JPS63108352A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視
光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関
する。

〔従来技術の説明〕

像形成分野において、電子写真用光受容部材における光
受容層を構成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ
比〔光電流（Ｉｐ）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を
有すること、使用時において人体に対して無公害である
こと、等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフ
ィスで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真
用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害
性は重要な点である。

このような点に立脚して最近注目されている光導電材料
にアモルフケスシリコン（以後Ａ−３ｉと表記す）があ
り、たとえば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報等には電子写真用光受容部材とし
ての応用が記載されている。

しかしながら、従来のＡ−３ｉで構成された光受容層を
有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光
応答性などの電気的、光学的′、光導電的特性および使
用環境特性の点、さらには経時的安定性および耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られている
が、総合的な特性向上を計る上でさらに改良される余地
が存するのが実情である。

たとえば、電子写真用光受容部材に適用した場合に、高
光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来にお
いてはその使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起こって、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発するようになる等の不都合
な点が少なくなかった。

また、Ａ−Ｓｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
（Ｈ）あるいは弗素原子や塩素原子などのハロゲン原子
（Ｘ）、および電気的伝導型の制御のために硼素原子や
燐原子などが、あるいはその他の特性改良のために他の
原子が各々構成原子として光導電層中に含有されるが、
これらの構成原子の含有の仕方如何によっては、形成し
た層の電気的あるいは光導電的特性や電気的耐圧性に問
題が生ずる場合があった。

すなわち、たとえば、形成した光導電層中に光照射によ
って発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分で
ないことや、あるいは転写紙に転写された画像に俗に「
白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思
われる画像欠陥や、クリーニング手段にブレードを用い
ると、その摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云
われている画像欠陥が生じたりしていた。また、多湿雰
囲気中で使用したり、あるいは多湿雰囲気中に長時間放
置した直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場
合が少なくなかった。

従ってＡ−３ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記したような問題の総
てが解決されるように層構成、各層の科学的組成９作成
法などが工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述の如きシリコン原子を母体とする材料で
構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部
材における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず、耐久性、耐湿性に優れ、残
留電位が全くか、または殆んど観測されないシリコン原
子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間における密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、シリ
コン原子を母体とする材料で構成された光受容層を有す
る電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、電子写真用光受容部材とし
て適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の
電荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る優れた電子写真特性を示す、シリコ
ン原子を母体とする材料゛で構成された光受容層を有す
る電子写真用光受容部材を提供することにある。

本発明の別の目的は、長期の使用において画像欠陥や画
像のボケが全（なく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て、且つ解像度の高い高品質画像を得ることが容易
にできる、シリコン原子を母体とする材料で構成された
光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供すること
にある。

本発明のさらに別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性
および高電気的耐圧性を有する、シリコン原子を母体と
する材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受
容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の電子写真用光受容部材は、支持体と、該支持体
上にシリコン原子を母体とし、少なくとも水素原子、お
よびハロゲン原子のいずれか一方を含有する非単結晶材
料（以後ｒＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で
構成された光受容層とを有し、該光受容層が前記支持体
側より順に電荷発生層（以後１’−ＣＧＬＪと略記する
）と電荷輸送層（以後「ｃＴＬＪと略記する）とが積層
された層構成を有し、前記ＣＴＬが炭素原子、窒素原子
および酸素原子の中の少な（とも一種を含有すると共に
、伝導性を制御する物質を層厚方向に不均一な分布状態
で含有している部分を少くとも有すること毫特徴として
いる。

〔作用〕

上記したような層構成を取るようにして設計された本発
明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的。

光学的、光導電的特性、耐久性および使用環境特性を示
す。

殊に、画像形成への残留電位の影響が実用的には実質上
なく、その電気的特性が安定しており、高感度、高ＳＮ
比を有するものであって、耐光疲労。

繰返し使用特性、耐湿性、電気的耐圧性に長ける為に、
濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、かつ解像度の
高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる
。

さらに、本発明の電子写真用光受容部材は、全可視光域
において光感度が高（、且つ光応答が速い。その為に、
高解像度で高品質の画像を安定した状態で高速で繰返し
多数枚得ることが出来るように、デジタル信号に基づく
画像の形成に適している。加えて、光受容層としてＣＴ
ＬとＣＧＬを用いた機能分離型の構成とすることにより
、電荷（フォトキャリア）の発生と該発生した電荷の輸
送という電子写真用光受容部材にとっての重要な機能を
各々、別々の層に持たせることによって、一つの層で両
方の機能をもたせるより層設計の自由度が大きく、特性
の優れたものが出来る。また、ＣＴＬに炭素原子、窒素
原子および酸素原子の中央なくとも一種が含有されてい
ることによりＣＴＬの比誘電率を小さくすることが出来
るために、層厚当りの容量を減少させることが出来、帯
電能や感度の向上を計ることが出来、さらに高電圧に対
する耐圧性も向上し、耐久性も向上する。加えてＣＴＬ
には伝導性を制御する物質を層厚方向に不均一な分布状
態で含有させることにより、所望に従って最適な電荷輸
送能力を有するＣＴＬを設計出来る。

さらに、ＣＴＬとＣＧＬの界面における電荷の注入性も
改善されるため、帯電能、感度、残留電位。

ゴースト、感度ムラ耐久性解像度等を飛躍的に向上させ
ることが出来る。

〔発明の詳細な説明〕

以下、図面に従って本発明の電子写真用光受容部材に就
て具体例を挙げて詳細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構
成を説明するために模式的に示した模式的構成図である
。

第１図に示す電子写真用光受容部材１００は、電子写真
用光受容部材用としての支持体１０１の上にＮｏｎ−Ｓ
ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成る光受容層１０２を有し、該光受
容層１０２はＮｏｎ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されるＣ
ＧＬ１０３、Ｎｏｎ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成されると
共に、炭素原子、窒素原子および酸素原子の≧かな（と
も一種を含有し、且つ伝導性を制御する物質（Ｍ）を層
厚方向に不均一な分布状態で含有している部分を少くと
も有しているＣＴＬ１０４とから成る層構成を有する。

ＣＴＬ１０４は自由表面１０５を有する。

」：捺」（ 本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、た
とえば、ＮｉＣｒ、ステンレスｌ　Ａ　　ＩＣｒ、　Ｍ
ｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、
　Ｐｂ等の金属またはこれらの合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム、または
シート、ガラス、セラミック、紙：などが挙げられる。

これらの電気絶縁性支持体ば、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光
受容層を設ける１、のが望ましい。

たとえばガ１ラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ｋｌ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　　Ａｕ、　　Ｉｒ、　　Ｎｂ
、　Ｔａ、　　Ｖ、　　Ｔｉ。

Ｐｔ、　Ｐｄ、　ＩｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０３＋Ｓｎ
）等から成る薄膜を設・けることによって導電性を付与
し、あるいはポリ、エステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであればミＮｉＣｒ、　Ａｌ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　
Ｚｎ、　Ｎｉ。

Ａｕ、　　Ｃｒ、　　Ｍｏ、　　Ｉｒ、　　Ｎｂ、　　
Ｔａ、　Ｖ、　　Ｔｌ、　　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空
蒸着、電子ビーム蒸着。

スパッタリング等でその表面に設け、または前記。

金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性を付与する。支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表
面の板状無端ベルト状または円筒状等であるこ、とがで
き、その厚さは、所望通りの電子写真用光：受容部材を
形成し得るように適宜決定するが、電子写真用光受容部
材としての可撓性が要求される場合には、支持体として
の機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くするこ
とができる。しかしながら、支持体の製造上および取り
倣い上、機械的強度等の点から、通常は１０８以上とさ
れる。

特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う
場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞
模様による画像不良を解消するために、支持体表面に凹
凸を設けてもよい。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械の所定位
置に固定し、たとえば円筒状支持体をあらかじめ所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺線構造を有する。逆■字形突起
部の螺線構造は、二重、三重の多重螺線構造、または交
叉螺線構造とされても差支えない。

あるいは、螺線構造に加えて中心軸に沿りた平行線構造
を導入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内における層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間に良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第２図に（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）で示されるように実質的に二等辺三角形、直
角三角形あるいは不等辺三角形とされるのが望ましい。

これらの形状の中、殊に二等辺三角形、直角三角形が望
ましい。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設け
られる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した
上で、本発明の目的を結果的に達成出来るように設定さ
れる。

すなわち、第１は光受容層を構成するＮｏｎ−３ｉ（Ｈ
，Ｘ）５は、層形成される表面の状態に構造敏感であっ
て、表面状態に応じて層品質は大きく変化する。従って
、Ｎｏｎ−３ｔ　（Ｈ，Ｘ）光受容光層の居品質の低下
を招来しないように支持体表面に設けられる凹凸のディ
メンジョンを設定する必要がある。

第２には、光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、
画像形成後のクリーニングにおいてクリーニングを完全
に行うことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早（なるという問題がある。

上記した属地積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点、および干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｍ〜
０．３μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１μｍ、最適
には５０μｍ〜５μｍであるのが望ましい。

また凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μ
ｍ、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．
６μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹
部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（
または線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度
〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度
〜ｌＯ度とされるのが望ましい。

また、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均
一に基づく層厚差の最大は、同一ピッチ内で、好ましく
は０．１μｍ〜２μｍ、より好ま°しくは０．１　μｍ
へ１．５　μｍ、最適には０．２μｍ−１μｍとされる
のが望ましい。

また、レーザー光などの可干渉性光を用いた場合の干渉
縞模様による画像不良を解消する別の方法として、支持
体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けても
よい。

すなわち支持体の表面が電子写真用光受容部材に要求さ
れる解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は複
数の球状痕跡窪みによるものである。

以下に、本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状、およびその好適な製造例を第３図および
第４・図により説明するが、本発明の光受容部材におけ
る支持体の形状およびその製造法は、これによって限定
されるものではない。

第３図は本発明の電子写真用光受容部材における支持体
の表面の形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部
分的に拡大して模式的に示すものである。

第３図において３０１は支持体、３０２は支持体表面、
３０３は剛体真球、３０４は球状痕跡窪みを示している
。

さらに第３図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものである。すなわち、剛体真
球３０３を支持体表面３０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面３０２に衝突させることにより
、球状窪み３０４を形成し得ることを示している。そし
て、はぼ同一径Ｒｏの剛体真球３０３を複数個用い、そ
れらを略々同一の高さｈより、同時にあるいは逐時的に
落下させることにより、支持体表面３０２に、はぼ同一
曲率半径Ｒおよび同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み
３０４を形成することができる。

前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状の形成された支持体の典型例を第４図に示す。

第４図において、４０１は支持体、４０２は凹凸部の凸
部位置、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを表
わす。

ところで、本発明の電子写真用光受容部材の支持体表面
の球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率半径Ｒおよび幅り
は、こうした本発明の電子写真用光受容部材における干
渉縞の発生を防止する作用効果を効率的に達成するため
には重要な要因である。本発明者らは、各種実験を重ね
た結果以下のところを究明した。すなわち、曲率半径Ｒ
および幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、電子写真用光受容部材の全体に発生
する干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、電子写
真用光受容部材における干渉り 縞の発生を防止するためには、前記−を０．０３５、好
ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。

第４図の例においては、略々同一半径Ｒ，ｏの剛体真球
を使用した例を示しであるが、本発明における支持体と
してはこれに限定されることはなく、本発明の目的を達
成する範囲において個数と種類が管理された状態で、半
径Ｒｏの異なる複数種の剛体真球を使用しても良い。

第５図は、上記方法で作成した支持体５０１上に、ＣＧ
Ｌ５０２．ＣＴＬ５０３からなる光受容層５００を形成
した例が示される。ＣＴＬ５０３は自由表面５０４を有
する。

ＣＧＬ 本発明におけるＣＧＬ１０２は、Ｎｏｎ−Ｓｉ　（Ｈ。

Ｘ）で構成され、所望の光導電特性、特に電荷発生特性
を有する。

本発明におけるＣＧＬ１０２中には、後述されるＣＴＬ
　１０３の場合のように、伝導性を制御する物質（Ｍ）
、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（０
）のいずれも実質的には含有されない。

また、本発明におけるＣＧＬに含有される水素原子また
は／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補
償し、層品質の向上、特に光導電特性の向上に効果を奏
する。

水素原子またはハロゲン原子、または水素原子とハロゲ
ン原子の和の含有量は、好適には１〜４０原子％、より
好適には５〜３０原子％、最適には１０〜２０原子％と
されるのが望ましい。

本発明において、ＣＧＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られることおよび経済的効果、特に充分な電荷発生能
が得られるように電子写真画像形成装置に使用する光源
の光の吸収係数に応じて適宜所望に従って決められ、好
適には０．０１〜３０μｍ。

より好適には０．１〜２０μｍ、最適には１〜１０μｍ
とされるのが望ましい。

本発明において、Ｎｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
るＣＧＬを形成するには、たとえばグロー放電法（低周
波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤまたはマイクロ波ＣＶＤ等の交
流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶＤ等）、ＥＣＲ−
ＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等のすることに
より生成される活性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学
的相互作用をする成膜用の化学物質より生成される活性
種（Ｂ）とを各々別々に堆積膜を形成するための成膜空
間内に導入し、これらを化学反応させることによって非
単結晶材料を形成に堆積膜を形成するための成膜空間内
に導入し、これらを化学反応させることによって非単結
晶材料を形成する方法（以下ｒＦＯｃＶＤ法」と略記す
）などの薄膜堆積法を挙げることが出来る。これらの薄
膜堆積法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作成される光受容部材に所望される特性等の要因
によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有
する電子写真用の光受容部材を製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共にハロゲ
ン原子および水素原子の導入を容易に行い得る等のこと
からして、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、ＨＲＣＶＤ法。

ＦＯＣＶＤ法が好適である。場合によっては、これらの
方法を同一装置系内で併用して形成してもよい。たとえ
ば、グロー放電法によってＮｏｎ−３ｉ（Ｈ。

Ｘ）で構成されるＣＧＬを形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と水素原子（Ｈ）導入用の原料ガスまたは／およびハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内
にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定位置に設置さ
れである所定の支持体表面上にＮ　ｏ　ｎ　　Ｓ　＋　
（Ｈ＋　Ｘ）からなる層を形成すれば良い。また、スパ
ッタリング法で形成する場合には、たとえばＡｒ、Ｈｅ
等の不活性ガスまたはこれらのガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用し
て、必要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって成される。

イオンブレーティング法の場合には、たとえば多結晶シ
リコンまたは単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボード
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクト
ロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外
は、スパッタリング法の場合と同様にすることで行うこ
とができる。ＨＲＣＶＤ法によってＮｏｎ−Ｓｉ　（Ｈ
，Ｘ）で構成されるＣＧＬを形成するには、たとえばＳ
ｉ供給用の原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内の前
段に設けた活性化空間に所望のガス圧状態で導入して、
該活性化空間内にグロー放電を生起させたり、または過
熱したりすることにより活性種（Ａ）を生成し、水素原
子（Ｈ）導入用の原料ガスおよび／またはハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを同様に別の活性化空間に導入
して活性種（Ｂ）を生成し、活性種（Ａ）と活性種（Ｂ
）を各々別々に前記堆積室内に導入して、あらかじめ所
定位置に設置されである所定の支持体表面上にＮｏｎ−
Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれば良い。ＦＯＣ
ＶＤ法によって、Ｎｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
るＣＧＬを形成するには、たとえばＳｉ供給用の原料ガ
スを内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入し、さらにハロゲン（Ｘ）ガスを原料ガスとは別に
前記堆積室内に所望のガス圧状態で導入し堆積室内でこ
れらのガスを化学反応させて、あらかじめ所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成すれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ
　。

５ｉ４Ｈ＋ｏ等のガス状態のまたはガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。

また、さらには、シリコン原子とハロゲン原子とを構成
要素とするガス状態のまたはガス化し得るハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も、有効なものとして本発明に
おいては挙げることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、Ｃ１ｌ　Ｆ、ＣＩ！Ｆ
３＋ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＩＦ３．ＩＦ７．ＩＣＩ！、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることができる。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、いわゆるハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たと
えばＳｉＦ４．　Ｓｉ２　Ｆ６．５ｉＣｊ７４゜ＳｉＢ
ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とができる。

このようなハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な電子写真用光受容
部材を形成する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体
上にハロゲン原子を含むＮｏｎ−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）から
成るＣＧＬを形成することができる。

グロー放電法にしたがってハロゲン原子を含むＣＧＬを
製造する場合、基本的には、たとえばＳｉ供給用の原料
ガスとなるハロゲン化硅素を所定のガス流量になるよう
にしてＣＧＬを形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれらのガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によって、所望の支持体上にＣＧＬを形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になるよ
うに計る為に、これらのガスにさらに水素ガスまたは水
素原子を含む硅素化合物のガスも所望ｆｌ混合して層形
成して良い。

また、各ガスは単独種のみでなく、所定の混合比で複数
種混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法。

ＨＲＣＶ　Ｄ法、ＦＯＣＶＤ法の何れの場合にも、形成
される層中にハロゲン原子を導入するには、前記のハロ
ゲン化合物または前記のハロゲン原子を含む硅素化合物
のガスを堆積室中に導入して、該ガスのプラズマ雰囲気
を形成してやれば良いものである。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
原料ガス、たとえば、Ｈ２あるいは前記したシラン類の
ガス類をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガス
類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物、あるいはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、ＨＣｊｌ！、ＨＢｒ。

Ｈｌ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
１２。

５ＩＨ２Ｃｊ７２　、５ｉＨＣＡ　２　、　ＳｉＨ２Ｂ
ｒ２　、５ｉＨＢｒ　２等のハロゲン置換水素化硅素、
等々のガス状態のあるいはガス化し得る物質も有効なＣ
ＧＬ形成用の出発物質として挙げることができる。これ
らの物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、ＣＧＬ
形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あ
るいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用の
原料として使用される。

水素原子をＣＧＬ中に構造的に導入するには、上記の他
にＨ２あるいはＳｉＨ４＋　　Ｓｉ　２　Ｈ６゜５ｉ３
ＨＢ、Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素とＳｉを供給するた
めのシリコンまたはンリコン化合物とを堆積室中に共存
させて放電を生起させることでも行うことができる。

ＣＧＬ中に含有される水素原子（Ｈ）または／およびハ
ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、たとえば支持体
温度または／および水素原子（Ｈ）、あるいはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良
い。

ＣＴＬ 本発明におけるＣＴＬ１０３は、構成要素として、シリ
コン原子と炭素原子、窒素原子および酸素原子の中少な
（とも一種と、伝導性を制御する物質（Ｍ）とを含有す
るＮｏｎ−３ｉ　（Ｘ、Ｙ）　（以後ｒＮｏｎ−ＳｉＭ
　（Ｃ，Ｎ、０）　（Ｘ、Ｙ）Ｊと略記する）で構成さ
れ、所望の電子写真特性を満足する電荷輸送特性を有す
る。該ＣＴＬ１０３に含有される炭素原子。

窒素原子または酸素原子は、該ＣＴＬ１０３中に万偏無
（均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは
層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があ
っても良いように含有されても良い。

伝導性を制御する物質（Ｍ）は層厚方向には不均一に分
布する状態で含有される。いずれにしても、伝導性を制
御する物質（Ｍ）、炭素原子、窒素原子および酸素原子
のいずれも含有される場合には、ＣＴＬ１０３の全層領
域に含有される。伝導性を制御する物質（Ｍ　）のＣＴ
Ｌ１０３の層厚方向の分布濃度がＣＴＬ１０３の少なく
とも一部の層領域において、不均一になるように、物質
（Ｍ）はＣＴＬ１０３中に含有される。

炭素原子、窒素原子および酸素原子のＣＴＬ１０３にお
ける層厚方向の分布濃度は均一であっても良く、あるい
は伝導性を制御する物質（Ｍ）と同様にＣＴＬ１０３の
少な（とも一部の層領域で不均一となるように含有され
ても良い。

第６図ないし第１５図には、ＣＴＬに含有される伝導性
を制御する物質（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ
）および酸素原子（０）の層厚方向の分布状態の典型的
例が示されている。以後の説明におては、便宜上、物質
（Ｍ）、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原
子（０）と総称して［原子（Ｙ）」と記す。

第６図ないし第１５図において、横軸は含有する原子（
Ｙ）の分布濃度Ｃを、縦軸はＣＧＬの層厚を示し、１Ｂ
は支持体側のＣＧＬの端面の位置を、ｔＴは支持体側と
は反対側のＣＧＬの端面の位置を示す。

すなわち、原子（Ｙ）の含有されるＣＧＬはｔＢ側より
ｉ７側に向って層形成がなされる。

第６図には、ＣＧＬ中に含有される原子（Ｙ）の層厚方
向の分布状態の第１の典型例が示される。

第６図に示される例では、界面位置ｔａよりｔｌｌの位
置までは、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが値Ｃ３７なる一定
の値を取りながら原子（Ｙ）が形成される層領域（Ｙ）
に含有され、位置ｔ　１１よりは分布濃度値０３８より
界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている
。界面位置ｔＴにおいては、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは
値Ｃ３９とされる。

第７図に示される例においては、含有される原子（Ｙ）
の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置を丁に至るまで分布濃
度値Ｃ４０から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て分布濃度値Ｃ４１となる様な分布状態を形成している
。

第８図の場合には、位置ｔＢより位置ｔｔ２までは原子
（Ｙ）の分布濃度Ｃは分布濃度値Ｃ４２と一定値とされ
、位置ｔ１２と位置ｔＴとの間において徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である、以後の「実質的に零」の意味も同様である）
。第９図の場合には、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは位置ｔ
ｏより位置ｔＴに　至るまで濃度値Ｃ４４より連続的に
徐々に減少され、位１ｉｔｔにおいて実質的に零とされ
ている。

第１Ｏ図に示す例においては、原子（Ｙ）の分布濃度Ｃ
は、位置ｔａと位置ｔｔａ間においては分布濃度値Ｃ４
５と一定値であり、位置ｔＴにおいては分布濃度値Ｃ４
６とされる。位置ｔ１３と位置ｔＴとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置ｔ１３より位置を丁に至るまで
減少されている。

第１１図に示す例においては、位置ｔＢより位置を丁に
至るまで原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは分布濃度値Ｃ４７よ
り実質的に零に至るように一次関数的に減少している。

第１２図に示される例においては、含有される原子（Ｙ
）の分布濃度Ｃは位置１０より位置ｔＴに至るまで値Ｃ
４８から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて値Ｃ
４９となる様な分布状態を形成している。

第１３図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ１４までは値Ｃｓｏの一定値
を取り、位置ｔｕより位置ｔＴまでは値Ｃｓ＋より値Ｃ
５２まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第１４図に示される例においては、原子（Ｙ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴまで値Ｃｓａの一定値を取
る。

第６図ないし第１３図において示した例は、いずれもｔ
Ｔ側よりｔＢ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多い
例を示したが、ｔＴ側とｔＢ側をまった（逆にして、ｔ
Ｂ側よりｔＴ側のほうが原子（Ｙ）の分布濃度Ｃが多（
でもよい。たとえば第１５図に示される例では、第６図
においてｔＴ側とｔＢ側を逆にした場合で、界面位置ｔ
Ｂより位置ｔ１５に至るまで原子（Ｙ）の分布濃度Ｃは
値Ｃｓａから徐々に連続的に増加して位ｆｉｆｔ１５で
Ｃ６５となり、位置ｔ＋５から界面位置ｔＴまで値Ｃ５
４なる一定の値となる。

前記の伝導性を制御する物質（Ｍ）としては、半導体分
野における、いわゆる不純物を挙げることができ、本発
明においてはｎ型伝導特性を与える周期律表第■族に属
する原子（以下「第■族原子」という。）またはｎ型伝
導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以下「第
Ｖ族原子」という。）を用いる。第■族原子としては、
具体的には、Ｂ（硼素）、　ＡＩ！（アルミニウム）、
Ｇａ（ガリウム）、　Ｉｎ（インジウム）、　　ＴＩ　
（タリウム）等があり、特にＢ、Ｇａが好適である。第
Ｖ族原子としては、具体的には、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素
）、ｓｂ（アンチモン）。

Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である
。

本発明においては、ＣＴＬ　ｌ　０３の全層領域に伝導
性を制御する物質（Ｍ）として第■族原子または第Ｖ族
原子を含有させることによって、主として伝導型および
／または伝導率を制御する効果および／またはＣＧＬと
ＣＴＬとの間の電荷注入性を向上させる効果を得ること
が出来るが、その含有量は比較的少量とされる。物質（
Ｍ）の含有量としては好適にはＩ　Ｘ　１０−”　ＮＩ
　Ｘ　１０”原子ｐｐｍ、より好適には５ＸｌＯ−３〜
ｌＸｌ０”原子ｐｐｍ、最適にはＩ　Ｘ　１０−”〜５
０原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬ１０３の全層領域には炭素
原子または／および酸素原子または／および窒素原子が
含有され、主として高暗抵抗化や分光感度の制御とＣＧ
ＬとＣＴＬとの間の密着性の向上も二種を含有させる場
合には、それ等の総合有量としては、好適にはＩ　Ｘ　
Ｉ　Ｏ−”〜５×ｌＯ原子％。

より好適には５　Ｘ　１’Ｏ−”〜４×１０原子％、最
適にはＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’〜３×１０原子％とされるの
が望ましい。

また、本発明におけるＣＴＬに含有する水素原子または
／およびハロゲン原子はシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上を計ることが出来る。

ＣＴＬ中に含有される水素原子またはハロゲン原子、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適に
は１〜７０原子％、より好適には５〜５０原子％、最適
には１０〜３０原子％とされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の観点から、好まし
くは５〜５０μ、より好ましくは１０〜４０μ、最適に
は２０〜３０μとされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬの層厚は所望の電子写真特性が
得られること、および経済的効果等の観点から好ましく
は５〜５０μ、より好ましくはｌＯ〜４０μ、最適には
２０〜３０μとされるのが望ましい。

本発明において、ＣＴＬ中に原子（Ｙ）を導入するには
、ＣＴＬ形成用の出発物質と共に使用して形成される層
中にその量を制御しながら含有してやれば良い。

クロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成するには、窒素原子導入用の出発物質として
は、少な（とも窒素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、窒素原料（Ｎ）および水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望の混
合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、窒素
原子（Ｎ）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用じても良い。

窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする、あ
るいはＮとＨとを構成原子とする、たとえば窒素（Ｎ　
２　）、アンモニア（ＮＨ３）、　　ヒドラジン（Ｈ２
ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウ
ム（ＮＨ４Ｎ　３　）等のガス状のまたはガス化し得る
窒素、窒化物およびアジ化物等の窒素化合物を挙げるこ
とができる。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて
、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三
弗化窒素（Ｆ　３　Ｎ）。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

クロー放電法ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣＴ
Ｌを形成するには、炭素原子導入用の出発物質としては
、少な（とも炭素原子を構成原子とするガス状の物質ま
たはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）または／およびハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）および水素原子
（Ｈ）を構成とする原料ガスとを、これもまた所望の混
合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素
原子（Ｃ）および水素原子（Ｉ］）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、ＣとＩ（とを構成原子と
する、たとえば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２
〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン
系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
。

エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（ｃ３ｒｒ８）、ｎ−ブ
タン（ｎ　Ｃ４ＨＩＯ）ｌペンタン（Ｃ５ＨＩ２）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）。

プロビレ’　（ＣｉＪ　Ｈｓ　）ｅブテン−１（Ｃ４Ｈ
，）。

ブテン−２（Ｃ４Ｈｓ　）ｓイソブチレンＣＣｎＨｓ）
。

ペンテン（Ｃ，Ｈカ）、アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（ＣｓＨ
４）−ブチン（Ｃ４Ｈａ）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｆ（ＣＨｓ）＜ｅ　Ｓｔ（ＣｇＨｓ）　４等のケイ化ア
ルキルを挙げることが出来る。

この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点からＣＦ４゜ＣＣｆ４
．ＣＨ３ＣＦ３等のハロゲン化炭素ガスを挙げることが
出来る。

グロー放電法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＯＣＶＤ法によってＣ
ＴＬを形成する場合の酸素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
またはガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

たとえばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）またはおよびハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、またはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）および水素原子（
Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これもまた所望の
混合比で混合するか、あるいはシリコン原子（Ｓｉ）を
構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸
素原子（０）および水素原子（Ｈ）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

また別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに、酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

酸素原子（０）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、たとえば酸素（０□）、
オゾン（ＯＳ）、−酸化窒素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（
Ｎｏ□）、−二酸化窒素（ＮｚＯ）、三二酸化窒素（Ｎ
２０３）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（
Ｎ２０６）、二酸化窒素（Ｎｏ、）、シリコン原子（Ｓ
ｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）と構成原子とす
る、たとえばジシロキサン（Ｈ，５ｉＯ３ｉｌ（ｓ）。

トリシロキサン（Ｈ３５ｉＯＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の
低級シロキサン等を挙げることができる。

スパッタリング法によってＣＴＬを形成するには、ＣＴ
Ｌ形成の際、単結晶または多結晶のＳｉウェハーまたは
Ｓｉ３　Ｎ４ウエーハー、またはＳｉとＳｉ３　Ｎ４が
混合されて含有されているウェーハーおよび／またはＳ
ｉＯ□ウェーハー、またはＳｉ　（！：　ＳｉＯ□が混
合されて含有されているウェーハーおよび／またはＳｉ
Ｃウェーハー、またはＳｉとＳｉＣが混合されて含有さ
れているウェーハーをターゲットとして、これらを種々
のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行え
ば良い。

たとえば、窒素原子を含有させるには、Ｓｉウェーハー
をターゲットとして使用すれば、窒素原子と必要に応じ
て水素原子または／およびハロゲン原子を導入するため
の原料ガスを必要に応じて稀釈ガスで稀釈してスパッタ
用の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズマを
形成して前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。

また別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、またはＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲ
ットを使用することによって、スパッタ用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（Ｈ
）または／およびハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て成される。

窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスとして
は、先述したグロー放電法の例で示した原料ガスの中の
窒素原子、炭素原子、酸素原子導入用の原料ガスが、ス
パッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る
。

本発明において、ＣＴＬの形成の際に、該層に含有され
る原子（Ｙ）の分布濃度ｃ　（ｙ）を層厚方向に変化さ
せて゛、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　　ｐ
ｒｏｆｉｌｅ）を有する層を形成するには、グロー放電
法、ＨＲＣＶＤ法、ＦＤＣＶＤ法の場合には、分布濃度
ｃ　（ｙ）を変化させるべき原子（Ｙ）導入用の出発物
質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線にしたが
って適宜変化させながら、堆積室内に導入することによ
って成される。

たとえば、手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニードルバルブの開口を適宜変化させる操
作を行えば良い。

スパッタリング法によって形成する場合、原子（Ｙ）の
層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｙ）４層厚方向で変化させて、
原子（Ｙ）の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅｐｔｈ　
　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には、グロー
放電法による場合と同様に、原子（Ｙ）導入用の出発物
質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入する際
のガス流量を所望に従って適宜変化させることによって
成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、たとえば
ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４との混合されたターゲットを使
用するのであれば、ＳｉとＳｉ　３　Ｎ　４との混合比
をターゲットの層厚方向において、あらかじめ変化させ
ておくことによって成される。

５ｉＣ−ＰＳｉ０２を用いる場合もＳｉ　３　Ｎ　４と
同様に行えばよい。

ＣＴＬ中に伝導特性を制御する物質（Ｍ）、たとえば、
第■族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物質あるいは
第Ｖ族導入用の出発物質を、ガス状態で堆積室中にＣＧ
Ｌを形成するための他の出発物質と共に導入してやれば
良い。このような第■族原子導入用の出発物質と成り得
るものとしては、常温常圧でガス状の、または少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。そのような第■族原子導入用の出発物質
として具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２　Ｈ６
＋　Ｂ４　Ｈ１ｏ＋　　Ｂ５　Ｈ９＋　　Ｂ６　ＨＩｌ
＋　　ＢａＦ２゜＋　Ｂ６　Ｈ１２＋　Ｂ６　Ｂ１４等
の水素化硼素、ＢＦ３゜ＢＣＩ！２　、　ＢＢｒ　３等
のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｊ７ＣＩ
！３．ＧａＣｌ３．Ｇａ　（ＣＨ３）３゜ＩｎＣｆ　２
　、　ＴＩ　Ｃ１３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
’Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４１゜ＰＦ３．　ＰＦ６
．　’ＰＣｊ７３．　ＰＣｌ３．　ＰＢｒ３．　ＰＢｒ
、、。

ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ
３，ＡｓＦ　３　、　ＡｓＣｊ７３．　ＡｓＢｒ　３．
　ＡｓＦ　ｙ、。

ＳｂＨ３，ＳｂＦ　３．　ＳｂＦ　５．５ｂＣｊ！　３
＋　５ｂｃｚ　Ｉｓ。

ＢｉＨ３、Ｂ１Ｃｌ！３　、　Ｂ１Ｂｒ　３等も第Ｖ族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
できる。　　” （以後、ｒＡ−Ｓｉ　（％、１％）」と称する）を選択
して構成するには、支持体１０１の温度、ガス圧を所望
に従って適宜設定する必要がある。

・　　支持体温度（Ｔｓ）は、層設計に従って適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合、５０℃−４００℃。

好適には１００°Ｃ〜３００℃とするのが望ましい。

堆積室内のガス圧も、同様に層設計に従って適宜最適範
囲が選択されるが、通常の場合Ｉ　Ｘ　１０−’〜１０
Ｔｏｒｒ、好ましくはＩ　Ｘ　１０−３〜３Ｔｏｒｒ、
最適にはＩ　Ｘ　１０−”〜ＩＴｏｒｒとするのが望ま
しい。

本発明においては、前記各層を作成するための支持体温
度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙
げられるが、これらの層作成ファクターは、通常は独立
的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有す
る各層を形成すべ（、相互的かつ有機的関連性に基づい
て、各層作成ＣＧＬ、ＣＴＬを構成するＮｏｎ−３ｉ　
（％、￥）としと呼称する。）を選択して構成する場合
、その層を形成するについては種々の方法があり、たと
えば次のような方法があげられる。

その１つの方法は、支持体温度を高温、具体的には４０
０℃〜６００℃に設定し、該支持体上にプラズマＣＶＤ
法により膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、支持体表面に先ずアモルファス状の膜を形
成、すなわち支持体温度をたとえば約２５０℃にした支
持体上にプラズマＣＶＤ法により膜を形成し、該アモル
ファス状の膜をアニーリング処理することによりｐｏｌ
ｙ化する方法である。該アニ−リング処理は、支持体を
４００℃〜６００℃に約５〜３０分間加熱するか、ある
いは、レーザー光を約５〜３０分間照射することにより
行われる。

次に高周波（以下ＲＦと略す）グロー放電分解法によっ
て形成される本発明の電子写真用光受容部材の製造方法
について説明する。

第１６図にＲ，Ｆグロー放電分解法による電子写真用光
受容部材の製造装置を示す。

図中のｔｏｌｌ、　　１０１２．　１０１３．１０１４
．　１０１５゜１０１６のガスボンベには、本発明のそ
れぞれの層を形成する為の原料ガスが密封されており、
その−例として、たとえば１０１１にはＳｉＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、　　１０１２にはＨ２ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、　１０１３にはＨ２
ガスで希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９？、９９９％以
下Ｂ　２　Ｈ６／　Ｈ２と略す）ボンベ、　１０１４は
Ｎｏガス（純度９９．５％）ボンベ、１０１５はＮＨ３
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、　　１０１６はＣ
Ｈ−ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

基体シリンダー上に本発明の層構成を持つ電子写真用光
受容部材の作成法を、具体例に基づいて述べる。

すなわち、ＣＧＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス。

Ｈ２ガスを、ＣＴＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス。

ＮＨ３ガス、Ｂ２Ｈ６ガスを用いる場合をとりあげる。

これらのガスを反応室ｆｏｏｌに流入させるには、ガス
ボンベ１０１１〜１０１６のバルブ１０５１〜１０５６
゜反応室１０１１のリークバルブ１００３が閉じられて
いることを確認し、また流入バルブ１０３１〜１０３６
゜流出バルブ１０４１〜１０４６．補助バルブ１０７０
が開かれていることを確認して、先ずメインバルブ１０
０２を開いて反応室１００１およびガス配管内を排気す
る。

次に真空計１００４の読みが約５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒに
なった時点で補助バルブ１０７０．流出バルブ１０４１
〜１０４６を閉じる。

その後、ガスボンベ１０１１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ１０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ１０１３よりＢ
　２　Ｈ６／　Ｈ２ガス、ガスボンベ１０１４よりＮｏ
ガス、ガスボンベ１０１５よりＮＨ３ガス、ガスボンベ
１０１６よりＣＨ４ガスをバルブ１０５１〜ｌ　０５６
を開いて導入し、圧力調節器１０６１〜１０６６により
各ガス圧力を２Ｋｇ１ｃｒｄに調節する。

次に流入バルブ１０３１〜１０３６を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー１０２１’〜１
０２６内に導入する。

また、反応室１００１内に設置された基体シリンダー１
００７の温度は、加熱ヒーター１００８により５０°Ｃ
〜３５０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上にＣＧＬ、ＣＴＬの各層の成膜を行う。

ＣＧＬを形成するには、流出バルブ１０４１．　１０４
２および補助バルブ１０７０を徐々に開いて、ＳｉＨ４
ガス＋　Ｈ２ガスを反応室１００１内に流入させる。こ
の時ＳｉＨ４ガス流量＋　Ｈ２ガス流量が所望の値にな
るように流出バルブ１０４１．１０４２を調節し、また
反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１００４
を見ながらメインバルブ１００２の開口を調節する。そ
の後、電源１０１０を所望の電力に設定して反応室内に
Ｒ，Ｆグロー放電を生起させ、基体シリンダー上にＣＧ
Ｌの形成を開始する。所望の膜厚の形成が行われた後、
Ｒ，Ｆグロー放電を止め、また流出バルブ１０４１．　
１０４２を閉じて反応室内へのガスの流入を止め、ＣＧ
Ｌの形成を終える。

上記のよ、うにして形成されたＣＧＬ上にＣＴＬを形成
する。ＣＴＬを形成するには、流出バルブ１０４１゜１
０４３、　１０４５および補助バルブ１０７０を徐々に
開いて、ＳｉＨ４ガス＋　　Ｂ２Ｈ６ガス、ＮＨ３ガス
を反応室１００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガ
ス流ｆｉ、Ｂ２Ｈａガス流量、ＮＨ３ガス流量が所望の
値になるように、流出バルブ１０４１．１０４３゜１０
４５を調節し、また反応室内の圧力が所望の値になるよ
うに、真空計１００４を見ながらメインバルブ１００２
の開口を調節する。その後、電緻１ｏｔｏを所望の電力
に設定して反応室内にＲ，Ｆグロー放電を生起させ、基
体シリンダー上にＣＴＬの形成を開始する。所望の膜厚
の形成が行われた後、Ｒ，Ｆグロー放電を止め、流出バ
ルブ１０４１．１０４３．１０４５を閉じて反応室内へ
のガスの流入を止め、ＣＴＬの形成を終える。

それぞれの層を形成する際に、必要なガス以外の流出バ
ルブは全て閉じられていることは云うまでもなく、また
、それぞれのガスが反応室１００１内。

流出バルブ１０４１〜１０４６から反応室１０．０．１
に至る配管内に残留することを避ける為に、流出バルブ
１０４１〜１０４６を閉じ、補助バルブ１０７０を開き
、さらにメインバルブ１００２を全開にして、系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
、基体シリンダー１００７は、モーター１００９によっ
て所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられるこ、とは云うまでもない。

次にマイクロ波（以下μＷと略す）グロー放電分解法に
よって形成される電子写真用光受容部材の製造方法につ
いて説明する。

第１７図にμＷグロー放電分解法による電子写真用光受
容部材の製造装置を示す。

図中の２０１１．２０１２．２０１３．２０１４．２０
１５゜２０１６のガスボンベには、本発明のそれぞれの
層を形成する為の原料ガスが密封されており、その−例
として、たとえば２０１１にはＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％）ボンベ、　２０１２にはＨ２ガス（純度９
９．９９９％）ボンベ、　２０１３にはＨ２ガスで希釈
されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％以下Ｂ　３　
Ｈ，６／　Ｈ２と略す）ボンベ、　２０１４はＮｏガス
（純度９９．５％）ボンベ、　２０１５はＮＨ３ガス（
純度９９．９９９％）ボンベ、２０１６はＣＨ４ガス（
純度９９．９９９％）ボンベである。

第１７図に示す装置で電子写真用光受容部材を形成する
場合の使用するガスの一例として、ＣＧＬ形成用ガスと
してＳｉＨ４ガス＋　Ｈ２ガスを、ＣＴＬ形成用ガスと
してＳｉＨ４ガス、ＮＨ，ガス、Ｂ２Ｈ６ガスを用いる
場合をとりあげる。

これらのガスを反応室２００１に流入させるには、ガス
ボンベ２０１１〜２０１６のバルブ２０５１〜２０５６
゜反応室２０１１のリークバルブ２００３が閉じられて
いることを確認し、また流入バルブ２０３１〜２０３６
゜流出バルブ２０４１〜２０４６．補助バルブ２０７０
が開かれていることを確認して、先ずメインバルブ２０
０２を開いて反応室２００１およびガス配管内を排気す
る。

次に真空計２００４の読みが約５ＸｌＯ−’Ｔｏｒｒに
なった時点で補助゛バルブ２０７０．流出バルブ２０４
１〜２０４６を閉じる。

その後、ガスボンベ２０１１よりＳｉＨ４ガス、ガスボ
ンベ２０１２よりＨ２ガス、ガスボンベ２０１３よりＢ
　２　Ｈ６／　Ｈ２ガス、ガスボンベ２０１４よりＮｏ
ガス、ガスボンベ２０１５よりＮＨ３ガス、ガスボンベ
２０１６よりＣＨ４ガスをバルブ２０５１〜２０５６を
開いて導入し、圧力調節器２０６１〜２０６６により各
ガス圧力を２　Ｋ　ｇ　／　ｃ−に調節する。

次に流入バルブ２０３１〜２０３６を徐々に開けて、以
上の各ガスをマスフローコントローラー２０２１〜２０
２６内に導入する。

また、反応室２００１内に設置された基体シリンダー２
００６の温度は加熱ヒーター２００５により５０〜３５
０℃の間の所望の温度迄加熱される。

以上のようにして成膜の準備が完了した後、基体シリン
ダー１００７上にＣＧＬ、ＣＴＬ凄呑号の各層の成膜を
行う。

ＣＧＬを形成するには、流出バルブ２０４１．２０４２
および補助バルブ２０７０を徐々に開いて、ＳｉＨ４ガ
ス、Ｈ２ガスを反応室２００１内に流入させる。

この時、ＳｉＨ４ガス流量＋Ｈ２ガス流量が所望の値に
なるように、流出バルブ２０４１．２０４２を調節し、
また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空計２
００４を見ながらメインバルブ２００２の開口を調節す
る。その後、マイクロ波電源２００８を所望の電力に設
定し、導波管２００９および誘電体窓２０１０を通して
反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シリンダー
上にＣＧＬの形成を開始する。所望の膜厚の形成が行わ
れた後、μＷグロー放電を止め、また、流出バルブ２０
４１．２０４２を閉じて反応室内へのガスの流入を止め
、ＣＧＬの形成を終える。

上記のようにして形成されたＣＧＬ上にＣＴＬを形成す
る。ＣＴＬを形成するには、流出バルブ２０４１　。

２０４３．２０４５および補助バルブ２０７ｏを徐々に
開いてＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ，ガス、ＮＨ，ガスを反応
室２００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流量
、Ｂ２Ｈ，ガス流量、ＮＨ３ガス流量が所望の値になる
ように、流出バルブ２０４１．２０４３゜２０４５を調
節し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように、
真空計２００４を見ながらメインバルブ２００２の開口
を調節する。その後、マイクロ波電源２００８を所望の
電力に設定し、導波管２００９および誘電体窓２０１Ｏ
を通して反応室内にμＷグロー放電を生起させ、基体シ
リンダー上にＣＴＬの形成を開始する。所望の膜厚の形
成が行われた後、μＷグロー放電を止め、流出バルブ２
０４１．２０４３゜２０４５を閉じて反応室内へのガス
の流入を止め、ＣＴＬの形成を終える。

それぞれの層を形成する際に必要なガス以外の流出バル
ブは全て閉じられていることは云うまでもなく、また、
それぞれのガスが反応室２００１内。

流出バルブ２０４１〜２０４６から反応室２００１に至
る配管内に残留することを避ける為に、流出バルブ２０
４１〜２０４６を閉じ、補助バルブ２０７０を開き、さ
らにメインバルブ２００２を全開にして系内を一旦高真
空に排気する操作を必要に応じて行う。

また、層形成を行っている間は層形成の均一化を図る為
基体シリンダー２００６は、モーター２００７によって
所望される速度で回転させる。

上述のガス種およびバルブ操作は各々の層の作成条件に
従って変更が加えられることは云うまでもない。

次にＨＲＣＶＤ法によって形成される電子写真用光受容
部材の製造方法について説明する。

第１８図にＨＲＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造装置を示す。

第１８図において、３００１は成膜室、３００２は活性
化室（Ａ）、３００３．３０１８はマイクロ波プラズマ
発生装置、３００４は活性種（Ａ）の原料ガス導入管、
３００５は活性種（Ａ）導入管、３００６はモーター、
３００７はシリンダー状の基体を加熱するヒーター、３
００８、３００９は吹き出し管、３０１Ｏはシリンダー
状の基体、３０１１はメイン排気バルブを示している。

また３０１２ないし３０１６は原料ガス供給用ボンベで
あり、３０１７は活性化室（Ｂ）、３０１９は原料ガス
導入管、３０２０は活性室（Ｂ）より生じる活性種導入
管である。本装置を用いてシリンダー状の基体に本発明
になる層構成を持つ電子写真用光受容部材の作成方法を
具体的に述べる。

−例を挙げると、シリンダー状の基体としてはＡＩを使
用し、ＣＧＬ形成用ガスとしてはＳｉＨ４゜Ｈ２を、Ｃ
ＴＬ形成用ガスとしてはＳｉＨ４＋　ＳｉＦ　４゜ＣＨ
４，Ｈ２，Ｂ２Ｈ６を用いた。

まずＡｆシリンダー状基体３０１０を成膜室３００１に
つり下げ、その内側に加熱ヒーター３００７を備えモー
ター３００６により回転出来るようにし、成膜室を５Ｘ
ＩＯ−６Ｔｏｒｒまで排気した。

ＣＧＬを形成するにはボンベ３０１２からＨ２ガスを導
入管３００４を通して活性化室（Ａ）に導き、マイクロ
波プラズマ発生装置３００３により活性化処理をし、活
性水素を導入管３００５を通して吹き出し、管３００Ｂ
より成膜室３００１に導いた。一方、ボンベ３０１３よ
りＳｉＨ４ガスを導入管３０１９より活性化室（Ｂ）　
３０１７に導入し、マイクロ波プラズマ発生装置３０１
８により活性化処理をした後導入管３０２０を通して吹
き出し管３００９より成膜室３００１に導いた。この時
ガスの流量、内圧およびマイクロ波電力は所望の数値に
設定される。

ＡＩシリンダー状基体３０１０は、ヒーター３００７に
より所望の温度に加熱保持され、排ガスはメイン排気バ
ルブ３０１１の開口を適宜調整して排気させた。このよ
うにしてＣＧＬを形成させた。上記ＣＧＬの上に同様に
して、ボンベ３０１２よりＨ２ガス。

３０１３よりＳｉＨ４ガス、３０１４よりＢ２Ｈ６ガス
。

３０１６よりＣＨ４ガス、不図示のボンベよりＳｉＦ　
４ガスを供給し、ＣＴＬを順次形成し電子写真用光受容
部材を形成した。

次にＦＯＣＶＤ法によって形成される電子写真用光受容
部材の製造方法について説明する。

第１９図にＦＯＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の
製造装置を示す。

図中の４０１１．４０１２．４０１３．４，０１４．４
０１５゜４０１６、４０１７のガスボンベには、本発明
のそれぞれの層を形成する為の原料ガスが密封されてお
り、その−例として、たとえば４０１１にはＳｉＨ４ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、４０１２にはＦ２ガ
ス（純度９９．９９９％）ボンベ、４０１３にはＨ２で
希釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％以下Ｂ２
Ｈ。

／Ｈ２と略す）ボンベ、　４０１４はＮＯガス（純度９
９゜５％）ボンベ、　４０１５はＣＨ４ガス（純度９９
，９９９％）ボンベ、　４０１６はＦ２ガス（１０％Ｈ
ｅ希釈、純度９９．９９％）である。

ＣＧＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス＋　Ｆ２ガス。

Ｆ２ガスを、ＣＴＬ形成用ガスとしてＳｉＨ４ガス。

ＣＨ４ガス＋　Ｂ２Ｈ６ガス＋　Ｆ２ガスを用いる場合
をとりあげる。

４０１１〜４０１５のボンベに充填されている原料ガス
は、４０３１〜４０３５のそれぞれのバルブ４０５３〜
４０５７の２スクローコ″ントローラーを通り、４０２
０から４００１の真空チャンバーへ導入する。

４０１６のボンベに充填されているＦ２ガスは、前記同
様にして４０２１を通して４００１の真空チャンバーへ
導入する。

真空チャンバー４００１は、メイン真空バルブ４００２
を介して不図示の真空排気装置により排気される。

４０６１は基体シリンダー４０６０を成膜時に適当な温
度に加熱したり、あるいは成膜前に基体シリンダー４０
６０を予備加熱したり、さらには成膜後、膜をアニール
するために加熱する基体加熱用ヒーターである。

基体加熱ヒーターは不図示の導線を介して不図示の電源
より電力が供給される。

また、基体シリンダー４０６０は、均一な膜を形成する
為に４０６２の回転機構により回転している。

４０１１〜４０１６のガスを４００１に導入するには、
４００１のチャンバー内が約５Ｘ１０＝Ｔｏｒｒになっ
た時点で種々のバルブ操作によりゆっくりと導入しなけ
ればならない。

また、チャンバー４００１内に設置された基体シリンダ
ー４０６０の温度は、前記ヒーター４０６１により５０
〜３５０℃の間の所望の温度迄加熱すればよい。

以上のようにして成膜準備が完了した後、基体シリンダ
ー４０６０上にＣＧＬ、ＣＴＬの順で成膜を行う。

ＣＧＬ層を形成するには、バルブ４０４６〜４０５０を
開け、流出バルブ４０３１．４０３２および補助バルブ
４０６０を徐々に開いてＳｉＨ４ガス、Ｆ２ガスを反応
室４００１内に流入させる。この時、ＳｉＨ４ガス流ｆ
ｌ＋　　Ｈ２ガス流量が所望の値になるように流出バル
ブ４０３１．４０３２を調節し、また、反応室内の圧力
が所望の値になる不図示の真空計を見ながらメインバル
ブ４００２の開口を調節する。

次に４０５１を開け、マスフローメータ４０５８を見な
がら所望の流量まで４０３６のバルブを徐々に開けて行
き、流量の設定が終わり、所望の膜圧にＣＧＬ層を形成
される時間がたてばＣＧＬ層の形成を終える。

上記のようにして作成されたＣＧＬ層上に、上記と同様
な操作によってＣＴＬ層を形成する。それぞれの唐につ
いてはそれぞれ必要なガスを流し、前記ＣＧＬ層と同様
にバルブ操作すればよい。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 第１６図の製造装置を用い、Ｒ，Ｆグロー放電により第
１表、第２表、第３表の作成条件に従って鏡面加工を施
したアルミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成
した。

、作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプ
を光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有
する半導体レーザーを光源とした電子写真装置にそれぞ
れセットして、種々の条件のもとに、初期の帯電能、感
度、残留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし
、また、２００％枚相当の加速耐久後の帯電能低下９表
面削れ１画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けてドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第４表に示す。

第４表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著しい
優位性が認められた。

〈実施例２〉 第１７図の製造装置を用い、マイクロ波ＣＶＤ法にて第
５．６．７表の作成条件に従って鏡面加工を施したアル
ミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置にそれぞれ
セットして、種々の条件のもとに初期の帯電能、感度、
残留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、ま
た、２００万枚相当の加速実機耐久後の帯電能低下９表
面削れ９画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の総合的な評価結果を第８表に示す。

第８表に見られるように、全項目について良好な結果が
得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著しい
優位性が認められた。

〈実施例３〉 第１８図の製造装置を用い、）ＩＲＣＶＤ法にて第９〜
第１１表の作成条件に従って鏡面加工を施したアルミシ
リンダー上に電子写真用光受容部材を形成した。作成し
た電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを光源とし
た電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半導体
レーザーを光源とした電子写真装置にセットして、種々
の条件のもとに、初期の帯電能、感度、残留電位、ゴー
スト等の電子写真特性をチェックし、また、２００万枚
相当の加速実機耐久後の帯電能低下、表面削れ、画像欠
陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けてドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第１２表に示す。

第１２表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例４〉 第１９図の製造装置を用い、ＦＯＣＶＤ法により第１３
．　１４．　１６表の作成条件に従って鏡面加工を施し
たアルミシリンダー上に電子写真用光受容部材を形成し
た。

作成された電子写真用光受容部材を、ハロゲンランプを
光源とした電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有す
る半導体レーザーを光源とした電子写真装置にセットし
て、種々の条件のもとに、初期の帯電能、感度、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、また、２
００万枚相当の加速実機耐久後の帯電能低下１表面削れ
９画像欠陥の増加等を調べた。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けてドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性を
調べた。上記の総合的な評価結果を第１６表に示す。

第１６表に見られるように、全項目について良好な結果
が得られた。特に、初期帯電能、耐久性については著し
い優位性が認められた。

〈実施例５〉 鏡面加工を施したシリンダーを、さらに様々な角度を持
つ剣バイトによる旋盤加工に供し、第５０図のような断
面形状で第１８表のような種々の断面パターンを持つシ
リンダーを複数本用意した。該シリンダーを順次、第１
６図の製造装置にセットし、第１７表に示す作製条件の
もとにドラム作製に供した。作成されたドラムは、ハロ
ゲンランプを光源とした電子写真装置および７８０ｎｍ
の波長を有する半導体レーザーを光源とした電子写真装
置により種々の評価を行い、第１９表の結果を得た。

〈実施例６〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用法の落下のもとにさらして、シリンダ−表面
に無数の打痕を生せしめるいわゆる表面ディンプル化処
理を施し、第５１図のような断面形状で第２１表のよう
な種々の断面パターンを持つ゛シリンダーを複数本用意
した。該シリンダーを順次第１６図の製造装置にセット
し、第２０表に示す作製条件のもとにドラム作製に供し
した。作成されたドラムはハロゲンランプを光源とした
電子写真装置および７８０ｎｍの波長を有する半導体レ
ーザーを光源としたデジタル露光機能の電子写真装置に
より種々の評価を行い、第２２表の結果を得た。

〈実施例７〉 第１６図の製造装置を用い第２３表、２４表、２５表の
作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し同様の評価
を行った。

その結果を第２６表に示す。

第２６表に見られるように全項目について良好な結果が
得られた。

第２表　ＣＧＬ成膜条件 第３表　ＣＴＬ成膜桑件 第　　　４　　　表 第４表の続き △−実用上さしつかえない　　×−実用的＋；Ｊ’ａあ
り第６表　ＣＧＬ成膜条件 第７表　ＣＴＬ５１ｃｌＩ！Ｉ条件 第　　８　　　表 第８表の続き △−実用上さしつかえない　　×−実用的に問題あり第
１Ｏ表　ＣＧＬ成膜条件 第１１１ＩＣＴＬ成Ｉ１１県件 第　　１２　表 △−ヌ男ｔＥさしつかえない　　Ｘ−実用向４］項あり
第１２表の続き Δ−実用上さレフかえない　　Ｘ−実用的に問題あり第
１４表　ＣＧＬ成膜条件 第　１５　　ｌＩＣＴｌ−虞鳴３件 第　　　１６　　　表 △−実用上さしつかえない　　×−実用的にＮＪあり第
１６表の続き △−実用上さしつかえない　　×−実用的（コ■匣あり
第１６表の続き 八−実用上さしつかえない　　×−実用的４２ａｉあり
第　　　１７　　　表 第２４表　ＣＧＬ成膜条件 第２５表　ＣＴＬ成膜条件 第　　２６　　表 △−実用上さしつかえない　　Ｘ−実用的１３ｍあり第
２６表の続き 八−実用上さしつかえない　　Ｘ−実用的に問題あり第
２６表の続き △−実用上さしつかえない　　×−実用的に問題あり〔
発明の効果の概略〕 本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の層
構成としたことにより、Ａ−５ｉで構成された従来の電
子写真用光受容部材における諸問題を全て解決すること
ができ、特に、極めて優れた初期帯、電能連続繰返し使
用特性、電気的耐圧性。

使用環境特性および耐久性等を有するものである。

また、その電気的特性が安定しており、それを用いて得
られる画像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出る
等、すぐれた極めて秀でたものとなる。

特に本発明においては、ＣＴＬとＣＧＬを用いた機能分
離型の構成とし、ＣＴＬに伝導性を制御する物質（Ｍ）
を層厚方向に不均一または部分的に不均一に分布する状
態で含有させると共に、炭素原子。

窒素原子、酸素原子の少なくとも一種を含有させたこと
により、それぞれの層の特性に合わせた自由な設計が可
能となり、電荷の発生とＣＧＬからＣＴＬへの注入と輸
送がすみやかに行われ、特に、優れた帯電能、感度を持
ち、残留電位、ゴーストが少なく、また画像においても
解像度が高（、且つ高品質な画像を安定し綴り返し得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１ｒＩＡは本発明の電子写真用光受容部材の層構成び
該凹凸形状を作製する方法を説明するための模伝導性を
制御する物質または／および炭素原子または／および酸
素原子または／および窒素原子の分布状態を説明するた
めの説明図、 第１６図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＲＦを用いたグロー放電
法による製造装置の模式約説明図、第１７図は本発明の
電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置
の一例で、マイクロ波を用いたグロー放電法による製造
装置の模式的説明図、 第１８図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＨＲＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第１９図は本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、ＦＯＣＶＤ法による製造
装置の模式的説明図、 第２０９は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲ
，Ｆグロー放電を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第２１図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをマ
イクロ波グロー放電を用いて形成する場合の不純物ガス
およびドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示
す図、 第２２ｒ１４は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬ
をＨｏＲ，ＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物ガス
およびドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示
す図、 第２３図は本発明の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＦ
、０．ＣＶＤ法を用いて形成する場合の不純物ガスおよ
びドーピング・ガスの成膜時における流量変化を示す図
、 第２４ｒｌ！ｉは本発明の電子写真用光受容部材を形成
する際のシリンダー基体の断面形状がＶ字形である場合
のシリンダー断面の拡大図、− 第２５図は本発明の電子写真用光受容部材を形成する際
のシリンダー基体の表面がいわゆるディンプル化処理さ
れた場合のシリンダー断面の拡大図、第２６図は本発明
の電子写真用光受容部材のＣＴＬをＲＦグロー放電を用
いて形成する実施例の場合の不純物ガスおよびドーピン
グガスの成膜時における流量変化を示す図である。 第１図について、１００・・・光受容層１０１・・・支
持体 １０２・・・光受容層 １０３・・・ＣＧＬ １０４・・・ＣＴＬ １０４・・・自由表面。 第３図、第４図について１． ３０１．４０１・・・支持体 ３０２．４０２・・・支持体表面 ３０３．４０３−・・剛体真球 ３０４．４０４−・・球状痕跡窪み 第５図について、 ５００・・・光受容層 ５０１・・・支持体 ５０２・・・ＣＧＬ ５０３・・−ＣＴＬ ５０４・・・自由表面 第１６図において、 １００１・・・反応室 １００２・・・メイン排気バルブ １００３・・・反応室リーク・バルブ １００４・・・真空計 １００７・・・シリンダー基体 １００８・・・基体加熱用ヒーター １００９・・・シリンダー基体回転用モーター１０１０
・・・Ｒ，Ｆ電源 １１０１１Ｎｌｏｆ・・・原料ガス中ボンベ１０２１〜
１０２？・・・マス拳フロー・コントローラー１０３１
　Ｎ１０３ｆｆ・・・ガス流入バルブ１０４１−１０４
９・・・ガス流出バルブ１０５１−１０５ｅ・・・原料
ガス・ボンベのバルブ１０６１−１０６９・・・圧力調
節器 第７図について、 ２００１・・・反応室 ２００２・・・メイン排気バルブ ２００３・・・反応室リーク用バルブ ２００４・・・真空計 ２００５・・・基体加熱用ヒーター ２００６・・・シリンダー状基体 ２００７・・・基体回転用モーター ２００８・・・マイクロ波電源 ２００９・・・導波管 ２０１０・・・誘電体窓 ２０１！〜２０１９・・・原料ガス・ボンベ２０２１〜
２０２９・・・マス・フロ・コントローラー２０３１〜
２０３ｇ・・・ガス流入バルブ２０４１〜２０４畳・・
・ガス流出バルブ２０５１〜２０５薯・・・原料ガス・
ボンベのバルブ２０６１　Ｎ１２６Ｓ・・・圧力調節器
第１８図について、 ３００１・・・成膜室 ３００２・・・活性化室（Ａ） ３００３、３０１８・・・マイクロ波プラズマ発生装置
３００４、３０１９・・・原料ガス導入管３００５．３
０２０・・・活性種導入管３００６・・・モーター ３００７・・・シリンダー基体加熱用ヒーター３００８
、３００９・・・吹き出し管 ３０１０・・・シリンダー状の基体 ３０１１・・・メイン排気バルブ ３０１２〜３０１６・・・原料ガス・ボンベ３０１７・
・・活性化室（Ｂ） 第１９図について、 ４００１−・・反応室

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   し、水素原子およびハロゲン原子の中の少なくともいず
   れか一方を含有する非単結晶材料で構成された光受容層
   を有する電子写真用光受容部材において、前記光受容層
   が前記支持体側より順に電荷発生層と電荷輸送層とが積
   層された層構成とされ、且つ前記電荷輸送層が、炭素原
   子、窒素原子および酸素原子の中の少なくとも一種を含
   有すると共に、伝導性を制御する物質を、層厚方向に不
   均一な分布状態で含有する部分を少くとも有することを
   特徴とする電子写真用光受容部材。
2. （２）前記伝導性を制御する物質が周期律表第III族に
   属する原子である特許請求の範囲第１項に記載の電子写
   真用光受容部材。
3. （３）前記伝導性を制御する物質が周期律表第Ｖ族に属
   する原子である特許請求の範囲第１項に記載の１０電子
   写真用光受容部材。