JPS6320705A - 磁気消去ヘツド - Google Patents
磁気消去ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6320705A JPS6320705A JP16360586A JP16360586A JPS6320705A JP S6320705 A JPS6320705 A JP S6320705A JP 16360586 A JP16360586 A JP 16360586A JP 16360586 A JP16360586 A JP 16360586A JP S6320705 A JPS6320705 A JP S6320705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- thin film
- flux density
- erasing head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に記録された信号を交流消去す
る磁気消去ヘッドに係り、特に高保磁力記録媒体に用い
て好適な磁気消去ヘッドに関する。
る磁気消去ヘッドに係り、特に高保磁力記録媒体に用い
て好適な磁気消去ヘッドに関する。
従来の磁気消去ヘッドは、特開昭56−37821号に
記載のように高飽和磁束密度で高透磁率磁性体膜を有す
ることを特徴とするとなっていた。
記載のように高飽和磁束密度で高透磁率磁性体膜を有す
ることを特徴とするとなっていた。
しかしその磁性体膜の膜厚及びギャップ材とじての非磁
性酸化膜もしくは非磁性金属膜のI8厚し二ついては配
慮されていなかった。
性酸化膜もしくは非磁性金属膜のI8厚し二ついては配
慮されていなかった。
上記従来技術は磁性体膜の膜厚及びギャップ材としての
非磁性酸化膜もしくは非磁性金属膜の膜厚については配
慮がされていなかった。
非磁性酸化膜もしくは非磁性金属膜の膜厚については配
慮がされていなかった。
磁気消去ヘッドによって消去される信号は低周波から高
周波まで非常に広範囲にわたっている。
周波まで非常に広範囲にわたっている。
この中で特に低周波の信号は記録媒体の深層部に及んで
いるため消去が難しく、この信号消去には磁気消去ヘッ
ドの構造及び磁性体膜の膜厚、またギャップ材としての
非磁性酸化膜もしくは非磁性金属膜の膜厚には最適値が
存在する。
いるため消去が難しく、この信号消去には磁気消去ヘッ
ドの構造及び磁性体膜の膜厚、またギャップ材としての
非磁性酸化膜もしくは非磁性金属膜の膜厚には最適値が
存在する。
本発明の目的は磁気記録媒体に記録された信号特に低周
波信号を消去するのに適した高い消去効率を持つ磁気消
去ヘッドを提供することにある。
波信号を消去するのに適した高い消去効率を持つ磁気消
去ヘッドを提供することにある。
[問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するための磁気消去ヘッドは、一方にコ
イル巻線用溝を有する金属酸化物磁性材料よりなる一対
のコア素片の磁気ギャップ形成[■側に高飽和磁束密度
の磁性薄膜を形成し、該一対のコア素片を非磁性ギャッ
プ材を介して接合してなる磁気消去ヘットにおいて、高
飽和磁束密度磁性薄膜の膜厚を1〜3μmとし、ギャッ
プ材として非磁性酸化膜と非磁性金属膜の少なくともひ
とつを用い、その合計の膜厚を2〜4μmで形成するこ
とを特徴とする6 〔作用〕 磁気消去ヘッドにおいて高飽和磁束密度磁性薄膜の膜厚
と消去率には図2に示す関係がある。従って高飽和磁束
密度磁性薄膜の膜厚を2μm前後に規定することにより
もっとも良い消去率が得られることがわかる。これは膜
厚が薄い場合は膜の磁気抵抗が大きい為に膜内を充分な
磁束が流れず。
イル巻線用溝を有する金属酸化物磁性材料よりなる一対
のコア素片の磁気ギャップ形成[■側に高飽和磁束密度
の磁性薄膜を形成し、該一対のコア素片を非磁性ギャッ
プ材を介して接合してなる磁気消去ヘットにおいて、高
飽和磁束密度磁性薄膜の膜厚を1〜3μmとし、ギャッ
プ材として非磁性酸化膜と非磁性金属膜の少なくともひ
とつを用い、その合計の膜厚を2〜4μmで形成するこ
とを特徴とする6 〔作用〕 磁気消去ヘッドにおいて高飽和磁束密度磁性薄膜の膜厚
と消去率には図2に示す関係がある。従って高飽和磁束
密度磁性薄膜の膜厚を2μm前後に規定することにより
もっとも良い消去率が得られることがわかる。これは膜
厚が薄い場合は膜の磁気抵抗が大きい為に膜内を充分な
磁束が流れず。
また膜が厚くなると膜内1こうず電流が生じて膜内の磁
束の流れを防げることになる。従って高飽和磁束密度磁
性薄膜の膜厚には最適値が存在することになる。
束の流れを防げることになる。従って高飽和磁束密度磁
性薄膜の膜厚には最適値が存在することになる。
第3図にギャップ長と消去率の関係を示す。このグラフ
よりギャップ長が大きい方が消去率が良いことを示して
いるが4μm近傍で一定となりそれ以上の消去率は得ら
れない。従ってギャップ長は4μm近傍が最適値である
。
よりギャップ長が大きい方が消去率が良いことを示して
いるが4μm近傍で一定となりそれ以上の消去率は得ら
れない。従ってギャップ長は4μm近傍が最適値である
。
以下、本発明の一実施例を図面によって説明する。
第1図(a)、(b)は本発明に係る磁気消去ヘットの
磁気媒体対向面の平面図および主磁路形成面の平面図で
ある。図中、一対のコア素片00,01は金属酸化物磁
性材料(Mn−Zn単結晶フェライト)で構成される。
磁気媒体対向面の平面図および主磁路形成面の平面図で
ある。図中、一対のコア素片00,01は金属酸化物磁
性材料(Mn−Zn単結晶フェライト)で構成される。
コア素片1a、lbのうち?11去動作製行なう消去ヘ
ッドに対する矢印への磁気テープ相対移動力の逃げ側の
コア素片1bにコイル巻線用の溝2が形成される。そし
てコア素片1a、lbの磁気ギャップの対向面側にコア
幅Tより狭いトラック幅Twを規定するための切り欠き
溝が形成される。
ッドに対する矢印への磁気テープ相対移動力の逃げ側の
コア素片1bにコイル巻線用の溝2が形成される。そし
てコア素片1a、lbの磁気ギャップの対向面側にコア
幅Tより狭いトラック幅Twを規定するための切り欠き
溝が形成される。
次に、溝2は高飽和磁束密度の磁束の磁性薄膜であり、
スパフタリング(ム(こより形成された、Go−Nb−
Zr3元素元素用ファス膜で約2μm1Mである。
スパフタリング(ム(こより形成された、Go−Nb−
Zr3元素元素用ファス膜で約2μm1Mである。
次にアモルファス膜上に3で示される非磁性酸化膜Si
o2膜を約2.5μm スパッタ法により形成し、その
上に3で示される非磁性金属膜としてCr膜を約0.5
μm形成することにより非磁性酸化膜と非磁性金属膜と
でギャップ形成する。
o2膜を約2.5μm スパッタ法により形成し、その
上に3で示される非磁性金属膜としてCr膜を約0.5
μm形成することにより非磁性酸化膜と非磁性金属膜と
でギャップ形成する。
次にトラック幅を形成するための切り欠き部にガラス材
4を充填する。ここでこのガラス材料には次の特性が要
求される。アモルファス膜の結晶化温度を考慮して低融
点であること(作業温度で460℃以下)、 ガラス充
填時に発生するクランクを防止するためしこ熱膨張係数
が低いこと(α≦115XIO”/°C)。ガラス欠け
やクランクを考慮して破壊強度が高い材料が必要となる
。
4を充填する。ここでこのガラス材料には次の特性が要
求される。アモルファス膜の結晶化温度を考慮して低融
点であること(作業温度で460℃以下)、 ガラス充
填時に発生するクランクを防止するためしこ熱膨張係数
が低いこと(α≦115XIO”/°C)。ガラス欠け
やクランクを考慮して破壊強度が高い材料が必要となる
。
以上の特性を満足するガラスとして、V2O,:55〜
65+it%+ P2O3: I D 〜20 wt%
。
65+it%+ P2O3: I D 〜20 wt%
。
5b20.: 6−12wt% その他))bo、’r
120゜Nb2O,組成からなる低融点(作業温度42
5°C〜445℃)、熱膨張係数(α;75〜85×1
0−’/’C)のガラス材を充填ガラスとして使用する
、また実施例の2ンとしては、pbo : s 。
120゜Nb2O,組成からなる低融点(作業温度42
5°C〜445℃)、熱膨張係数(α;75〜85×1
0−’/’C)のガラス材を充填ガラスとして使用する
、また実施例の2ンとしては、pbo : s 。
−85wt%、 B、0. : 10〜15vt% そ
の他5io2! AlO2の組成からなる低融点ガラス
(作業温度:450〜460℃、熱膨張係数:100〜
113X10−”/’C)を使用する場合もある。
の他5io2! AlO2の組成からなる低融点ガラス
(作業温度:450〜460℃、熱膨張係数:100〜
113X10−”/’C)を使用する場合もある。
以上説明したごとく本発明によれば、高保持力を有する
磁気記録媒体に記録された信号を消去するのに充分な磁
界強度を得ることができるとともに、必要最小限の膜厚
・ギャップ長とすることでスパッタリングの時間が短く
経済性がよい。
磁気記録媒体に記録された信号を消去するのに充分な磁
界強度を得ることができるとともに、必要最小限の膜厚
・ギャップ長とすることでスパッタリングの時間が短く
経済性がよい。
また、コア素片となる金属酸化磁性材のギャップ対向面
側に形成された高飽和磁束密度の磁性薄膜がはく離しな
い構造となっているため、磁気ヘッドの製造歩留りも高
い。
側に形成された高飽和磁束密度の磁性薄膜がはく離しな
い構造となっているため、磁気ヘッドの製造歩留りも高
い。
第1図(a)、(b)は本発明の磁気消去ヘッドの一例
を示す記録媒体対向面および主磁路形成面の平面図、第
2図は本発明の磁気ヘッドにおける高飽和磁束密度磁性
薄膜の膜厚と消去率の関係を示す特性図、第3図は本発
明の磁気ヘッドの?タップ長と消去率の関係を示す特性
図である。 la、lb・・・コア素片、2・・・コイル巻線用溝。 3・・・高飽和磁束密度磁性薄膜、4・・・非磁性ギャ
ップ、5・・・充填ガラス。
を示す記録媒体対向面および主磁路形成面の平面図、第
2図は本発明の磁気ヘッドにおける高飽和磁束密度磁性
薄膜の膜厚と消去率の関係を示す特性図、第3図は本発
明の磁気ヘッドの?タップ長と消去率の関係を示す特性
図である。 la、lb・・・コア素片、2・・・コイル巻線用溝。 3・・・高飽和磁束密度磁性薄膜、4・・・非磁性ギャ
ップ、5・・・充填ガラス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一方にコイル巻線用溝を有する金属酸化物磁性材料
によりなる一対のコア素片の少なくとも一方に高飽和磁
束密度の磁性薄膜を形成し、該一対のコア素片を非磁性
ギャップ材を介して接合してなる磁気消去ヘッドにおい
て、高飽和磁束密度磁性薄膜の膜厚を1〜10μmとし
、ギャップを2〜6μmとなるように非磁性酸化膜と非
磁性金属膜の少なくともひとつを用いて形成し、トラッ
ク幅を形成するための切欠溝をガラスで充填することを
特徴とする磁気消去ヘッド。 2、前記磁気消去ヘッドにおいて磁気記録媒体逃げ側の
コア素片にコイル巻線用の溝を有し、もう一方の磁気記
録媒体進行側のコア素片のみにアモルファス膜を形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気消
去ヘッド。 3、前記アモルファス膜がCo・Nb・Zrの3元素よ
りなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁
気消去ヘッド。 4、前記非磁性酸化膜としてSiO_2、非磁性金属膜
としてCrを使用することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の磁気消去ヘッド。 5、前記充填ガラスとしてV_2O_5,P_2O_5
,Sb_2O_3を主成分とするガラスを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気消去ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16360586A JPS6320705A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 磁気消去ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16360586A JPS6320705A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 磁気消去ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320705A true JPS6320705A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15777104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16360586A Pending JPS6320705A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 磁気消去ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0224808A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| CN1063995C (zh) * | 1996-09-25 | 2001-04-04 | 松下电工株式会社 | 刀具及其制造方法 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16360586A patent/JPS6320705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0224808A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| CN1063995C (zh) * | 1996-09-25 | 2001-04-04 | 松下电工株式会社 | 刀具及其制造方法 |
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