JPS63210264A - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法

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Publication number
JPS63210264A
JPS63210264A JP4378087A JP4378087A JPS63210264A JP S63210264 A JPS63210264 A JP S63210264A JP 4378087 A JP4378087 A JP 4378087A JP 4378087 A JP4378087 A JP 4378087A JP S63210264 A JPS63210264 A JP S63210264A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
film
forming method
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4378087A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Maeda
貴雄 前田
Seisaku Yamanaka
山中 正策
Tadashi Igarashi
五十嵐 廉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP4378087A priority Critical patent/JPS63210264A/ja
Publication of JPS63210264A publication Critical patent/JPS63210264A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • B05C21/005Masking devices

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は成膜方法に関し、さらに詳細にいえば、IC
用のモジュール基板や、PAG基板等の半導体回路や、
絶縁被覆層を形成するための成膜方法に関する。
〈従来の技術〉 従来より、上記成膜方法として大別して以下の3種類が
採用されている。すなわち、スクリーン印刷法、エツチ
ング法、およびマスク被覆法である。
スクリーン印刷法は、250μω以下のピッチの微細な
パターンの形成に適しておらず、またその製造方法上、
成膜材料が限定される。エツチング法は精度が高く、薄
膜のパターンニングにも適しているが工程数が多く、コ
スト高となる一方、基板および膜への損傷、汚染が生じ
て信頼性が低下することがある。
一方、マスク被覆法は、工程数が少なく、基板や膜への
損傷汚染が少なく、マスクと基板との密着性が確保され
れば、100μD程度のピッチを得ることができるので
、IC用のモジュール基板、PGA基板や汎用の部分被
覆リードフレーム等への成膜にあたって、広く採用され
ている。
マスク成膜法は、基板面をマスクで被覆するだけなので
、マスクを基板に密着させる必要がある。
そのために、マスクを基板」二に単に載置したり、クリ
ップや錘等で機械的に固定したりすることも考えられる
が、密着度が弱かったり、密着部分にむらが生じたりし
て不都合が生じる。そのために、従来より、基板の背面
に磁石を当てて、磁力により基板を通してマスクを吸引
し、マスクを基板に均一にむらなく密着させるようにす
ることが試みられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところが、上記の磁石を利用した成膜方法では、基板の
背面に磁石を配置するため、磁石用の余分なスペースが
広く必要となる。また、基板のセット時に磁石と基板と
の位置合わせが必要である等、そのセットに手間を要し
、量産性が悪いものであった。
〈発明の目的〉 この発明は」二足の問題点に鑑みてなされたものであり
、基板背面に磁石を付加することなくマスクを基板に密
着させることができ、ひいては量産性を向上させること
ができる成膜方法を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するためのこの発明の成膜方法は、着
磁されたマスクを基板に磁気吸着させた状態で成膜する
ものである。
上記基板については、磁性体製のものを用いてもよく、
また背面に薄肉の磁性体を積層した非磁性体製のものを
用いてもよい。
〈作用〉 以上の成膜方法であれば、マスクの磁気吸着力によって
、基板背面に磁石を配置することなく、基板とマスクと
を密着させることができる。
基板に磁性体製のものを用いる場合であれば、マスクは
基板に直接吸着する。
基板に非磁性体製のものを用いる場合であれば、マスク
は、基板を介して、基板の背面に積層されている磁性体
を磁気吸引することによって基板と密着することができ
る。
〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。
第1図は、この発明の成膜方法を実施する真空蒸着装置
(1)を示す概略図であり、真空槽(2)の中において
、蒸着物質(4)を入れた加熱容器(3)と、マスク(
6)で被覆された絶縁性の基板(5)とが対向配置され
ている。基板(5)の裏面には薄肉の磁性体板(7)が
積層されている。
基板(5)は、アルミナ、石英等の非磁性材料からなる
ものである。マスク(6)は、Fe、 Co、NL等の
強磁性材料またはこれらの合金からなり、着磁されてい
る。磁性体板(7)も、Fe s Co −、NL等の
強磁性材料またはこれらの合金からなるものであり、マ
スク(6)との吸着性を持たせるために設けたものであ
る。
マスク(6)の磁化方向は任意であり、何れかの方向に
一様に磁化されていてもよく、いくつかの方向に分割し
て磁化されていてもよい。
上記の基板(5)を用いた真空蒸着装置(1)で成膜す
ると、マスク(6)が磁性体板(7)を吸引することに
よって、基板(5)とむらなく密着するようになり、高
精度の蒸着パターンを得ることができる。
基板(5)の厚さが例えば2n++nの場合、マスク(
6)が基板(5)と密着するためには、約500エルス
テツド以上の保磁力を有している必要がある。なお、磁
性体板(7)自体の厚さは1[ll1l以下であれば充
分であり、従来例の磁石より遥かに薄いものでよい。
さらに、マスク(6)とともに、磁性体板(7)を着磁
してもよい。この場合、マスク(6)に必要な保磁力は
、上記の場合より若干低下していてもよい。
磁性体板(7)は単一の板に限らず、吸着性を確保でき
れば、複数の板を張り合わせたものや、部分的に穴開は
加工、溝加工がなされているものでもよい。さらには、
第2図に示すように、基板としての非磁性体のセラミッ
ク絶縁膜(51)の裏側に、磁性体としてのコバール製
等のり−ドピン(7I)を接続したものであってもよい
上記の各実施例では、基板として非磁性体のものを用い
たが、磁性体の基板にも適用可能であり、この場合は、
第3図に示すように、マスク(62)を直接基板(52
)に吸着させて成膜する。この方法によれば、マスク(
62)が基板(52)に直接吸着するので、マスク(6
2)の保磁力は、約200エルステツド程度でよい。
なお、この発明は上記の実施例に限定されるものではな
く、例えば成膜方法として、真空蒸着法以外に、イオン
ブレーティング法、スパッタリング法その他の物理的蒸
着法を採用してもよく、このほか電気的、化学的に成膜
するめっき法を採用してもよい。ただ、基板自体を例え
ば600℃以上に加熱すると、基板の保磁力の低下が著
しいので、成膜中基板は600℃以下に保つことが好ま
しい。
その他この発明の要旨を変更しない範囲内において、種
々の変更を施すことが可能である。
く試験例〉 この発明の試験例として、20μmのアルミナ基板の裏
から、0 、25 mm厚のFa−42%Nし板を積層
し、幅100卯間隔100μωの周期的格子を50本有
する、0.1mm厚の約5000エルステツドに着磁し
たNしマスクを基板に配置して、八〇の真空蒸着を試み
た。真第4図は実測膜厚分布を示すグラフ。
空度は9.OX 1O−6Torrs基板温度は150
℃、成膜速度50八/secで膜厚的3μmを得た。成
膜中、マスクが剥離することもなく、良好なAQ膜パタ
ーンを形成することができた。第4図は、形成された膜
厚を実測し、膜厚分布として表わしたグラフであり、A
Q膜パターンのピッチが目標値の100μm前後に納ま
っているので、この発明が実用に適していることが分か
る。
〈発明の効果〉 以上のようにこの発明によれば、基板の裏側に別に磁石
を設けることなく、マスクおよび基板を互いに均一にむ
らなく密着することができるのでで、基板と磁石との位
置合わせが不要となり、量産性に優れた成膜を行うこと
ができるという特有の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は成膜方法を実施する蒸着装置を示す概略図、 第2図、第3図はそれぞれ基板の一例を示す側面図、 (5)・・・基板、(6)・・・マスク、(7)・・・
磁性体特許出願人  住友電気工業株式会社 第1図 第2図    第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、マスクを基板に被覆した状態で、マスク被覆部分以
    外の基板面に成膜する成膜方法において、着磁されたマ
    スクを基板に磁気吸着させた状態で成膜することを特徴
    とする成膜方法。 2、基板として、背面に薄肉の磁性体を積層した非磁性
    体製のものを用いる上記特許請求の範囲第1項記載の成
    膜方法。 3、基板として、磁性体製のものを用いる上記特許請求
    の範囲第1項記載の成膜方法。
JP4378087A 1987-02-25 1987-02-25 成膜方法 Pending JPS63210264A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03106356U (ja) * 1990-02-14 1991-11-01
US20120052205A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Coating method for forming pattern on workpiece
CN106269401A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 四川建筑职业技术学院 一种不易泄露的地板木油漆涂覆装置

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