形成する。

ＣＴＬを形成するには、流出バルブ２０４１．２０４３
゜２０４７および補助バルブ２０７０を徐々に開いて、
ＳｉＨ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、ＣＨ４ガスを反応室
２００１内に流入させる。この時、Ｓ　ｉ　Ｉ−Ｉ　４
ガス流量。

ＰＩ−１３／Ｈ２ガス流ｆｉ、ＣＨ４ガス流量が所望の
値になるように、流出バルブ２０４１．２０４３．２０
４７を調節し、また、反応室内の圧力が所望の値になる
ように、真空計２００４を見ながらメインバルブ２００
２の開口を調節する。その後、マイクロ波電源２００８
、を所望の電力に設定し、導波管２００９および誘電体
窓２０１Ｏを通して反応室内にμＷグロー放電を生起さ
せ、基体シリンダー上にＣＴＬの形成を開始する。所望
の膜厚の形成が行われた後、μＷグロー放電を止め、流
出バルブ２０４１．２０４３．２０４７を閉じて反応室
内へのガスの流入を止め、ＣＴＬの形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＴＬ上にＣＧＬを形成す
る。

上記ＣＴＬ上にＣＧＬを形成するには流出バルブ２０４
１、　２０４２および補助バルブ２０７０を徐々に開い
て、ＳｉＨ４ガス＋　Ｈ２ガスを反応室２００１内に流
入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量、■（２ガス流量
が所望の値になるように、流出バルブ２０４１゜２０４
２を調節し、また反応室内の圧力が所望の値になるよう
に真空計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開
口を調節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望
の電力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１
Ｏを通して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体
シリンダー上にＣＧＬの形成を開始する。所望の膜厚の
形成が行われた後μＷグロー放電を止め、流出バルブ２
０４１．　２０４２を閉じて反応室内へのガスの流入を
止め、ＣＧＬの形成を終える。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出バルブは
全て閉じられている事は云うまでもなく、また、夫々の
ガスが反応室２００１内、流出バルブ２０４１〜２０４
７から反応室２００１に至る配管内に残留する事を避け
る為に、流出バルブ２０４１〜２０４７を閉じ、補助バ
ルブ２０７０を開き、さらにメインバルブ２００２を全
開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行なう。

また、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図る
為基体シリンダー２００６は、モーター２００７によっ
て所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられる事は云うまでもない。

次にＩＩ　ＲＣＶ　Ｄ法によって形成される電子写真用
光受容部材の製造方法について説明する。

第５２図にＨＲＣＶ　Ｄ法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

第５２図において、３００１は成膜室、３００２は活性
化室（Ａ）、３００３．３０１８はマイクロ波プラズマ
発生装置、３００４は活性種（Ａ）の原料ガス導入管、
３００５は活性種（Ａ）導入管、３００６はモーター、
３００７はシリンダー状の基体を加熱するヒーター、３
００８．３００９は吹き出し管、３０１０はシリンダー
状の基体、３０１１はメイン排気バルブを示している。

また３０１２ないし３０１６は原料ガス供給用ボンベで
あり、３０１７は活性化室（Ｂ）、３０１９は原料ガス
導入管、３０２０は活性室（Ｂ）より生じる活性種導入
管である。本装置を用いてシリンダー状の基体に本発明
になる層構成を持つ電子写真用光受容部材の作成方法を
具体的に述べる。

−例を挙げると、シリンダー状の基体としては、Ａ１を
使用し、ＩＲ吸収層形成用ガスとしては、ＳｉＨ４，Ｇ
ｅＨ４，ＰＨ３／Ｈ２，Ｎｏ、Ｈ２を、電荷注入阻止層
形成用ガスとしてＳｉＨ４、ＰＩ（３／　Ｈ２。

ＮＯ，Ｈ２を、ＣＴＬ形成用ガスとしてはＳｉＨ４。

ＳｉＦ４　、　ＣＨ４、Ｈ２、Ｐ　Ｈ３／　Ｈ２を、Ｃ
ＧＬ形成用ガスとしてはＳｉＨ４，Ｈ２を用いた。

まずＡｆシリンダー状基体３０１０を成膜室３００１に
つり下げ、その内側に加熱ヒーター３００７を備えモー
ター３００６により回転出来るようにし、成膜室を５ｘ
ｌＯ−’Ｔｏｒｒまで排気した。

ＩＲ吸収層を形成するには、ボンベ３０１２からｌ■２
ガスを導入管３００４を通して活性化室（Ａ）に導き、
マイクロ波プラズマ発生装置３００３に゛より活性化処
理をし、活性水素を導入管３００５を通して吹き出し管
３００８より成膜室３００１に導いた。一方、ボンベ３
０１３より５ｉｔ（４ガス、３０１４よりＰＨ３／Ｈ２
ガス、３０１５よりＮｏガス、３０１６よりＣＨ４ガス
、不図示のボンベよりＧｅＨ４ガス、ＳｉＦ４ガスを導
入管３０１９より活性化室（Ｂ）　３０１７に導入し、
マイクロ波プラズマ発生装置３０１８により活性化処理
をした後導入管３０２０を通して吹き出し管３００９よ
り成膜室３００１に導いた。この時ガスの流量、内圧、
およびマイクロ波電力は所望の数値に設定される。

Ａ１シリンダー状基体３０１０はヒーター３００７によ
り所望の温度に加熱保持され、排ガスはメイン排気バル
ブ３０１１の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにしてＩＲ吸収層を形成させた。

上記ＩＲ吸収層の上に同様にしてボンベ３０１２よりＨ
２ガス、３０１３よりＳｉＨ４ガス、３０１４よりＰＨ
３／Ｈ２ガス、３０１５よりＮｏガスを供給し、電荷注
入阻止層を形成した。

上記電荷注入阻止層上にＣＴＬを形成するには、ボンベ
３０１２からＨ２ガスを導入管３００４を通して活性化
室（Ａ）に導き、マイクロ波プラズマ発生装置３００３
により活性化処理をし、活性水素を導入管３００５を通
して吹き出し管３００８より成膜室３００１に導いた。

一方、ボンベ３０１３よりＳ　ｉ　Ｈ４ガス、ボンベ３
０１４よりＰＨ３／Ｈ２ガス、ボンベ３０１６よりＣＨ
４ガスを導入管３０１９より活性化室（Ｂ）３０１７に
導入し、マイクロ波プラズマ発生装置３０１８により活
性化処理をした後導入管３０２０を通して吹き出し管３
００９より成膜室３００１に導いた。この時、ガスの流
量、内圧およびマイクロ波電力は所望の数値に設定され
る。

ｋｌシリンダー状基体３０１０はヒーター３００７によ
り所望の温度に加熱保持され、排ガスはメイン排気バル
ブ３０１１の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにしてＣＴＬを形成させた。上記ＣＴＬの上に同様に
して、ボンベ３０１２よりＨ２ガス、３０１３よりＳｉ
Ｈ４ガス、不図示のボンベよりＳｉＦ４ガスを供給して
ＣＧＬを順次形成し、電子写真用光受容部材を形成した
。

次にＦＯＣＶＤ法によって形成される電子写真用光受容
部材の製造方法について説明する。

第５３図にＦＯＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造方法を示す。

図中の４０１１．４０１２．４０１３．４０１４．４０
１５゜４０１６、４０１７のガスボンベには、本発明の
夫々の層を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として、例えば４０１１にはＳｉＨ４ガス（純度
９９．９９９％）ボンベ、４０１２にはＨ２ガス（純度
９９．９９９％）ボンベ、４０１３はＨ２で希釈された
ＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下「ＰＨ３／Ｈ２
Ｊと略す）ボンベ、４０１４はＮｏガス（純度９９．５
％）ボンベ、４０１５はＧｅＨ４ガス（純度９９，９９
９％）ボンベ、４０１６はＣＨ４ガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、４０１７はＦ２ガス（１０％Ｈｅ稀釈、
純度９９．９９％）である。

ＩＲ吸収層形成用ガスとして５ｊｌ−１４ガス、ＰＨ３
／Ｈ２ガス、Ｎｏガス、ＧｅＨ４ガス、Ｆ２ガスを、電
荷注入阻止層形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス。

Ｈ２ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス、Ｆ２を、ＣＴ
Ｌ形成用ガスとしてはＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス。

ＰＨ３／Ｈ２ガス　ｐ　２ガスを、ＣＧＬ形成用ガスと
してＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｈ□ガス、Ｆ２ガスを用いる場
合をとりあげる。

４０１１〜４０１６のボンベに充填されている原料ガス
は、４０３１〜４０３６の夫々のバルブ、４０５３〜４
０５８のマスクローコントローラーを通り、４０２０か
ら４００１の真空チャンバーへ導入する。

４０１７のボンベに充填されているＦ２ガスは前記同様
にして４０２１を通して４００１の真空チャンバーへ導
入する。

真空チャンバー４００１はメイン真空バルブ４００２を
介して、不図示の真空排気装置により排気される。

４０６１は基体シリンダー４０６０を成膜時に適当な温
度に加熱したり、あるいは成膜前に基体シリンダー４０
６０を予備加熱したり、更には成膜後、膜をアニールす
る為に加熱する基体加熱用ヒーターである。

基体加熱ヒーターは不図示の導線を介して、不図示の電
源より電力が供給される。

また、基体シリンダー４０６０は均一な膜を形成する為
に４０６２の回転機構により回転している。

４０１１〜４０１７のガスを４００１に導入するには、
４００１のチャンバー内が約５Ｘ１０＝Ｔｏｒｒになっ
た時点で種々のバルブ操作により、ゆっ（りと導入しな
ければならない。

また、チャンバー４００１内に設置された基体シリンダ
ー４０６０の温度は、前記ヒーター４０６１により５０
〜３５０℃の間の所望の温度迄加熱すればよい。

以上のようにして成膜準備が完了した後、基体シリンダ
ー４０６０上にＩＲ吸収層、電荷注入阻止層；ＣＴＬ、
ＣＧＬの順で成膜を行う。

ＩＲ吸収層形成するには、バルブ４０４６．４０４８〜
４０５０を開け、流出バルブ４０３１．４０３３．４０
３４゜４０３５および補助バルブ４０６０を徐々に開い
て、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、ＰＨ３／Ｈ２ガス、Ｎｏガス、
　　Ｇ　ｅ　Ｈ４ガスを反応室４００１内に流入させる
。この時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス流量、ＰＨ３／Ｈ２ガス流
量、Ｎｏガス流ｆｆ１ｌ　　ＧｅＨ４ガス流量が所望の
値になるように流出バルブ４０３１．４０３３．４０３
４．４０３５を調節し、また反応室内の圧力が所望の値
になる不図示の真空計を見ながらメインバルブ４００２
の開口を調節する。

次に４０５２を開け、マスフローメータ４０５９を見な
がら、所望の流量まで４０３７のバルブを徐々に開けて
行き、流量の設定が終わり、所望の膜厚にｆＲ吸収層を
形成される時間がたてばＩＲ吸収層の形成を終える。

上記のようにして作成されたＩＲ吸収層上に上記と同様
な操作によって、電荷注入阻止層を形成する。それぞれ
の層については、それぞれ必要なガスを流し、前記ＩＲ
吸収層と同様にバルブ操作をすればよい。

上記電荷注入阻止層上にＣＴＬを形成するには、バルブ
４０４６．４０４８．４０５１．４０５２を開け、流出
バルブ４０３１，４０３３，４０３６．４０３７及び補
助バルブ４０６０を徐々に開いてＳ　ｉ　Ｈ４ガス、Ｐ
Ｈ３／［Ｉ２ガス、ＣＨ４ガス、Ｆ２ガスを反応室４０
０１内に流入させる。この時、それぞれのガス流量が所
望の値になるように各流出バルブを調節し、また、反応
室内の圧力が所望の値になる不図示の真空計を見ながら
メインバルブ４００２の開口を調節する。

流量の設定が終わり、所望の膜厚にＣＴＬを形成される
時間がたてばＣＴＬの形成を終える。

上記のようにして作成されたＣＴＬ上に、上記と同様な
操作によってＣＧＬを形成する。それぞれの層について
はそれぞれ必要なガスを流し、前記ＣＴＬと同様にバル
ブ操作すればよい。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例Ｉ〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電により第１
表、第２表、第３表、第４表の作成条件に従って鏡面加
工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容部材
を形成した。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置に夫々セッ
トして、種々の条件のもとに初期帯電能、感度、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また２０
０万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下１
表面削れ。

画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けてドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第５表に示す。

第５表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著しい
優位性が認められた。

〈実施例２〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第６表、第７表に示す作成条件で、実施例Ｉと
同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第８表に示す。

第８表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。

〈実施例３〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第９表、第１０表に示す作成条件で、実施例１
と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１１表に示す。

第１１表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例４〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第１２表、第１３表に示す作成条件で、実施例
１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１４表に示す。

第１４表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例５〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第１５表、第１６表に示す作成条件で、実施例
１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例６〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第１８表、第１９表に示す作成条件で、実施例
１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２０表に示す。

第２０表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例７〉 第５０図の製造装置を用い、ＲＦグロー放電で第１表、
第２表、第２１表、第２２表に示す作成条件で、実施例
１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第２３表に示す。

第２３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。

〈実施例８〉 第５１図の製造装置を用い、マイクロ波ＣＶＤ法にて第
２４表、第２５表、第２６表、第２７表の作成条件に従
って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用
光受容部材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置に夫々セッ
トして、種々の条件のもとに初期帯電能９．感度、残留
電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また２
００万枚相当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下
１表面削れ。

画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第２８表に示す。

第２８表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例９〉 第５２図の製造装置を用い、ＨＲＣＶＤ法にて第２９表
〜第３２表の作成条件に従って鏡面加工を施したアルミ
シリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。作成
した電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを光源と
した電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半導
体レーザーを光源とした電子写真装置にセットして、種
々の条件のもとに、初期帯電能、感度、残留電位、ゴー
スト等の電子写真特性をチェックし、また２００万枚相
当の加速耐久ランニング試験後の帯電能低下２表面削れ
１画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。更に、先端が球形の針に一定の荷重をかけ
て、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を調
べた。上記の総合的な評価結果を第３３表に示す。

第３３表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例１０＞ 第５３図の製造装置を用い、ＦＯＣＶＤ法により第３４
表〜第３７表の作成条件に従って鏡面加工を施したアル
ミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材をハロゲンランプを光
源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する
半導体レーザーを光源とした電子写真装置にセットして
、種々の条件のもとに初期帯電能、感度、残留電位、ゴ
ースト等の電子写真特性をチェックし、また２００万枚
相当の加速耐久後の帯電能低下９表面削れ９画像欠陥の
増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第３８表に示す。

第３８表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例１１＞ 鏡面加工を施したシリンダーを、更に様々な角度を持つ
剣バイトによる旋盤加工に供し、第５８図のような断面
形状で第４０表のような種々の断面パターンを持つシリ
ンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次、第５０
図の製造装置にセットし、第３９表に示す作成条件のも
とにドラム作成に供した。作成されたドラムは、ハロゲ
ンランプを光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの
波長を有する半導体レーザーを光源とした電子写真装置
により種々の評価を行ない、第４１表の結果を得た。

〈実施例１２＞ 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用法の落下のもとにさらして、シリンダー表面
に無数の打痕を生せしめるいわゆる表面ディンプル化処
理を施し、第５９図のような断面形状で第４３表のよう
な種々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意し
た。該シリンダーを順次第５０図の製造装置にセットし
、第４２表に示す作製条件のもとにドラム作製に供した
。作成されたドラムはハロゲンランプを光源とした電子
写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半導体レーザ
ーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置により
種々の評価を行ない、第４４表の結果を得た。

〈実施例１３＞ 第５０図の製造装置を用い、第４４表、第４５表。

第４６表、第４７表の作成条件で実施例１と同様にドラ
ムを作成し同様の評価を行なった。

その結果を第４８表に示す。

第４８表に見られるように全項目について良好な第１表
　ＣＧＬ成膜条件 第２表　ＣＴＬ成膜条件 第　　　３　　　表 第　　４　　表 第　　　５　　　表 第５表の続き ◎：ｌ瞠にぼ　　　　○：良好 △・実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的１４１項あり
第５表の続き ◎：ｌＫに新　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　６　　　表 第　　７　　表 第８表の続き ◎ニジ障に新　　　　Ｏ：良好 △：実用爪上しつかえない　　Ｘ：実用的１：ｊ５ｉＩ
あり第８表の続き ◎ニジ隊に餠　　　　○：良好 △：：用上さしてｄ〜えない　　×：実用的ｇ、ｊｊＷ
１り第　　　９　　　表 第　　１０　　表 第　　　１１　　　　表 第１１表の続き ◎：ｌ瞠にぼ　　　　○：良好 Δ：実用上さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
１１表の続き ◎」呪°に良好　　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的１３ａｉあり
第　　　１２　　　表 第１４表の続き ◎：ｌｎＫに良好　　　　　Ｏ：良好 △：実実用さしつかえない　　×：実用的に問題あり第
１４表の続き ◎：ノ隋に良好　　　　　Ｏ：良好 △：実月Ｕさしつかえない　　×：実用的に問題あり第
　　　１５　　　表 第　　１６　　表 第　　　１７　　　表 第１７表の続き ◎二ノ四に良好　　　　○：良好 △：実用上さしつかえない　　×：実用的＋３’ｌｉあ
り　　−第１７表の続き ◎ニジ暉に新　　　　Ｏ；良好 △：実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的ｊ、Ｊ’、’
ｌｌあり第　　　１８　　　表 第　　１９　　表 第　　　２０　　　表 第２０表の続き ◎：Ｉ瞠に斯　　　　○：良好 Δ：実用上さしつかえない　　×：実用的＋ｓ’ｒｎｓ
り第２０表の続き ◎ニジ際に餅　　　　○：良好 △：実実用さしつかえない　　Ｘ：実用的１．Ｊｉ、’
Ｄあり第　　　２１　　　表 第　　２２　　表 第　　２３　　表 第２３表の続き ◎：ｌＦ！１ｇに部　　　　○：良好 Δ：実ｍさしつかえない　　Ｘ：実用的ＩＦ、’ｌｌあ
り第２３表の続き ◎ニジ瞠にぼ　　　　○：良好 △：ヌ男１１さしつかえない　　×：メ男用白番４１項
あり第　　　２４　　　表 第　　２５　　表 第２６表　ＣＧＬ成膜条件 第２７表　ＣＴＬ成膜条件 第　　　２８　　　表 第２８表の続き ◎、ｌ瞠に即　　　　○：良好 △、実用上さしつかえない　　×　実用的に問題あり第
２８表の続き ◎・ｌＩｔには子　　　　Ｏ：良好 △：実実用さしつかえない　　×：実用的１ヰ■吊あり
第　　　２９　　　表 第　　３０　　表 第３２表　ＣＧＬ成膜条件 第　　　３３　　　表 第３３表の続き ＠ニジ隊に良好　　　　　Ｏ：良好 △：実用上さしつかえない　　Ｘ・実用的に問題あり第
３３表の続き ◎：ｌＢに劇子　　　　○：良好 Δ：実用上さしつかえない　　×；実用的１：ｊ’、’
＠あり第　　　３４　　　表 第　　３５　　表 第３６表　ＣＧＬ成膜条件 第３７表　ＣＴＬ成膜条件 第　　　３８　　　表 第３８表の続き ◎：１隊に餠　　　　○：良好 Δ：実用上さしつかえない　　Ｘ：実用的１＄”ｊｌＭ
あり第３８表の続き ◎：Ｊ隋に班　　　　０：良好 △：実用上さし２カ）えない　　×：実用的に問題あり
第　　３９　　表 第　　　４０　　　表 第　　４１　　　表 ◎□非常に良好 ○□良好 Δ□実実用さしつかえない Ｘ□実用的番榔あり 第　　４２　　表 第　　　４３　　　表 第　　　４４　　　表 ◎□非常に良好 ○□良好 Δ□実用上さしつかえない Ｘ□プ」市内番４」ｌあり 第　　　４５　　　表 第　　４６　　表 第４７表　ＣＧＬ成膜条件 第４８表　ＣＴＬ成膜条件 第　　　４９　　　表 第４９表の続き ◎：Ｉ■こ餠　　　　Ｏ：良好 Δ：実月ｉｆさしつかえない　　×：実用的にＬ％ちり
第４９表の続き ◎」常に餠　　　　Ｏ：良好 △：実用上さし−ｙｂ）えない　　×：実用釣書４１覇
あり〔発明の効果の概略〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−３ｉで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に、極めて優れた初期帯電能、連続繰返し使
用特性、電気的耐圧性。

使用環境特性および耐久性等を有するものである。

また、その電気的特性が安定しており、それを用いて得
られる画像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出る
等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明においては、ＣＴＬとＣＧＬを用いた機能分
離型の構成とし、ＣＴＬに伝導性を制御する物質として
周期律表第Ｖ族に属する原子として（Ｍ）を層厚方向に
不均一または部分的に不均一に分布する状態で含有させ
ると共に、炭素原子、窒素原子、酸素原子の、少な（と
も一種を含有させたことにより、夫々の層の特性に合わ
せた自由な設計が可能となり、電荷の発生とＣＧＬから
ＣＴＬへの注入と輸送がすみやかに行われ、特に優れた
帯電能感度を持ち、残留電位ゴーストが少な（、また画
像においても解像度が高く、且つ高品質な画像を安定し
繰り返し得る事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真用光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、 第２図乃至第５図は各々支持体表面の凹凸形状および該
凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図、 第６図乃至第１１図は、夫々ＩＲ吸収層中に含有される
原子（ＧＳ）の分布状態の説明図、第１２図乃至第１６
図は、夫々電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御
する物質（Ｍｏ）の分布状態の説明図、 第１７図乃至第２３図は、夫々電荷注入阻止層中に含有
される原子（Ｙ）の分布状態の説明図、第２４図乃至第
３９図は、夫々ＣＴＬを構成する伝導性を制御する物質
の、第４０図乃至第４９図は、夫々炭素原子または／お
よび酸素原子または／および窒素原子の分布状態を説明
するための説明図、第５０図は本発明の電子写真用光受
容部材の光受容層を形成するための装置の一例で、ＲＦ
を用いたグロー放電法による製造装置の模式的説明図、
第５１図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、マイクロ波を用いたグロ
ー放電法による製造装置の模式的説明図、 第５２図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＨＲＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第５３図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＦＯＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第５４図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲ
，Ｆグロー放電を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第５５図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをマ
イクロ波グロー放電を用いて形成する場合の不純物ガス
およびドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示
す図、 第５６図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＨ
ＲＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物ガスおよびド
ーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図、 第５７図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＦ
、０．ＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第５８図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の断面形状がＶ字形である場合のシリ
ンダー断面の拡大図、 第５９図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の表面がいわゆるディンプル化処理さ
れた場合のシリンダー断面の拡大図、第６０図は本発明
の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲＦグロー放電を用
いて形成する実施例の場合の不純物ガスおよびドーピン
グ・ガスの成膜時における流量変化を示す図である。 第１図について、 １０１・・・支持体 １０２・・・光受容層 １０３・・・ＩＲ吸収層 １０４・・・電荷注入阻止層 １０５・・・ＣＴＬ １０７・・・自由表面 第３図、第４図について、 ３０１、４０１・・・支持体 ３０２、４０２・・・支持体表面 ３０３、４０３・・・剛体真球 ３０４、４０４・・・球状痕跡窪み 第５図について、 ５００・・・光受容層 ５０１・・・支持体 ５０２・・・ＩＲ吸収層 ５０３・・・電荷注入阻止層 ５０４・・・ＣＴＬ ５０５・・・ＣＧＬ ５０６・・・自由表面 第５０図において、 １００１・・・反応室 １００２・・・メイン排気バルブ １００３・・・反応室リーク・バルブ １００４・・・真空計 １００７・・・シリンダー基体 １００８・・・基体加熱用ヒーター １００９・・・シリンダー基体回転用モーター１０１０
・・・Ｒ，Ｆ電源 １０１１−１０１７・・・原料ガス・ボンベ１０２１〜
１０２７・・・マスーフロー幸コントローラー１０３１
−１０３７・・・ガス流入バルブ１０４１−１０４７・
・・ガス流出バルブ１０５１〜１０５７・・・原料ガス
・ボンベのバルブ１０６１−１０６７・・・圧力調節器 第５１図について、 ２００１・・・反応室 ２００２・・・メイン排気バルブ ２００３・・・反応室リーク用バルブ ２００４・・・真空計 ２００５・・・基体加熱用ヒーター ２００６・・・シリンダー状基体 ２００７・・・基体回転用モーター ２００８・・・マイクロ波電源 ２００９・・・導波管 ２０１Ｏ・・・誘電体窓 ２０１１〜２０１７・・・原料ガス・ボンベ２０２１〜
２０２７・・・マス・フロ・コントローラー“２０３１
〜２０３７・・・ガス流入バルブ２０４１〜２０４７・
・・ガス流出バルブ２０５１〜２０５７・・・原料ガス
・ボンベのバルブ２０６１〜１２６７・・・圧力調節器 第５２図について、 ３００１・・・成膜室 ３００２・・・活性化室（Ａ） ３００３．３０１８・・・マイクロ波プラズマ発生装置
３００４、３０１９・・・原料ガス導入管３００５．３
０２０・・・活性種導入管３００６・・・モーター ３００７・・・シリンダー基体加熱用ヒーター３００８
、３００９・・・吹き出し管 ３０１０・・・シリンダー状の基体 ３０１１・・・メイン排気バルブ ３０１２〜３０１６・・・原料ガス−ポンベ３０１７・
・・活性化室（Ｂ） 第５３図について、 ４００１・・・反応室 ４００２・・・メイン排気バルブ ４０１１〜４０１７・・・原料ガスボンベ４０２０、４
０２１・・・原料ガス導入管４０３１〜４０３７・・・
流出バルブ ４０４６〜４０５２・・・流入バルブ ４０５３〜４０５９・・・マスフローコントローラー４
０６０・・・シリンダー状基体 ４０６１・・・シリンダー状基体加熱用ヒーター４０６
２・・・シリンダー基体回転用モーター第７５０　　　
　第７７０ Ｌ　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ嘉／８図　
　第２０の 第７７図　　　第ＺＩ　Ｃ Ｊ （、−Ｃ 第、５０回　　　　第３２図 Ｃ−一一會Ｃ 第３４図　　　第３乙図 −ＣＣ Ｃ−ｃ 第４２０　　　第４４　ｚ 第５０叉

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と該支持体上に、長波長光吸収層、電荷注
   入阻止層、電荷輸送層、電荷発生層とがこの順で前記支
   持体側より積層された層構成を有する光受容層とを有し
   、前記電荷輸送層と前記電荷発生層とがシリコン原子を
   母体とし、水素原子およびハロゲン原子の中の少なくと
   もいずれか一方を含有する非単結晶材料で構成され、且
   つ前記電荷輸送層が、炭素原子、窒素原子および酸素原
   子の中の少なくとも一種を含有すると共に、伝導性を制
   御する物質として周期律表第Ｖ族に属する原子を、層厚
   方向に不均一な分布状態で含有する部分を少なくとも有
   する事を特徴とする電子写真用光受容部材。