JPS6321530A - 力検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、たとえばロボット用力覚センサやマンマシン
インターフェースとしての三次元入力装置等に利用され
る力検出装置に関するものである。

従来の技術 従来の力検出装置は、外力が印加されることにより弾性
変形する起歪体にこの起歪体の機械的変形により電気抵
抗を変化させる複数の検出素子を形成し、これらの検出
素子の電気的抵抗変化を電気的信号として取り出して外
力の強さを検出しているものである。

−ｉに、この種の力検出装置において、外力は一定の一
点に作用するものであり、その作用点におけるｘ、ｙ、
ｚ座標系の力Ｆｘ、Ｆｙ、ＦｚとモーメントＭ　ｘ　、
　Ｍ　ｙ　、　Ｍ　ｚとの独立した各成分力は第１４図
に示すように作用しているものである。

このような各成分力を検出するために、力検出装置の起
歪体を立体的なブロック構造に形成し、外力を多軸力成
分として分離検出するようにしたものが存し、この構造
は実公昭５４−１１９０３号公報、実公昭５４−２１０
２１号公報、特開昭５９−９５４３３号公報、特開昭６
１−５７８２５号公報、特開昭６１−７９１２９号公報
等により開示されている。とくに、前述の作用点におけ
るｘ、ｙ、ｚ座標おの力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚとモーメント
Ｍ　ｘ　、　Ｍ　ｙ　、　Ｍ　ｚとの独立した各成分力
の検出面、すなわち、ストレンゲージの貼付面は、成分
力に垂直な面を用いていることに特徴があるものであり
、起歪体は前述のようにブロック構造としての三次元的
な構造にならざるを得ないものである。

このような構造のものにおいては、起歪体の製作手段が
切削加工や放電加工であり、ブロック状の素材から製作
しなければならないものである。

そのため、加工が困難かつ煩雑である。また、各成分の
力検出要素毎にストレンゲージによる検出素子を貼着し
、これらの電気的接続はブリッジ結合されるのが一般的
であるので、リード線のはいまわしが煩雑であり、コン
パクト化や低コスト化をすることが難しく、量産性が低
いと云う問題点を有しているものである。

また、外力を多軸成分として分離するために構造物やプ
レートを組合せて立体的なブロックを形成しているもの
も存し、この構造のものは特開昭６１−８３９２９号公
報に開示されている。このような構造のものにおいては
、各成分毎の検出体がビス等により締結されているため
、再現性に乏しいと云う聞届がある。すなわち、締結部
の変形によりヒステリシスや非線形性が生じることにな
る。

さらに、別の構造のものとしては、特開昭６０−２２１
２８８号公報に、いわゆる８角応力リングが開示されて
いる。このような８角応カセンサにおいては、外力が一
方向の圧覚センサとしては使えるが、多軸力用としては
使用することができないと云う問題点がある。

目的 本発明は、起歪体の製作が容易であり、検出素子の形成
も簡単に行うことができる力検出素子を得ることを目的
とする。

構成 本発明は、剛性の高い中心部と周辺部との間に検出面を
形成した平板状起歪体を形成し、前記中心部と前記周辺
部とのいずれか一方を支持部とし他方を作用点とすると
ともに前記検出面に検出素子を形成する。これにより、
起歪体は平板状であるため、その製作時に僅かな切削加
工をするだけで形成することができ、また、ファインブ
ランキング等のプレス加工や鋳造もしくは射出成形によ
る加工も可能であり、しかも、検出面を平面に形成する
ことにより、検出素子の形成を薄膜半導体を用いて行う
ことができるように構成したものである。

本発明の第一の実施例を第１図乃至第１３図に基づいて
説明する。まず、平板状起歪体１はリング状に形成され
た厚さが厚くて剛性の高い周辺部２を有し、この周辺部
２には同一円周上に位置して厚さ方向に貫通した８個の
取付孔３が形成されている。この周辺部２は図示しない
固定部に固定される支持部４とされている。

また、中央には厚さが厚い円板状の中心部５が形成され
、この中心部５には４個の取付孔６が厚さ方向に貫通し
て形成されている。この中心部５には、図示しない部材
が取付けられ、この中心部５は外力を受けるための作用
部７とされている。

さらに、前記支持部４と前記作用部７との間には厚さの
汚い平板部８が形成され、この平板部８の表面は検出面
９とされている。このような平板部８には比較的直径の
大きい８個の穴１０が等間隔に形成されている。これら
の穴１０により内外周を連結する８本のアーム１１が放
射状に形成されている。これらのアーム１１はそれらの
中心部分において最も幅の狭い幅狭部１２と二の幅狭部
１２の両端に位置して略台形の拡開部１３とよりなるも
のである。そして、Ｘ軸方向とＹ軸方向とＸ軸及びＹ軸
に対して４５度の角度を持つＺ軸方向とに沿うように前
記アーム部１１を位置決めしている。

ついで、前記Ｘ軸上における前記拡開部１３にはＹ、、
Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、　と表示されたストレンゲージによる
検出素子１４が形成されている。これらの検出素子１４
の内、前記Ｙ、、Ｙ４　とは外側の拡開部１３に位置し
、前記Ｙ、、Ｙ、とは内側の拡開部１３に位置している
。そして、これらの検出素子１４は第５図に示すように
ブリッジ結合されており、Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、、Ｙ４なる
検出素子１４のバランスが崩れた時には出力Ｖｙが発生
するように接続されている。

また、前記Ｘ軸と直交する前記Ｙ軸上における前記拡開
部１３にはｘ、、ｘ、、ｘ、、ｘ、と表示されたストレ
ンゲージによる検出素子１４が形成されている。これら
の検出素子１４の内、前記Ｘ、、Ｘ４　とは外側の拡開
部１３に位置し、前記Ｘ、　、　Ｘ。

とは内側の拡開部１３に位置している。これらの検出素
子１４は第６図に示すようにブリッジ結合さレテおり、
ｘ、、ｘ、、ｘ、、ｘ、なる検出素子１４のバランスが
崩れた時には出力Ｖｘが発生するように接続されている
。

さらに、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５度の角度を持つＺ軸
上に位置する前記拡開部１３には、Ｚ　ｌ　ｌｚ、、ｚ
、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、と表示した８個の検
出素子１４が形成されている。これらの検出素子１４の
内、ｚ、、ｚ４．ｚ、、ｚ、は外側の前記拡開部１３に
位置し、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、は内側の前記拡開部１
３に位置している。これらの検出素子１４は第７図に示
すように接続されている。すなわち、２．．２．と２．
．２．と２．．２．と２．．２．とがそれぞれユニット
になってブリッジ結合されており、これらのバランスが
崩れた時には出力Ｖｚが発生するものである。

前述のように位置決めされた検出素子１４は、薄膜技術
により形成されているものである。すなわち、前記平板
状起歪体１はアルミニュウム合金またはステンレス鋼に
より形成されているものであるが、まず、その検出面９
にはバッファ層が堆積形成される。このバッファ層とし
て具体的には、ＳｉＮ、あるいは内部応力の少ないａ−
５ｉ：Ｈ膜を２０００〜１００００人プラズマＣＶＤ法
にて作成する。

つぎに、このバッファ層の上に半導体薄膜をその厚さが
５０００〜２００００　Ａ　になるように積層し、さら
に、電極材料となる高導電材料（たとえば、Ａｌ。

Ｎｉ−Ｃｒ、Ｍｏ等の金属薄膜）を２０００〜５０００
人の厚さをもって順次積層する。具体的には、半導体薄
膜としては、プラズマＣＶＤ法あるいは光励起ＣＶＤ法
で作成したμＣ−３ｉ（マイクロクリスタルシリコン）
か、ｎ”ａ−３ｉ：　Ｈを使用し、電極材料としてはＡ
ｌ−３Ｌ　（Ｓｉ：　２〜３ｗｔ％）を蒸着法あるいは
スパッタリング法によって作成する。

つぎに、電極材料をフォトリソ、エツチング工法によっ
て所定の形状にパターン化する。エツチングとしては、
ウェット法、ドライ法とがともに形状的には聞届がない
が、素子特性に対する影響を避けるためには、ドライエ
ッチが望ましい。また、ａ−５ｉ：Ｈの場合、プラズマ
エツチング装置によりＣＦ４−０□　（３〜２０ｗｔ％
）の混合ガスを使用することで再現性、精度とも良好な
エツチングが可能である。

また、Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ、Ｍｘ、Ｍｙ、Ｍｚの力の６成
分の検出と検出素子１４のブリッジ回路とを必要とする
ことから配線密度が高くなるため、多層配線としなけれ
ばならない。そのために、層間絶縁材料、例えば感光性
ポリイミドあるいはＳｉＮ、を積層する。感光性ポリイ
ミドを使用する場合には、ロールコータあるいはスピナ
ーによって塗布し、フォトリソ、エツチング工程により
コンタクトホ−ル部を作成する。Ｓ　ｉ　Ｎ　４の場合
には、プラズマＣＶＤ法によって成膜をし、レジスト塗
布後にフォトリソ、エツチング工程によりコンタクトホ
ール部を作成する。

さらに、第２次電極材料（例えばＡＩ、Ｎｉ−Ｃｒ。

ＭＯ等）をこの上に積層し、フォトリソ、エツチング工
程により所定の配線及びパッド部を形成する。

つ、ぎに、耐湿性の向上及び機械的損傷の防止のための
パシベーション膜として、例えばパリレンあるいはＳ　
Ｉ　Ｑ　＊　＋　　Ｓ　Ｌｌ　Ｎ　４　を堆積形成する
。

このような検出素子１４の形成手段に対して、第１次電
極パターン、層間絶縁部、第２次電極パターンを先に形
成しておくこともできる。このようにすることにより、
この工程までの不良品を除外することができ、最終工程
での歩留まりを向上させることができるものである。検
出素子１４部分での不良モードは、第１次及び第２次電
極材料のショート、断線が２５％であり、層間絶縁部の
絶縁不良によるショート、コンタクトホール不良品によ
る断線が２０％程度であり、この工程までの不良が大半
を占めている。そのため、早い工程段階でこれらの不良
を除外できる効果は大きいものである。

また、半導体薄膜の堆積形成の際に、必要な部分だけに
開口部を設けたメタルマスクを使用して所定の位置だけ
に半導体薄膜を形成するようにしても良い。これにより
、半導体薄膜のフォトリソ、エツチング工程が不用とな
り、プロセスが簡略化でき、低コストで検出素子１４部
分の製造が可能になる。

このような構成において、第８図（ａ）（ｂ）に基づい
て平板状起歪体１の検出原理について説明する。

まず、第８図において、ビームまたはプレートによる起
歪体１５が固定部１６と可動部１７との間に取付けられ
ており、この起歪体１５の上下面には中心からの距離を
等しくして検出素子としてのストレンゲージ１８が設け
られている。そして、第８図（ａ）に示す状態は可動部
１７に負荷が加えられていない状態であり、第８図（ｂ
）に示す状態は、Ｆなる下方への負荷が印加されて可動
部１７カく下方へ移動した状態である。このとき、起歪
体１５は固定部１６側の上面が伸び、下面が縮小し、可
動部１７側の上面が縮小し、下面が伸びている。

すなわち、ストレンゲージ１８には絶対値が等しく符号
子−が逆の歪が発生してそれに応じた抵抗変化をする。

一般にこの４枚のストレンゲージ１８をブリッジ結合し
て感度を４倍にして出力を取り出すようにしている。

つぎに、第９図に示すものは、本実施例における平板状
起歪体１と同様な断面のものであり、周囲の支持部４は
図示しない固定部に固定され、中心の作用部７に外力が
作用するものである。いま、第９図（ａ）は作用部７に
荷重が作用していない状態であり、第９図（ｂ）はＦｚ
なる垂直荷重が作用している状態である。この状態にお
いては、中心の作用部７から片側は前述の第８図（ｂ）
に示す状態と同様であり、内側の二つの検出素子１４は
縮み（−）、外側の二つの検出素子１４は伸び（＋）で
いるものである。第９図（ｃ）に示す状態は作用部７に
モーメントＭが作用した状態である。この状態において
は、左右で反対称の撓状態を示し、内側と外側との検出
素子１４のそれぞれの撓状態が逆の符号を示す状態にな
っている。

このような検出原理を示す平板状起歪体１において、支
持部４と作用部７とが平板部８よりも°剛性が高く、し
かも、支持部４２作用部７．平板部８が一体的に形成さ
れていることが重要な要件である。すなわち、支持部４
と作用部７とには固定部及び荷重検出体が結合されるも
のであるが、これらの締結部に外力による変形又は遊び
が生じることがあると出力にヒステリシスが生じたり、
非線形性が生じたりする。そのため、支持部４と作用部
７とが平板部８よりも剛性が高く、しかも、支持部４２
作用部７．平板部８が一体的に形成されていることによ
り、ヒステリシスの発生や非線形性が発生したりするこ
とがない。また、締結部としての支持部４と作用部７と
には、ねじ締め等による応力が発生して検出面９に歪を
発生させ易いものであるが、これらの支持部４と作用部
７とは平板部８よりもはるかに剛性が高いので、検出素
子１４に他部材の締結を原因とする歪が発生することが
ない。

一般に、中心に位置する作用部７にはＺ軸方向に突出す
る感圧部材が取付けられるものであるが、その感圧部材
の先端にＦｘなる力が作用したとすれば、作用部７では
Ｍｙなるモーメントになり、感圧部材の先端にＦｙなる
力が作用したとすれば、作用部７ではＭｘなるモーメン
トとなる。そのため、Ｍｙ、Ｍｘ、Ｆｚの三つの外力が
代表的なものとなる。

この応力関係を第１０図に基づいて説明する。

まず、検出面９の中心に作用点○。が存し、二の作用点
０゜に高さＬの感圧部材が取付けられ、この感圧部材に
対して外力が作用点０．に作用するものとする。そこで
、感圧部材の作用点０．に働＜　Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ、Ｍ
ｘ、Ｍｙの成分は、検出面９の作用点０゜では、Ｆｚ、
Ｍｘ、Ｍｙの３成分力として検出されるものである。

つぎに、第１１図ないし第１３図に基づいて平９板状起
歪体１に外力が作用した代表的な状態について説明する
。まず、作用力として作用部７にモーメントＭＹのみが
作用する状態を第１１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示
す。このとき、第１１図（ａ）に示すようにＭｘ成分部
においては変形がなく、Ｘ　Ｉ　ＩＸ、、Ｘ、、Ｘ、の
検出素子１４により構成された第６図に示すブリッジ回
路の出力Ｖｘは「ＯＪである。また、Ｍｙ成分検出部は
、第１１図（ｂ）に示すような変形モードとなり、Ｙ、
、Ｙ、、Ｙ、、Ｙ４　と表示された検出素子１４がそれ
ぞれ変形し、第５図に示すブリッジ回路の出力Ｖｙがモ
ーメントＭＹに応じた値を示す、さらに、Ｆｚ成分検出
部は、第１１図（ｃ）（ｄ）に示すような変形モードと
なり、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ
、と表示した８個の検出素子１４がそれぞれ変形する。

しかしながら、この変形度合いが小さいこと、その出力
は第７図に示すブリッジ回路により求められることによ
りほとんど「０」になる。すなわち、Ｚ、と２４．２．
と２３．２．と２．．２．とＺ、との伸び縮みの変形の
方向は各々逆方向であり、第７図に示すブリッジ回路に
おいて各辺の合成抵抗がそれぞれ相殺されて「０」にな
るため、出力Ｖｚは「０」になる。

つぎに、モーメントＭｘのみが作用する状態は、第１２
図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示されるが、この場合は
Ｍｘ成分検出部の出力Ｖｘが発生し、Ｍｙ成分検出部の
出力Ｖｙは「０」となる。また、Ｆｚ成分検出部の出力
Ｖｚについては、前述の第１１図（Ｃ）（ｄ）における
場合と同様な理由によりｒＱＪ　となる。

さらに、力Ｆｚのみが作用する場合は、第１３図（ａ）
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示されるが、Ｍｘ成分検出部にお
いては、Ｘ、、Ｘ４　が＋側の変形であり、Ｘ、、Ｘ、
が−側の変形であり、第６図に示すブリッジ回路の出力
Ｖｘは「０」である。また、Ｍｙ成分検出部の出力ＶＹ
も同様な理由で「Ｏ」である。−方、Ｆｚ成分検出部の
出力Ｖｚは一個の検出素子１４の８倍の出力が得られる
。

このような第１１図ないし第１３図の出力状態をまとめ
ると、第１表に示すようになる。

第１表 このように最大感度の方向の変形を歪ゲージとしての検
出素子１４により検出し、他の干渉成分はブリッジ回路
によりその出力を「０」とすることが可能になった。

つぎに、平板状起歪体１の平板部８に穴１ｏを形成した
ことによ゛す、各成分の応力分離が良好に行われている
。例えば、平板部８に穴１０がなくて円形ダイヤフラム
により形成されているものとすれば、作用部７に外力が
作用した時、平板部８に生じる曲げ応力は動径方向に生
じることはもちろんのことであるが、周方向にも略同程
度の応力が生じてしまうものであるにの周方向の応力の
発生は各成分毎に検出する場合、他の成分に大きく干渉
する。しかしながら、前述のように中心から等距離で円
周上に等間隔で複数の穴１０が形成されていることによ
り、平板部８に発生する周方向の曲げ応力を小さくし、
歪の発生を主として動径方向にのみ表われるようにして
いる。このような作用により、各成分の応力の干渉がな
く、その応力分離が良好に行われるものである。

また、平板状起歪体１の平板部８に形成された穴１０に
よりアーム１１が形成され、このアーム１１の拡開部１
３に検出素子１４が位置している。

この拡開部１３は互いに隣合う二個の穴１０により形成
されているものであり、略台形に近似した形状をしてい
る。そして、円周方向に対しては、隣合う拡開部１３と
互いに分離された形をしており、前述のように円周方向
の曲げ応力による干渉が生じない状態になっている。し
がも、拡開部１３はアーム１１部分の基部に位置してい
るので、動径方向の曲げ応力が発生し易い部分であり、
外力により発生する歪の検出には適当な位置である。

さらに、拡開部１３に発生する曲げ応力の分布を見ると
、アーム１１の基部における前記拡開部１３においては
、その応力分布が比較的均一であり、しかも、干渉が少
ない。そのため、検出素子１４をストレンゲージとして
平板状起歪体１に貼付する場合、多少の位置ずれがあっ
ても歪検出の精度のバラツキがなく、これにより多少の
位置ずれは許容されること番９なり、貼付位置の精度に
対して厳しい条件を付ける必要がないものである。

つぎに、平板状起歪体１の平板部８に８個の穴１０が形
成されていることにより、Ｘ軸とＹ軸との動径方向に対
して、それらと４５度の角度を持つ位置にｚ、　、　、
　ｚ　、ｚ　、　、　ｚ　、　、　ｚ　、　、　ｚ　、
　、　ｚ　、　、　ｚ　、なる検出素子１４を配設する
ことが可能になる。このような検出素子１４の配設によ
り、第１表に示すようにＦｚ酸成分検出が良好に為され
、しがも、Ｍｘ、Ｍｙ酸成分検出時にその成分以外の検
出値を有効に消去することができるものである。

ついで、第１５図に基づいて本発明の第二の実施例を説
明する。本実施例は前述の第一の実施例と同様な構成が
採用されている他に、平版状起歪体１の穴１０の側面１
９に検出素子１４を貼付したものである。すなわち、Ｘ
軸に沿ったアーム１１の側面１９にはＦＹ検出用の検出
素子１４が貼付され、Ｙ軸に沿ったアーム１１の側面１
９にはＦｘ検出用の検出素子１４が貼付され、Ｘ軸及び
Ｙ軸と４５度の角度をなすアーム１１の側面１９にはモ
ーメントＭｚ検出用の検出素子１４が貼付されている。

したがって、本実施例によれば、Ｘ軸回りのモーメント
Ｍｚも検出することができるものである。

なお、前記の各実施例においては、平板状起歪体１を円
板状のものとして説明したが、その外周形状は円板状に
限られるものではなく、正方形状、矩形状、多角形状そ
の他の任意の形状により形成することが可能である。

また、平板状起歪体１の平板部８に六１０を形成したも
のについて説明したが、前述のように各応力の干渉を許
容した簡易形のものでよい場合には、それらの穴１０を
形成することなく、ダイヤフラム形状としておいてもよ
いものである。

さらに、検出軸の方向に関しては、前記実施例のように
ｘ、ｙ、ｚの三方向をすべて検出するものとせず、例え
ばＸ軸とＹ軸との二方向だけの検出を行うものとして構
成してもよいものである。

効果 本発明は、上述のように中心部と周辺部とのいずれか一
方を支持部とし他方を作用部とし、これらの両者間に検
出面を形成し、この検出面よりも前記中心部と前記周辺
部との剛性を大きくした平板状８歪体を形成し、この平
板状起歪体の前記検出面にこの検出面の機械的変形によ
り電気抵抗を変化させる検出素子を形成したので、平板
状起歪体の製作がきわめて容易であり、しかも、従来の
ブロック状のものであれば製作することができない工法
を採用することができ、検出素子も薄膜半導体を利用し
て形成することができ、これにより。

均等な性能を有する検出素子の配列を行うことができ、
それらの位置も正確になり、とくに、各成分毎のブリッ
ジ化をする複雑なリード線の配線が容易になる等の効果
を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例を示す斜視図、第２図は
その平面図、第３図は第２図におけるＡ−Ａ　Ｉａ部の
断面図、第４図は第２図におけるＢ−Ｂ線部の断面図、
第５図はＭｙ成分検出部のブリッジ回路を示す電気回路
図、第６図はＭｘ成分検出部のブリッジ回路を示す電気
回路図、第７図はＦｚ成分検出部のブリッジ回路を示す
電気回路図、第８図は検出原理を示す側面図、第９図は
平板状起歪体に外力が作用した状態の検出原理を示す側
面図、第１０図は作用部に作用する力の状態を示す斜視
図、第１１図はモーメントＭｙが作用した時の平板状起
歪体の変形状態を示す側面図、第１２図はモーメントＭ
ｘが作用した時の平板状起歪体の変形状態を示す側面図
、第１３図は力Ｆｚが作用した時の平板状起歪体の変形
状態を示す側面図、第１４図は外力の作用した場合の各
成分力を示すベクトル図、第１５図は本発明の第二の実
施例を示す斜視図である。 １・・・平板状起歪体、２・・・周辺部、４・・・支持
部、５・・・中心部、７・・・作用部、９・・・検出面
、１４・・・検出素子 ３」　図 ３７図 ３．３図 ｈ Ｊ　、１０図 ÷ −手続術Ｕ正店に（自Ｊ′り 昭和６１年　９月　１日 特願昭６１−１６６３９１号 ２、発明の名称 力検出装置 ３、補正をする者 一１ｔ　ｌ’ｌ：どの関係　　特許出願人化所　東京都
大１１．１区中馬込１丁目３番６号４、代　理　人 〒１０７ 特ｊ頭昭６１−１６６３９１号補正書 この出願に関し、明細書中の記載を下記のように補正す
る。 記 ■、第４頁第３行目の「多軸成分」を「多軸力成分」に
補正する。 ２、第４頁第１２行目乃至第１７行目の文を削除する。 ３、第５頁第１２行目の「もしくは射出成形Ｊを削除す
る。 ４、第６頁第５行目の「支持部４とされている。」を「
支持部４に連結されている。」に補正する。 ５、第９頁第１行目と第２行目との間に次の文を加入す
る６ １以上で示した平板状起歪体の検出素子１４は従来から
使われてきた金属箔歪ゲージを用いることも可能であっ
た。起歪体の平板化の必要性は、歪センサの薄膜形成技
術にとっても重要である。」 ６、第９頁第８行目のｒｓｉＮ、Ｊをｒｓｉ、Ｎ、Ｊに
補正する。 ７、第９頁第８行目のｒａ−５ｉ：Ｈ膜」をｒｓｉＯｘ
膜」に補正する。 ８、第９頁第１６行目のｒｌｔＣ−５ｉＪを「μＣ−３
ｉＪに補正する。 ９６第１０頁第１５行目のｒＳｉＮ、ＪをｒＳｉ、Ｎ、
Ｊに補正する。 １０、第１１頁第１行目の「ＳｉＮ４」をｒｓｉ、Ｎ４
」に補正する。 １１、第１３頁第１２行目の「結合して感度を」を次の
ように補正する。 「結合して１枚のストレンゲージの場合と比較し感度を
Ｊ １２、第１６頁第１５行目のｒ　Ｍ　ｘ成分部に」をｒ
Ｍｘ成分検出部に」に補正する。 １３、第１７頁第１５行目に次の文を加入する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 　１．中心部と周辺部とのいずれか一方を支持部とし他
   方を作用部とし、これらの両者間に検出面を形成し、こ
   の検出面よりも前記中心部と前記周辺部との剛性を大き
   くした平板状起歪体を形成し、この平板状起歪体の前記
   検出面にこの検出面の機械的変形により電気抵抗を変化
   させる検出素子を形成したことを特徴とする力検出装置
   。
2. 　２．複数の検出素子を同一平面内に形成したことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の力検出装置。