JPS63204113A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
- Publication number
- JPS63204113A JPS63204113A JP3539887A JP3539887A JPS63204113A JP S63204113 A JPS63204113 A JP S63204113A JP 3539887 A JP3539887 A JP 3539887A JP 3539887 A JP3539887 A JP 3539887A JP S63204113 A JPS63204113 A JP S63204113A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pitch
- lambda
- magnetic flux
- flux supply
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、繰り返し磁気信号の検出に用いる磁電変換素
子の構造に関する。
子の構造に関する。
「従来の技術」
従来のリング状多極磁石を磁束供給体とする磁電変換素
子は、多極磁石の着磁ピッチλに対して、感磁抵抗パタ
ーンがｎ個ある場合には、それぞれの感磁抵抗パターン
をλ／ｎのピッチで基板に配置し、多極磁石の一回転に
対しその磁石の着磁個数ｍの整数倍の電気出力を得る構
造を採っている。
子は、多極磁石の着磁ピッチλに対して、感磁抵抗パタ
ーンがｎ個ある場合には、それぞれの感磁抵抗パターン
をλ／ｎのピッチで基板に配置し、多極磁石の一回転に
対しその磁石の着磁個数ｍの整数倍の電気出力を得る構
造を採っている。
ところが、この構造では基板が平面であるのに対して、
リング状多極磁石の着磁部は曲面であることから、感磁
抵抗パターンの中央部の抵抗パターンと端部の抵抗パタ
ーンとで磁束の受は方が異なり、電気出力がピッチずれ
を起こすという欠点を有していた。
リング状多極磁石の着磁部は曲面であることから、感磁
抵抗パターンの中央部の抵抗パターンと端部の抵抗パタ
ーンとで磁束の受は方が異なり、電気出力がピッチずれ
を起こすという欠点を有していた。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明は、前述した欠点をなくし、電気出力のピッチず
れがない磁電変換素子を提供することを目的とする。
れがない磁電変換素子を提供することを目的とする。
「間転点を解決するための手段」
しかして、本発明によれば、円周面に略等ピッチλで任
意様の磁束供給部をもつ環状磁束供給体と一対に使用す
る磁電変換素子において、前記環状磁束供給体の円周接
面に略平行に配置する基板と、該基板に、前記磁束供給
部と略平行に複数本（ｎ本）具備された感磁抵抗パター
ンとを具備するとともに、該感磁抵抗パターンのうち、
少なくとも２本の感磁抵抗パターンのピッチλ’を、λ
／ｎ〉＾゛≧＾７／２ｎの範囲に配置することを特徴と
する磁電変換素子が提供される。
意様の磁束供給部をもつ環状磁束供給体と一対に使用す
る磁電変換素子において、前記環状磁束供給体の円周接
面に略平行に配置する基板と、該基板に、前記磁束供給
部と略平行に複数本（ｎ本）具備された感磁抵抗パター
ンとを具備するとともに、該感磁抵抗パターンのうち、
少なくとも２本の感磁抵抗パターンのピッチλ’を、λ
／ｎ〉＾゛≧＾７／２ｎの範囲に配置することを特徴と
する磁電変換素子が提供される。
「作用」
上記構成によれば、環状磁束供給体の円周面における磁
束供給部から平面状配置の感磁抵抗パターンに直角方向
に供給される磁束が、いずれの感磁抵抗パターンに対し
ても略均等に加わる。
束供給部から平面状配置の感磁抵抗パターンに直角方向
に供給される磁束が、いずれの感磁抵抗パターンに対し
ても略均等に加わる。
「実施例」
次に、本発明の実施例を第１図から第３図について説明
する。
する。
本実施例の磁電変換素子２は、第１図に示すように、円
周面に＾の等ピッチでｍ極着磁されたリング状多極磁石
１と一対に使用され、この磁石１の円周接面に平行に配
置されている。磁電変換素子２は、第２図に示すごとく
平面状の絶縁性基板１０の表面に、ニッケルコバルトあ
るいはニッケル鉄のような磁気抵抗の異方性効果を有す
る強磁性体の薄膜による感磁抵抗パターン３．４を形成
したものである。この感磁抵抗パターン３，４は強磁性
体を矩形状あるいは櫛歯パターン状に蒸着し、又は全面
に蒸着した後エツチングして形成される。そして、感磁
抵抗パターン３．４を飽和磁化させるに充分な強さの磁
束を垂直方向に加えると各抵抗パターン３，４の抵抗値
が変化し、リング状多極磁石１の一回転に対しその磁石
１の着磁個数ｍの整数倍（本実施例では２倍）のパルス
出力が得られる。第２図に示すように、抵抗パターン３
．４のピッチをλ′とするとき、このλ′は磁石１の着
磁ピッチλに対して次式の範囲になるようにずらしであ
る。
周面に＾の等ピッチでｍ極着磁されたリング状多極磁石
１と一対に使用され、この磁石１の円周接面に平行に配
置されている。磁電変換素子２は、第２図に示すごとく
平面状の絶縁性基板１０の表面に、ニッケルコバルトあ
るいはニッケル鉄のような磁気抵抗の異方性効果を有す
る強磁性体の薄膜による感磁抵抗パターン３．４を形成
したものである。この感磁抵抗パターン３，４は強磁性
体を矩形状あるいは櫛歯パターン状に蒸着し、又は全面
に蒸着した後エツチングして形成される。そして、感磁
抵抗パターン３．４を飽和磁化させるに充分な強さの磁
束を垂直方向に加えると各抵抗パターン３，４の抵抗値
が変化し、リング状多極磁石１の一回転に対しその磁石
１の着磁個数ｍの整数倍（本実施例では２倍）のパルス
出力が得られる。第２図に示すように、抵抗パターン３
．４のピッチをλ′とするとき、このλ′は磁石１の着
磁ピッチλに対して次式の範囲になるようにずらしであ
る。
λ／４≦λ“くλ／２ ・・・・・（ｎ）すなわち、第
３図に示すように円周面着磁のリ−３＝ ング状多極磁石１の磁束を平面状の磁電変換素子２で受
けることから、感磁抵抗パターン４が垂直磁束Φを受け
る時の磁石１の極（例えばＮ極）の位置は、疑似的に着
磁ピッチ＾が小さくなる方向に中心角でΔθだけずれる
ことになる。そのため、抵抗パターン３，４のピッチλ
′をλ／２（着磁ピッチの１／２）より小さくすること
でこのずれΔθを補正するようにしである。但し、抵抗
パターン３．４のピッチλ°が着磁ピッチλの１／４よ
り小さい範囲に入る領域においては磁石１と、各々の抵
抗パターン３，４の距離が離れすぎる為抵抗値変化に歪
みを生じ波形整形後の出力パルス波形がバラツクため、
現実的ではない。よって、（ｎ）式のごとくピッチλ′
は着磁ピッチλの１／４以上に大きくしな。
３図に示すように円周面着磁のリ−３＝ ング状多極磁石１の磁束を平面状の磁電変換素子２で受
けることから、感磁抵抗パターン４が垂直磁束Φを受け
る時の磁石１の極（例えばＮ極）の位置は、疑似的に着
磁ピッチ＾が小さくなる方向に中心角でΔθだけずれる
ことになる。そのため、抵抗パターン３，４のピッチλ
′をλ／２（着磁ピッチの１／２）より小さくすること
でこのずれΔθを補正するようにしである。但し、抵抗
パターン３．４のピッチλ°が着磁ピッチλの１／４よ
り小さい範囲に入る領域においては磁石１と、各々の抵
抗パターン３，４の距離が離れすぎる為抵抗値変化に歪
みを生じ波形整形後の出力パルス波形がバラツクため、
現実的ではない。よって、（ｎ）式のごとくピッチλ′
は着磁ピッチλの１／４以上に大きくしな。
本発明者は、（ｎ〉式の範囲で抵抗パターン３゜４をの
ピッチλ′を適切に選ぶことにより、第４図（ａ） 、
（ｂ）に示すように、従来、波形整形後のパルス周期
ｔ／Ｔのずれが約５％であったのが、本実施例により約
１％にまで改善することができた。
ピッチλ′を適切に選ぶことにより、第４図（ａ） 、
（ｂ）に示すように、従来、波形整形後のパルス周期
ｔ／Ｔのずれが約５％であったのが、本実施例により約
１％にまで改善することができた。
［他の実施例」
抵抗パターンを４本とした場合の磁電変換素子の構成を
第５図および第６図に示す。この場合は、磁電変換素子
中央部の抵抗パターン４．５のピッチはλ／４とし、素
子端部の抵抗パターン３，４および５，６のピッチはλ
°としである。ここでピッチλ′は次式の範囲にある。
第５図および第６図に示す。この場合は、磁電変換素子
中央部の抵抗パターン４．５のピッチはλ／４とし、素
子端部の抵抗パターン３，４および５，６のピッチはλ
°としである。ここでピッチλ′は次式の範囲にある。
λ／８≦λ′くλ／４・・・・・（２）但しこの場合で
も、抵抗パターン４，５のピッチをλ／４より小さい値
λ”としてもよく、この時はλ′、λ′′の範囲は（３
）式となる。
も、抵抗パターン４，５のピッチをλ／４より小さい値
λ”としてもよく、この時はλ′、λ′′の範囲は（３
）式となる。
λ／８≦λ′≦λ″≦λ／４・・・（３）抵抗パターン
がｎ本（４本以上）の場合も同様に抵抗パターンＲＩＲ
２のピッチをλ′１・・・Ｒｎ−１−Ｒｎのピッチをλ
′ｎ−４とすると、ピッチλ’・・・λ′ｎ−１は次式
の範囲にある。
がｎ本（４本以上）の場合も同様に抵抗パターンＲＩＲ
２のピッチをλ′１・・・Ｒｎ−１−Ｒｎのピッチをλ
′ｎ−４とすると、ピッチλ’・・・λ′ｎ−１は次式
の範囲にある。
λ／ ２ ｎ≦λ°１−λ′ｎ−１≦λ°２−λ″ｎ−
２≦・・・・・・（４） また、第７図に示すような磁性体ギア２０およびバイア
ス磁石３０から構成される環状磁束供給体を持つ回転検
出装置の磁電変換素子２にも本発明は同様に実施するこ
とができる。
２≦・・・・・・（４） また、第７図に示すような磁性体ギア２０およびバイア
ス磁石３０から構成される環状磁束供給体を持つ回転検
出装置の磁電変換素子２にも本発明は同様に実施するこ
とができる。
「効果」
以上述べたように、本発明の磁電変換素子は上記の構成
を有するものであり、環状磁束供給体の円周面における
磁束供給部から平面状配置の感磁抵抗パターンに直角方
向に供給される磁束が、いずれの感磁抵抗パターンに対
しても略均等に加わるため、電気出力のピッチずれがな
いという優れた効果がある。
を有するものであり、環状磁束供給体の円周面における
磁束供給部から平面状配置の感磁抵抗パターンに直角方
向に供給される磁束が、いずれの感磁抵抗パターンに対
しても略均等に加わるため、電気出力のピッチずれがな
いという優れた効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す斜視図、第２図は第１図
のＡ規正面図、第３図は第１図のＢ幌上面図、第４図は
実験結果を示す波形図、第５図および第６図は他の実施
例を示す正面図および上面図、第７図は更に他の実施例
を示す斜視図である。 １１５．リング状多極磁石、 ２１１．磁電変換素子、
３〜６１１．感磁抵抗パターン、 １０．、、基板、２
０ 、、、磁性体ギヤ、 ３０ 、、、バイアス磁石。 第１図 Ｂ視 １・・・・リング状多極磁石 ２・−・・磁電変換素子 第２図 １−−−・リング状多極磁石 ２−−−一磁電変換素子 ３．４−・・−感磁抵抗パターン １０−・−基板 第５図 Ｓ Ｎ、￥ −
λ′ 第６図 ２−−−一磁電変換素子 ３〜６・−感磁抵抗パターン 第 ７０ １−−一−リング状多極磁石 ２・−・磁電変換素子
のＡ規正面図、第３図は第１図のＢ幌上面図、第４図は
実験結果を示す波形図、第５図および第６図は他の実施
例を示す正面図および上面図、第７図は更に他の実施例
を示す斜視図である。 １１５．リング状多極磁石、 ２１１．磁電変換素子、
３〜６１１．感磁抵抗パターン、 １０．、、基板、２
０ 、、、磁性体ギヤ、 ３０ 、、、バイアス磁石。 第１図 Ｂ視 １・・・・リング状多極磁石 ２・−・・磁電変換素子 第２図 １−−−・リング状多極磁石 ２−−−一磁電変換素子 ３．４−・・−感磁抵抗パターン １０−・−基板 第５図 Ｓ Ｎ、￥ −
λ′ 第６図 ２−−−一磁電変換素子 ３〜６・−感磁抵抗パターン 第 ７０ １−−一−リング状多極磁石 ２・−・磁電変換素子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 円周面に略等ピッチλで任意極の磁束供給部をもつ環
状磁束供給体と一対に使用する磁電変換素子において、 前記環状磁束供給体の円周接面に略平行に配置する基板
と、 該基板に、前記磁束供給部と略平行に複数本（ｎ本）具
備された感磁抵抗パターンとを具備するとともに、 該感磁抵抗パターンのうち、少なくとも２本の感磁抵抗
パターンのピッチλ’を、λ／ｎ＞λ’≧λ／２ｎの範
囲で配置することを特徴とする磁電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3539887A JPS63204113A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3539887A JPS63204113A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204113A true JPS63204113A (ja) | 1988-08-23 |
Family
ID=12440808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3539887A Pending JPS63204113A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204113A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918458A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 回転検出装置 |
| JPS61182505A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | Hitachi Ltd | クランク角センサ |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP3539887A patent/JPS63204113A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918458A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-30 | Nippon Denso Co Ltd | 回転検出装置 |
| JPS61182505A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | Hitachi Ltd | クランク角センサ |
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