JPS63122105A - 厚膜混成集積回路の機能調整方法 - Google Patents
厚膜混成集積回路の機能調整方法Info
- Publication number
- JPS63122105A JPS63122105A JP61267570A JP26757086A JPS63122105A JP S63122105 A JPS63122105 A JP S63122105A JP 61267570 A JP61267570 A JP 61267570A JP 26757086 A JP26757086 A JP 26757086A JP S63122105 A JPS63122105 A JP S63122105A
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- JP
- Japan
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- thick film
- integrated circuit
- semi
- hybrid integrated
- film hybrid
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、厚膜混成集積回路の１機能調整方法に関し０
％に、調整精度の高い機能調整を必要とする厚膜混成集
積回路に使用して、好適な１機能調整方法に関するもの
である。
％に、調整精度の高い機能調整を必要とする厚膜混成集
積回路に使用して、好適な１機能調整方法に関するもの
である。
従来における厚膜混成集積回路の機能調整方法の１つと
して、例えば、特開昭５８−６８９０５号公報に記載さ
れている様に１機能調整用厚膜抵抗体をレーザー等によ
り切断してゆき、電気的特性を目標値に合わせるといっ
た方法が知られている。この特開昭５８−６８９０５号
公報に記載された方法においては１機能調整後のわずか
な特性の変化に関する問題について認識されていなかっ
た。
して、例えば、特開昭５８−６８９０５号公報に記載さ
れている様に１機能調整用厚膜抵抗体をレーザー等によ
り切断してゆき、電気的特性を目標値に合わせるといっ
た方法が知られている。この特開昭５８−６８９０５号
公報に記載された方法においては１機能調整後のわずか
な特性の変化に関する問題について認識されていなかっ
た。
上記従来技術では２機能調整後のわずかな特性の変化に
ついて、配慮がなされておらず、セット実装後、周囲条
件等の種々の条件変化により、該厚膜混成集積回路に調
整ズレが生じた場合、該厚膜混成集積回路は、電気的特
性が目標値内に入らず不良品となってしまうという問題
があった。
ついて、配慮がなされておらず、セット実装後、周囲条
件等の種々の条件変化により、該厚膜混成集積回路に調
整ズレが生じた場合、該厚膜混成集積回路は、電気的特
性が目標値内に入らず不良品となってしまうという問題
があった。
そこで１本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を
解決し、セット実装後でも厚膜混成集積回路の機能調整
が可能であり、しかも、調整精度の高い、厚膜混成集積
回路の機能調整方法を提供することにある。
解決し、セット実装後でも厚膜混成集積回路の機能調整
が可能であり、しかも、調整精度の高い、厚膜混成集積
回路の機能調整方法を提供することにある。
上記した目的を達成するために１本発明では。
セラミック等の絶縁基板上に厚膜導体及び機能調整用厚
膜抵抗体を形成し、更に、該基板上に個別部品及び、半
固定抵抗器等の半固定部品を半田付けして成る厚膜混成
集積回路において、先ず、該集積回路を動作状態にし、
次に、前記厚膜抵抗体の一部をレーザー等により切断し
て、該集積回路における所定の電気的特性を所望の目標
値にほぼ合わせ、その後、前記半固定部品を調節して、
前記電気的特性を前記目標値に合わせるよう、前記集積
回路の機能調整を行うようにしたものである。
膜抵抗体を形成し、更に、該基板上に個別部品及び、半
固定抵抗器等の半固定部品を半田付けして成る厚膜混成
集積回路において、先ず、該集積回路を動作状態にし、
次に、前記厚膜抵抗体の一部をレーザー等により切断し
て、該集積回路における所定の電気的特性を所望の目標
値にほぼ合わせ、その後、前記半固定部品を調節して、
前記電気的特性を前記目標値に合わせるよう、前記集積
回路の機能調整を行うようにしたものである。
本発明では、最初、前記厚膜抵抗体の一部をレーザー等
によって切断することにより、前記集積回路における電
気的特性を所望の目標値にほぼ合わせ、その後、前記半
固定部品を調節することによって前記電気特性を前記目
標値に合わせる。
によって切断することにより、前記集積回路における電
気的特性を所望の目標値にほぼ合わせ、その後、前記半
固定部品を調節することによって前記電気特性を前記目
標値に合わせる。
この様に１本発明では１機能調整を、厚膜抵抗体及び半
固定部品を用いて２回行うので、前記電気特性を高精度
かつ正確に目標値に合わせることができる。
固定部品を用いて２回行うので、前記電気特性を高精度
かつ正確に目標値に合わせることができる。
また１機能調整した前記集積回路をセット実装した後１
周囲条件等の変化により、前記電気特性が目標値からは
ずれたとしても２再度、前記半固定部品により調整でき
るので、従来の様に、不良品となることはない。
周囲条件等の変化により、前記電気特性が目標値からは
ずれたとしても２再度、前記半固定部品により調整でき
るので、従来の様に、不良品となることはない。
以下１本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明が適用される厚膜混成集積回路の一具体
例を示す平面図、第２図は第１図の厚膜混成集積回路の
回路構成を示す回路図、である。
例を示す平面図、第２図は第１図の厚膜混成集積回路の
回路構成を示す回路図、である。
第１図において、１は端子、２は機能調整用厚膜抵抗体
、３は半固定部品、４は個別部品、５は厚膜導体、６は
絶縁基板、である。
、３は半固定部品、４は個別部品、５は厚膜導体、６は
絶縁基板、である。
第１図に示す様に１本発明が適用される厚膜混成集積回
路は、セラミック等の絶縁基板６上に。
路は、セラミック等の絶縁基板６上に。
厚膜導体５及び機能調整用厚膜抵抗体２を形成した後、
半固定部品３及び個別部品４を半田付して形成される。
半固定部品３及び個別部品４を半田付して形成される。
こうして形成された厚膜混成集積回路の回路構成は第２
図に示す如くである。
図に示す如くである。
では１本発明の一実施例としての機能調整方法について
第３図（，１を用いて説明する。
第３図（，１を用いて説明する。
第３図（α）は本発明の一実施例における調整手順を説
明するための説明図である。
明するための説明図である。
第３図（α）に示す様に、まず、半固定部品３を可変範
囲のほぼ中央にし、厚膜混成集積回路を動作状態にした
のち１機能調整用厚膜抵抗体２のＲ１又はＲ２をレーザ
ー等で切断してゆき、該回路の電気的特性を目標値にほ
ぼ合わせる。次に、該回路をセットに実装し、その後、
半固定部品３を微−節し、前述した電気的特性を目標値
に高精度に合わせる。
囲のほぼ中央にし、厚膜混成集積回路を動作状態にした
のち１機能調整用厚膜抵抗体２のＲ１又はＲ２をレーザ
ー等で切断してゆき、該回路の電気的特性を目標値にほ
ぼ合わせる。次に、該回路をセットに実装し、その後、
半固定部品３を微−節し、前述した電気的特性を目標値
に高精度に合わせる。
第３図（ｈｌは本発明の他の実施例における調整手順を
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
第３図（α）に示した実施例では、半固定部品３による
調整を、セット実装後に行っていたが、第３図（ｉ）に
示す如く、セット実装前に行っても良い。
調整を、セット実装後に行っていたが、第３図（ｉ）に
示す如く、セット実装前に行っても良い。
本発明によれば、厚膜混成集積回路に対し、機能調整用
厚膜抵抗体と、半固定部品とによって少なくとも２回調
整を施す事により、該集積回路の電気的特性を、高精度
に、かつ、正確に目標値に合わせる事が出来、歩留りが
向上する。又、半固定部品は、反復調整出来るため、調
整しすぎても戻す事が出来、さらに歩留り向上になる。
厚膜抵抗体と、半固定部品とによって少なくとも２回調
整を施す事により、該集積回路の電気的特性を、高精度
に、かつ、正確に目標値に合わせる事が出来、歩留りが
向上する。又、半固定部品は、反復調整出来るため、調
整しすぎても戻す事が出来、さらに歩留り向上になる。
また更に、本発明によれば、厚膜混成集積回路の電気的
特性が、セット実装後、電源電圧のわずかな変化や、周
囲条件の変化により、目標値からはずれても、半固定部
品により微調整出来、歩留りが向上する。
特性が、セット実装後、電源電圧のわずかな変化や、周
囲条件の変化により、目標値からはずれても、半固定部
品により微調整出来、歩留りが向上する。
第１図は本発明が適用される厚膜混成集積回路の一具体
例を示す平面図、第２図は第１図の厚膜混成集積回路の
回路構成を示す回路図、第３図（α）は本発明の一実施
例としての調整手順を説明するための説明図、第３図（
ｈｌは本発明の他の実施例としての調整手順を説明する
ための説明図、である。 １・・・・・・・・・・・・端子 ２・・・・・・・・・・・・機能調整用厚膜抵抗体３・
・・・・・・・・・・・半固定部品４・・・・・・・・
・・・・個別部品 ５・・・・・・・・・・・・厚膜導体 ６・・・・・・・・・・・・絶縁基板 糖２図 第３ （ａ） （ｂ）
例を示す平面図、第２図は第１図の厚膜混成集積回路の
回路構成を示す回路図、第３図（α）は本発明の一実施
例としての調整手順を説明するための説明図、第３図（
ｈｌは本発明の他の実施例としての調整手順を説明する
ための説明図、である。 １・・・・・・・・・・・・端子 ２・・・・・・・・・・・・機能調整用厚膜抵抗体３・
・・・・・・・・・・・半固定部品４・・・・・・・・
・・・・個別部品 ５・・・・・・・・・・・・厚膜導体 ６・・・・・・・・・・・・絶縁基板 糖２図 第３ （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- １、セラミック等の絶縁基板上に厚膜導体及び機能調整
用厚膜抵抗体を形成し、更に、該基板上に個別部品及び
、半固定抵抗器等の半固定部品を半田付けして成る厚膜
混成集積回路において先ず、該集積回路を動作状態にし
、次に、前記厚膜抵抗体の一部をレーザー等により切断
して、該集積回路における所定の電気的特性を所望の目
標値にほぼ合わせ、その後、前記半固定部品を調節して
、前記電気的特性を前記目標値に合わせるよう、前記集
積回路の機能調整を行うことを特徴とする厚膜混成集積
回路の機能調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267570A JPS63122105A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 厚膜混成集積回路の機能調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267570A JPS63122105A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 厚膜混成集積回路の機能調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122105A true JPS63122105A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17446626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61267570A Pending JPS63122105A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 厚膜混成集積回路の機能調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122105A (ja) |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61267570A patent/JPS63122105A/ja active Pending
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